阅读说明：本技术 具有温度补偿的偏置电路、放大装置以及放大设备 (Bias circuit with temperature compensation, amplifying device and amplifying equipment ) 是由 崔圭珍 赵济熙 于 2019-11-06 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种具有温度补偿的偏置电路、放大装置以及放大设备。所述偏置电路包括：电流产生电路、偏置输出电路和温度补偿电路,所述电流产生电路基于参考电流产生内部基极电流,所述偏置输出电路基于所述内部基极电流产生基极偏置电流并且将所述基极偏置电流输出到放大电路,所述温度补偿电路基于反映周围温度改变的温度电压来调节所述基极偏置电流。(The invention provides a bias circuit with temperature compensation, an amplifying device and an amplifying device. The bias circuit includes: a current generation circuit that generates an intrinsic base current based on a reference current, a bias output circuit that generates a base bias current based on the intrinsic base current and outputs the base bias current to an amplification circuit, and a temperature compensation circuit that adjusts the base bias current based on a temperature voltage reflecting a change in ambient temperature.)

具有温度补偿的偏置电路、放大装置以及放大设备

本申请要求于2019年4月18日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0045558号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种具有温度补偿功能的偏置电路和放大装置。

背景技术

通常，无线通信系统包括用于放大传输的信号的放大装置。为了满足用于扩散无线通信系统的多媒体服务和高速通信功能的需求，正在为了技术的不断发展以及宽带特性和非线性特性的改善进行持续研究。

在放大装置中，诸如异质结双极晶体管(HBT)的功率放大器的线性度和偏置电平具有强相关性。通常，当功率晶体管偏置为高电平时，它具有优异的线性性能。

然而，当放大装置在高温下操作时，由于HBT装置的温度特性导致在基极与发射极(基极-发射极)之间的PN结的导通电压Vth降低。在这种情况下，基极偏置电平也变低。

因此，由于在高温操作期间基极偏置电平变低，因而可能存在功率放大器的线性度劣化的问题。为了克服这样的问题，已经提出了一种这样的解决方案：使用与绝对温度成比例(PTAT)的偏置以用于当放大器在高温下操作时增加外部偏置电流。然而，在这种方法中，可能存在诸如准确地感测HBT功率晶体管的温度的技术困难，并且额外需要外部电路来实现这种方法，因此包括在放大装置中的电路可能变得更加复杂。

发明内容

提供本发明内容以按简化的形式介绍所选择的构思，并在以下

具体实施方式

中进一步描述这些构思。本发明内容既不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

提供一种偏置电路和放大装置，在电流偏置电路中，所述偏置电路和放大装置能够使用二极管的温度特性和用于反映周围温度改变的电流吸收方法，来补偿可根据周围温度而变化的基极偏置电流。

在一个总体方面，一种偏置电路包括：电流产生电路，基于参考电流产生内部基极电流；偏置输出电路，基于所述内部基极电流产生基极偏置电流并且将所述基极偏置电流输出到放大电路；以及温度补偿电路，基于反映周围温度改变的温度电压来调节所述基极偏置电流。

在另一总体方面，一种放大装置包括：电流产生电路，基于参考电流产生内部基极电流；偏置输出电路，基于所述内部基极电流产生基极偏置电流；放大电路，包括接收所述基极偏置电流的放大晶体管；以及温度补偿电路，基于反映周围温度改变的温度电压来调节所述基极偏置电流。

所述电流产生电路可包括：第一电阻器，具有连接到所述参考电流的端子的第一端；第一二极管和第二二极管，彼此串联连接在所述第一电阻器的第二端与第二电阻器的第一端之间；以及所述第二电阻器，连接在所述第二二极管与地之间。

所述电流产生电路可在所述第一二极管与所述第二二极管之间的连接节点处输出所述温度电压。

所述第二二极管可具有与包括在所述放大电路中的所述放大晶体管的基极-发射极PN结的温度特性相同的温度特性。

所述偏置输出电路可包括：输出晶体管，具有与所述第一电阻器与所述第一二极管之间的连接节点连接的基极、连接到电源电压的端子的集电极以及连接到所述放大电路的发射极。

所述输出晶体管可放大所述内部基极电流的输入到所述基极的电流，并且通过所述发射极输出所述基极偏置电流。

所述温度补偿电路可包括：第三电阻器，具有与所述第一二极管与所述第二二极管之间的所述连接节点连接的第一端；第四电阻器，具有连接到所述输出晶体管的所述基极的第一端；补偿晶体管，具有连接到所述第三电阻器的第二端的基极、连接到所述第四电阻器的第二端的集电极以及连接到地的发射极；以及第一电容器，连接在所述补偿晶体管的所述基极与地之间。所述第四电阻器可在所述补偿晶体管的所述集电极与所述输出晶体管的所述基极之间提供隔离功能，并且所述第三电阻器和所述第一电容器可形成低通滤波器。

所述补偿晶体管可根据所述温度电压的幅值来调节所述内部基极电流的吸收到地的电流。

在另一总体方面，一种放大设备包括：第一晶体管，用于基于接收到的内部基极电流来产生并输出基极偏置电流；第二晶体管，用于接收所述基极偏置电流；以及第三晶体管，被配置为基于周围温度改变来调节所述第二晶体管的基极电压。

所述放大设备可包括：第一二极管；以及第二二极管，与所述第一二极管串联连接。对应于所述周围温度改变的温度电压可在所述第一二极管与所述第二二极管之间的连接节点处输出到所述第三晶体管的基极。

所述第二二极管的温度特性可与所述第二晶体管的温度特性相同。

所述第三晶体管可基于所述温度电压的幅值来调节所述内部基极电流的吸收到地的电流的幅值。

通过以下具体实施方式、附图以及权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。

附图说明

图1是根据示例的放大装置的示图。

图2是根据示例的偏置电路和放大电路的示图。

图3是根据示例的偏置电路和放大电路的示图。

图4是应用根据示例的放大装置的示图。

图5是示出温度-静态电流特性的曲线图。

图6A和图6B是示出根据温度改变的输出功率-增益特性的曲线图。

图7A和图7B是示出根据温度改变的输出功率-AM-AM失真特性的曲线图。

图8A和图8B是示出根据温度改变的输出功率-ACLR特性的曲线图。

在所有的附图和具体实施方式中，相同的附图标记指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，并且为了清楚、说明和便利起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。

具体实施方式

提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，对于本领域的普通技术人员而言，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物将是显而易见的。在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须按照特定顺序发生的操作之外，可做出对于本领域的普通技术人员将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域的普通技术人员将公知的功能和结构的描述。

在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，以使本公开将是彻底的和完整的，并且将把本公开的全部范围传达给本领域的普通技术人员。

在此，注意的是，关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如，关于示例或实施例可包括或实现什么)意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例或实施例，而全部示例和实施例不限于此。

在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。

如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个和任意两个或更多个的任意组合。

尽管在此可使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分将不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用来将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

为了易于描述，在此可使用诸如“上方”、“上面”、“下方”和“下面”的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意在除了包含附图中描绘的方位之外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件在“上方”或“上面”的元件于是将相对于所述另一元件在“下方”或“下面”。因此，术语“上方”根据装置的空间方位包括“上方”和“下方”两种方位。装置还可以以其他方式(例如，旋转90度或者处于其他方位)定位，并且将相应地解释在此使用的空间相对术语。

在此使用的术语仅用于描述各种示例，并且将不用于限制本公开。除非上下文另外清楚指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。

由于制造技术和/或公差，附图中所示出的形状可能发生变化。因此，在此描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括制造期间发生的形状的改变。

在此描述的示例的特征可以以在理解本申请的公开内容之后将显而易见的各种方式进行组合。此外，虽然在此描述的示例具有多种构造，但在理解本申请的公开内容之后将显而易见的其他构造是可行的。

图1是根据示例的放大装置的示图。

参照图1，放大装置可包括控制电路100和功率放大电路200。

控制电路100可包括参考电流电路110。参考电流电路110可产生参考电流Iref并将参考电流Iref输出到功率放大电路200。

功率放大电路200可包括偏置电路210、温度补偿电路230和放大电路250。但是本发明不限于此，偏置电路210可以包括温度补偿电路230。

图2是根据示例的偏置电路和放大电路的示图。

参照图1和图2，偏置电路210可包括电流产生电路211和偏置输出电路212。

电流产生电路211可基于参考电流Iref产生内部基极电流I10。作为示例，电流产生电路211可包括第一电阻器R11、第一二极管D11和第二二极管D12。

第一电阻器R11可包括连接到参考电流Iref的端子的一端和连接到第一二极管D11的阳极的另一端。

第一二极管D11和第二二极管D12可彼此串联连接在第一电阻器R11的另一端与地之间。第一二极管D11可包括连接到第一电阻器R11的另一端并且接收电流I20的阳极和连接到第二二极管D12的阳极的阴极。第二二极管D12可包括连接到第一二极管D11的阴极的阳极和连接到地的阴极。

对于每个附图，对于具有相同附图标记和相同功能的组件可省略不必要的冗余解释，并且将解释每个附图的不同。

图3是根据示例的偏置电路和放大电路的示图。

参照图3，电流产生电路211可包括第一电阻器R11、第一二极管D11、第二二极管D12和第二电阻器R12。

第一电阻器R11可包括连接到参考电流Iref的端子的一端和连接到第一二极管D11的阳极的另一端。第一二极管D11和第二二极管D12可彼此串联连接在第一电阻器R11的另一端与第二电阻器R12的一端之间。第一二极管D11可包括连接到第一电阻器R11的另一端的阳极和连接到第二二极管D12的阳极的阴极。第二二极管D12可包括连接到第一二极管D11的阴极的阳极和连接到第二电阻器R12的一端的阴极。第二电阻器R12可包括连接到第二二极管D12的阴极的一端和连接到地的另一端。

在图2和图3中的每个中，电流产生电路211可在第一二极管D11与第二二极管D12之间的连接节点NA处将温度电压VT输出到温度补偿电路230。作为示例，第二二极管D12可制造为具有与放大晶体管M50的基极-发射极PN结的温度特性相同的温度特性。

例如，当放大晶体管M50的温度特性与第二二极管D12的温度特性相同时，根据温度改变，第二二极管D12中的阈值电压Vth也按照放大晶体管M50中的阈值电压Vth改变的改变量而改变。

因此，当根据温度改变而在放大晶体管M50中发生阈值电压的变化时，在第二二极管D12中也发生阈值电压Vth的变化。因此，为了放大晶体管M50的温度补偿，可从第一二极管D11与第二二极管D12之间的连接节点NA输出反映温度改变的温度电压VT。

偏置输出电路212可放大内部基极电流I10的输入到偏置输出电路212的电流I12以产生基极偏置电流Ibb，并且将基极偏置电流Ibb输出到放大电路250。

偏置输出电路212可包括输出晶体管M20。输出晶体管M20可包括连接到第一电阻器R11与第一二极管D11之间的第一连接节点N1的基极NC、连接到电源电压VBAT的端子的集电极以及连接到放大电路250的发射极。

输出晶体管M20可放大内部基极电流I10的输入到基极NC的电流I12以通过输出晶体管M20的发射极将基极偏置电流Ibb输出到放大电路250。

温度补偿电路230可基于反映周围温度改变的温度电压VT来调节基极偏置电流Ibb。

例如，参照图2，温度补偿电路230可包括补偿晶体管M30。参照图3，温度补偿电路230可包括第三电阻器R31、第四电阻器R32、补偿晶体管M30和第一电容器C31。补偿晶体管M30可包括连接到第一二极管D11与第二二极管D12之间的连接节点NA的基极NB、通过连接节点N2连接到输出晶体管M20的基极的集电极以及连接到地的发射极。

第三电阻器R31可包括连接到第一二极管D11与第二二极管D12之间的连接节点NA的一端以及连接到补偿晶体管M30的基极NB的另一端。

第四电阻器R32可包括通过连接节点N2连接到输出晶体管M20的基极的一端以及连接到补偿晶体管M30的集电极的另一端。

补偿晶体管M30可包括连接到第三电阻器R31的另一端的基极、连接到第四电阻器R32的另一端的集电极和连接到地的发射极。

第一电容器C31可连接在补偿晶体管M30的基极与地之间。

补偿晶体管M30可根据温度电压VT的幅值来调节内部基极电流I10的吸收到地的电流I11的幅值。因此，可调节供应到输出晶体管M20的基极的电流I12。结果，通过输出晶体管M20供应的基极偏置电流Ibb可根据输入到输出晶体管M20的基极的电流I12来调节。

例如，周围温度的改变反映在温度电压VT中，并且基于温度电压VT调节吸收到地的电流I11的幅值。因此，通过输出晶体管M20供应的基极偏置电流Ibb可相对于温度改变而被适应性地调节。因此，根据温度改变而变化的基极偏置电流Ibb可被适应性地补偿，结果使基极偏置电流Ibb根据温度改变的改变量减小。

第三电阻器R31和第一电容器C31可形成低通滤波器。由于低通滤波器，因此补偿晶体管M30可反映DC偏置点根据温度改变而适应性地移动的效果。

第四电阻器R32在输出晶体管M20的基极与补偿晶体管M30的集电极之间提供电阻值，从而在输出晶体管M20的基极的RF信号与补偿晶体管M30的集电极的RF信号之间执行加强隔离的功能。

放大电路250可包括接收基极偏置电流Ibb的放大晶体管M50。放大晶体管M50的集电极可连接到集电极电源电压端子VCC并且从集电极电源电压端子VCC接收电流Iout。

作为示例，放大晶体管M50通过基极电阻器RB将基极偏置电流Ibb接收到基极ND，通过第一DC阻隔电容器CB1将通过输入端子IN输入的信号接收到基极ND，放大已经输入的信号，并且通过连接到放大晶体管M50的集电极的第二DC阻隔电容器CB2将已经放大的信号输出到输出端子OUT。

总的来说，随着放大晶体管M50的基极偏置点(基极偏置电压)在低温下增大，流过放大晶体管M50的电流和功率增益增大。在这种情况下，由于温度补偿电路230的操作，吸收到地的电流I11增大以使输出晶体管M20的基极电流I12(即，内部基极电流I10的输入到基极NC的电流I12)减小。因此，通过输出晶体管M20输出的基极偏置电流Ibb可减小。结果，流过放大晶体管M50的电流的上升幅度可减小。

换句话说，当放大晶体管M50在低温下操作时，与室温操作条件相比，温度电压VT更高。因此，补偿晶体管M30的基极的电压增大。在这种情况下，在吸收到地的电流I11通过补偿晶体管M30增大时，输出晶体管M20的基极电流I12是相对小的。因此，放大晶体管M50的基极电压Vbe减小。结果，补偿晶体管M30被用于降低放大晶体管M50的基极电压Vbe，从而具有温度补偿效果。

相比之下，随着放大晶体管M50的基极偏置点(基极偏置电压)在高温下减小，流过放大晶体管M50的电流和功率增益减小。在这种情况下，由于温度补偿电路230的操作，吸收到地的电流I11减小以使输出晶体管M20的基极电流I12增大。因此，通过输出晶体管M20输出的基极偏置电流Ibb可增大。结果，流过放大晶体管M50的电流的减小幅度可减小。

换句话说，当放大晶体管M50在高温下操作时，与室温操作条件相比，温度电压VT降低。因此，补偿晶体管M30的基极电压减小。当补偿晶体管M30的基极电压减小，同时吸收到地的电流I11通过补偿晶体管M30减小时，输出晶体管M20的基极电流I12是相对高的。因此，放大晶体管M50的基极电压Vbe增大。结果，补偿晶体管M30被用于增大放大晶体管M50的基极电压Vbe，从而在高温下也具有温度补偿效果。

另一方面，在电流产生电路211中，第一二极管D11和第二二极管D12中的每个可通过HBT的基极和集电极的二极管连接方式来形成为P-N二极管。第一电阻器R11和第二电阻器R12是用于在室温下形成适当的偏置点的偏置电阻器。

图4是应用根据示例的放大装置的示图。

参照图4，根据示例的放大装置可应用于具有三个放大电路(诸如，第一放大电路201、第二放大电路202和第三放大电路203)的三级功率放大电路。第一放大电路201可包括第一偏置电路210-1和第一放大电路A1 250-1。第二放大电路202可包括第二偏置电路210-2和第二放大电路A2 250-2。第三放大电路203可包括第三偏置电路210-3和第三放大电路A3 250-3。

以上讨论的根据示例的温度补偿电路230可应用于第一放大电路201、第二放大电路202和第三放大电路203中的至少一个。

在图4中，示出了温度补偿电路230应用于第三放大电路203的示例，其中，第三放大电路203是三级功率放大电路的第一放大电路201、第二放大电路202和第三放大电路203之中对根据温度的性能改变具有主要影响的最终级。例如但不限于，第三偏置电路210-3可包括温度补偿电路230。

图5是示出温度-静态电流特性的曲线图。

图5的曲线图是示出当根据示例的偏置电路应用于图4的三级功率放大电路的第一放大电路201、第二放大电路202和第三放大电路203之中的作为最终级的第三放大电路203时，根据基于温度的静态电流的仿真结果的温度-静态电流特性的曲线图。

图5中示出的G11是根据现有技术的偏置电路的温度-静态电流特性的曲线图，而G12是根据示例的偏置电路的温度-静态电流特性的曲线图。

图5的G11和G12是在-30度(低温)、25度(室温)和80度(高温)的3点处的仿真结果。这里，参照G11和G12，当应用根据现有技术的偏置电路时，根据温度改变的静态电流的偏差处于32mA(62mA到94mA)的电平。然而，当应用根据示例的包括温度补偿电路的偏置电路时，根据温度改变的静态电流的偏差减小到10mA(74mA到84mA)，减小到先前电平的大约三分之一。因此，根据温度改变的偏置点的偏差减小。

图6A是根据现有技术的偏置电路的根据温度改变的输出功率-增益特性的曲线图，而图6B是根据示例的偏置电路的根据温度改变的输出功率-增益特性的曲线图。

图6A的各个G21、G22和G23是分别在-30度(低温)、25度(室温)和80度(高温)的3点处的根据现有技术的偏置电路的根据温度改变的输出功率-增益特性的曲线图。图6B的各个G31、G32和G33是分别在-30度(低温)、25度(室温)和80度(高温)的3点处的根据示例的偏置电路的根据温度改变的输出功率-增益特性的曲线图。

参照图6A的G21、G22和G23，当应用根据现有技术的偏置电路时，根据温度改变的功率增益的偏差高达2.2dB的电平。然而，参照图6B的G31、G32和G33，当应用根据示例的具有温度补偿电路的偏置电路时，偏差减小到大约1.5dB。

图7A和图7B是示出根据温度改变的输出功率-AM-AM失真特性的曲线图。

图7A是根据现有技术的偏置电路的根据温度改变的输出功率-AM-AM失真特性的曲线图，而图7B是根据示例的偏置电路的根据温度改变的输出功率-AM-AM失真特性的曲线图。

图7A的各个G41、G42和G43是分别在-30度(低温)、25度(室温)和80度(高温)的3点处的根据现有技术的偏置电路的根据温度改变的输出功率-AM-AM失真特性的曲线图。图7B的各个G51、G52和G53是分别在-30度(低温)、25度(室温)和80度(高温)的3点处的根据示例的偏置电路的根据温度改变的输出功率-AM-AM失真特性的曲线图。

参照图7A的G41、G42和G43，当应用根据现有技术的偏置电路时，根据温度改变的输出功率-AM-AM失真的偏差处于0.7dB的电平。参照图7B的G51、G52和G53，当应用根据示例的偏置电路时，根据温度改变的输出功率-AM-AM失真的偏差减小到大约0.3dB。

图8A和图8B是示出根据温度改变的输出功率-ACLR特性的曲线图。

图8A是根据现有技术的偏置电路的根据温度改变的输出功率-相邻频道泄漏比(ACLR)特性的曲线图，而图8B是根据示例的偏置电路的根据温度改变的输出功率-ACLR特性的曲线图。

图8A的各个G61、G62和G63是分别在-30度(低温)、25度(室温)和80度(高温)的3点处的根据现有技术的偏置电路的根据温度改变的输出功率-ACLR特性的曲线图。图8B的各个G71、G72和G73是分别在-30度(低温)、25度(室温)和80度(高温)的3点处的根据示例的偏置电路的根据温度改变的输出功率-ACLR特性的曲线图。

参照图8A的G61、G62和G63，当应用根据现有技术的偏置电路时，根据温度改变的输出功率-ACLR性能的偏差为大约5.5dB。参照图8B的G71、G72和G73，当应用根据示例的偏置电路时，根据温度改变的输出功率-ACLR性能的偏差可为大约2.5dB。这里，确认的是，线性度的劣化程度可减少。

根据示例的放大装置的控制电路可实现为计算环境，在计算环境中，处理器(例如，中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、微处理器、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)等)、存储器(例如，易失性存储器(例如，RAM等)、非易失性存储器(例如，ROM、闪存)等)、输入装置(例如，键盘、鼠标、笔、语音输入装置、触摸输入装置、红外相机、视频输入装置等)、输出装置(例如，显示器、扬声器、打印机等)以及通信接入装置(例如，调制解调器、网络接口卡(NIC)、集成网络接口、射频发送器/接收器、红外端口、USB连接装置等)彼此互联(例如，***组件互连(PCI)、USB、固件(IEEE 1394)、光学总线结构、网络等)。

计算环境可实现为分布式计算环境，分布式计算环境包括个人计算机、服务器计算机、手持或膝上型装置、移动装置(移动电话、PDA、媒体播放器等)、多处理器系统、消费类电子产品、微型计算机、大型计算机、或者上述系统或装置，但计算环境不限于此。

根据在此讨论的示例，在电流偏置电路中，使用二极管的温度特性和用于反映周围温度改变的电流吸收方法，以补偿可根据周围温度变化的基极偏置电流，并且改善性能偏差，诸如根据温度改变的增益偏差、AM-AM失真的偏差、线性度的偏差等。

虽然本公开包括具体示例，但是对于本领域的普通技术人员将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可对这些示例做出形式和细节上的各种改变。在此描述的示例将仅被视为描述性意义，而并不是为了限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被视为可适用于其他示例中相似的特征或方面。如果以不同的顺序执行所描述的技术，和/或如果以不同的方式来组合描述的系统、架构、装置或电路中的组件，和/或由其他的组件或它们的等同物替换或者补充，则可实现合适的结果。因此，本公开的范围不是由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，权利要求及其等同物的范围内的全部变型将被解释为包括在本公开中。