一种自适应高可靠性HBT线性功率放大器

本发明提出了一种自适应高可靠性HBT线性功率放大器,在基础HBT线性功率放大器单元上增加功率检测及控制单元、模拟电源开关单元。功率检测及控制单元监测输入HBT线性功率放大器的信号功率强度,当有异常大功率信号输入HBT线性功率放大器时,通过模拟电源开关单元关断模拟电源供电,确保HBT线性功率放大器始终处于安全状态。通过对输入功率放大器的信号功率的实时检测,实现了HBT线性功率放大器在不同工作状态下的自适应,克服了模拟电源串联限流电阻对HBT线性功率放大器进行保护所带来的效率下降、线性度退化、匹配困难等缺陷。在不明显牺牲HBT线性功率放大器线性度和效率基础上,实现了HBT线性功率放大器的高鲁棒性。

2021-11-02

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一种应用于射频放大器的高线性偏置电路

本发明公开了一种应用于射频放大器的高线性偏置电路,克服了现有技术的补偿电路引入的性能影响较大、工频偏移、信号失真的问题,包括输出信号功率采集转化电路、参考电流控制电路以及偏置电压产生电路；参考电流控制电路分别与输出信号功率采集转化电路和偏置电路产生电路连接。本发明通过监测射频放大器的输出信号幅度,自动调整偏置电路的偏置电压进而在处理大功率信号时提高偏置电压,补偿功率增益提高了射频放大器的线性度,可以实现芯片全集成,电路结构简单,反应速度快,寄生参数小,对功率放大器的核心电路的性能影响小。

2021-11-02

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高频半导体放大器

本发明所涉及的高频半导体放大器具备：晶体管,其形成于半导体基板上,具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；晶体管的输入侧基波匹配用的匹配电路；第一电感器,其形成于半导体基板上,一端与晶体管的栅极电极连接,另一端与匹配电路连接；电容,其形成于半导体基板上,一端短路；以及第二电感器,其形成于半导体基板上,一端与晶体管的栅极电极连接,另一端与电容的另一端连接。第二电感器在二倍波的频率下与电容串联谐振,且与第一电感器呈现减极性的互感,并与第一电感器形成输入侧二倍波匹配用互感电路。

2021-10-29

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一种带有直通选择结构的GaAs自偏置低噪声放大器

本发明公开一种带有直通选择结构的GaAs自偏置低噪声放大器,应用于电子通信技术领域,针对现有放大器电路输入信号在幅度较大的时候会出现压缩情况,从而引入非线性效应,影响信号完整性的问题,本发明对传统的低噪声放大器进行了改良,使得放大器可以在放大器与直通之间进行选择,同时在选择直通的时候放大器利用电源管理结构断电以确保低功耗及电路稳定。电路采用自偏置结构并由单电压控制放大/直通的选择,这种方案解决了射频前端系统中放大器与直通的可重构的难题,同时减少了电路的供电口,提升了集成度,并通过选择级间匹配的方式实现了正斜率增益,使得电路更加适合大多数对增益平坦度要求较高的系统应用。

2021-10-29

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线性度优化电路以及包括其的低噪声放大器

本发明提供了一种线性度优化电路以及包括其的低噪声放大器,所述低噪声放大器包括：放大器电路,其被配置为接收射频输入信号并且输出射频输出信号,以及线性度优化电路,其连接到所述放大器电路并且被配置为通过调整其中的偏置电流来可编程地补偿所述放大器电路的线性度。

2021-10-26

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可变增益放大器及其应用

本发明揭示了一种可变增益放大器及其应用,所述放大器包括第一差分对、第二差分对和/或第三差分对、及第四差分对,每个差分对包括两组交叉耦合的共源共栅结构,每个共源共栅结构包括一个输入晶体管和一个输出晶体管。本发明的可变增益放大器突破了常规可变增益放大器设计中需要多级或额外的无源器件才能完成极低相位误差的限制,仅通过一级共源共栅结构即可实现在较大的增益变化范围保持极低的相位误差,同时具有可实现180°反相功能,具有较广的应用。

2021-10-19

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用于多频带毫米波无线通信的宽频带接收器

RF接收器包括：用于接收并放大RF信号的低噪声放大器(LNA)、基于变压器的IQ生成器电路、一个或多个负载电阻器、一个或多个混频器电路、以及下变频器。基于变压器的IQ生成器用于基于从本地振荡器(LO)接收的LO信号生成本地振荡器的差分同相(LOI)信号和差分正交(LOQ)信号。负载电阻器耦接到基于变压器的IQ生成器的输出。各个负载电阻器用于将差分LOI和LOQ信号之一耦接到预定偏置电压。混频器耦接到LNA和基于变压器的IQ生成器以接收由LNA放大的RF信号并将其与差分LOI和LOQ信号混频,从而生成同相RF(RFI)信号和正交RF(RFQ)信号。下变频器将RFI信号和RFQ信号下变频为IF信号。

2021-10-08

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一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路

本发明公开了一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路,其特征是：为由输入级、中间级与输出级组成的三级级联结构,其中,输入级采用二级级联共栅结构,用于实现射频宽带匹配及低噪声放大功能；中间级采用分布式共源放大器结构,用于实现信号的宽带延展与信号放大,输出级采用功率放大器设计结构,用于实现射频信号的输出匹配及功率驱动功能。本发明实现了在宽频带500MHz～2.5GHz频率范围内宽带高线性工作,性能良好,实现基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器,可实现后续整个系统的单片集成。

2021-10-01

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射频功率放大电路、芯片及通信设备

本申请实施例提供一种射频功率放大电路、芯片及通信设备,射频功率放大电路包括：功率控制电路、功率级电路、驱动级电路和输出阻抗匹配电路,驱动级电路分别连接功率控制电路和功率级电路,功率级电路还连接输出阻抗匹配电路。在本实施例提供的射频功率放大电路、芯片及通信设备能够提高射频功率放大电路的应用范围。

2021-09-24

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一种适用于宽带接收机的单端无电感低噪声放大器

本发明公开了一种适用于宽带接收机的单端无电感低噪声放大器,包括主体放大电路、负反馈电路,所述主体放大电路包括第一PMOS管、第一NMOS管、第四电阻、第五电阻、第四电容、第五电容,所述负反馈电路包括电流源、第二PMOS管、第二NMOS管、第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻、第二电阻,所述第一PMOS管的漏极连接第一NMOS管的漏极,所述第一PMOS管的栅极接第四电容的一端、第四电阻的一端。本发明电路能够在实现较好的线性度、噪声系数同时覆盖较宽的频带,可在满足系统性能指标的条件下极大地降低成本。

2021-09-21

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