阅读说明：本技术 对准标记 (Alignment mark ) 是由 冯耀斌 陆聪 于 2020-07-16 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种对准标记,包括至少一个对准标记单元,每个对准标记单元包括沿第一方向设置的多个对准分割段,每个对准分割段被设置为第一图形结构或第二图形结构,并且所述第一图形结构与所述第二图形结构为凹槽结构和凸起结构中的一者。所述多个对准分割段可响应入射光线而产生多个不同级次衍射光,且第0级衍射光的强度不大于10,第3级衍射光的强度不小于50。(The invention provides an alignment mark, which comprises at least one alignment mark unit, wherein each alignment mark unit comprises a plurality of alignment segmentation sections arranged along a first direction, each alignment segmentation section is arranged into a first graph structure or a second graph structure, and the first graph structure and the second graph structure are one of a groove structure and a protrusion structure. The plurality of alignment segments can generate a plurality of different orders of diffracted light in response to incident light, and the intensity of the 0 < th > order diffracted light is not greater than 10, and the intensity of the 3 < rd > order diffracted light is not less than 50.)

对准标记

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种对准标记。

背景技术

对准标记(alignment mark)在半导体制程中扮演着非常重要的角色。在晶圆(wafer)制作过程中，为了使光掩模板(又称光罩)上的图案能够正确的转移到晶圆上，关键步骤在于光掩模版与晶圆的对准，尤其在半导体工艺日渐纯熟的情况下，对于对准标记的精准度要求也变得更加严格。

当光线入射到对准标记时，响应入射光线的光线会在不同的角度产生具有不同强度(晶圆质量)的不同级次衍射光，通过特定的光学结构将不同级次衍射光分离，并以特定级次衍射光来实现光掩模版与晶圆的对准。虽然高级次衍射光对于光掩模版与晶圆的对准具有较佳的精准度，但往往会由于第0级衍射光具有较强的能量而影响并降低其它更高级次衍射光(例如第3级衍射光)的对比度，从而降低对准精度。因此，有必要提供一种对准标记，以解决现有技术存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种对准标记，以提升光掩模版与晶圆的对准精度。

为了实现上述目的，本发明第一方面提供一种对准标记，包括：

至少一个对准标记单元，每个对准标记单元包括有沿第一方向设置的多个对准分割段，每个对准分割段被设置为第一图形结构或是第二图形结构，并且所述第一图形结构与所述第二图形结构为凹槽结构和凸起结构中的一者；

其中，所述多个对准分割段可响应入射光线而产生多个不同级次衍射光，且第0级衍射光的强度不大于10，第3级衍射光的强度不小于50。

进一步地，所述多个对准分割段具有18个对准分割段。

进一步地，每个对准分割段沿所述第一方向上的宽度约为0.88微米或是0.97微米。

进一步地，第1个、第2个、第6个、第7个、第12个、第13个、第14个、第17个、第18个对准分割段为所述第一图形结构，并且第3个、第4个、第5个、第8个、第9个、第10个、第11个、第15个、第16个对准分割段为所述第二图形结构，其中所述第1个至第18个对准分割段依序为沿着所述第一方向排列的对准分割段。

进一步地，第1个、第2个、第3个、第6个、第7个、第12个、第13个、第17个、第18个对准分割段为所述第一图形结构，并且第4个、第5个、第8个、第9个、第10个、第11个、第14个、第15个、第16个对准分割段为所述第二图形结构，其中所述第1个至第18个对准分割段依序为沿着所述第一方向排列的对准分割段。

进一步地，第1个、第2个、第4个、第6个、第7个、第12个、第13个、第17个、第18个对准分割段为所述第一图形结构，并且第3个、第5个、第8个、第9个、第10个、第11个、第14个、第15个、第16个对准分割段为所述第二图形结构，其中所述第1个至第18个对准分割段依序为沿着所述第一方向排列的对准分割段。

进一步地，第1个、第2个、第6个、第7个、第12个、第13个、第17个、第18个对准分割段为所述第一图形结构，并且第3个、第4个、第5个、第8个、第9个、第10个、第11个、第14个、第15个、第16个对准分割段为所述第二图形结构，其中所述第1个至第18个对准分割段依序为沿着所述第一方向排列的对准分割段。

进一步地，所述多个对准分割段具有12个对准分割段。

进一步地，每个对准分割段沿所述第一方向上的宽度约为1.33微米或是1.46微米。

进一步地，第1个、第2个、第3个、第5个、第6个、第10个对准分割段为所述第一图形结构，并且第4个、第7个、第8个、第9个、第11个、第12个对准分割段为所述第二图形结构，其中所述第1个至第12个对准分割段依序为沿着所述第一方向排列的对准分割段。

进一步地，第1个、第2个、第5个、第6个、第10个对准分割段为所述第一图形结构，并且第3个、第4个、第7个、第8个、第9个、第11个、第12个对准分割段为所述第二图形结构，其中所述第1个至第12个对准分割段依序为沿着所述第一方向排列的对准分割段。

进一步地，第1个、第2个、第3个、第6个、第10个对准分割段为所述第一图形结构，并且第4个、第5个、第7个、第8个、第9个、第11个、第12个对准分割段为所述第二图形结构，其中所述第1个至第12个对准分割段依序为沿着所述第一方向排列的对准分割段。

进一步地，所述对准分割段的所述第一图形结构与所述第二图形结构沿与所述第一方向相交的第二方向延伸,并且所述对准标记单元沿着所述第一方向重复摆放，以获得在所述第一方向上的所述多个级次衍射光。

进一步地，所述对准分割段的所述第一图形结构与所述第二图形结构沿所述第一方向延伸,并且所述对准标记单元沿着与所述第一方向相交的第二方向重复摆放，以获得在所述第二方向上的所述多个级次衍射光。

进一步地，所述对准标记由两个相同且相对设置的第一合成对准标记与第二合成对准标记组合而成，所述第一合成对准标记与第二合成对准标记各别包括所述至少一个对准标记单元，以同时获得在所述第一方向以及与所述第一方向相交的第二方向上的所述多个级次衍射光。

进一步地，所述第一合成对准标记的摆放方向与所述第二合成对准标记的摆放方向互补，并且于所述第一合成对准标记中的所述对准标记单元中的每个对准分割段的末端与于所述第二合成对准标记中的所述对准标记单元中的每个对准分割段的末端对应相连。

通过本发明所提供的对准标记单元的设置，在执行光掩模板与晶圆的对准时，除了可以避免第0级衍射光影响而降低高级次衍射光的对比度之外，更由于第3级衍射光的强度有显著地提升，当使用第3级衍射光作为对准信号时，光掩模板与晶圆的对准速度和精度皆能有所提升。可见，本发明具有实质性的高度突出功效，其优势十分明显。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的

具体实施方式

详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为第一标准对准标记的示意图。

图2为第二标准对准标记的示意图。

图3为根据本发明第一实施例提供的对准标记的示意图。

图4为根据本发明第一子实施例提供的对准标记单元的示意图。

图5为根据本发明第二子实施例提供的对准标记单元的示意图。

图6为根据本发明第三子实施例提供的对准标记单元的示意图。

图7为根据本发明第四子实施例提供的对准标记单元的示意图。

图8为根据本发明第五子实施例提供的对准标记单元的示意图。

图9为根据本发明第六子实施例提供的对准标记单元的示意图。

图10为根据本发明第七子实施例提供的对准标记单元的示意图。

图11为根据本发明第二实施例提供的对准标记的示意图。

图12为根据本发明第三实施例提供的对准标记的示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，本发明说明书所使用的词语“实施例”意指用作实例、示例或例证，并不用于限定本发明。

在光刻制程中，光刻机中的对准系统会先对光掩模版与晶园作对准后才进行光刻制程。进一步地，对准过程为先进行粗对准(coarse alignment)后再进行精细对准(finealignment)，在执行粗对准时通常只需使用两个粗对准标记即可，具体来说是两个晶圆等级大小的标记，于一实施例中两个粗对准标记可以设置在晶圆的左下方以及右上方。在执行精细对准时通常会使用设置在切割道(scribe line)上的多个精细对准标记来定位，使得对准系统可以计算出曝光时的准确位置。由于光刻机的对准方式是将光线(大多采用激光束)入射至晶圆上的粗对准标记或是精细对准标记，此时与入射光线响应的光线(例如反射光)可以产生多个不同级次衍射光，对准系统上的侦测器在接收后根据特定级次衍射光作为对准信号，从而实现光掩模板与晶圆的对准。

请参照图1，图1为第一标准对准标记51的示意图。为了产生不同级次衍射光来进行对准，第一标准对准标记51中的第一标准对准标记单元511设计成具有2个对准分割段(segamentation)，具体地为将第一个与第二个对准分割段511a/511b分别设置成第一图形结构1st与第二图形结构2nd，此时第一标准对准标记51形成类似光栅的结构，当光线在入射至第一对准标记51时，与入射光线响应的光线(例如反射光)得以产生不同级次衍射光，并根据其中特定级次衍射光(例如第2级衍射光)作为对准信号，实现光掩模板与晶圆的对准。可以理解的是，由于根据第一标准对准标记单元511所产生的衍射光可能只会有第0级、第1级、第2级等低级次衍射光，或是虽然可以产生高级次衍射光(例如第3级至第7级衍射光)，但由于高级次衍射光的强度太低，无法被使用来当做对准信号，因此上述才以例如具有比高级次衍射光强度强的第2级衍射光作为对准信号，但此仅为示例性的说明，不应解释为对本发明的限制。优选地，第一对准标记单元511中的第一图形结构1st以及第二图形结构2nd的宽度均为8.8微米，即第一对准标记单元511以17.6微米的周期重复地排列形成第一标准对准标记51。

可以理解的是，第0级衍射光指的是光线经过类似光栅结构的准对准标记后，在光谱上所产生的位于中央的衍射光，而比第0级衍射光更高级次或更高阶的衍射光(包括第1级衍射光和大于其级次的衍射光)则是在光谱上所产生的位于第0级衍射光周围的衍射光，并且愈远离第0级衍射光的衍射光愈高阶。

可以理解的是，第一图形结构1st与第二图形结构2nd可以通过光刻制程形成，但本发明并未对此作具体的限制。于一实施例中，第一图形结构1st为凹槽结构，第二图形结构2nd为凸起结构。于另一实施例中，第一图形结构1st为凸起结构，第二图形结构2nd为凹槽结构。

请参照图2，图2为第二标准对准标记52的示意图。在特征尺寸越来越小的情况下，为了使光掩模板与晶圆的对准得以更准确，有必要产生并使用高级次衍射光(例如第3级至第7级衍射光)来提升对准的精度。一般而言，级次代表衍射光的光阶数，愈高的级次对应到更高阶的衍射光。因此，第二标准对准标记52中的第二标准对准标记单元521可以被设计成具有4个对准分割段，具体地为将第1个与第3个对准分割段521a/521c设置成第一图形结构1st，将第2个与第4个对准分割段521b/521d设置成第二图形结构2nd，此时第二标准对准标记52形成类似光栅的结构，当光线在入射至第二对准标记52时，由于第二标准对准标记单元521具有较第一标准对准标记单元511精细的对准分割段，因此得以产生高级次衍射光或是产生具有较高强度的高级次衍射光，并根据其中特定级次衍射光(例如第3级衍射光)作为对准信号，实现光掩模板与晶圆的对准。优选地，第二标准对准标记单元521中的第1个至第3个对准分割段521a/521b/521c的宽度为8微米(均分为宽度约2.66微米)，而第4个对准分割段521d的宽度为9.6微米，即第二对准标记单元521以17.6微米的周期重复地排列形成第二对准标记52。

请参照表1，表1为根据图2的第二标准对准标记单元521所产生的具有不同强度的多个不同级次衍射光。

衍射光级次/强度	第0级	第1级	第2级	第3级	第4级	第5级	第6级	第7级
									第二标准对准标记单元521	27.4	25	18.4	44.4	4.7	1	0	0.5

表1

一般来说，衍射光的强度只要大于1都可以被使用来当做有效的对准信号，因此在第二标准对准标记单元521中，第0级至第5级衍射光都可以用来当做对准信号。但由于第0级衍射光具有相较于第1级、第2级、第4级、第5级衍射光强的强度，这些级次的衍射光会受到影响并降低在执行对准时的对比度，即使是具有比第0级衍射光的强度强的第3级衍射光，其也会受到影响而降低对准时的对比度，从而降低对准精度。虽然使用高级次衍射光可以得到更精准的对准，但若是用来当做对准信号的衍射光的强度相较于其它级次衍射光的强度相当或是不够强时，则容易受到影响并降低对准时的对比度。因此，下面对本发明的发明重点为提出一种具有降低第0级衍射光的强度以及提升第3级衍射光的强度的功效的对准标记，以利提高使用第3级衍射光作为对准信号时的对准表现。

于一实施例中，衍射光的强度可以使用晶圆质量(waferquality，WQ)来表示，当衍射光的晶圆质量越高，代表衍射光的强度越强，越适合当做对准信号。

请参照图3，并结合图4至图10所示，图3为根据本发明第一实施例提供的对准标记61/62/63/64/65/66/67的示意图，图4至图10为根据本发明第一子实施例至第七子实施例提供的对准标记单元611/621/631/641/651/661/671的示意图。为了解决上述技术问题，根据本发明第一实施例所提供的每个对准标记包括至少一个对准标记单元，即根据本发明第一子实施例，对准标记61包括至少一个对准标记单元611；根据本发明第二子实施例，对准标记62包括至少一个对准标记单元621；根据本发明第三子实施例，对准标记63包括至少一个对准标记单元631；根据本发明第四子实施例，对准标记64包括至少一个对准标记单元641；根据本发明第五子实施例，对准标记65包括至少一个对准标记单元651；根据本发明第六子实施例，对准标记66包括至少一个对准标记单元661；根据本发明第七子实施例，对准标记67包括至少一个对准标记单元671。并且，每个对准标记单元包括有沿第一方向(如图中的X方向)设置的多个对准分割段，即对准标记单元611包括多个对准分割段611a-611r，对准标记单元621包括多个对准分割段621a-621r，对准标记单元631包括多个对准分割段631a-631r，对准标记单元641包括多个对准分割段641a-641r，对准标记单元651包括多个对准分割段651a-6511，对准标记单元661包括多个对准分割段661a-6611，对准标记单元671包括多个对准分割段671a-6711。每个对准分割段被设置为第一图形结构1st或是第二图形结构2nd，第一图形结构1st与第二图形结构2nd可以为凹槽结构或是凸起结构。优选地，对准标记单元611/621/631/641/651/661/671沿第一方向上的宽度D可以为16微米或17.6微米，即对准标记单元611/621/631/641/651/661/671以16微米或17.6微米的周期重复地排列形成对准标记61/62/63/64/65/66/67。进一步地，在第一子实施例至第四子实施例中，每个对准分割段沿第一方向上的宽度约为0.88微米或是0.97微米；在第五子实施例至第七子实施例中，每个对准分割段沿第一方向上的宽度约为1.33微米或是1.46微米。

可以理解的是，宽度D可以为除上述16微米或17.6微米之外的其它任何值，例如1微米到100微米之间的任何数值，不应将此解释为对本发明的限制。

请参照表2，表2为根据本发明各子实施例所提供的对准标记单元611/621/631/641/651/661/671经由实际量测后，所得到的各级次衍射光强度的结果。

衍射光级次/强度	第0级	第1级	第2级	第3级	第4级	第5级	第6级	第7级
									对准标记单元611	0	12	0	77.8	0	9.4	0	7.2
对准标记单元621	0	18.8	4.8	52.8	10	12.2	6.3	1
									对准标记单元631	0	15.6	1.4	52.8	4.3	1.4	6.3	11.2
对准标记单元641	3	9	2.9	75	2.6	7	2	5.4
									对准标记单元651	0	26.7	0	55.6	0	15	0	7.6
对准标记单元661	6.9	6.7	6.2	72.3	4.7	3.7	2.8	1.9
									对准标记单元671	6.9	20	6.2	50	4.7	11.2	2.8	5.7

表2

为了简化说明，下文的第一图形结构1st与第二图形结构2nd并不限定为凹槽结构或凸起结构，这是由于无论是凹槽结构或是凸起结构，仅要符合下述对第一图形结构1st与第二图形结构2nd的排列设置，其都具有抑制第0级衍射光的晶圆质量与提升第3级衍射光的晶圆质量的技术效果(于后续说明)，不会影响到本发明的发明重点。

结合图3与图4所示。在对准标记单元611中，包括形成第一图形结构1st的第1个、第2个、第6个、第7个、第12个、第13个、第14个、第17个、第18个对准分割段611a/611b/611f/611g/611l/611m/611n/611q/611r，以及形成第二图形结构2nd的第3个、第4个、第5个、第8个、第9个、第10个、第11个、第15个、第16个对准分割段611c/611d/611e/611h/611i/611j/611k/611o/611p，其中第1个至第18个对准分割段依序为沿着第一方向排列的对准分割段。根据对准标记单元611，第0级、第2级、第4级、第6级衍射光的强度可以被有效地抑制趋近于0，因此第1级、第3级、第5级、第7级衍射光可以被使用来当做对准信号，其中由于第3级衍射光具有较其它级次衍射光强的强度，因此其更适合当做对准信号。另外，由于偶数级次衍射光的晶圆质量趋近于0，这有助于提升使用奇数级次衍射光执行对准时的对比度，从而提高对准的精度。

结合图3与图5所示。在对准标记单元621中，包括形成第一图形结构1st的第1个、第2个、第3个、第6个、第7个、第12个、第13个、第17个、第18个对准分割段621a/621b/621c/621f/621g/621l/621m/621q/621r，以及形成第二图形结构2nd第4个、第5个、第8个、第9个、第10个、第11个、第14个、第15个、第16个对准分割段621d/621e/621h/621i/621j/621k/621n/621o/621p，其中第1个至第18个对准分割段依序为沿着第一方向排列的对准分割段。根据对准标记单元621，第0级衍射光的强度可以被有效地抑制趋近于0，因此第1级至第7级衍射光可以被使用来当做对准信号，其中由于第3级衍射光具有较其它级次衍射光强的强度，因此其更适合当做对准信号。相较于对准标记单元611，若同样欲使用第3级衍射光作为对准信号，对准标记单元611的第3级衍射光具有较佳的对准表现，而对准标记单元621的优势在于其可以选择更多级次衍射光当做对准信号。

结合图3与图6所示。在对准标记单元631中，包括形成第一图形结构1st的第1个、第2个、第4个、第6个、第7个、第12个、第13个、第17个、第18个对准分割段631a/631b/631d/631f/631g/631l/631m/631q/631r，以及形成第二图形结构2nd的第3个、第5个、第8个、第9个、第10个、第11个、第14个、第15个、第16个对准分割段631c/631e/631h/631i/631j/631k/631n/631o/631p，其中第1个至第18个对准分割段依序为沿着第一方向排列的对准分割段。根据对准标记单元631，第0级衍射光的强度可以被有效地抑制趋近于0，因此第1级至第7级衍射光可以被使用来当做对准信号，其中由于第3级衍射光具有较其它级次衍射光强的强度，因此其更适合当做对准信号。相较于对准标记单元611，若同样欲使用第3级衍射光作为对准信号，对准标记单元611的第3级衍射光具有较佳的对准表现。相较于对准标记单元621，对准标记单元631具有较强的第7级衍射光的强度，可见对准标记单元631在使用第7级衍射光来当做对准信号时，具有比对准标记单元621更佳的对准表现。

结合图3与图7所示。在对准标记单元641中，包括形成第一图形结构1st的第1个、第2个、第6个、第7个、第12个、第13个、第17个、第18个对准分割段641a/641b/641f/641g/641l/641m/641q/641r，以及形成第二图形结构2nd的第3个、第4个、第5个、第8个、第9个、第10个、第11个、第14个、第15个、第16个对准分割段641c/641d/641e/641h/641i/641j/641k/641n/641o/641p，其中第1个至第18个对准分割段依序为沿着第一方向排列的对准分割段。根据对准标记单元641，第0级衍射光的强度可以被有效地抑制趋近于3，但由于其与第1级、第2级、第4级、第5级、第6级、第7级衍射光的强度相当，并且由于第3级衍射光具有较其它级次衍射光强的强度，因此第3级衍射光适合当做对准信号。相较于对准标记单元621与对准标记单元631，若同样欲使用第3级衍射光作为对准信号，对准标记单元641的第3级衍射光具有较佳的对准表现。

结合图3与图8所示。在对准标记单元651中，包括形成第一图形结构1st的第1个、第2个、第3个、第5个、第6个、第10个对准分割段651a/651b/651c/651e/651f/651j，以及形成第二图形结构2nd的第4个、第7个、第8个、第9个、第11个、第12个对准分割段651d/651g/651h/651i/651k/651l，其中第1个至第12个对准分割段依序为沿着第一方向排列的对准分割段。根据对准标记单元651，第0级、第2级、第4级、第6级衍射光的强度可以被有效地抑制趋近于0，因此第1级、第3级、第5级、第7级衍射光可以被使用来当做对准信号，其中由于第3级衍射光具有较其它级次衍射光强的强度，因此其更适合当做对准信号。另外，由于偶数级次衍射光的强度趋近于0，有助于提升使用奇数级次衍射光执行对准时的对比度，从而提高对准的精度。

结合图3与图9所示。在对准标记单元661中，包括形成第一图形结构1st的第1个、第2个、第5个、第6个、第10个对准分割段661a/661b/661e/661f/661j，以及形成第二图形结构2nd的第3个、第4个、第7个、第8个、第9个、第11个、第12个对准分割段661c/661d/661g/661h/661i/661k/661l为第二图形结构2nd，其中第1个至第12个对准分割段依序为沿着第一方向排列的对准分割段。根据对准标记单元661，第0级衍射光的强度可以被有效地抑制趋近于6.9，但由于其与第1级、第2级、第4级、第5级、第6级、第7级衍射光的强度相当，并且由于第3级衍射光具有较其它级次衍射光强的强度，因此第3级衍射光适合当做对准信号。相较于对准标记单元651，若同样欲使用第3级衍射光作为对准信号，对准标记单元661的第3级衍射光具有较佳的对准表现。

结合图3与图10所示。在对准标记单元671中，包括形成第一图形结构1st的第1个、第2个、第3个、第6个、第10个对准分割段671a/671b/671c/671f/671j，以及形成第二图形结构2nd的第4个、第5个、第7个、第8个、第9个、第11个、第12个对准分割段671d/671e/671g/671h/671i/671k/671l，其中第1个至第12个对准分割段依序为沿着第一方向排列的对准分割段。根据对准标记单元671，第0级衍射光的强度可以被有效地抑制趋近于6.9，但由于其与第1级、第2级、第4级、第5级、第6级、第7级衍射光的强度相当，并且由于第3级衍射光具有较其它级次衍射光强的强度，因此第3级衍射光适合当做对准信号。

根据第一子实施例至第七子实施例中的对准标记单元611-671，在第3级衍射光的强度的表现上都具有显著地提升，其相较于根据第二标准对准标记单元521产生的第3级衍射光的强度分别提升了约75％、19％、19％、69％、25％、63％、13％，并且其强度皆不小于50。同时，在第0级衍射光的强度的表现上亦有显著地抑制，其强度皆不大于10。也就是说，本发明可以通过第一子实施例至第七子实施例中的对准标记单元611-671的设置，在执行光掩模板与晶圆的对准时，除了可以避免第0级衍射光影响而降低其它高级次衍射光的对比度之外，更由于第3级衍射光的强度有显著地提升，当使用第3级衍射光作为对准信号时，光掩模板与晶圆的对准速度与精度皆能有所提升。

在本发明的实施例中，对准分割段611a-611r/621a-621r/631a-631r/641a-641r/651a-651l/661a-661l/671a-671l的第一图形结构1st与第二图形结构2nd沿与第一方向相交的第二方向(如图中的Y方向)延伸,并且对准标记单元611/621/631/641/651/661/671沿着第一方向重复摆放，以获得在第一方向上的多个级次衍射光。于一实施例中，第一方向为横向或是左右方向(同下)，第二方向为纵向或是上下方向(同下)。

请参照图11所示，图11为根据本发明第二实施例提供的对准标记71的示意图。于一实施例中，对准标记71包括至少一个对准标记单元711，对准标记单元711可以为上述任一子实施例的对准标记单元611/621/631/641/651/661/671的任一种，在此不加以赘述。在对准标的单元711中的对准分割段的第一图形结构1st与第二图形结构2nd沿第一方向延伸,并且对准标记单元711沿着第二方向重复摆放，以获得在第二方向上的所述多个级次衍射光。

请参照图12所示，图12为根据本发明第三实施例提供的对准标记81的示意图。于一实施例中，对准标记81由两个相同且相对设置的第一合成对准标记8101与第二合成对准标记8102组合而成，每个合成对准标记包括至少一个对准标记单元811，对准标记单元811可以为上述任一子实施例的对准标记单元611/621/631/641/651/661/671的任一种，在此不加以赘述。第一合成对准标记8101的摆放方向与第二合成对准标记8102的摆放方向互补(例如第一合成对准标记8101沿着45度角的方向摆放，第二合成对准标记8102沿着135度角的方向摆放)，并且于第一合成对准标记8101中的对准标记单元811中的每个对准分割段的末端与于第二合成对准标记8102中的对准标记单元811中的每个对准分割段的末端对应相连，以同时获得在第一方向以及第二方向上的多个级次衍射光。

综合观之，藉由本发明各子实施例，第0级衍射光的强度皆不大于10，并且第3级衍射光的强度皆不小于50。可见，当使用第3级衍射光作为对准信号时，光掩模板与晶圆的对准速度与精度皆能有所提升。

可以理解的是，本发明可以适用于半导体制程中的任一道光刻制程，本发明并未对具体的光刻制程做限制，并且第一图形结构1st或是第二图形结构2nd的凹槽结构的凹槽深度可以依据实际需求(例如对准所使用的光线波长)改变。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。