阅读说明：本技术 电源电路和电源装置 (Power supply circuit and power supply device ) 是由 佐藤文彦 铃木信悟 半泽弘明 奥田正贵 干田利幸 于 2020-03-27 设计创作，主要内容包括：一种电源电路(41),包括第一P沟道MOSFET(PMOS 1)和第一电压施加电路(71)。第一P沟道MOSFET(PMOS 1)被设置在车载电源(50)与作为供电目标的车辆装置之间,并且被配置成切换向车辆装置供应电力的通电状态和电力供应中断的断电状态。第一电压施加电路(71)被配置成向栅极端子施加具有比车载电源(50)的电位低的电位的电压,使得第一P沟道MOSFET(PMOS 1)的状态切换到通电状态,以及向栅极端子施加具有与车载电源(50)的电位相等的电位的电压,使得第一P沟道MOSFET(PMOS 1)的状态切换到断电状态。(A power supply circuit (41) includes a first P-channel MOSFET (PMOS1) and a first voltage application circuit (71). A first P-channel MOSFET (PMOS1) is provided between an in-vehicle power supply (50) and a vehicle device that is a power supply target, and is configured to switch an energization state in which power is supplied to the vehicle device and a deenergized state in which power supply is interrupted. The first voltage application circuit (71) is configured to apply a voltage having a potential lower than that of the in-vehicle power supply (50) to the gate terminal so that the state of the first P-channel MOSFET (PMOS1) is switched to an energized state, and to apply a voltage having a potential equal to that of the in-vehicle power supply (50) to the gate terminal so that the state of the first P-channel MOSFET (PMOS1) is switched to a de-energized state.)

电源电路和电源装置

技术领域

本发明涉及电源电路和电源装置。

背景技术

日本未审定专利申请公布第2015-23451号(JP 2015-23451 A)描述了被配置成在电源与供电目标之间切换通电状态和断电状态的电源电路。在通电状态下，向供电目标供应电力。在断电状态下，电力供应中断。JP 2015-23451 A的电源电路包括电压施加电路，其被配置成向N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和MOSFET的栅极端子施加电压。在该电源电路中，当导通N沟道MOSFET以置位为通电状态时，由于N沟道MOSFET的特性，需要向栅极端子施加电压以使得连接到电源的源极端子具有较低电位。也就是说，需要向栅极端子施加与连接到电源的源极端子的电压相比具有较高电位的电压。因此，当导通N沟道MOSFET时，电压施加电路向栅极端子施加通过电荷泵的驱动而被提高到比电源电压高的电压。

发明内容

例如，在将车载电源的电力供应给车辆装置时，需要将车辆装置中存储的各种类型的信息保持在通电状态。如果如JP 2015-23451 A那样采用N沟道MOSFET来切换通电状态和断电状态，则需要保持电荷泵的驱动以保持通电状态。如果长时间保持电荷泵的驱动，则功耗可能会增加。

本发明可以提供能够抑制功耗增加的电源电路和电源装置。

根据本发明的第一方面的电源电路包括第一P沟道MOSFET和第一电压施加电路。第一P沟道MOSFET被设置在车载电源与作为供电目标的车辆装置之间，并且被配置成切换向车辆装置供应电力的通电状态和电力供应中断的断电状态。第一P沟道MOSFET的源极端子连接至车载电源，并且第一P沟道MOSFET的漏极端子连接至车辆装置。第一电压施加电路被配置成：向栅极端子施加具有比车载电源的电位低的电位的电压，使得第一P沟道MOSFET的状态切换到通电状态；以及向栅极端子施加具有与车载电源的电位相等的电位的电压，使得第一P沟道MOSFET的状态切换到断电状态。

要像上述配置中那样通过使用第一P沟道MOSFET来切换通电状态和断电状态，仅需要向栅极端子施加具有比车载电源的电位低的电位的电压。因此，不需要使用在使用N沟道MOSFET时所需的诸如电荷泵的升压电路。因此，由于不需要使用诸如电荷泵的升压电路，即使为了保持通电状态而保持向第一P沟道MOSFET的栅极端子施加电压，也可以降低功耗。即使长时间保持通电状态，与使用N沟道MOSFET的情况相比也能够抑制功耗增加。

在上述配置中，第一电压施加电路可以包括被配置成进行以下操作的切换电路：切换到栅极端子与车载电源的参考电位点连接的状态，使得第一P沟道MOSFET的状态切换到通电状态；以及切换到栅极端子与车载电源连接的状态，使得第一P沟道MOSFET的状态切换到断电状态。

根据上述配置，要切换通电状态和断电状态，仅需要提供被配置成在现有电路上切换到触点的连接的电路。因此，不需要使用被配置成生成用于切换到各个状态的专用电压的电路。因此，可以抑制电压施加电路的复杂化。

在上述配置中，电源电路还包括第二P沟道MOSFET和第二电压施加电路。第二P沟道MOSFET被设置在第一P沟道MOSFET与车辆装置之间。第二P沟道MOSFET的源极端子可以连接至车辆装置，并且第二P沟道MOSFET的漏极端子可以连接至第一P沟道MOSFET的漏极端子。第二电压施加电路可以包括被配置成进行以下操作的切换电路：切换到栅极端子与车载电源的参考电位点连接的状态，使得第二P沟道MOSFET的状态切换到通电状态；以及切换到栅极端子与车辆装置连接的状态，使得第二P沟道MOSFET的状态切换到断电状态。

根据上述配置，在通电状态和断电状态下，第二P沟道MOSFET能够抑制从供电目标到车载电源的电流回流。在通电状态下，向第二P沟道MOSFET的栅极端子施加电压以抑制电流回流，但是与上述类似地，仅需要向栅极端子施加具有比车载电源的电位低的电位的电压。也就是说，不需要使用在使用N沟道MOSFET时所需的诸如电荷泵的升压电路。因此，由于不需要使用诸如电荷泵的升压电路，即使在通电状态下为了抑制电流回流而保持向第二P沟道MOSFET的栅极端子施加电压，也能够降低功耗。与上述类似地，在针对第二P沟道MOSFET切换通电状态和断电状态时，仅需要在现有电路上切换到触点的连接。因此，不需要使用被配置成生成用于切换到各个状态的专用电压的电路。因此，能够抑制其他电压施加电路的复杂化。

根据本发明的第二方面的电源装置包括上述电源电路以及被配置成控制通电状态和断电状态的切换的控制器。车辆装置是被配置成向车辆的转向机构施加动力的转向系统。控制器被配置成与车辆的启动开关的状态无关地控制电源电路以保持通电状态。

根据上述配置，即使长时间保持通电状态，与使用N沟道MOSFET的情况相比也能够抑制功耗增加。因此，可以实现这样的电源装置：即使与车辆的启动开关的状态无关地保持通电状态，也能抑制功耗增加。

根据本发明，能够抑制功耗增加。

附图说明

下面将参照附图描述本发明的示例性实施方式的特征、优点以及技术与工业意义，在附图中，相同的附图标记表示相同的元素，并且其中：

图1是示出安装有电源装置的转向系统的总体结构的图；

图2是示出电源装置的电气配置的图；

图3是示出P沟道MOSFET的总体结构的图；

图4是示出电源装置的电源电路的第一电压施加电路的电路结构的电路图；以及

图5是示出电源装置的电源电路的第二电压施加电路的电路结构的电路图。

具体实施方式

给出了将电源电路和电源装置应用于作为车辆装置的转向系统的实施方式的描述。如图1所示，该实施方式中的转向系统1包括转向机构2和辅助机构3。转向机构2基于驾驶员对方向盘10的操作使转向轮16转动。辅助机构3包括被配置成对驾驶员的转向操作进行辅助的马达20。转向系统1是所谓的电动助力转向系统，其被配置成通过向转向机构2施加马达20的马达转矩作为转向辅助力来辅助驾驶员的转向操作。

转向机构2包括转向轴12和齿条轴14。方向盘10被固定至转向轴12的一端，而在转向轴12的另一端设置有小齿轮11。齿条轴14设置有与小齿轮11啮合的齿条13。小齿轮11和齿条13构成齿轮齿条机构。转向轴12的旋转运动经由齿轮齿条机构被转换成在齿条轴14的轴向方向上的往复直线运动。转向系统1安装在车辆上，使得齿条轴14的轴向方向为车辆宽度方向。齿条轴14的往复直线运动经由耦接至齿条轴14的各端的拉杆15传递至右侧和左侧的转向轮16。因此，转向轮16的转向角度改变，并且车辆的行驶方向改变。

转向轴12附接有转矩传感器17，用于测量通过方向盘10的操作施加到转向轴12的转向转矩TR。该实施方式的转矩传感器17检测构成转向轴12的扭杆的扭转量，并且基于该扭转量测量转向转矩TR。

辅助机构3包括马达20以及用于转向辅助的减速器21。马达20经由减速器21耦接至转向轴12。减速器21使马达20的旋转速度降低，并且将通过减速获得的旋转力传递至转向轴12。采用三相无刷马达作为该实施方式的马达20。采用蜗轮机构作为该实施方式的减速器21。

转向系统1包括转向控制装置30和电源装置40。转向控制装置30包括逆变器，逆变器是在马达20的每个相(U相、V相和W相)中包括两个开关元件的公知电路。当转向系统1被安装在车辆上时，电源装置40连接至车载电源50，并且转向控制装置30经由电源装置40连接至车载电源50。电源装置40被设置在车载电源50与作为供电目标的转向系统1的部件的转向控制装置30之间。转向控制装置30通过控制马达20通过来自车载电源50的电力供应进行的操作来辅助驾驶员的转向操作。转向控制装置30包括转向控制器31和存储器32。转向控制器31执行各种类型的算术处理以计算例如用于控制马达20的操作的控制量。存储器32存储用于各种类型的算术处理的程序和数据。转矩传感器17和车速传感器18连接至转向控制器31。车速传感器18检测车辆的行驶速度VS。为了控制转向辅助力，转向控制器31基于转向转矩TR和行驶速度VS来确定与作为转向辅助力的目标值的目标转向辅助力对应的转向辅助力。转向控制器31通过对逆变器的控制来控制马达20的操作，以生成与目标转向辅助力对应的转向辅助力。

接下来描述电源装置40的电气配置。如图2所示，电源装置40包括电源电路41和电源控制器42。

电源电路41具有切换车载电源50与转向控制装置30之间的通电状态和断电状态的功能。在通电状态下，向转向控制装置30供应电力。在断电状态下，电力供应中断。车载电源50的电源电压被输入电源电路41作为输入电压Vin。电源电路41将输入电压Vin输出为要供应给转向控制装置30的输出电压Vout。在该实施方式中，车载电源50的电源电压(即，输入电压Vin)例如为12伏特(V)。基于要供应给转向控制装置30的电力的电压(即，输出电压Vout)基本等于输入电压Vin。例如，输出电压Vout为12V。

电源控制器42具有控制电源电路41的通电状态和断电状态的切换的功能。车载电源50的电源电压被输入电源控制器42作为输入电压Vin。电源控制器42基于输入电压Vin来控制电源电路41的通电状态和断电状态的切换。在该实施方式中，电源控制器42是控制器的示例。

电源控制器42输出用以切换电源电路41的通电状态和断电状态的控制电压VC。具体地，当电动助力转向系统的功能没有异常并且能够正常操作以将转向辅助力施加到转向机构2时，电源控制器42输出用以切换到通电状态的通电切换控制电压VC，使得转向控制装置30执行对转向辅助力的施加控制。当电动助力转向系统的功能异常并且不能够正常操作以将转向辅助力施加到转向机构2时，电源控制器42输出用以切换到断电状态的断电切换控制电压VC以，使得转向控制装置30停止对转向辅助力的施加的控制。在该实施方式中，通电切换控制电压VC是电位低于断电切换控制电压VC的电位的低电平信号。也就是说，断电切换控制电压VC是电位高于通电切换控制电压VC的电位的高电平信号。电源控制器42基于例如来自转向控制装置30的异常信号输入来确定电动助力转向系统的功能是否发生异常。异常信号指示电动助力转向系统的功能是否发生异常。

在该实施方式中，当电动助力转向系统的功能没有异常并且能够正常操作以将转向辅助力施加到转向机构2时，电源控制器42与点火装置开启还是关闭(作为车辆的启动开关的状态)无关地输出通电切换控制电压VC。也就是说，不只在点火装置开启时，还在点火装置关闭时，车载电源50都保持向转向控制装置30(即，存储器32)供应电力。因此，不只在点火装置开启时，还有点火装置关闭时，存储器32都能存留针对要由转向控制器31执行的各种类型的算术处理而存储的各种类型的信息。

详细描述电源电路41的配置。如图2所示，电源电路41包括第一P沟道MOSFET(PMOS1)、不同于PMOS 1的第二P沟道MOSFET(PMOS 2)、第一电压施加电路71和不同于第一电压施加电路71的第二电压施加电路81。第一电压施加电路71具有切换PMOS 1的开关状态的功能。第二电压施加电路81具有切换PMOS 2的开关状态的功能。该实施方式的PMOS 1和PMOS2是P沟道MOSFET，分别具有与P型半导体层相关联的源极端子72和82、与P型半导体层相关联的漏极端子73和83、以及与N型半导体层相关联的栅极端子74和84。

如图3所示，P沟道MOSFET具有以下特性。当栅极端子G的电位低于源极端子S的电位、并且这些端子之间的电位差等于或大于预设阈值(例如2V)时，P沟道MOSFET导通，使得源极端子S与漏极端子D之间有电流传导。这是由于源极端子S与栅极端子G之间的电位差大于阈值，并且在N型半导体层Ng(在图3中用“N”表示)的在绝缘层Z侧的表面附近聚集空穴，以提供用作反型层的P型半导体层Pg(在图3中用“P”表示)。在这种情况下，与源极端子S相关联的P型半导体层Ps(在图3中用“P”表示)和与漏极端子D相关联的P型半导体层Pd(在图3中用“P”表示)通过P型半导体层Pg电连接。因此，源极端子S与漏极端子D之间有电流传导。

此外，P沟道MOSFET具有以下特性。当源极端子S的电位更接近栅极端子G的电位、并且这些端子之间的电位差小于阈值时，P沟道MOSFET关断，使得源极端子S与漏极端子D之间没有电流传导。这是由于源极端子S与栅极端子G之间的电位差小于阈值，并且与栅极端子G相关联的N型半导体层Ng使得与源极端子S相关联的P型半导体层Ps和与漏极端子D相关联的P型半导体层Pd电中断，使得源极端子S与漏极端子D之间没有电流传导。

返回参照图2的描述，PMOS 1的源极端子72连接至车载电源50的高电位侧，并且PMOS 1的漏极端子73经由PMOS 2连接至转向控制装置30。PMOS 1的栅极端子74连接至第一电压施加电路71。连接PMOS 1与车载电源50的高电位侧的连接线L1上的触点C1连接至第一电压施加电路71。

PMOS 2的漏极端子83连接至PMOS 1的漏极端子73，并且PMOS 2的源极端子82连接至转向控制装置30。PMOS 2的栅极端子84连接至第二电压施加电路81。连接PMOS 2与转向控制装置30的连接线L2上的触点C2连接至第二电压施加电路81。

在该实施方式中，通过连接PMOS 1和PMOS 2的漏极端子73和83来串联连接PMOS 1和PMOS 2，使得可以从车载电源50向转向控制装置30供应电力。在该情况下，设置在PMOS 1中的寄生二极管D1和设置在PMOS 2中的寄生二极管D2的方向彼此相反，使得分别从源极端子72和82到漏极端子73和83的电流流动被阻断。

接下来，更详细地描述第一电压施加电路71和第二电压施加电路81的结构。如图4所示，第一电压施加电路71包括由晶体管TR1(其是NPN双极型晶体管)以及晶体管TR2(其是PNP双极型晶体管)的组合构成的切换电路。

在晶体管TRl中，基极端子TRlb连接至电源控制器42，使得从电源控制器42输出的控制电压VC通过分压电阻器分压，并且基于该分压的电流流入基极端子TR1b。在晶体管TR1中，发射极端子TR1e连接至参考电位点GND，并且集电极端子TR1c连接至晶体管TR2的基极端子TR2b和触点C1。也就是说，晶体管TR1经由集电极端子TR1c和触点C1连接至车载电源50。

当基极端子TR1b与发射极端子TR1e之间的电位差等于或大于预设阈值(例如0.5V)时，晶体管TR1导通，使得集电极端子TR1c与发射极端子TR1e之间有电流传导。在该情况下，基于来自车载电源50的电力供应的电流(即，基于电源电路41的输入电压Vin的电流)在集电极端子TR1c与发射极端子TR1e之间流动。

当基极端子TR1b与发射极端子TR1e之间的电位差小于晶体管TR1中设置的阈值时，晶体管TR1关断，使得集电极端子TR1c与发射极端子TR1e之间没有电流传导。在该情况下，基于来自车载电源50的电力供应的电流(即，基于电源电路41的输入电压Vin的电流)不在集电极端子TR1c与发射极端子TR1e之间流动。

在该实施方式中，作为从电源控制器42输出的高电平信号的断电切换电压被设置为等于或大于晶体管TR1中设置的阈值的值，而作为从电源控制器42输出的低电平信号的通电切换电压被设置为小于晶体管TR1中设置的阈值的值。

在晶体管TR2中，基极端子TR2b连接至车载电源50，使得当晶体管TR1导通时，基于通过经分压电阻器将输入电压Vin分压获得的电压的电流流入基级端子TR2b。连接晶体管TR2，使得当晶体管TR1关断时，基于输入电压Vin的电流流入基极端子TR2b。在晶体管TR2中，发射极端子TR2e连接至触点C1，并且集电极端子TR2c经由分压电阻器连接至参考电位点GND和PMOS 1的栅极端子74。也就是说，晶体管TR2经由发射极端子TR2e和触点C1连接至车载电源50，并且经由集电极端子TR2c和栅极端子74连接到PMOS 1。

晶体管TR2被配置成使得当晶体管TR1导通时，基极端子TR2b与集电极端子TR2c之间的电位差等于或大于预设阈值(例如0.5V)，并且晶体管TR2导通，使得集电极端子TR2c与发射极端子TR2e之间有电流传导。在该情况下，基于来自车载电源50的电力供应的电流(即，基于电源电路41的输入电压Vin的电流)在集电极端子TR2c与发射极端子TR2e之间流动。因此，车载电源50的高电位侧以及PMOS 1的栅极端子74经由第一电压施加电路71连接。

晶体管TR2被配置成使得当晶体管TR1关断时，基极端子TR2b与集电极端子TR2c之间的电位差不等于也不大于晶体管TR2中设置的阈值，并且晶体管TR2关断，使得集电极端子TR2c与发射极端子TR2e之间没有电流传导。在该情况下，基于来自车载电源50的电力供应的电流(即，基于电源电路41的输入电压Vin的电流)不在集电极端子TR2c与发射极端子TR2e之间流动。因此，参考电位点GND与PMOS 1的栅极端子74经由第一电压施加电路71连接。

如图5所示，第二电压施加电路81包括由晶体管TR3(其是NPN双极型晶体管)和晶体管TR4(其是PNP双极型晶体管)的组合构成的开关电路。

晶体管TR3的结构与第一电压施加电路71的晶体管TR1的结构相同，但是与晶体管TR1的不同在于，集电极端子TR3c连接至触点C2。也就是说，晶体管TR3经由集电极端子TR3c和触点C2连接至转向控制装置30。当晶体管TR3导通使得集电极端子TR3c与发射极端子TR3e之间有电流传导时，基于从车载电源50到转向控制装置30的电力供应的电流(即，基于电源电路41的输出电压Vout的电流)在集电极端子TR3c与发射极端子TR3e之间流动。当晶体管TR3关断使得集电极端子TR3c与发射极端子TR3e之间没有电流传导时，基于电源电路41的输出电压Vout的电流不在集电极端子TR3c与发射极端子TR3e之间流动。

晶体管TR4的结构与第一电压施加电路71的晶体管TR2的结构相同，但是与晶体管TR2的不同在于，发射极端子TR4e连接至触点C2。也就是说，晶体管TR4经由发射极端子TR4e和触点C2连接至转向控制装置30。

当晶体管TR4导通使得集电极端子TR4c与发射极端子TR4e之间有电流传导时，基于电源电路41的输出电压Vout的电流在集电极端子TR4c与发射极端子TR4e之间流动。因此，转向控制装置30的高电位侧与PMOS 2的栅极端子84经由第二电压施加电路81连接。

当晶体管TR4关断使得集电极端子TR4c与发射极端子TR4e之间没有电流传导时，基于电源电路41的输出电压Vout的电流不在集电极端子TR4c与发射极端子TR4e之间流动。因此，参考电位点GND与PMOS 2的栅极端子84经由第二电压施加电路81连接。

接下来给出关于在切换转向控制装置30的通电状态和断电状态时电源电路41的操作。如图4所示，当从电源控制器42向第一电压施加电路71输入控制电压VC作为低电平信号时，晶体管TR1关断。在晶体管TR1关断的情况下，晶体管TR2关断。因此，如图4中的点划线箭头所指示的，栅极端子74与参考电位点GND连接。因此，栅极端子74的电位被切换为参考电位点GND的电位。在该情况下，栅极端子74的电位低于源极端子72的电位，并且这些端子之间的电位差为12V，等于或大于PMOS 1中设置的阈值。因此，PMOS 1导通。

如图5所示，当从电源控制器42向第二电压施加电路81输入控制电压VC作为低电平信号时，晶体管TR3关断。在晶体管TR3关断的情况下，晶体管TR4关断。因此，如图5中的点划线箭头所指示的，栅极端子84与参考电位点GND连接。因此，栅极端子84的电位被切换为参考电位点GND的电位。在该情况下，栅极端子84的电位低于源极端子82的电位，并且这些端子之间的电位差为12V，等于或大于PMOS 2中设置的阈值。因此，PMOS 2导通。

如上所述，电源控制器42通过将低电平信号输出至第一电压施加电路71和第二电压施加电路81并且导通PMOS 1和PMOS 2来将电源电路41的状态切换为通电状态。

如图4所示，当从电源控制器42向第一电压施加电路71输入控制电压VC作为高电平信号时，晶体管TR1导通。在晶体管TR1导通的情况下，晶体管TR2导通。因此，如图4中的双点划线箭头所指示的，触点C1与栅极端子74经由晶体管TR2连接。因此，栅极端子74的电位被切换为触点C1的电位。在该情况下，源极端子72的电位等于栅极端子74的电位，并且这些端子之间的电位差为0V，小于PMOS 1中设置的阈值。因此，PMOS 1关断。

如图5所示，当从电源控制器42向第二电压施加电路81输入控制电压VC作为高电平信号时，晶体管TR3导通。在晶体管TR3导通的情况下，晶体管TR4导通。因此，如图5中的双点划线箭头所指示的，触点C2与栅极端子84经由晶体管TR4连接。因此，栅极端子84的电位被切换为触点C2的电位。在该情况下，源极端子82的电位等于栅极端子84的电位，并且这些端子之间的电位差为0V，小于PMOS 2中设置的阈值。因此，PMOS 2关断。

如上所述，电源控制器42通过将高电平信号输出至第一电压施加电路71和第二电压施加电路81并且关断PMOS 1和PMOS 2来将电源电路41的状态切换为断电状态。

下面描述该实施方式的效果。(1)要通过使用PMOS 1和PMOS 2来切换该实施方式的电源电路41的通电状态和断电状态，仅需要向栅极端子74和84施加具有比车载电源50的电位低的电位的电压。因此，不需要使用在使用N沟道MOSFET时所需的诸如电荷泵的升压电路。因此，由于不需要使用诸如电荷泵的升压电路，即使为了保持通电状态而保持向PMOS 1和PMOS 2的栅极端子74和84施加电压，也能够降低功耗。即使长时间保持通电状态，与使用N沟道MOSFET的情况相比也能够抑制功耗的增加。

(2)要切换通电状态和断电状态，该实施方式的电源电路41仅需要具有被配置成在现有电路上切换到参考电位点GND的连接以及到触点C1和C2的连接。因此，不需要使用被配置成生成用于切换到各个状态的专用电压的电路。因此，可以抑制电压施加电路71和81的复杂化。

(3)在该实施方式的电源电路41的通电状态和断电状态下，从供电目标到车载电源50的电流回流可以被不同于PMOS 1的PMOS 2抑制。在通电状态下，向PMOS 2的栅极端子84施加电压以抑制电流回流，但是与上述类似地，仅需要向栅极端子84施加具有比车载电源50的电位低的电位的电压。也就是说，不需要使用在N沟道MOSFET的情况下所需的诸如电荷泵的升压电路。因此，由于不需要使用诸如电荷泵的升压电路，即使为了在通电状态下抑制电流回流而保持向PMOS 2的栅极端子84施加电压，也能够降低功耗。与上述类似地，当针对PMOS 2切换通电状态和断电状态时，仅需要提供被配置成在现有电路上切换到参考电位点GND的连接以及到触点C2的连接的电路。因此，不需要使用被配置成生成用于切换到各个状态的专用电压的电路。因此，可以抑制第二电压施加电路81的复杂化。

(4)在该实施方式的电源装置40中，即使长时间保持通电状态，与使用N沟道MOSFET的情况相比也能够抑制功耗增加。因此，可以实现这样的电源装置40：即使与车辆的启动开关的状态无关地保持通电状态，也能抑制功耗增加。

上述实施方式可以如下进行修改。可以在不会引起任何技术矛盾的情况下组合以下其他实施方式。设置PMOS 2是为了抑制从供电目标到车载电源50的电流回流，但不是必须设置PMOS 2。在该情况下，甚至不需要提供被配置成导通或关断PMOS 2的第二电压施加电路81。

当PMOS 1接导时，PMOS 1的栅极端子74的电位等于参考电位点GND的电位，但是仅需向PMOS 1的栅极端子74施加使得PMOS 1的栅极端子74与源极端子72之间的电位差等于或大于阈值的电压。这同样适用于PMOS 2。

当PMOS 1关断时，PMOS 1的栅极端子74的电位是车载电源50的电位，但是仅需向PMOS 1的栅极端子74施加使得PMOS 1的栅极端子74与源极端子72之间的电位差小于阈值的电压。这同样适用于PMOS 2。

到转向控制装置30的逆变器的电力供应可以被配置成在启动开关关断之后中断，直到下次启动开关开启。

在上述实施方式中，应用了电源装置40的转向系统1是其中马达20经由减速器21耦接至转向轴12的电动助力转向系统，但是也可以是其中马达20经由减速器21耦接至齿条轴14的电动助力转向系统。此外，转向系统1不限于应用了电源装置40的电动助力转向系统。例如，可以将电源装置40应用于线控转向型转向系统。

电源装置40的供电目标可以是诸如气囊装置的其他车辆装置。例如，作为电源装置40的供电目标的车辆装置可以是无人运输车辆。