本文公开了一种用于检测辐射的装置及其制备方法。该方法可以包括在半导体衬底(102)中形成凹部(104),其中所述半导体衬底(102)的一部分(107)延伸到所述凹部(104)中并且被所述凹部(104)包围；在所述凹部(104)中形成半导体单晶(106),所述半导体单晶(106)具有与所述半导体衬底(102)不同的组成；在所述半导体衬底(102)中形成第一掺杂半导体区(108)；在所述半导体衬底(102)中形成第二掺杂半导体区(109)；其中所述第一掺杂半导体区(108)和所述第二掺杂半导体区(109)形成将所述部分(107)与所述半导体衬底(102)的其余部分分开的p-n结。

本发明公开了一种提升中子探测效率的转换层,包括入射层和出射层,所述入射层为平面结构,所述出射层为均匀分布在入射层背离入射面的一侧面上的若干圆锥形凸台；所述凸台的中心线垂直于入射层所在平面；所述转换层采用含有氢元素的聚合物材料制成。本发明将转换层的出射层表面设置成均匀分布的若干圆锥形凸台,通过圆锥形凸台来提高转换层上供反冲质子出射的有效面积,原本部分无法穿出的质子现在可以穿过转换层飞出,大大提升了探测器对中子的探测效率,并且,不会降低中子位置灵敏探测器对中子位置的分辨能力。