具体实施方式

以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。此外，本发明不限于以下的各实施方式。

《第一实施方式》

图1至图16示出本发明所涉及的显示装置的第一实施方式。此外，在以下的各实施方式中，作为具备发光元件的显示装置，例示具备有机EL元件的有机EL显示装置。在此，图1是示出本实施方式的有机EL显示装置50a的概略构成的俯视图。另外，图2是有机EL显示装置50a的显示区域D的俯视图。另外，图3是沿着图1中的III-III线的有机EL显示装置50a的剖视图。另外，图4是构成有机EL显示装置50a的TFT层20的等效电路图。另外，图5是构成有机EL显示装置50a的有机EL层23的剖视图。另外，图6以及图7沿着图1中的VI-VI线以及VII-VII线的有机EL显示装置50a的边框区域F的剖视图。另外，图8是有机EL显示装置50a的非显示区域N的俯视图。另外，图9是沿着图8中的IX-IX线的有机EL显示装置50a的非显示区域N的剖视图。

如图1所示，有机EL显示装置50a具备例如显示区域D，进行图像显示且上述图像显示设置为矩形状；以及边框区域F，在显示区域D的周围设置为矩形框状。此外，在本实施方式中，例示了矩形状的显示区域D，该矩形状也包含例如边缘是圆弧状的形状、角部是圆弧状的形状、在边缘的一部分有切口的形状等的大致矩形状。

如图2所示，多个子像素P在显示区域D排列为矩阵状。另外，如图2所示，在显示区域D中，例如具有用于进行红色的显示的红色发光区域Lr的子像素P、具有用于进行绿色的显示的绿色发光区域Lg的子像素P、以及具有用于进行蓝色的显示的蓝色发光区域Lb的子像素P设置为互相相邻。此外，在显示区域D中，例如由具有红色发光区域Lr、绿色发光区域Lg以及蓝色发光区域Lb的相邻的三个子像素P构成一个像素。另外，如图1所示，在显示区域D的内部中，非显示区域N设置为岛状。在此，如图1所示，在非显示区域N中，为了配置照相机、指纹传感器等，设置有贯通孔H，所述贯通孔H沿着后述的树脂基板层10的厚度方向贯通。此外，关于非显示区域N的详细的结构等，使用图8以及图9在后面描述。

在边框区域F的图1中右端部中，端子部T以在一方向(图中纵向)延伸的方式设置。另外，如图1所示，在边框区域F中，在端子部T的显示区域D侧中，将图中纵向作为弯曲的轴，例如能够弯曲180度(U字状)的弯曲部B设置为在一方向(图中纵向)延伸。在此，在边框区域F中，如图1、图3、以及图6所示，在后述的平坦化膜19a中，大致C状的沟槽G以贯通平坦化膜19a的方式设置。此外，如图1所示，沟槽G在俯视下以端子部T侧开口的方式设置为大致C字状。

如图3、图6、图7以及图9所示，有机EL显示装置50a具备树脂基板层10，作为衬底基板设置；薄膜晶体管(thinfilmt oransistor,以下，也称为TFT)层20，设置于树脂基板层10上；有机EL元件层30，设置于TFT层20上；以及密封膜40，设置于有机EL元件层上。

树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等构成。

如图3所示，TFT层20具备作为第一无机绝缘膜设置于树脂基板层10上的底涂膜11、设置于底涂膜11上的多个第一T FT9a、多个第二TFT9b以及多个电容量9c、设置于各第一TFT9a、各第二TFT9b以及各电容量9c上且层叠于表面的平坦化膜19a。在此，如图2以及图4所示，在TFT层20中，多个栅极线14以在图中横向互相平行地延伸的方式设置。另外，如图2以及图4所示，在TFT层20中，多个源极线18f在图中纵向互相平行地延伸的方式设置。另外，如图2以及图4所示，在TFT层20中，多个电源线18g在图中纵向互相平行地延伸的方式设置。然后，如图2所示，各电源线18g设置为与各源极线18f相邻。另外，如图4所示，在TFT层20中，在各子像素P中，分别设置有第一TFT9a、第二TFT9b以及电容量9c。

底涂膜11例如由氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。

如图4所示，在各子像素P中，第一TFT9a与对应的栅极线14以及源极线18f电连接。另外，如图3所示，第一TFT9a具备在底涂膜11上依次设置的半导体层12a、栅极绝缘膜13、栅极电极14a、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17、以及源极电极18a以及漏极电极18b。在此，如图3所示，半导体层12a例如通过低温多晶硅膜在底涂膜11上设置为岛状且具有沟道区域、源极区域以及漏极区域。另外，如图3所示，栅极绝缘膜13作为第一无极绝缘膜以覆盖半导体层12a的方式覆盖。另外，如图3所示，栅极电极14a在栅极绝缘膜13上以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置。另外，如图3所示，第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17作为第一无机绝缘膜以覆盖栅极电极14a的方式依次设置。另外，如图3所示，源极电极18a以及漏极电极18b在第二层间绝缘膜17上以互相分离的方式设置。另外，如图3所示，源极电极18a以及漏极电极18b经由形成于栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔，与半导体层12a的源极区域以及漏极区域分别电连接。此外，栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17例如由氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。

如图4所示，第二TFT9b在各子像素P中，与对应的第一TFT9a以及电源线18g电连接。另外，如图3所示，第二TFT9b具备在底涂膜11上依次设置的半导体层12b、栅极绝缘膜13、栅极电极14b、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17、以及源极电极18c以及漏极电极18d。在此，如图3所示，半导体层12b通过低温多晶硅膜在底涂膜11上设置为岛状且具有沟道区域、源极区域以及漏极区域。另外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12b的方式设置。另外，如图3所示，栅极电极14b在栅极绝缘膜13上以与半导体层12b的沟道区域重叠的方式设置。另外，如图3所示，第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17以覆盖栅极电极14b的方式依次设置。另外，如图3所示，源极电极18c以及漏极电极18d在第二层间绝缘膜17上互相分离的方式设置。另外，如图3所示，源极电极18c以及漏极电极18d经由形成于栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔，与半导体层12b的源极区域以及漏极区域分别电连接。

此外，在本实施方式中，例示了顶栅型的第一TFT9a以及第二TFT9b，但是第一TFT9a以及第二TFT8b也可以是底栅型的TFT。

如图4所示，电容量9c在各子像素P中，与对应的第一T FT9a以及电源线18g电连接。在此，如图3所示，电容量9c具备下侧导电层14c，通过与栅极电极14a以及14b相同材料来形成于相同层；第一层间绝缘膜15，以覆盖下侧导电层14c的方式设置；以及上侧导电层16，以在第一层间绝缘膜15上与下侧导电层14c重叠的方式设置。此外，如图3所示，上侧导电层16经由形成于第二层间绝缘膜17的接触孔，与电源线18g电连接。

平坦化膜19a例如通过聚酰亚胺树脂等的正型的感光性树脂构成。

如图3所示，有机EL元件层30具备多个有机EL元件25，所述有机EL元件25作为多个发光元件在平坦化膜19a上以排列为矩阵状的方式设置。

如图3所示，有机EL元件25具备设置于平坦化膜19a上的第一电极21a、作为功能层设置于第一电极21a上的有机EL层23、以与多个子像素P共用的方式设置于有机EL层23的第二电极24。

如图3所示，第一电极21a经由形成于平坦化膜19a的接触孔，与各子像素P的第二TFT9b的漏极电极18d电连接。另外，第一电极21a具有向有机EL层23注入孔(空穴)的功能。另外，第一电极21a为了提高向有机EL层23的空穴注入效率，优选由功函数大的材料形成。在此,作为构成第一电极21a的材料,能够列举例如银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、鈀(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等的金属材料。另外，构成第一电极21a的材料，例如也可以是砹(At)/氧化砹(AtO₂)等的合金。进一步，构成第一电极21a的材料，例如，也可以是如氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZ O)之类的导电性氧化物等。另外，第一电极21a也可以将由上述材料构成的层多个层叠而形成。此外，作为功函数大的化合物材料，能够列举例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。进一步，第一电极21a的周端部通过边缘罩22a来覆盖，所述边缘罩22a是在多个子像素P中共用地设置成格子状。在此，作为构成边缘罩22a的材料，例如能够列举聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛清漆树脂等的正型的感光性树脂。另外，如图3所示，边缘罩22a的表面的一部分成为向图中上方突出且设置为岛状的像素感光间隔物。

如图5所示，有机EL层23具备在第一电极21a上依次设置的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4以及电子注入层5。

空穴注入层1也称为阳极缓冲层，具有使第一电极21a与有机EL层23的能级接近，改善从第一电极21a向有机EL层23的空穴注入效率的功能，作为与多个子像素P共用的共用功能层设置。在此，作为构成空穴注入层1的材料，能够列举例如列举三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物等。此外，共用功能层是使用CMM(CommonMetal Mask)形成的功能层。该CMM是对应于一个显示装置，设置有一个开口的掩膜，因此不能够设置遮蔽与贯通孔对应的区域的图案。因此，共用功能层也蒸镀于与贯通孔对应的区域。针对于此，独立功能层是使用FMM(Fin e Metal Mask)形成的功能层。该FMM是在每个颜色(例如，也包含红色以及绿色共用的功能层)设置有开口的掩膜。另外，功能层除了上述的空穴注入层之外，还包含空穴输送层2、发光层3、电子输送层4、电子注入层5、阻挡层、覆盖层等。

空穴输送层2具有提高从第一电极21a向有机EL层23的空穴的输送效率的功能层，作为与多个子像素P共用的共用功能层设置。在此，作为构成空穴输送层2的材料，能够列举例如卟啉衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯胺(stylamine)衍生物、聚乙烯基咔唑、聚(对苯乙炔)、聚矽烷、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑琳桐衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、胺取代查尔酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶硅碳、硫化锌、硒化锌等。

当由第一电极21a以及第二电极24施加电压时，发光层3是从第一电极21a以及第二电极24分别注入空穴以及电子，并且再结合空穴以及电子的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。然后，作为构成发光层3的材料，能够列举例如金属羟基喹啉酮(オキシノイド，oxinoid)化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯基亚乙基衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并恶唑衍生物、恶二唑衍生物、恶唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑(benzthiazole)衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯基胺衍生物、双苯乙烯基苯(Bis(Styryl)Benzene)衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、Perinon衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、若丹明衍生物、吖啶衍生物、吩恶嗪酮(phenoxazone)、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对亚苯基亚乙烯基、聚硅烷(polysi lanes)等。

电子输送层4具有将电子有效地移动到发光层3的功能，作为与多个子像素P共用的共用功能层设置。在此，作为构成电子输送层4的材料，能够列举例如作为有机化合物，恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉酮(オキシノイド，8-羟基喹啉金属络合物)化合物(metal oxinoidcompound)等。

电子注入层5具有如下功能；使第二电极24与有机EL层23的能级接近，提高从第二电极24向有机EL层23注入电子的效率，通过该功能，能够降低有机EL元件25的驱动电压。此外，电子注入层5也成为阴极缓冲层，作为与多个子像素P共用的共用功能层设置。在此，作为构成电子注入层5的材料，能够列举例如氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF₂)、氟化钙(CaF₂)、氟化锶(SrF₂)、氟化钡(BaF₂)之类的无机碱化合物、氧化铝(Al₂O₃)、氧化锶(SrO)等。

此外，上述的共用功能层是例示，也可以任一个层是独立功能层。此外，例如，在从发光紫外光、蓝色光的发光层，通过QLED(Quantum-dot light emitting diode)等来进行颜色变化而构成显示装置的情况下，发光层也可以是共用功能层。

如图3所示，第二电极24以覆盖各有机EL层23以及边缘罩22a的方式设置。另外，第二电极24具有向有机EL层23注入电子的功能。另外，第二电极24为了提高向有机EL层23的电子注入效率，优选以功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极24的材料，能够列举例如银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(C o)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(R u)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。另外，第二电极24也可以由例如，镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO₂)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等的合金形成。另外，第二电极24也可以由例如氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等的导电性氧化物形成。此外，第二电极24也可以将由上述材料构成的层多个层叠而形成。此外，作为功函数小的材料，能够列举例如，镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钾(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钾(C a)/铝(Al)等。

如图3、图6、图7以及图9所示，密封膜40具有：下侧第二无机绝缘膜36，以覆盖第二电极24的方式设置；有机绝缘膜37，设置于下侧第二无机绝缘膜36上；以及上侧第二无机绝缘膜38，以覆盖有机绝缘膜37的方式设置，且密封膜40具有将有机EL层23从水分、氧等中保护的功能。在此，下侧第二无机绝缘膜36以及上侧第二无机绝缘膜38例如由氧化硅(SiO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、四氮化三硅(Si₃N₄)之类的氮化硅(SiNx(x是正数))、碳氮化硅(SiCN)等的无机材料构成。另外，有机绝缘膜37例如由丙烯酸树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等的有机材料构成。

另外，如图1所示，有机EL显示装置50a具备外部第一堰堤部Wa，在边框区域F中，包围显示区域D且以与有机绝缘膜37的周端部重叠的方式设置为框状；以及外部第二堰堤部Wb，以包围第一堰堤部Wa的方式设置为框状。

如图6所示，外部第一堰堤部Wa具备第一下侧树脂层19b，通过与平坦化膜19a相同材料来形成于相同层；以及第一上侧树脂层22c，经由第一导电层21b设置于第一下侧树脂层19b上，通过与边缘罩22a相同材料来形成于相同层。在此，如图6所示，第一导电层21b在边框区域F中，以与沟槽G、第一堰堤部Wa以及第二堰堤部wb重叠的方式设置为大致C字状。此外，第一导电层21b通过与第一电极21a相同材料来形成于相同层。

如图6所示，外部第二堰堤部Wb具备：第二下侧树脂层19c，通过与平坦化膜19a相同材料来形成于相同层；以及第二上侧树脂层22d，经由第一导电层21b设置于第二下侧树脂层19c上且通过与边缘罩22a相同材料来形成于相同层。

另外，如图3以及图6所示，有机EL显示装置50a具备第一边框配线18h，第一边框配线18h在边框区域F中，包围显示区域D，以与第一堰堤部Wa以及第二堰堤部Wb重叠的方式在沟槽G的外侧设置为大致C字状。在此，第一边框配线18h在端子部T中，与低电源电压(ELVSS)被输入的电源端子电连接。另外，如图6所示，第一边框配线18h经由第一导电层21b与第二电极24电连接。

另外，如图3所示，有机EL显示装置50a具备第二边框配线18i，在边框区域F中，在沟槽G的内侧设置为大致C字状。在此，第二边框配线18i在端子部T中，与高电源电压(ELVDD)被输入的电源端子电连接。另外，第二边框配线18i在显示区域D侧中，与配置于显示区域D的多个电源线18g电连接。

另外，如图7所示，有机EL显示装置50a具备下层平坦化膜8a，其在折弯部B中以填充形成于底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的狭缝S的方式设置；多个引绕配线18j，其设置于下层平坦化膜8a以及第二层间绝缘膜17上；以及配线覆盖层19d，其以覆盖各引绕配线18j的方式设置。

如图7所示，狭缝S设置为贯通底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17，以使树脂基板层10的表面露出的方式，且沿着折弯部B的延伸方向穿过的槽状。

下侧平坦化膜8a例如由聚酰亚胺树脂等的有机树脂材料构成。

多个引绕配线18j以与折弯部B的延伸方向正交的方向互相平行地延伸的方式设置。在此，如图7所示，各引绕配线18j的两端部经由形成于第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔，分别与第一栅极导电层14c以及第二导电层14d电连接。此外，引绕配线18j通过与源极线18f等相同材料来形成于相同层。另外，如图7所示，第一栅极导电层14c设置于栅极绝缘膜13以及第一层间绝缘膜15之间，与延伸到显示区域D的信号配线(栅极线14、源极线18f等)电连接。另外，如图7所示，第二导电层14d设置于栅极绝缘膜13以及第一层间绝缘膜15之间，例如与端子部T的信号端子电连接。另外，配线覆盖层19d通过与平坦化膜19a相同材料来形成于相同层。

另外，如图3、图6以及图9所示，有机EL显示装置50a具备多个周边感光间隔物22b，在边框区域F以及非显示区域N中，以在平坦化膜19a上突出到图中上方的方式设置为岛状。在此，各周边感光间隔物22b通过与边缘罩22a相同材料来形成于相同层。此外，周边感光间隔物22b也可以层叠通过与边缘罩22a相同材料来形成于相同层的树脂层与其他树脂层而形成。

另外，如图8以及图9所示，有机EL显示装置50a具备分离壁Ea，在非显示区域N中，沿着贯通孔H的周缘设置为框状。

如图9所示，分离壁Ea具备设置于第二层间绝缘膜17上的第一树脂层19a以及设置于第一树脂层19ga上的第一金属层21c。在此，第一树脂层19ga通过与平坦化膜19a相同材料来形成于相同层。另外，第一金属层21c通过与第一电极21a相同材料来形成于相同层。另外，如图9所示，第一金属层21c具备第一突出部Ja，以从第一树脂层19ga向显示区域D侧檐状地突出的方式设置；以及第二突出部Jb，以从第一树脂层19ga向贯通孔H侧檐状地突出的方式设置。进一步，如图9所示，第二电极24(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4以及电子注入层5)以遍及从显示区域D到贯通孔H的方式设置于第一金属层21c上，在第一突出部Ja以及第二突出部Jb中被切断。此外，在图9中，未图示空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4以及电子注入层5，但是包含空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4以及电子注入层5的共用功能层与第二电极24同样的，在第一突出部Ja以及第二突出部Jb中被切断。进一步，如图9所示，在俯视下在与第一突出部Ja以及第二突出部Jb重叠的区域中，作为第一无机绝缘膜设置的第二层间绝缘膜17与作为第二无机绝缘膜设置的下侧第二无机绝缘膜36互相接触。进一步，第一突出部Ja以及第二突出部Jb与上侧第二无机绝缘膜38以及下侧第二无机绝缘膜36的至少一方之间，设置有空间V。此外，在图9中，例示了第一突出部Ja以及第二突出部Jb与上侧第二无机绝缘膜38之间设置有空间V的构成，但是空间V也可以设置于第一突出部Ja以及第二突出部Jb与下侧第二无机绝缘膜36之间，或者第一突出部Ja以及第二突出部Jb与上侧第二无机绝缘膜38以及下侧第二无机绝缘膜36之间。另外，如图9所示，上侧第二无机绝缘膜38以横跨分离壁Ea的方式设置。如图9所示，下侧第二无机绝缘膜36在第一突出部Ja以及第二突出部Jb中被切断。

另外，如图8以及图9所示，有机EL显示装置50a具备内部第一堰堤部Wc以及内部第二堰堤部Wd，所述内部第一堰堤部Wc以及内部第二堰堤部Wd在非显示区域N中，在分离壁Ea的显示区域D侧沿着分离壁Ea的周围分别设置为框状。

如图9所示，内部第一堰堤部Wc具备第一树脂层19e，通过与平坦化膜19a相同材料形成于相同层；以及第二树脂层22e，设置于第一树脂层19e上，通过与边缘罩22a相同材料来形成于相同层。在此，如图9所示，内部第一堰堤部Wc在非显示区域N的显示区域D侧中，以与有机绝缘膜37的周端部重叠的方式设置。

如图9所示，内部第二堰堤部Wd具备第一树脂层19f，通过与平坦化膜19a相同材料来形成于相同层；以及第二树脂层22f，设置于第一树脂层19f上且通过与边缘罩22a相同材料来形成于相同层。在此，如图9所示，内部第二堰堤部Wd在非显示区域N中，设置于内部第一堰堤部Wc与分离壁Ea之间。

如图9所示，在非显示区域N中，栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17设置为不会达到贯通孔H的端面。在此，如图9所示，在贯通孔H的周缘部中，半导体层12c以从栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17露出的方式，作为Etchstopper设置。此外，半导体层12c通过与半导体层12a以及12b相同材料来形成于相同层。另外，在图9中，例示了作为TFT层20的无机膜，底涂膜11以及半导体层12c残存地设置于贯通孔H的周缘部，但是也可以只残存底涂膜11，再者，也可以如下构成：底涂膜11以及半导体层12c设置为不会到达贯通孔H的端面，树脂基板层10会露出。在此，在贯通孔H的周缘部中，为了抑制传播到无机膜的裂缝，优选将无机膜形成为薄。

上述的有机EL显示装置50a构成为如下：在各自像素P中，通过经由栅极线14向第一TFT9a输入栅极信号来使第一T FT9a变成导通状态，经由源极线18f向第二TFT9b的栅极电极14b以及电容量9c写入数据信号，通过来自与第二TFT9b的栅极电压对应的电源线18g的电流向有机EL层23供给，有机EL层23的发光层3会发光，进行图像显示。此外，在有机EL显示装置50a中，即使第一TFT9a变成断开状态，也通过电容量9c保持第二TFT9b的栅极电压，因此到输入下一个的栅极信号，维持由发光层3的发光。

此外，在本实施方式中，例示了在非显示区域N设置有分离壁Ea的有机EL显示装置50a，但是也可以代替分离壁Ea设置分离壁Eb至Eg。在此，图10至图15是构成有机EL显示装置50a的分离壁Ea的第一变形例至第六变形例的分离壁Eb至E g。

如图10所示，第一变形例的分离壁Eb具备第一树脂层19gb，经由第二金属层18k设置于第二层间绝缘膜17上；以及第一金属层21c，设置于第一树脂层19gb上。在此，第一树脂层19gb通过与平坦化膜19a相同材料来形成于相同层。另外，如图10所示，第一金属层21c具备第一突出部Ja，以从第一树脂层19gb向显示区域D侧檐状地突出的方式设置；以及第二突出部J b，以从第一树脂层19gb向贯通孔H侧檐状地突出的方式设置。另外，第二金属层18k通过与源极线18f等相同材料来形成于相同层。根据该构成，由于在第二层间绝缘膜17与第一树脂层19gb之间设置有第二金属层18k，从而能够抑制分离壁Eb的剥离。

如图11所示，第二变形例的分离壁Ec具备设置于第二层间绝缘膜17上的第一树脂层19gc以及设置于第一树脂层19gc上的第一金属层21cc。在此，第一树脂层19gc通过与平坦化膜19a相同材料来形成于相同层。另外，如图11所示，第一树脂层19gc的贯通孔H侧的侧面朝向树脂基板层10侧倾斜为正锥形。另外，如图11所示，第一金属层21cc具备第一突出部Ja，以从第一树脂层19gc向显示区域D侧檐状地突出的方式设置。另外，第一金属层21cc通过与第一电极21a相同材料来形成于相同层，如图11所示，以覆盖第一树脂层19gc的贯通孔H侧的侧面的方式设置。根据该构成，由于第一金属层21cc具有延性，从而例如在贯通孔H侧中，能够抑制在上侧第二无机绝缘膜38以及下侧第二无机绝缘膜36发生的裂缝的向第一树脂层19gc的传播。

如图12所示，第三变形例的分离壁Ed具备设置于第二层间绝缘膜17上的第一树脂层19gd、设置于第一树脂层19gd上的第一金属层21cd、设置于第一金属层21cd上的第二树脂层22g。在此，第一树脂层19gd通过与平坦化膜19a相同材料来形成于相同层。另外，如图12所示，第一金属层21cd具备：第一突出部Ja，以从第一树脂层19dg向显示区域D侧檐状地突出的方式设置；以及第二突出部Jb，以从第一树脂层19dg向贯通孔H侧檐状地突出的方式设置。另外，第一金属层21cd通过与第一电极21a相同材料来形成于相同层。另外，第二树脂层22g通过与边缘罩22a相同材料来形成于相同层。根据该构成，如图12所示，由于上侧第二无机绝缘膜38以及下侧第二无机绝缘膜36以覆盖第二树脂层22g的方式设置，从而例如在贯通孔H侧中，能够抑制在上侧第二无机绝缘膜38以及下侧第二无机绝缘膜36发生的裂缝的向显示区域D侧的传播。

如图13所示，第四变形例的分离壁Ee具备设置于第二层间绝缘膜17上的第一树脂层19ge、设置于第一树脂层19ge上的第一金属层21ce、设置于第一金属层21ce上的第二树脂层22g。在此，第一树脂层19ge通过与平坦化膜19a相同材料来形成于相同层。另外，如图13所示，第一树脂层19ge以及第二树脂层21g的贯通孔H侧的侧面朝向树脂基板层10侧倾斜为正锥形。另外，如图13所示，第一金属层21ce具备第一突出部Ja，第一突出部Ja从第一树脂层19ge向显示区域D侧檐状地突出的方式设置。另外，第一金属层21ce通过与第一电极21a相同材料来形成于相同层，如图13所示，以覆盖第一树脂层19ge的贯通孔H侧的侧面的方式设置。根据该构成，由于第一金属层21ce具有延性，从而例如在贯通孔H侧中，能够抑制在上侧第二无机绝缘膜38以及下侧第二无机绝缘膜36发生的裂缝的向第一树脂层19ge的传播。另外，如图13所示，由于上侧第二无机绝缘膜38以及下侧第二无机绝缘膜36以覆盖第二树脂层22g的方式设置，从而例如在贯通孔H侧中，能够抑制在上侧第二无机绝缘膜38以及下侧第二无机绝缘膜36发生的裂缝的向显示区域D侧的传播。

如图14所示，第五变形例的分离壁Ef具备：第三树脂层8b，以填充形成于底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的开口部M的方式设置；第一树脂层19gf，其设置于第三树脂层8b上；以及第一金属层21cf，其设置于第一树脂层19gf上。在此，如图14所示，开口部M贯通底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17，以与分离壁Ef重叠的方式设置为框状。另外，第三树脂层8b通过与下层平坦化膜8a相同材料来形成于相同层。另外，第一树脂层19gf通过与平坦化膜19a相同材料来形成于相同层。另外，第一金属层21cf通过与第一电极21a相同材料来形成于相同层。另外，如图14所示，第一金属层21cf具备：第一突出部Ja，从第一树脂层19gf向显示区域D侧檐状地突出的方式设置；以及第二突出部Jb，从第一树脂层19gf向贯通孔H侧檐状地突出的方式设置。根据该构成，第三树脂层8b以填充形成于底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的开口部M的方式设置，从而例如在贯通孔H侧中，能够抑制在底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17发生的裂缝的向显示区域D侧的传播。另外，由于第三树脂层8b以与分离壁Ef重叠的方式设置，从而即使采用抑制裂缝的传播的结构，也能够变短从贯通孔H到非显示区域N与显示区域D之间的边界。此外，在本变形例以及下记第六变形例中，例示了贯通底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的开口M，但是通过将半导体层作为蚀刻阻挡(Etch stopper)层使用，开口部M也可以残存底涂膜11而形成。

如图15所示，第六变形例的分离壁Eg具备：第三树脂层8b，以填充形成于底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的开口部M的方式设置；第一树脂层19gg，经由第二金属层18m设置于第三树脂层8b上；以及第一金属层21cf，设置于第一树脂层19gg上。在此，第二金属层18m通过与源极线18f等相同材料来形成于相同层。另外，第一树脂层19gg通过与平坦化膜19a相同材料来形成于相同层。根据该构成，由于第三树脂层8b以填充形成于底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的开口部M的方式设置，从而例如在贯通孔H侧中，能够抑制在底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17发生的裂缝的向显示区域D侧的传播。另外，由于第三树脂层8b以与分离壁Eg重叠的方式设置，从而即使采用抑制裂缝的传播的结构，也能够变短从贯通孔H到非显示区域N与显示区域D之间的边界的距离。另外，由于在第三树脂层8b与第一树脂层19gg之间设置有具有延性的第二金属层18m，从而例如在贯通孔H侧中，即使在上侧第二无机绝缘膜38以及下侧第二无机绝缘膜36发生的裂缝向第一树脂层19gg传播，也能够抑制裂缝向第三树脂层8b传播。

此外，在本实施方式以及各变形例中，例示了分离壁Ea至Eg，但是本发明将分离壁Ea至Eg适当组合而能够构成分离壁。另外，在本实施方式以及各变形例中，例示了在非显示区域N设置有一个分离壁Ea至Eg的有机EL显示装置50a，但是分离壁Ea至Eg也可以多个设置为周状。

接下来，对本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法进行说明。在此，本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法具备TFT层形成工序、有机EL元件层形成工序、密封膜形成工序、柔性化工序以及贯通孔形成工序。此外，图16是示出有机EL显示装置50a的制造方法的剖视图。

<TFT层形成工序>

例如使用周知的方法，在形成于玻璃基板上的树脂基板层10的表面形成底涂膜11、第一TFT9a、第二TFT9b、电容器9c、以及平坦化膜19a而形成TFT层20。

在此，当在树脂基板层10形成平坦化膜19a时，在非显示区域N将分离壁形成层19g(参照图16)形成为框状。

<有机EL元件层形成工序>

使用周知的方法，通过在上述TFT层形成工序形成的TFT层20的平坦化膜19a上形成第一电极21a、边缘罩22a、有机EL层23(空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4、电子注入层5)以及第二电极24，形成机EL元件25而形成有机E L元件层30。

在此，当在平坦化膜19a上形成第一电极21a时，如图16所示，在分离壁形成层19g上形成第一金属层21c之后，以覆盖第一电极21a的方式形成抗蚀剂R，进一步，将从抗蚀剂R露出的分离壁形成层19g，通过例如SF₆、CF₄等的氟化物气体、氧气的混合气来从侧面氧灰化，形成第一树脂层19ga。由此，第一金属层21c的第一突出部Ja以及第二突出部Jb以从第一树脂层19ga突出的方式形成之后，剥离抗蚀剂R，接下来依次形成边缘罩22a、有机EL层23以及第二电极24。此外，当通过蒸镀法来形成有机EL层23以及第二电极24形成时，构成有机EL层23的空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4以及电子注入层5、以及第二电极24在第一突出部Ja以及第二突出部Jb中，通过台阶来切断而形成。

<密封膜形成工序>

首先，使用掩膜，在上述有机EL元件层形成工序形成的有机E L元件25的基板表面，通过等离子CVD法来成膜例如氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜等的无机绝缘膜而形成下侧第二无机绝缘膜36。此外，此时，下侧第二无机绝缘膜36在第一突出部Ja以及第二突出部Jb中，通过台阶切断而形成。

接下来，例如通过喷墨法，在形成有下侧第二无机绝缘膜36的基板表面成膜丙烯酸树脂等的有机树脂材料，从而形成有机绝缘膜37。

进一步，对于形成有有机绝缘膜37的基板，使用掩膜，通过等离子CVD法来成膜例如氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜等的无机绝缘膜，形成上侧第二无机绝缘膜38而形成密封膜40。

<柔软化工序>

通过将保护片(未图示)贴附于在上述密封膜形成工序形成密封膜40的基板表面之后，从树脂基板层10的玻璃基板侧照射激光,使从树脂基板层10的下面剥离玻璃基板，进一步在使剥离玻璃基板的树脂基板层10的下表面贴附保护片(未图示)。

<贯通孔形成工序>

在与分离壁Ea的内侧的半导体层12c重叠的区域例如一边环状地扫描激光，一边照射而形成贯通孔，所述分离壁Ea在树脂基板层10框状(周状)地设置，所述树脂基板层10在上述柔软化工序剥离玻璃基板。

以上那样，能够制造本实施方式的有机EL显示装置50a。

如以上说明，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，在显示区域D的内部规定为岛状，在形成有贯通孔H的非显示区域N中，分离壁Ea沿着贯通孔H的周缘设置为框状。在此，分离壁Ea具备：第一树脂层19ga，通过与平坦化膜19a相同材料来设置于相同层；以及第一金属层21c，设置于第一树脂层19ga上，且通过与第一电极21a相同材料来形成于相同层。然后，第一金属层21c具备：第一突出部Ja，以从第一树脂层19ga向显示区域D侧檐状地突出的方式设置；以及所述第二突出部Jb，以从第一树脂层19ga向贯通孔H侧檐状地突出的方式设置。因此，共用功能层(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4、电子注入层5)以及第二电极24在第一突出部Ja以及第二突出部Jb中，分别分离成显示区域D侧与贯通孔H侧而形成。由此，不使用负型的感光性材料，能够将共用功能层(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4、电子注入层5)以及第二电极24分离成显示区域D侧与贯通孔H侧而形成，因此分离成显示区域D侧与贯通孔H侧，能够以低成本形成共用功能层(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4、电子注入层5)以及第二电极24。

另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，在俯视下在与显示区域D侧的第一突出部Ja重叠的区域中，TFT层20的第二层间绝缘膜17与密封膜40的下侧第二无机绝缘膜36互相接触，因此能够确保由密封膜40的密封功能，抑制有机EL元件25的劣化。

另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，由于在第一突出部Ja以及第二突出部Jb与上侧第二无机绝缘膜38以及下侧第二无机绝缘膜36中的至少一方之间设置有空间V,从而在贯通孔H侧中，能够抑制在上侧第二无机绝缘膜38以及下侧第二无机绝缘膜36发生的裂缝的向显示区域D侧的传播。

《第二实施方式》

图17是示出本发明所涉及的显示装置的第二实施方式。在此，图17是本实施方式的有机EL显示装置50b的非显示区域N的剖视图，且是相等于图9的图。此外，在以下的各实施方式中，对与图1至图16相同的部分标注相同的附图标记，省略其详细说明。

在上述第一实施方式中，例示了在非显示区域N中，设置有内部第一堰堤部Wc、内部第二堰堤部Wd、以及分离壁Ea的有机EL显示装置50a，但是例示了在非显示区域N中，作为内部第一堰堤部Wc以及内部第二堰堤部Wd设置有分离壁Ee的有机EL显示装置50b。

有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样的，例如具备：显示区域D，设置为矩形状且进行图像显示；以及边框区域F，在显示区域D的周围设置为矩形框状。

有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样的，具备树脂基板层10、设置于树脂基板层10上的TFT层20、设置于TFT层20上的有机EL元件层30、设置于有机EL元件层上的密封膜40。

有机EL显示装置50b的显示区域D以及边框区域F的构成实质上与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a中的显示区域D以及边框区域F的构成相同。

如图17所示，有机EL显示装置50b具备分离壁Ee(参照上述第一实施方式的第四变形例)，在非显示区域N中，沿着贯通孔H的周缘作为内部第二堰堤部Wd设置为框状。

如图17所示，有机EL显示装置50b具备内部第一堰堤部Wc，在非显示区域N中，在分离壁Ee的显示区域D侧沿着分离壁Ee的周围分别设置为框状。

上述的有机EL显示装置50b构成为如下；与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样的，具有可弯曲性，在各自像素P中，经由第一TFT9a以及第二TFT9b适当地发光有机E L层23的发光层3，进行图像显示。

此外，在本实施方式中，作为内部第二堰堤部Wd例示了分离壁Ee，但是也可以代替内部第二堰堤部Wd的分离壁Ee，使用上述第一实施方式的第二变形例所说明的分离壁Ec。

如以上说明，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，在显示区域D的内部规定为岛状，在形成有贯通孔H的非显示区域N中，分离壁Ee沿着贯通孔H的周缘设置为框状。在此，分离壁Ee具备：第一树脂层19ge，通过与平坦化膜19a相同材料来形成于相同层；以及第一金属层21ce，设置于第一树脂层19g e上，且通过与第一电极21a相同材料来形成于相同层。然后，第一金属层21ce具备第一突出部Ja，以从第一树脂层19ge在向显示区域D侧檐状地突出的方式设置。因此，共用功能层(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4、电子注入层5)以及第二电极24在第一突出部Ja中，分离成显示区域D侧与贯通孔H侧切断而形成。由此，由于不使用负型的感光性材料，能够将共用功能层(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4、电子注入层5)以及第二电极24分离成显示区域D侧与贯通孔H侧而形成，从而分离成显示区域D侧与贯通孔H侧，能够以低成本形成共用功能层(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4、电子注入层5)以及第二电极24。

另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，在俯视下在与显示区域D侧的第一突出部Ja重叠的区域中，TFT层20的第二层间绝缘膜17与密封膜40的下侧第二无机绝缘膜36互相接触，因此能够确保由密封膜40的密封性能且抑制有机EL元件25的劣化。

另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，第一突出部Ja与上侧第二无机绝缘膜38以及下侧第二无机绝缘膜36中的至少一方之间设置有空间V，因此在贯通孔H侧中，能够抑制在上侧第二无机绝缘膜38以及下侧第二无机绝缘膜36发生的裂缝的向显示区域D侧的传播。

另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，分离壁E e兼用作内部第二堰堤部Wd，因此能够变短从贯通孔H到非显示区域N与显示区域D之间的边界。

《第三实施方式》

图18是示出本发明所涉及的显示装置的第三实施方式。在此，图18是本实施方式的有机EL显示装置50c的非显示区域N的剖视图，且是相等于图9的图。

在上述第一实施方式中，在非显示区域N中，例示了设置有内部第一堰堤部Wc、内部第二堰堤部Wd以及分离壁Ea的有机EL显示装置50a，但是例示在显示区域N中，作为内部第一堰堤部Wc以及内部第二堰堤部Wd分别设置有分离壁Ee的有机EL显示装置50c。

有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样的，例如具备：显示区域D，设置为矩形状且进行图像显示；以及边框区域F，在显示区域D的周围设置为矩形框状。

有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样的，具备树脂基板层10、设置于树脂基板层10上的TFT层20、设置于TFT层20上的有机EL元件层30、设置于有机EL元件层上的密封膜40。

有机EL显示装置50c的显示区域D以及边框区域F的构成实质上与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a中的显示区域D以及边框区域F的构成相同。

如图18所示，有机EL显示装置50c具备分离壁Ee(参照上述第一实施方式的第四变形例)，在非显示区域N中，作为内部第二堰堤部Wd沿着贯通孔H的周缘设置为框状。

如图18所示，有机EL显示装置50c具备分离壁Ee(W c)，在非显示区域N中，作为内部第一堰堤部Wc在分离壁Ee(Wd)的显示区域D侧沿着分离壁Ee(Wd)的周围分别设置为框状。

上述的有机EL显示装置50c构成为如下：与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样的，具有可弯曲性，在各子像素P中，通过经由第一TFT9a以及第二TFT9b适当地发光有机EL层23的发光层3，进行图像显示。

此外，在本实施方式中，作为内部第二堰堤部Wd例示了分离壁Ee，但是也可以代替内部第二堰堤部Wd的分离壁Ee，使用在上述第一实施方式的第六变形例说明的分离壁Eg。

如以上说明，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，在显示区域D的内部规定为岛状，在形成有贯通孔H的非显示区域N中，分离壁Ee沿着贯通孔H的周缘设置为框状。在此，分离壁Ee具备：第一树脂层19ge，通过与平坦化膜19a相同材料来设置于相同层；以及第一金属层21ce，设置于第一树脂层19g e且通过与第一电极21a相同材料来形成于相同层。然后，第一金属层21ce具备第一突出部Ja，以从第一树脂层19ge向显示区域D侧檐状地突出的方式设置。因此，共用功能层(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4、电子注入层5)以及第二电极24在第一突出部Ja中，分离成显示区域D侧与贯通孔H侧切断而形成。由此，由于不使用负型的感光性材料，能够将共用功能层(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4、电子注入层5)以及第二电极24分离成显示区域D侧与贯通孔H侧而形成，从而分离成显示区域D侧与贯通孔H侧，能够以低成本形成共用功能层(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4、电子注入层5)以及第二电极24。

另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，在分离壁Ee(Wd)中，在俯视下在与显示区域D侧的第一突出部Ja重叠的区域中，由于TFT层20的第二层间绝缘膜17与密封膜40的下侧第二无机绝缘膜36互相接触，从而能够确保由密封膜40的密封性能，抑制有机EL元件25的劣化。

另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，由于在分离壁Ee(Wd)中，在第一突出部Ja与上侧第二无机绝缘膜38以及下侧第二无机绝缘膜36中的至少一方之间设置有空间V，从而在贯通孔H侧中，能够抑制在上侧第二无极绝缘膜38以及下侧第二无机绝缘膜36发生的裂缝的向显示区域D侧的传播。

另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，由于分离壁Ee兼用作内部第一堰堤部Wc以及内部第二堰堤部Wd，从而能够变短从贯通孔H到非显示区域N与显示区域D之间的边界的距离。

《其他的实施方式》

在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层以及电子注入层的五层层叠结构的有机EL层，但是有机EL层也可以是例如空穴注入层兼空穴输送层、发光层、以及电子输送层兼电子注入层的三层层叠结构。

另外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极作为阳极，将第二电极作为阴极的有机EL显示装置，但是本发明也可以适用于使有机EL层的层叠结构反转，将第一电极作为阴极，将第二电极作为阳极的有机EL显示装置。

另外，在上述各实施方式中，例示了将连接于第一电极的TFT的电极作为漏极电极的有机EL显示装置，但是本发明也可以适用于将连接于第一电极的TFT的电极称为源极电极的有机LE显示装置。

另外，在上述各实施方式中，例示了在俯视下形成有圆形状的贯通孔H的有机EL显示装置50a至50c，但是贯通孔H也可以是例如在俯视下为矩形状等的多角形状。

另外，在上述各实施方式中，例示了在下侧第二无机绝缘膜36与上侧第二无机绝缘膜38之间设置有有机绝缘膜37的，具备密封膜40的有机EL显示装置50a至50c，但是本发明也可以适用于如下有机EL显示装置；在下侧第二无机绝缘膜36与上侧第二无机绝缘膜38之间形成有机蒸镀膜之后，氧灰化该有机蒸镀膜，以有机蒸镀膜覆盖异物。根据这样的密封膜的构成，即使在显示区域上存在异物，也能够以上侧第二无机绝缘膜确保密封性能，提高可靠性。

另外，在上述各实施方式中，作为显示装置列举有机EL显示装置而说明，但是本发明不限于有机EL显示装置，只要是柔性的显示装置，则能够适用。例如能够适用于具备使用量子电含有层的发光元件即QLED等的柔性的显示装置。

工业实用性

如以上说明，本发明对柔性显示装置有用。

附图标记说明

D 显示区域

Ea至E g分离壁

F 边框区域

H 贯通孔

Ja 第一突出部

Jb 第二突出部

M 开口部

N 非显示区域

P 子像素

V 空间

Wc 内部第一堰堤部

Wd 内部第二堰堤部

1 空穴注入层

2 空穴输送层

4 电子输送层

5 电子注入层

8b 第三树脂层

10 树脂基板层(衬底基板)

11 底涂膜(第一无机绝缘膜)

13 栅极绝缘膜(第一无机绝缘膜)

15 第一层间绝缘膜(第一无机绝缘膜)

17 第二层间绝缘膜(第一无机绝缘膜)

18k、18m 第二金属层

19a 平坦化膜

19ga至19gg 第一树脂层

20 TFT层

21a 第一电极

21c、21cc至21cf 第一金属层

22a 边缘罩

22g 第二树脂层

23 有机EL层(功能层)

24 第二电极

25 有机EL元件(发光元件)

30 有机EL元件层(发光元件层)

36 下侧第二无机绝缘膜

37 有机绝缘膜

38 上侧第二无机绝缘膜

40 密封膜

50a至50c 有机EL显示装置