阅读说明：本技术 一种改善方片边缘涂胶风纹的方法 (Method for improving square sheet edge gluing wind marks ) 是由 张德强 朴勇男 边疆 王延明 蔺伟聪 于 2020-06-24 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种改善方片边缘涂胶风纹的方法,属于光刻胶涂胶工艺技术领域。该工艺采用了一种密闭型晶圆承片台,使得方片可以在封闭的腔体内进行涂胶工艺。该方法能够使在光刻胶涂覆过程中,方片表面可以均匀的形成一层胶膜,尤其对于8英寸方片,可使得边缘风纹降至5mm以内,使得方片利用率高达99％以上。(The invention discloses a method for improving the coating wind marks on the edges of square sheets, belonging to the technical field of photoresist coating processes. The process adopts a closed wafer bearing platform, so that the square sheet can be subjected to a gluing process in a closed cavity. The method can enable a layer of glue film to be uniformly formed on the surface of the square piece in the photoresist coating process, and particularly for 8-inch square pieces, the edge wind marks can be reduced to be within 5mm, so that the utilization rate of the square piece is up to more than 99%.)

一种改善方片边缘涂胶风纹的方法

技术领域

本发明涉及光刻胶涂胶工艺技术领域，具体涉及一种改善方片边缘涂胶风纹的方法。

背景技术

光刻工艺是整个微电子集成电路制造工艺流程中最重要的工艺步骤，光刻工艺主要包括涂胶、曝光与显影等，随着晶圆尺寸变大和对晶圆利用率的提高，对于涂胶工艺中降低边缘缺陷要求也在提高。

其中，在显示领域OLED产品的迅速发展，使得玻璃基板成为显示面板的重要原材料之一，而玻璃基板中多以方形基片为主，如何提高方片的使用率以及方片表面涂胶均匀性成为制约方片使用的关键因素。

大量研究表明，方片的涂胶均匀性差、利用率低主要来自于方片边缘处所产生的风纹，风纹的起始位置在于方片的内切圆处，内切圆内可获得良好的涂胶均匀性，内切圆外可见环状风纹。风纹的主要成因是由于内切圆外不规则区域所受离心力有差异。

发明内容

为了克服现有技术中存在的上述不足之处，本发明的目的在于提供一种改善方片边缘涂胶风纹的方法，该方法通过改善涂胶腔体内部环形流场及湿度，加速了光刻胶在方片内切圆外流动效果，从而可以极大的改善方片边缘风纹情况，使得同样工艺条件下方片风纹由20-45mm宽降到5mm以内，方片利用面积可提高至99％以上。

为实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：

一种改善方片边缘涂胶风纹的方法，该方法是针对方片进行涂覆光刻胶的过程中，通过调整涂胶腔体内部环形流场及湿度，加速了光刻胶在方片内切圆外流动效果，从而减小方片边缘风纹面积；该方法具体包括如下步骤：

(1)将方片送入带有密闭腔体的涂胶单元内，采用涂胶喷嘴将光刻胶喷洒于方片中心处，承片台带动方片转动，光刻胶均匀的涂覆在方片表面；

(2)涂胶完成后，将方片送入热板烘烤，完成光刻胶固化。

所述涂胶单元设有密闭腔体，承片台上部设于密闭腔体内，所述密闭腔体包括上盖，上盖通过螺钉与密闭腔体可拆卸连接；密闭腔体的上盖上开有喷胶口，涂胶喷嘴可在喷胶口位置平移并向方片喷洒光刻胶。

所述光刻胶(厚膜光刻胶)的涂布厚度为1～3μm。

步骤(1)中，光刻胶涂覆过程中，涂胶喷嘴平移速度为100～150mm/s，喷胶量为2～5ml，喷胶速度为0.5～2ml/s，方片(承片台)转速500～3500r/min。

步骤(2)中，热板的烘烤温度为90～120℃，烘烤时间为90～120s。

所述方片为8英寸方片时，经所述方法处理后，方片上涂胶风纹宽度小于5mm。

本发明的优点和有益效果如下：

本发明提供了一种针对方片表面涂覆粘度系数小、易挥发的光刻胶的涂胶工艺，采用封闭型腔体，一方面封闭型腔体避免了外界风流影响，加大了腔体内部湿度，使得光刻胶在方片内切圆外流动性更强；另一方面，密闭腔体随方片转动而转动，内部气流也随密闭腔体转动形成环形流场，更加加速光刻胶在方片边缘的流动效果，从而达到改善方片边缘风纹的效果。

附图说明

图1是本发明所用涂胶单元正视示意图。

图2是本发明涂胶腔体俯视示意图。

图3是实施例1结果示意图。

图4是传统涂胶单元示意图。

图5是对比例1结果示意图。

具体实施方式

以下结合附图与实施例详述本发明。

本发明提供一种改善方片边缘涂胶风纹的方法，图1给出该工艺中所涂胶单元示意图。所述涂胶单元设有密闭腔体，承片台上部设于密闭腔体内，8英寸的玻璃基底方片放置于承片台上，承片台可带动方片沿顺时针方向转动；涂胶喷嘴可在腔体上方进行平移并喷涂光刻胶。

所述密闭腔体包括上盖，上盖通过螺钉与密闭腔体可拆卸连接；密闭腔体的上盖上开有喷胶口，涂胶喷嘴可在喷胶口位置平移并向方片喷洒光刻胶。

以下实施例中的方片涂胶工艺，是针对涂有1～3μm厚光刻胶的8英寸的玻璃基底方片表面进行。

实施例1：

本实施例为在8英寸玻璃基底方片上涂覆1～3μm厚膜光刻胶，过程如下：

第一步：方片随承片台进行转动，采用涂胶喷头移动至方片中心位置正上方，涂覆光刻胶于方片中心；移动速度为120mm/s，胶量为3ml，涂胶速率为1ml/s，承片台转速500～3500r/min，此时，显影液可完全覆盖在光刻胶表面，如图2所示。

第二步：涂胶完成后，将方片送入热板烘烤，烘烤温度为100℃，烘烤时间为90s。

本实施例中，对于1～3μm厚度的光刻胶，在方片边缘处降低风纹、减少缺陷、改善方片表面均匀性方面，具有优异的作用效果，如图3所示。相较于对比例1，风纹宽度可降至5mm内，8英寸方片利用率面积可达99％以上；

对比例1：

本例采用传统工艺在8英寸玻璃基底方片上涂覆1～3μm厚膜光刻胶，并进行边缘检测；所用涂胶单元结构如图4所示，该涂胶单元不设置密封腔体；该工艺具体过程如下：

第一步：方片随承片台进行转动，采用涂胶喷头移动至方片中心位置正上方，涂覆光刻胶于方片中心；移动速度为120mm/s，胶量为3ml，涂胶速率为1ml/s，承片台转速500～3500r/min，此时，显影液可完全覆盖在光刻胶表面，如图4所示。

第二步：涂胶完成后，将方片送入热板烘烤，烘烤温度为100℃，烘烤时间为90s。

在对比例1中，使用相同的涂胶配方，风纹宽度约40mm，8英寸方片利用率面积仅为80％左右，结果如图5所示。

另外，关于旋转速度及时间、涂胶臂移动速度、打胶量及打胶速率，可根据光刻胶的粘性系数、膜厚等，存在与上述参数不同的情况，但在上述的本发明的技术框架范围内可以进行变更。