阅读说明：本技术 带电粒子束装置和控制方法 (Charged particle beam device and control method ) 是由 村木礼奈 麻畑达也 上本敦 于 2020-03-24 设计创作，主要内容包括：提供带电粒子束装置和控制方法,使加工自动化。带电粒子束装置具有：图像一致度判定部,其判定如下的一致度是否为规定的值以上,该一致度表示通过扫描型电子显微镜观察试样的截面而得到的SEM图像即加工截面图像和预先登记的加工截面图像即判定基准图像一致的程度；以及判定后处理部,其根据图像一致度判定部的判定结果进行规定的处理。(Provided are a charged particle beam device and a control method for automating processing. The charged particle beam device comprises: an image matching degree determination unit that determines whether or not a matching degree indicating a degree of matching between a processed cross-sectional image, which is an SEM image obtained by observing a cross-section of a sample with a scanning electron microscope, and a determination reference image, which is a pre-registered processed cross-sectional image, is equal to or greater than a predetermined value; and a post-determination processing unit that performs predetermined processing according to the determination result of the image matching degree determination unit.)

带电粒子束装置和控制方法

技术领域

本发明涉及带电粒子束装置和控制方法。

背景技术

在薄片试样的制作中，通过聚焦离子束(FIB：Focused Ion Beam)对试样的表面进行加工而形成截面，通过扫描型电子显微镜(SEM：Scanning Electron Microscope)或FIB对截面的形成过程进行观察。作业者对基于SEM的扫描图像进行观察，检测到在试样的截面中出现特定的构造、或者试样成为适当的厚度等，结束基于FIB的加工。

为了使作业者检测到出现特定的构造，需要通过降低低速扫描的噪声、或者使用高分辨率的透镜模式等来取得分辨率较高的图像。

以往，公知有在选择出光学条件后、一边观察试样一边计算加工条件的聚焦离子束装置(专利文献1)。在现有技术的聚焦离子束装置中，在作业者输入了输入数据(加工区域的大小、深度、试样种类、剂量)后，选择光学条件，根据选择出的光学条件自动计算聚焦束在试样上的加工条件。在现有技术的聚焦离子束装置中，如果作业者要输入适当的输入数据，则需要检测到在试样的截面出现了特定的构造。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-313704号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，为了使作业者检测到出现了特定的构造，作业者需要熟练到能够判断特定的构造的程度，此外，确认试样的图像的作业花费劳力和时间。因此，在FIB等带电粒子束装置中，要求使加工自动化。

本发明是鉴于上述情况而完成的，提供能够使加工自动化的带电粒子束装置和控制方法。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题并实现相应目的，本发明采用以下方式。

(1)本发明的一个方式的带电粒子束装置具有：图像一致度判定部，其判定如下的一致度是否为规定的值以上，该一致度表示通过扫描型电子显微镜观察所述试样的截面而得到的SEM图像即加工截面图像和预先登记的所述加工截面图像即判定基准图像一致的程度；以及判定后处理部，其根据所述图像一致度判定部的判定结果进行规定的处理。

在上述(1)所记载的方式的带电粒子束装置中，如果预先登记判定基准图像，则以后能够自动检测加工终端出现的特定的构造，因此，能够使加工自动化。

(2)在上述(1)所记载的带电粒子束装置中，所述带电粒子束装置还具有：登记图像判定部，其在所述图像一致度判定部进行判定之前的期间内，根据所述加工截面图像判定是否在所述截面出现了特定的构造；以及图像登记部，其在所述期间内由所述登记图像判定部判定为在所述截面出现了所述特定的构造的情况下，登记所述加工截面图像作为所述判定基准图像。

在上述(2)所记载的方式的带电粒子束装置中，将判定为在试样的加工中途出现了特定的构造的加工截面图像登记为判定基准图像，因此，与使用利用作为加工对象的试样以外的试样拍摄了加工终端出现的特定的周期构造的规定的SEM图像作为判定基准图像的情况相比，能够提高判定加工截面图像和判定基准图像是否一致的处理的精度。

(3)在上述(2)所记载的带电粒子束装置中，所述登记图像判定部在判定中使用在所述期间内利用第1模式通过所述扫描型电子显微镜进行观察而得到的所述SEM图像，作为所述加工截面图像，所述图像登记部在所述期间内由所述登记图像判定部判定为在所述截面出现了所述特定的构造的情况下，登记利用第2模式通过所述扫描型电子显微镜观察该截面而得到的所述加工截面图像，作为所述判定基准图像，其中，所述第2模式的分辨率低于所述第1模式的分辨率，所述图像一致度判定部在判定中使用利用所述第2模式通过所述扫描型电子显微镜进行观察而得到的所述SEM图像，作为所述加工截面图像。

在上述(3)所记载的方式的带电粒子束装置中，利用分辨率比通常分辨率的第1模式低的第2模式判定是否出现了加工终端出现的特定的构造，因此，能够缩短加工时间。

这里，为了取得分辨率较高的图像，与取得通常分辨率的图像相比，花费时间，加工时间变长。例如，在低速扫描中，与通常扫描相比，花费扫描时间。此外，在利用高分辨率的透镜模式的情况下，与通常的透镜模式的切换花费时间。

(4)在上述(2)或(3)所记载的带电粒子束装置中，所述判定基准图像是多个所述加工截面图像，每当在所述期间内由所述登记图像判定部判定为在所述截面出现了所述特定的构造时，所述图像登记部登记所述加工截面图像作为所述判定基准图像。

在上述(4)所记载的方式的带电粒子束装置中，与判定基准图像为1张加工截面图像的情况相比，能够提高判定加工截面图像和判定基准图像是否一致的处理的精度。

(5)在上述(1)～(4)中的任意一项所记载的带电粒子束装置中，所述判定基准图像是拍摄有特定的构造的SEM图像，所述规定的处理是进行规定的分析的处理。

在上述(5)所记载的方式的带电粒子束装置中，能够对出现了特定的构造的试样S的截面实施进行规定的分析的处理。

(6)本发明的一个方式的控制方法是带电粒子束装置中的控制方法，该带电粒子束装置朝向试样照射带电粒子束，由此对该试样进行加工，所述控制方法具有以下步骤：图像一致度判定步骤，判定如下的一致度是否为规定的值以上，该一致度表示通过扫描型电子显微镜观察所述试样的截面而得到的SEM图像即加工截面图像和预先登记的所述加工截面图像即判定基准图像一致的程度；以及判定后处理步骤，根据所述图像一致度判定步骤的判定结果进行规定的处理。

发明效果

根据本发明的带电粒子束装置，能够使加工自动化。此外，根据本发明的带电粒子束装置，能够缩短加工时间。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式的带电粒子束装置的结构的一例的图。

图2是示出本发明的实施方式的控制部的结构的一例的图。

图3是示出本发明的实施方式的薄片试样制作处理的一例的图。

标号说明

10：带电粒子束装置；30：扫描型电子显微镜；21：控制部；240：处理控制部；241：登记图像判定部；242：图像登记部；243：判定后处理部；250：图像一致度判定部；SI、SI1、SI2：加工截面图像；CI：判定基准图像。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式的带电粒子束装置进行说明。

图1是示出本实施方式的带电粒子束装置10的结构的一例的图。带电粒子束装置10是通过朝向试样S照射带电粒子束而对试样S进行加工的装置。

带电粒子束装置10具有试样室11、载台12、驱动机构13、聚焦离子束镜筒14、电子束镜筒15、检测器16、气体供给部17、显示装置20、控制部21和输入设备22。

试样室11是配置有试样S的空间，能够使内部维持真空状态。载台12在试样室11的内部固定试样S。

驱动机构13对载台12进行驱动。驱动机构13以与载台12连接的状态收纳于试样室11的内部，根据从控制部21输出的控制信号使载台12相对于规定轴变位。驱动机构13具有移动机构13a，该移动机构13a沿着与水平面平行且相互正交的X轴和Y轴、以及与X轴和Y轴正交的铅直方向的Z轴使载台12平行移动。驱动机构13具有使载台12绕X轴或Y轴旋转的倾斜机构13b、以及使载台12绕Z轴旋转的旋转机构13c。

聚焦离子束镜筒14对试样室11的内部的规定的照射区域(即扫描范围)内的照射对象照射聚焦离子束(FIB)。

聚焦离子束镜筒14在试样室11的内部以如下方式固定于试样室11：使波束出射部(未图示)在照射区域内的载台12的铅直方向上方的位置面向载台12，并且使光轴与铅直方向平行。由此，聚焦离子束镜筒14能够从铅直方向上方朝向下方对固定于载台12的试样S等照射对象照射聚焦离子束。这里，聚焦离子束镜筒14也可以使光轴与相对于铅直方向倾斜的方向平行而被固定于试样室11。

聚焦离子束镜筒14具有产生离子的离子源14a、以及使从离子源14a引出的离子聚焦和偏转的离子光学系统14b。离子源14a是液体金属离子源、等离子体离子源或气体电场电离离子源等离子源。根据从控制部21输出的控制信号对离子源14a和离子光学系统14b进行控制，通过控制部21对聚焦离子束的照射位置和照射条件等进行控制。离子光学系统14b例如具有聚光透镜等第1静电透镜、静电偏转器、物镜等第2静电透镜等。

电子束镜筒15对试样室11的内部的规定的照射区域内的照射对象照射电子束(EB)。电子束镜筒15在电子束镜筒15内部具有检测通过照射电子束而从照射对象产生的二次带电粒子(反射电子)的二次带电粒子检测器(未图示)。

电子束镜筒15具有产生电子的电子源15a、以及使从电子源15a射出的电子聚焦和偏转的电子光学系统15b。根据从控制部21输出的控制信号对电子源15a和电子光学系统15b进行控制，通过控制部21对电子束的照射位置和照射条件等进行控制。电子光学系统15b例如具有电磁透镜和偏转器等。

检测器16检测通过照射聚焦离子束或电子束而从照射对象产生的二次带电粒子(二次电子和二次离子等)R。气体供给部17对照射对象的表面供给气体Ga。

电子束镜筒15和检测器16构成扫描型电子显微镜30。

带电粒子束装置10通过对照射对象的表面扫描并照射聚焦离子束，执行基于溅射的各种加工(蚀刻加工等)、以及沉积膜的形成。带电粒子束装置10执行在试样S形成扫描型电子显微镜30等的截面观察用的截面的加工、以及从试样S形成透射型电子显微镜的透射观察用的试样片(例如薄片试样、针状试样等)的加工等。带电粒子束装置10通过对试样S等照射对象的表面扫描并照射聚焦离子束或电子束，执行照射对象的表面的观察。

显示装置20显示基于由检测器16或电子束镜筒15内部的检测器检测到的二次带电粒子的图像数据等。

输入设备22受理来自带电粒子束装置10的作业者的各种操作。作为一例，输入设备22是输出与作业者的输入操作对应的信号的鼠标和键盘。

控制部21根据通过扫描型电子显微镜30观察试样S的截面而得到的SEM图像即加工截面图像SI，对聚焦离子束镜筒14、电子束镜筒15和驱动机构13进行控制。此外，控制部21根据来自输入设备22的操作对聚焦离子束镜筒14、电子束镜筒15和驱动机构13进行控制。

作为一例，控制部21是PC(Personal Computer)。

这里，参照图2对控制部21的结构进行说明。图2是示出本实施方式的控制部21的结构的一例的图。控制部21配置于试样室11的外部，连接有电子束镜筒15、聚焦离子束镜筒14、驱动机构13、检测器16、显示装置20和输入设备22。

控制部21根据从输入设备22输出的操作信号OS或通过预先设定的自动运转控制处理生成的信号等，对带电粒子束装置10的动作进行统合控制。

控制部21具有SEM控制部210、FIB控制部220、驱动机构控制部230、图像生成部270、处理控制部240、图像一致度判定部250和存储部260。SEM控制部210、FIB控制部220、驱动机构控制部230、图像生成部270、处理控制部240和图像一致度判定部250是通过控制部21的CPU读入并执行处理而实现的模块。

SEM控制部210对电子束镜筒15输出SEM控制信号SS，由此对电子束镜筒15进行控制。作为一例，SEM控制信号SS是用于切换扫描型电子显微镜30的观察模式M的信号。关于观察模式M，存在第1模式M1和分辨率比第1模式M1低的第2模式M2。

在本实施方式中，作为一例，观察模式M对应于扫描速度。第1模式M1是以比通常速度低的速度进行扫描的模式。第2模式M2在以通常速度进行扫描的模式。在第1模式M1中，以比第2模式M2低的速度进行扫描，因此，得到比第2模式M2高的分辨率的SEM图像。

另外，观察模式M也可以对应于表示电子光学系统15b的光学条件的透镜模式。在观察模式M对应于透镜模式的情况下，第1模式M1是具有比通常模式高的分辨率的高分辨率模式。第2模式M2是具有比高分辨率模式低的分辨率的通常模式。

FIB控制部220对聚焦离子束镜筒14输出FIB控制信号FS，由此对聚焦离子束镜筒14进行控制。作为一例，FIB控制信号FS是用于设定聚焦离子束的照射位置和照射条件等的信号。

驱动机构控制部230对驱动机构13输出驱动控制信号MS，由此对驱动机构13进行控制。驱动控制信号MS是用于使载台12相对于规定轴变位的信号。

图像生成部270取得从检测器16供给的检测数据D。检测数据D是表示一边扫描带电粒子束的照射位置一边由检测器16检测到的二次带电粒子的检测量的数据。

图像生成部270根据检测数据D，将二次带电粒子的检测量转换为与照射位置对应的亮度信号，生成通过二次带电粒子的检测量的二维位置分布而表示试样S的截面的形状的图像数据。在图像数据中包含有加工截面图像SI。图像生成部270使显示装置20显示加工截面图像SI。

图像生成部270使显示装置20显示所生成的各图像数据、以及用于执行各图像数据的放大、缩小、移动和旋转等操作的画面。此外，图像生成部270使显示装置20显示用于进行加工设定等各种设定的画面。

处理控制部240执行基于加工截面图像SI的处理。处理控制部240具有登记图像判定部241、图像登记部242和判定后处理部243。

登记图像判定部241根据加工截面图像SI判定是否在试样S的截面出现了特定的构造。这里，作为一例，特定的构造是对加工终端赋予特征的构造。

图像登记部242登记由登记图像判定部241判定为在试样S的截面出现了特定的构造的加工截面图像SI作为判定基准图像CI。这里，图像登记部242将加工截面图像SI作为判定基准图像CI存储在存储部260中，由此登记加工截面图像SI。

判定后处理部243根据图像一致度判定部250的判定结果进行规定的处理。这里，作为一例，规定的处理是结束试样S的加工的处理。

图像一致度判定部250判定如下的一致度是否为规定的值以上，该一致度表示加工截面图像SI和预先登记的加工截面图像SI即判定基准图像CI的一致的程度。另外，规定的值也可以任意设定。

存储部260存储判定基准图像CI。作为一例，存储部260是RAM(Random AccessMemory)、HDD(Hard Disk Drive)、闪存等存储装置。另外，存储部260也可以设置于带电粒子束装置10的外部。在存储部260设置于带电粒子束装置10的外部的情况下，例如，存储部260设置于用于供控制部21进行通信的云服务器。

此外，处理控制部240和图像一致度判定部250中的至少一方也可以设置于带电粒子束装置10的外部。在处理控制部240和图像一致度判定部250设置于带电粒子束装置10的外部的情况下，处理控制部240和图像一致度判定部250分别例如作为在与控制部21不同的PC安装的应用、或云服务器所具有的应用来实现。

接着，参照图3对带电粒子束装置10从试样S制作薄片试样的过程进行说明。图3是示出本实施方式的薄片试样制作处理的一例的图。

步骤S10：FIB控制部220对试样S的表面进行加工，制作试样S的截面。这里，FIB控制部220对聚焦离子束镜筒14输出FIB控制信号FS，由此使聚焦离子束镜筒14对试样S照射聚焦离子束。

步骤S20：SEM控制部210将观察模式M设定为第1模式M1。观察模式M设定为第1模式M1，由此，扫描速度设定为低速。

步骤S30：登记图像判定部241取得由图像生成部270生成的加工截面图像SI1。这里，加工截面图像SI1是基于在第1模式M1中通过扫描型电子显微镜30观察试样S的截面得到的结果的SEM图像。

步骤S40：登记图像判定部241判定是否在步骤S30中取得的加工截面图像SI1出现了特定的构造。在登记图像判定部241判定为在加工截面图像SI1出现了特定的构造的情况下(步骤S40；是)，控制部21执行步骤S50的处理。另一方面，在登记图像判定部241判定为在加工截面图像SI1未出现特定的构造的情况下(步骤S40；否)，控制部21再次执行步骤S10的处理。

这里，步骤S40是图像一致度判定部250进行判定之前的期间。即，登记图像判定部241在图像一致度判定部250进行判定之前的期间内，根据加工截面图像SI1判定是否在试样S的截面出现了特定的构造。

此外，加工截面图像SI1是在图像一致度判定部250进行判定之前的期间内利用第1模式M1通过扫描型电子显微镜30进行观察而得到的SEM图像。即，登记图像判定部241在判定中使用在图像一致度判定部250进行判定之前的期间内利用第1模式M1通过扫描型电子显微镜30进行观察而得到的SEM图像，作为加工截面图像SI。

步骤S50：FIB控制部220停止加工。

步骤S60：SEM控制部210将观察模式M设定为第2模式M2。通过将观察模式M设定为第2模式M2，由此，扫描速度设定为通常的速度。

步骤S70：登记图像判定部241取得由图像生成部270生成的加工截面图像SI2。这里，加工截面图像SI2是基于在第2模式M2中观察试样S的截面得到的结果的SEM图像。

步骤S80：图像登记部242登记加工截面图像SI2作为判定基准图像CI。这里，图像登记部242将加工截面图像SI2作为判定基准图像CI存储在存储部260中。

这里，步骤S80是图像一致度判定部250进行判定之前的期间。即，图像登记部242在图像一致度判定部250进行判定之前的期间内由登记图像判定部241判定为在试样S的截面出现了特定的构造的情况下，登记加工截面图像SI2作为判定基准图像CI。

此外，加工截面图像SI2是利用分辨率比第1模式M1低的第2模式M2通过扫描型电子显微镜30观察试样S的截面而得到的加工截面图像SI。即，图像登记部242在图像一致度判定部250进行判定之前的期间内由登记图像判定部241判定为在试样S的截面出现了特定的构造的情况下，登记利用分辨率比第1模式M1低的第2模式M2通过扫描型电子显微镜30观察该截面而得到的加工截面图像SI2，作为判定基准图像CI。

步骤S90：FIB控制部220制作试样S的截面。这里，FIB控制部220对聚焦离子束镜筒14输出FIB控制信号FS，由此使聚焦离子束镜筒14对试样S照射聚焦离子束。

步骤S100：登记图像判定部241取得由图像生成部270生成的加工截面图像SI2。这里，加工截面图像SI2是基于在第2模式M2中通过扫描型电子显微镜30观察试样S的截面得到的结果的SEM图像。

步骤S110：图像一致度判定部250判定加工截面图像SI2和判定基准图像CI是否一致。这里，图像一致度判定部250在表示加工截面图像SI2和判定基准图像CI的一致的程度的一致度为规定的值以上的情况下，判定为加工截面图像SI2和判定基准图像CI一致。

图像一致度判定部250使用判定图像的一致度的公知的算法进行判定。

这里，加工截面图像SI2是利用第2模式M2通过扫描型电子显微镜30进行观察而得到的SEM图像。即，图像一致度判定部250在判定中使用利用第2模式M2通过扫描型电子显微镜30进行观察而得到的SEM图像，作为加工截面图像SI2。

在图像一致度判定部250判定为加工截面图像SI2和判定基准图像CI一致的情况下(步骤S110；是)，控制部21执行步骤S120的处理。另一方面，在图像一致度判定部250判定为加工截面图像SI2和判定基准图像CI不一致的情况下(步骤S110；否)，控制部21再次执行步骤S90的处理。

步骤S120：判定后处理部243进行判定后处理。作为判定后处理的一例，判定后处理部243使FIB控制部220结束试样S的加工。

然后，控制部21结束薄片试样制作处理。

另外，判定后处理部243也可以进行继续加工直到以规定的次数判定为加工截面图像SI2和判定基准图像CI以规定的次数一致为止的处理，作为判定后处理。该情况下，判定后处理部243使控制部21反复进行步骤S90、步骤S100和步骤S110的处理，直到在步骤S110中以规定的次数判定为一致为止。

此外，判定后处理部243也可以进行分析处理作为判定后处理。分析处理是对试样S进行的规定的分析，例如是EDS(Energy dispersive x-ray spectrometry)分析。判定基准图像CI是在步骤S40中在试样S的截面出现了特定的构造的情况下登记的加工截面图像SI，在步骤S110中加工截面图像SI和判定基准图像CI一致的情况下执行判定后处理，因此，能够对出现了特定的构造的试样S的截面进行分析处理。

即，判定基准图像CI是拍摄了特定的构造的SEM图像，判定后处理是进行规定的分析的处理。

另外，说明了在图3所示的薄片试样制作处理中设定扫描速度作为观察模式M的情况，但是不限于此。也可以设定透镜模式作为观察模式M。

此外，也可以设定电子束镜筒15的电子光学系统15b的倍率作为观察模式M。在设定电子光学系统15b的倍率作为观察模式M的情况下，第1模式M1对应于高倍率。第2模式M2对应于低倍率。加工时间不会由于电子光学系统15b的倍率而变化，但是，通过以第2模式M2即低倍率观察试样S，能够减轻伴随照射EB而对试样S造成的损伤。

另外，在本实施方式中，说明了登记1张加工截面图像SI作为判定基准图像CI的情况，但是不限于此。判定基准图像CI也可以是多张加工截面图像SI。

在判定基准图像CI是多个加工截面图像SI的情况下，在图3所示的薄片试样制作处理中，控制部21反复进行步骤S10～S40的处理，直到得到了规定的数量的出现了特定的构造的加工截面图像SI为止。这里，每当在图像一致度判定部250进行判定之前的期间内由登记图像判定部241判定为在试样S的截面出现了特定的构造时，图像登记部242登记加工截面图像SI1作为判定基准图像CI。

在判定基准图像CI是多个加工截面图像SI的情况下，与判定基准图像CI是1张加工截面图像SI的情况相比，能够提高步骤S110中的判定加工截面图像SI2和判定基准图像CI是否一致的处理的精度。

另外，在试样S中存在周期构造，通过对图像一致度判定部250判定为加工截面图像SI2和判定基准图像CI一致的次数进行计数，能够计算加工中途的试样S的厚度。控制部21也可以在图3的步骤S110中计算试样S的厚度，在判定为试样S成为适当的厚度的情况下，执行步骤S120。

另外，作为判定基准图像CI，也可以将拍摄了加工终端出现的特定的构造的规定的SEM图像在加工开始前预先存储在存储部260中。在判定基准图像CI在加工开始前预先被存储在存储部260中的情况下，也可以从控制部21的结构中省略登记图像判定部241和图像登记部242。

如以上说明的那样，在本实施方式的带电粒子束装置10中，如果一次登记判定基准图像CI，则以后能够自动检测加工终端出现的特定的构造，因此，能够使加工自动化。

此外，在本实施方式的带电粒子束装置10中，利用分辨率比通常分辨率的第1模式M1低的第2模式M2判定是否出现了加工终端出现的特定的构造，因此，能够缩短加工时间。

另外，也可以通过计算机实现上述实施方式中的带电粒子束装置10的控制部21的一部分、例如处理控制部240和图像一致度判定部250。该情况下，也可以将用于实现该控制功能的程序记录在计算机可读取的记录介质中，使计算机系统读入并执行该记录介质中记录的程序，由此实现。另外，这里所说的“计算机系统”是内置于带电粒子束装置10的计算机系统，包含OS和周边设备等硬件。此外，“计算机可读取的记录介质”是指软盘、光磁盘、ROM、CD-ROM等移动介质、内置于计算机系统的硬盘等存储装置。进而，“计算机可读取的记录介质”也可以包含如经由互联网等网络或电话线路等通信线路发送程序时的通信线那样在短时间内动态保持程序的记录介质、如作为该情况下的服务器或客户端的计算机系统内部的易失性存储器那样以一定时间保持程序的记录介质。此外，上述程序可以用于实现所述功能的一部分，进而也可以与计算机系统中已经记录的程序组合来实现所述功能。

此外，也可以将上述实施方式中的控制部21的一部分或全部作为LSI(LargeScale Integration)等集成电路来实现。控制部21的各功能块可以单独成为处理器，也可以集成一部分或全部而成为处理器。此外，集成电路化的方法不限于LSI，也可以通过专用电路或通用处理器实现。此外，在随着半导体技术的进步而出现了代替LSI的集成电路化的技术的情况下，也可以使用基于该技术的集成电路。

以上参照附图详细说明了本发明的一个实施方式，但是，具体结构不限于上述内容，能够在不脱离本发明主旨的范围内进行各种设计变更等。