阅读说明：本技术 加工装置 (Processing device ) 是由 福永信贵 枪光正和 铃木彰史 片冈满史 于 2019-02-04 设计创作，主要内容包括：对基板进行加工的加工装置具有：基板保持部,其保持基板；加工部,其对保持于所述基板保持部的基板的加工面进行加工；以及显示部,其显示基板的概要图,并且将对基板进行加工时的加工信息与所述概要图相关联地显示。显示部具有用于输入加工条件的条件输入画面,在条件输入画面中,将输入的加工条件与概要图相关联地显示。(A processing device for processing a substrate includes: a substrate holding section for holding a substrate; a processing unit that processes a processing surface of the substrate held by the substrate holding unit; and a display unit that displays a schematic diagram of the substrate and displays processing information obtained when the substrate is processed in association with the schematic diagram. The display unit has a condition input screen for inputting machining conditions, and displays the input machining conditions in association with the schematic diagram on the condition input screen.)

加工装置

技术领域

本申请基于2018年2月16日在日本国申请的日本特愿2018-025702号要求优先权，并在此引用其内容。

本发明涉及一种对基板进行加工的加工装置。

背景技术

近年来，在半导体器件的制造工序中，对于在表面形成有多个电子电路等器件的半导体晶圆(以下，称为晶圆)，对该晶圆的背面进行磨削来将晶圆减薄。

对晶圆的背面的磨削例如通过加工装置进行，该加工装置具备：旋转自如的吸盘，其保持晶圆的表面；以及磨削轮，其具备对保持于吸盘的晶圆的背面进行磨削的砂轮，旋转自如地构成且为环状。在该加工装置中，通过一边使吸盘(晶圆)和磨削轮(砂轮)旋转一边将砂轮向晶圆的背面按压，来对该晶圆的背面进行磨削。

另外，例如在专利文献1中提出了一种加工装置，该加工装置还具备用于输入加工条件的触摸操作面板。该触摸操作面板至少显示加工条件设定画面，在该加工条件设定画面中配置有用于输入加工条件的数值数据的一个或多个输入栏。而且，构成为：当操作员触摸在触摸操作面板上显示的、希望输入数值数据的输入栏时，在输入栏的附近显示数值输入用的圆形图像，操作员通过触摸圆形图像的外周部并沿外周朝第一方向进行描画来使输入栏的数值增加，通过朝与第一方向相反的第二方向进行描画来使输入栏的数值减少。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-15042号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述的专利文献1所记载的触摸操作面板仅示出了输入项目的名称，难以理解与实际的加工处理的关联，操作员有可能在输入栏输入错误的条件。而且，多个输入项目并排显示，操作员进行误输入的可能性高。因而，以往的触摸操作面板存在改善的余地。

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于使加工装置的显示部的可视性提高，并使加工条件的输入的操作性提高。

用于解决问题的方案

解决上述问题的本发明的一个方式是对基板进行加工的加工装置，该加工装置具有：基板保持部，其保持基板；加工部，其对保持于所述基板保持部的基板的加工面进行加工；以及显示部，其显示基板的概要图，并且将对基板进行加工时的加工信息与所述概要图相关联地显示。

发明的效果

根据本发明的一个方式，在加工装置的显示部中，能够将对基板进行加工时的加工信息与基板的概要图相关联地以可视化的方式显示。因此，能够使加工信息与加工处理的关联变得容易理解，显示部的可视性提高，例如使输入加工条件时的操作性提高。

附图说明

图1是示意性地示出本实施方式所涉及的加工装置的结构的概要的俯视图。

图2是示出晶圆的结构的概要的侧视图。

图3是示出加工处理的主要工序的流程图。

图4是共同条件输入画面的一例。

图5是共同条件输入画面的一例。

图6是共同条件输入画面的一例。

图7是共同条件输入画面的一例。

图8是个别条件输入画面的一例。

图9是整体状态显示画面的一例。

图10是个别状态显示画面的一例。

具体实施方式

以下，参照附图来说明本发明的实施方式。此外，在本说明书和附图中，对于具有实质相同的功能结构的要素，通过赋予相同的附图标记来省略重复说明。

首先，说明本实施方式所涉及的加工装置的结构。图1是示意性地示出加工装置1的结构的概要的俯视图。此外，以下为了明确位置关系而规定相互正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向，将Z轴正方向设为铅垂向上的方向。

在本实施方式的加工装置1中，将图2所示的作为基板的晶圆W减薄。晶圆W例如是硅晶圆的半导体晶圆，具有将硅层S、器件层D、带层P按所记载的顺序层叠而成的三层构造。硅层S是构成晶圆W的主体的层。器件层D是具备多个电子电路等器件的层。带层P是贴附于器件层D以保护器件的保护带的层。此外，在以下的说明中，将晶圆W中的被加工的面(即硅层S的表面)称为“加工面W1”，将与加工面W1相反一侧的面(即带层P的表面)称为“非加工面W2”。

如图1所示，加工装置1例如具有将搬入搬出站2与处理站3连接为一体的结构，该搬入搬出站2与外部之间进行能够收容多个晶圆W的盒C的搬入搬出，该处理站3对晶圆W实施规定的处理。搬入搬出站2和处理站3沿Y轴方向并排配置。

在搬入搬出站2设置有盒载置台10。在图示的例中，在盒载置台10上，多个、例如四个盒C沿X轴方向自如地载置为一列。

另外，在搬入搬出站2，例如在盒载置台10的Y轴负方向侧的侧面设置有作为显示部的显示面板20。显示面板20显示用于输入加工晶圆W时的加工条件(加工制程)的条件输入画面、显示正在加工的晶圆W的状态的状态显示画面。

并且，与搬入搬出站2例如在盒载置台10的Y轴正方向相邻地设置有晶圆搬送区域30。在晶圆搬送区域30设置有在沿X轴方向延伸的搬送路径31上移动自如的晶圆搬送装置32。晶圆搬送装置32具有搬送叉33和搬送垫34作为保持晶圆W的晶圆保持部。搬送叉33的前端分支成两个部分，并对晶圆W进行吸附保持。搬送叉33例如搬送磨削处理前的晶圆W。搬送垫34在俯视时呈具有比晶圆W的直径长的直径的圆形，并对晶圆W进行吸附保持。搬送垫34例如用于搬送磨削处理后的晶圆W。而且，这些搬送叉33和搬送垫34分别构成为沿水平方向、沿铅垂方向、绕水平轴以及绕铅垂轴移动自如。

在处理站3中，对晶圆W进行磨削、清洗等加工处理。处理站3具有旋转台40、搬送单元50、校准单元60、第一清洗单元70、第二清洗单元80、作为加工部的粗磨单元90、作为加工部的中磨单元100以及作为加工部的精磨单元110。

旋转台40构成为通过旋转机构(未图示)旋转自如。在旋转台40上设置有四个对晶圆W进行吸附保持的作为基板保持部的吸盘41。吸盘41与旋转台40均等地、即每隔90度地配置在同一圆周上。通过旋转台40旋转，由此四个吸盘41能够向交接位置A0和加工位置A1～A3移动。

在本实施方式中，交接位置A0为旋转台40的X轴正方向侧且Y轴负方向侧的位置，在交接位置A0的Y轴负方向侧并排设置有第二清洗单元80、校准单元60以及第一清洗单元70。校准单元60和第一清洗单元70从上方起按照所记载的顺序层叠配置。第一加工位置A1为旋转台40的X轴正方向侧且Y轴正方向侧的位置，用于配置粗磨单元90。第二加工位置A2为旋转台40的X轴负方向侧且Y轴正方向侧的位置，用于配置中磨单元100。第三加工位置A3为旋转台40的X轴负方向侧且Y轴负方向侧的位置，用于配置精磨单元110。

吸盘41被保持于吸盘基座42。吸盘41和吸盘基座42构成为能够通过旋转机构(未图示)进行旋转。

搬送单元50为具备多个、例如三个臂51的多关节型机器人。三个臂51分别构成为旋转自如。在前端的臂51安装有对晶圆W进行吸附保持的搬送垫52。另外，在基端的臂51安装有使臂51沿铅垂方向移动的铅垂移动机构53。而且，具备该结构的搬送单元50能够向交接位置A0、校准单元60、第一清洗单元70以及第二清洗单元80搬送晶圆W。

在校准单元60中，调整磨削处理前的晶圆W的水平方向上的朝向。例如，一边使保持于旋转吸盘(未图示)的晶圆W旋转，一边通过检测部(未图示)检测晶圆W的切口部的位置，由此调节该切口部的位置来调节晶圆W的水平方向上的朝向。

在第一清洗单元70中，对磨削处理后的晶圆W的加工面W1进行清洗，更具体地说，进行旋转清洗。例如，一边使保持于旋转吸盘(未图示)的晶圆W旋转，一边从清洗液喷嘴(未图示)向晶圆W的加工面W1供给清洗液。这样，所供给的清洗液在加工面W1上扩散来清洗该加工面W1。

在第二清洗单元80中，清洗在将磨削处理后的晶圆W被保持于搬送垫52的状态下的晶圆W的非加工面W2、即带层P，并且清洗搬送垫52。

在粗磨单元90中，对晶圆W的加工面W1进行粗磨。粗磨单元90具有粗磨部91，该粗磨部91具备环状的旋转自如的粗磨砂轮(未图示)。另外，粗磨部91构成为能够沿支柱92在铅垂方向和水平方向上移动。而且，在使保持于吸盘41的晶圆W的加工面W1与粗磨砂轮抵接的状态下使吸盘41和粗磨砂轮分别旋转，还使粗磨砂轮下降来对晶圆W的加工面W1进行粗磨。另外，此时，向晶圆W的背面供给磨削液、例如水。

在中磨单元100中，对晶圆W的加工面W1进行中磨。中磨单元100具有中磨部101，该中磨部101具备环状的旋转自如的中磨砂轮(未图示)。另外，中磨部101构成为能够沿支柱102在铅垂方向和水平方上向移动。此外，中磨砂轮的磨削颗粒的粒度小于粗磨砂轮的磨削颗粒的粒度。而且，在使保持于吸盘41的晶圆W的加工面W1与中磨砂轮抵接的状态下分别使吸盘41和中磨砂轮旋转，还使中磨砂轮下降来对加工面W1进行中磨。另外，此时，向晶圆W的背面供给磨削液、例如水。

在精磨单元110中，对晶圆W的加工面W1进行精磨。精磨单元110具有精磨部111，该精磨部111具备环状的旋转自如的精磨砂轮(未图示)。另外，精磨部111构成为能够沿支柱112在铅垂方向和水平方向上移动。此外，精磨砂轮的磨削颗粒的粒度小于中磨砂轮的磨削颗粒的粒度。而且，在使保持于吸盘41的晶圆W的加工面W1与精磨砂轮抵接的状态下分别使吸盘41和精磨砂轮旋转，还使精磨砂轮下降来对加工面W1进行精磨。另外，此时，向晶圆W的背面供给磨削液、例如水。

在加工装置1设置有控制部120。控制部120例如是计算机，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部保存有控制加工装置1对晶圆W的处理的程序。另外，在程序保存部也保存有用于控制上述各种处理单元、搬送装置等的驱动系统的动作来实现加工装置1中的后述的加工处理的程序。此外，所述程序例如也可以记录于计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等的可由计算机读取的存储介质H并从该存储介质H安装到控制部120。

此外，在处理站3还设置有带厚度测定单元(未图示)和总厚度测定单元(未图示)，所述带厚度测定单元测定晶圆W的带层P厚度，所述总厚度测定单元测定晶圆W的总厚度。

带厚度测定单元例如设置于校准单元60与交接位置A0之间，并测定正被从该校准单元60向交接位置A0搬送的、保持于搬送单元50的搬送垫52的晶圆W的带层P的厚度。对于带厚度测定单元能够使用公知的测定器，例如使用白光共聚焦(共焦)式的光学系统传感器。

总厚度测定单元例如分别设置于各磨削单元90、100、110。对于总厚度测定单元能够使用公知的测定器，例如使用接触式的测定器。在各磨削单元90、100、110中，能够从由总厚度测定单元测定出的晶圆W的总厚度减去由带厚度测定单元测定出的带层P的厚度以及预先已知的器件层D的厚度，来计算硅层S的厚度。此外，也可以是，在各磨削单元90、100、110中，例如使用非接触式的测定器直接测定硅层S的厚度。

接着，说明使用如上那样构成的加工装置1进行的加工处理。

首先，将收纳了多个晶圆W的盒C载置于搬入搬出站2的盒载置台10。在盒C中，为了抑制带层P变形，以使晶圆W的设置有该带层P的非加工面W2朝向上侧的方式收纳晶圆W。

接着，通过晶圆搬送装置32的搬送叉33将盒C内的晶圆W取出，并搬送到处理站3。此时，通过搬送叉33使晶圆W的表面与背面翻转，以使晶圆W的加工面W1朝向上侧。

将被搬送到处理站3的晶圆W交接到校准单元60。然后，在校准单元60中，调节晶圆W的水平方向上的朝向(图3的工序T1)。

接着，在通过搬送单元50搬送晶圆W期间，通过带厚度测定单元来测定带层P的厚度。将带厚度测定单元的测定结果输出到控制部120。

接着，通过搬送单元50将晶圆W从校准单元60搬送到交接位置A0，并交接到该交接位置A0的吸盘41。此后，使吸盘41移动到第一加工位置A1。然后，通过粗磨单元90对晶圆W的加工面W1进行粗磨(图3的工序T2)。

在工序T2中，将粗磨部91(粗磨砂轮)的下降和该粗磨部91对加工面W1进行的磨削分为多个步骤来进行。在各步骤中，粗磨砂轮的下降速度不同。对步骤数量不做特别限定，但是例如从1～5中任意选择。例如第一步骤是包括所谓的气割的步骤，第二步骤以后是改***磨砂轮的下降速度变化来进行的。另外，当进行粗磨砂轮下降的这些多个步骤之后，持续进行所谓的无火花磨削(粗磨砂轮停止下降但该粗磨砂轮持续旋转的状态)和退刀(粗磨砂轮上升但该粗磨砂轮持续旋转的状态)。此外，关于后述的工序T3的中磨和工序T4的精磨，也进行这些多个步骤、无火花磨削、退刀。

另外，在工序T2中，通过总厚度测定单元来测定晶圆W的总厚度，并将该总厚度测定单元的测定结果输出到控制部120。在控制部120中，基于晶圆W的总厚度、带层P的厚度以及器件层D的厚度来计算硅层S的厚度。此外，关于后述的工序T3的中磨和工序T4的精磨也是，测定晶圆W的总厚度来计算硅层S的厚度。

接着，使吸盘41移动到第二加工位置A2。然后，通过中磨单元100对晶圆W的加工面W1进行中磨(图3的工序T3)。

接着，使吸盘41移动到第三加工位置A3。然后，通过精磨单元110对晶圆W的加工面W1进行精磨(图3的工序T4)。

接着，使吸盘41移动到交接位置A0。在此，使用清洗液喷嘴(未图示)，通过清洗液来清洗晶圆W的加工面W1(图3的工序T5)。在该工序T5中，进行洗掉加工面W1的脏污直至达到某种程度的清洗。

接着，通过搬送单元50将晶圆W从交接位置A0搬送到第二清洗单元80。然后，在第二清洗单元80中，在晶圆W被保持于搬送垫52的状态下清洗晶圆W的非加工面W2(带层P)，并使该晶圆W干燥(图3的工序T6)。

接着，通过搬送单元50将晶圆W从第二清洗单元80搬送到第一清洗单元70。然后，在第一清洗单元70中，使用清洗液喷嘴(未图示)，通过清洗液对晶圆W的加工面W1进行精细清洗(图3的工序T7)。在该工序T7中，对加工面W1进行清洗直至其达到期望的清洁度为止，并使其干燥。

此后，通过晶圆搬送装置32的搬送垫34将被实施了所有处理的晶圆W搬送到盒载置台10的盒C。通过这样，加工装置1中的一系列加工处理结束。

接着，说明在上述的显示面板20显示的条件输入画面和状态显示画面。

首先，说明在显示面板20显示的条件输入画面。条件输入画面是用于输入对晶圆W进行加工时的加工条件的画面。在本实施方式中，具备两种画面来作为条件输入画面，即，具备：共同条件输入画面，其用于输入加工位置A1～A3(粗磨～精磨)的共同的加工条件；以及个别条件输入画面，其用于输入各加工位置A1～A3(粗磨～精磨)的加工条件。

首先，说明共同条件输入画面。如图4～图7所示，在共同条件输入画面中，显示输入项目的一览表(画面左侧)和晶圆的概要图(画面右侧)。此外，表和概要图的输入值相互联动，输入到任一方的值被反映到另一方。即，在概要图中相关联地显示加工条件的输入值。

对于晶圆直径，例如选择(例如进行下拉)并输入“8”英寸或“12”英寸。对于硅层厚度基准值、器件层厚度基准值、带层厚度基准值的各基准值，输入加工前的晶圆中的厚度。

磨削量指定方法例如有四个方法。第一个是以硅层的厚度为基准来指定磨削量的方法，如图4所示，在输入栏输入“Si厚度”。第二个是以晶圆的总厚度为基准来指定磨削量的方法，如图5所示，在输入栏输入“总厚度”。第三个是以硅层的上表面为基准来指定磨削量的方法，如图6所示，在输入栏输入“Si上表面”。第四个是以砂轮的进给量为基准来指定磨削量的方法，如图7所示，在输入栏输入“进给量”。在共同条件输入画面中，当在画面左侧的表的输入栏输入“Si厚”、“总厚度”、“Si上表面”、“进给量”时，在画面右侧的晶圆的概要图中显示与磨削量指定方法相应的图4～图7中的任一个概要图。此外，输入是能够从“Si厚”、“总厚度”、“Si上表面”、“进给量”中选择的(例如进行下拉)。

根据上述的磨削量指定方法，最终厚度、A1磨削量、A2磨削量、A3磨削量的输入方法不同。此外，A1磨削量是在第一加工位置A1进行粗磨时的磨削量，A2磨削量是在第二加工位置A2进行中磨时的磨削量，A3磨削量是在第三加工位置A3进行精磨时的磨削量。

例如在如图4所示那样将磨削量指定方法设为“Si厚度”的情况下，输入最终厚度、A2磨削量、A3磨削量。在此，最终厚度是在加工位置A1～A3进行了粗磨～精磨后的、最终的硅层的厚度。各项目的输入既可以在画面左侧的表的输入栏进行，也可以在画面右侧的概要图的输入栏进行。如下述式(1)，从硅层厚度基准值减去最终厚度、A2磨削量以及A3磨削量来自动计算A1磨削量。

A1磨削量＝硅层厚度基准值-(最终厚度+A2磨削量+A3磨削量)···(1)

例如在如图5所示那样将磨削量指定方法设为“总厚度”的情况下，输入最终厚度、A2磨削量、A3磨削量。在此，最终厚度是在加工位置A1～A3进行了粗磨～精磨后的最终的硅层的厚度、器件层的厚度以及带层的厚度相加而得到的。各个输入既可以在画面左侧的表的输入栏进行，也可以在画面右侧的概要图的输入栏进行。如下述式(2)，从硅层厚度基准值、器件层厚度基准值以及带层厚度基准值相加得到的晶圆的总厚度减去最终厚度、A2磨削量以及A3磨削量来自动计算A1磨削量。

A1磨削量＝(硅层厚度基准值+器件层厚度基准值+带层厚度基准值)-(最终厚度+A2磨削量+A3磨削量)···(2)

例如在如图6所示那样将磨削量指定方法设为“Si上表面”的情况下，输入A1磨削量、A2磨削量、A3磨削量。由此，设定各磨削量，因此不需要最终厚度的输入。

例如在如图7所示那样将磨削量指定方法设为“进给量”的情况下，输入最终厚度、A2磨削量、A3磨削量。作为进给量，指定使砂轮从该砂轮的安装位置起下降到几μm的位置为止。在图示的例子中，例如是与图5所示的“总厚度”的情况同样的方法。

接着，说明个别条件输入画面。针对每个加工位置A1～A3(粗磨～精磨)显示个别条件输入画面，例如通过点击图4～图7所示的共同条件输入画面的右侧的概要图中的“A1”、“A2”、“A3”来显示。

图8是示出在将共同条件输入画面的磨削量指定方法设为“Si层”的情况下的、加工位置“A1”的个别条件输入画面。此外，实际上，作为个别条件输入画面，显示磨削量指定方法(四个)与加工位置(三个)的每种组合(合计12种)的画面，但是这些画面与图8是同样的，因此在此省略说明。

如图8所示，在个别条件输入画面中显示输入项目的一览表(画面左侧)、表示砂轮与吸盘的旋转方向的关系的概要图(画面右上侧)以及晶圆的概要图(画面右下侧)。此外，表和概要图的输入值相互联动，输入到任一方的值被反映到另一方。即，在概要图中相关联地显示加工条件的输入值。

对于晶圆直径，自动显示在共同条件输入画面输入的晶圆直径。对于加工预定时间，将后述的步骤1～3、无火花磨削、退刀的时间相加来自动进行计算并显示。对于磨削水流量，输入磨削期间的磨削水的流量。该磨削水流量的输入既可以在画面左侧的表的输入栏进行，也可以在画面右下侧的概要图的输入栏进行。对于砂轮转速，输入砂轮的转速。对于砂轮旋转方向，输入CW(顺时针方向，从轴侧看向右旋转)或CCW(逆时针方向，从轴侧看向左旋转)中的任一方。该砂轮旋转方向的输入既可以在画面左侧的表的输入栏进行，也可以通过点击画面右上侧的概要图的箭头来进行。

如上所述，在磨削工序中，进行包括气割的多个步骤、无火花磨削、退刀。在个别条件输入画面中输入各个条件。

对于步骤数量，例如输入1～5的值。然后，输入的该步骤数量被反映到画面右下图的概要图。在图8的例子中，作为步骤数输入了“3”，因此在概要图中图示出步骤1～3。此外，步骤1是包括气割的步骤。

作为各步骤1～3的条件，分别输入气割位置、步骤2的磨削量、步骤3的磨削量。这些输入既可以在画面左侧的表的输入栏进行，也可以在画面右下侧的概要图的输入栏进行。根据气割位置、步骤2的磨削量、步骤3的磨削量来自动计算步骤1的磨削量，并显示在表和概要图中。另外，区表示将硅层的下表面设为0(零)的情况下的高度位置，也是根据气割位置、步骤2的磨削量、步骤3的磨削量来自动计算该区并显示在表和概要图中。

作为各步骤1～3的条件，除此以外还输入砂轮的下降速度、吸盘转速、吸盘旋转方向。根据磨削量和下降速度来自动计算处理时间。此外，对于吸盘旋转方向，输入CW和CCW中的任一方。该吸盘旋转方向的输入既可以在画面左侧的表的输入栏进行，也可以通过点击画面右上侧的概要图的箭头来进行。

作为无火花磨削的条件，输入时间和吸盘转速。根据时间和吸盘转速来自动计算吸盘旋转周数。此外，时间和吸盘转速的输入既可以在画面左侧的表的输入栏进行，也可以在画面右下侧的概要图的输入栏进行。

作为退刀的条件，输入砂轮的移动量、砂轮的上升速度、吸盘转速。根据移动量和上升速度来自动计算时间。此外，移动量的输入既可以在画面左侧的表的输入栏进行，也可以在画面右下侧的概要图的输入栏进行。

此外，上述的共同条件输入画面和个别条件输入画面为一例，输入的加工条件不限于此。另外，在图4～图8的例子中，将概要图中的输入栏确定为一部分的加工条件，但是概要图的输入栏不限于此，能够适当地设定。并且，在本实施方式中，将共同条件输入画面与个别条件输入画面设为相分别的画面，但是也可以将它们设为一个画面。

根据本实施方式的条件输入画面，将概要图与输入用的表一起显示，并且在表和概要图这两方显示一部分的输入值。因此，操作员能够在视觉上确认输入的值，并且容易理解加工条件与实际的加工处理的关联。其结果，条件输入画面中的可视性提高，能够使输入加工条件时的操作性提高，并且能够抑制误输入。另外，在条件输入画面中，也能够在概要图的输入栏直接输入加工条件，由此能够进一步抑制误输入。

此外，在条件输入画面中，在存在加工条件的输入错误的情况下，也可以显示警告。作为警告，例如可以将存在输入错误的项目进行高亮显示等强调显示，另外，也可以将输入错误的内容以消息的形式显示。作为输入错误，能够考虑各种情况，但是例如关于磨削量的输入，当输入比目标值更多地进行磨削的值时，判断为输入错误。另外，例如关于砂轮和吸盘的旋转方向的输入，当这些砂轮和吸盘的旋转方向为相同方向时，判断为输入错误。通过像这样显示警告，能够进一步抑制加工条件的误输入。

接着，说明显示于显示面板20的状态显示画面。状态显示画面是显示正在加工的晶圆W的状态的画面。在本实施方式中，作为状态显示画面具备两种画面，即，具备整体状态显示画面和个别状态显示画面，所述整体状态显示画面表示在加工位置A1～A3(粗磨～精磨)现在正在进行哪个处理工序，所述个别状态显示画面显示在各加工位置A1～A3(粗磨～精磨)正在加工的晶圆W的状态。

首先，说明整体状态显示画面。如图9所示，在整体状态显示画面中显示表示处理站中的旋转台的各位置A0～A3的概要图以及表示各加工位置A1～A3处的加工处理的进度的一览表。在各表中，作为项目显示步骤1～3、无火花磨削、退刀，对于处理结束后的项目显示“○”。在图9的例子中，关于第一加工位置A1，对于步骤1、2显示出“○”，表示这些步骤1、2已结束。

接着，说明个别状态显示画面。在个别状态显示画面中，关于各加工位置A1～A3，表示更详细的加工处理的进度。针对每个加工位置A1～A3(粗磨～精磨)显示个别状态显示画面，并且例如通过点击图9所示的整体状态显示画面的概要图中的“A1”、“A2”、“A3”来显示个别状态显示画面。

图10是示出第一加工位置A1的个别状态显示画面。此外，对于其它的加工位置A2、A3也显示同样的个别状态显示画面。在个别状态显示画面中，显示一览表(画面左侧)和晶圆的概要图(画面右侧)。

在表中，关于步骤1的磨削量、步骤2的磨削量、步骤3的磨削量以及退刀时的砂轮的移动量分别显示设定值(目标值)和测定值。设定值是在条件输入画面中输入并设定的值。测定值是根据带厚度测定单元和总厚度测定单元的测定结果计算出的值。

在晶圆的概要图中，基于测定值来显示各层。即，伴随磨削的进行，各层的厚度变小，实时地图示出该厚度变小的状态。在图10的例子中，由于步骤1、2结束了，因此用虚线表示与该步骤1、2对应的硅层，用虚线显示与步骤3对应的硅层中的磨削完成的部分，用实线显示未磨削的部分。另外，在晶圆的概要图中，也相关联地显示测定值。

此外，上述的整体状态显示画面和个别状态显示画面为一例，显示画面不限于此。另外，在本实施方式中，将整体状态显示画面与个别状态显示画面设为相分别的画面，但是也可以将它们设为一个画面。

根据本实施方式的状态显示画面，将正在加工的晶圆的状态(测定值)显示在表中并且显示在概要图中，因此显示性提高。而且，操作员能够在视觉上确认加工处理的进度。

在以上的实施方式中，说明了在显示面板20显示条件输入画面和状态显示画面的情况，但是在显示面板20还可以显示其它的画面。例如在显示面板20中，也可以显示用于确认在条件输入画面中输入的加工条件的条件确认画面。条件确认画面例如为如图4～图8所示的画面即可，但是为无法编辑的画面。

在以上的实施方式中，为了保护器件层D而在晶圆W设置了带层P，但是器件层D的保护件不限于此。例如也可以在晶圆W上贴合支承晶圆、玻璃基板等支承基板，即使在该情况下也能够应用本发明。

另外，加工装置1的结构也不限于上述实施方式。例如，也可以将处理站3的磨削单元中的一个替换为研磨单元。或者，也可以在加工装置1设置对磨削加工后的晶圆W进行后处理的后处理装置。

以上说明了本发明的实施方式，但是本发明不限于该例。明确可知的是，本领域的技术人员在权利要求书所记载的技术思想的范围内能够想到各种变更例或修正例，应该理解的是，这些变更例或修正例当然也属于本发明的技术范围。

附图标记说明

1：加工装置；2：搬入搬出站；3：处理站；20：显示面板；41：吸盘；90：粗磨单元；100：中磨单元；110：精磨单元；120：控制部；D：器件层；P：带层；S：硅层；W：晶圆。