本发明涉及一种碳化硅衬底片抛光用砂轮及其制备方法,该砂轮由基体和磨料层组成,所述磨料层的各原料重量百分比为：金刚石磨料22-45%、环氧丙烯酸树脂5-40%、木质纤维素20-35%、纳米二氧化硅10-20%。本发明制备的树脂抛光砂轮,采用特殊的真空高压浸渍法和光固化相结合的成型方式,解决粉末树脂粉热压法磨料聚集的难题,磨料在砂轮体系中分散均匀性好,对碳化硅衬片的抛光质量好。同时,木质纤维素形成的三维网状通孔结构,不仅有利于冷却和容屑,磨削能够脆性断裂和剥离形成新的磨削工作层。本发明制备的碳化硅衬底片抛光砂轮可以替代CMP抛光工艺,获得更好的效率和表面质量。

本发明涉及半导体加工制造领域,公开了一种研磨垫和研磨垫制备方法。其中,所述研磨垫包括磨粒、溶剂以及具有纤维状结构的基材；所述磨粒均匀悬浮在所述溶剂中；所述溶剂和所述磨粒填充在所述基材的空隙中,所述溶剂由具有胀塑性流体特性的材料构成。相对于现有技术,本发明的技术方案能够通过让溶剂在研磨过程中,对剪切力产生响应,对磨粒的夹持力进行增减控制,融合了固着磨粒研磨和游离磨粒研磨的的优点,提高了硬、脆型材料的研磨效率,减少了材料表面损伤,同时具有低成本,无污染的优点。