阅读说明：本技术 电子照相感光体、处理盒和图像形成装置 (Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus ) 是由 梶原贤志 山田涉 岩崎真宏 牧洪太 于 2019-09-04 设计创作，主要内容包括：本发明涉及电子照相感光体、处理盒和图像形成装置。该电子照相感光体具备导电性基体、配置在上述导电性基体上的底涂层以及配置在上述底涂层上的感光层。该底涂层的厚度为1μm以上10μm以下。该底涂层含有：选自由下述的通式(1)所表示的化合物和通式(2)所表示的化合物组成的组中的至少一种紫环酮化合物；选自由氧化铝颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化镁颗粒、氧化钙颗粒和二氧化硅颗粒组成的组中的至少一种金属氧化物颗粒；和粘结性树脂。<Image he="504" wi="700" file="DDA0002190632860000011.GIF" imgContent="drawing" imgFormat="GIF" orientation="portrait" inline="no"></Image>(The invention relates to an electrophotographic photoreceptor, a process cartridge and an image forming apparatus. The electrophotographic photoreceptor includes a conductive substrate, an undercoat layer disposed on the conductive substrate, and a photosensitive layer disposed on the undercoat layer. The thickness of the primer layer is 1 μm to 10 μm. The primer layer comprises: at least one of the following compounds represented by general formula (1) and general formula (2); at least one metal oxide particle selected from the group consisting of aluminum oxide particles, iron oxide particles, copper oxide particles, magnesium oxide particles, calcium oxide particles, and silica particles; and a binder resin.)

电子照相感光体、处理盒和图像形成装置

技术领域

本发明涉及电子照相感光体、处理盒、图像形成装置。

背景技术

在日本特开2011-095665号公报中公开了一种电子照相感光体，其在导电性支撑体上依序设有中间层和感光层，中间层含有聚烯烃树脂和苯并咪唑系化合物。

日本特开2009-288621号公报中公开了一种电子照相感光体，其在导电性支撑体上依序设有底涂层和感光层，底涂层含有烯烃树脂和苯并咪唑系化合物，该烯烃树脂包含具有羧酸基和羧酸酐基中的至少一者的化合物作为构成成分。

日本特开2008-310307号公报中公开了一种电子照相感光体，其在底涂层中包含金属氧化物颗粒。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种电子照相感光体，与底涂层含有紫环酮化合物但不含氧化铝颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化镁颗粒、氧化钙颗粒和二氧化硅颗粒而含有氧化锌颗粒、氧化钛颗粒或氧化锡颗粒的情况相比，或者与底涂层含有紫环酮化合物和氧化铝颗粒且底涂层的厚度大于10μm的情况相比，本发明的电子照相感光体的充电维持性优异，可抑制因异物扎入所引起的漏电流发生，抑制在反复形成图像时所产生的残余电位增加。

用于解决上述技术问题的具体手段包括下述公开的各方案。

根据本发明的第1方案，提供一种电子照相感光体，其具备：导电性基体、配置在上述导电性基体上的底涂层和配置在上述底涂层上的感光层，该底涂层的厚度为1μm以上10μm以下，该底涂层含有：选自由下述的通式(1)所表示的化合物和通式(2)所表示的化合物组成的组中的至少一种紫环酮化合物；选自由氧化铝颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化镁颗粒、氧化钙颗粒和二氧化硅颗粒组成的组中的至少一种金属氧化物颗粒；和粘结性树脂。

[化1]

通式(1)中，R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R¹⁶、R¹⁷和R¹⁸各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳烷基、芳基、芳氧基、烷氧羰基、芳氧羰基、烷氧羰基烷基、芳氧羰基烷基或卤原子。R¹¹与R¹²、R¹²与R¹³以及R¹³与R¹⁴各自独立地可以相互连结而形成环。R¹⁵与R¹⁶、R¹⁶与R¹⁷以及R¹⁷与R¹⁸各自独立地可以相互连结而形成环。

通式(2)中，R²¹、R²²、R²³、R²⁴、R²⁵、R²⁶、R²⁷和R²⁸各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳烷基、芳基、芳氧基、烷氧羰基、芳氧羰基、烷氧羰基烷基、芳氧羰基烷基或卤原子。R²¹与R²²、R²²与R²³以及R²³与R²⁴各自独立地可以相互连结而形成环。R²⁵与R²⁶、R²⁶与R²⁷以及R²⁷与R²⁸各自独立地可以相互连结而形成环。

根据本发明的第2方案，上述至少一种金属氧化物颗粒的平均一次粒径为10nm以上1000nm以下。

根据本发明的第3方案，上述底涂层所含有的上述至少一种金属氧化物颗粒的总含量相对于上述底涂层所含有的上述紫环酮化合物的总含量为20质量％以上70质量％以下。

根据本发明的第4方案，上述至少一种金属氧化物颗粒的总体积在上述底涂层中占10体积％以上35体积％以下。

根据本发明的第5方案，上述至少一种紫环酮化合物的总含量相对于上述底涂层的总固体成分量为50质量％以上70质量％以下。

根据本发明的第6方案，上述粘结性树脂包含聚氨酯。

根据本发明的第7方案，提供一种在图像形成装置中可装卸的处理盒，其具备上述电子照相感光体。

根据本发明的第8方案，提供一种图像形成装置，其具备：上述电子照相感光体；充电单元，对上述电子照相感光体的表面进行充电；静电潜像形成单元，在充电后的上述电子照相感光体的表面形成静电潜像；显影单元，利用包含色调剂的显影剂对于在上述电子照相感光体的表面形成的静电潜像进行显影而形成色调剂图像；以及转印单元，将上述色调剂图像转印至记录介质的表面。

(效果)

根据上述第1、2、3、4或6的方案，提供一种电子照相感光体，与底涂层含有紫环酮化合物但不含氧化铝颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化镁颗粒、氧化钙颗粒和二氧化硅颗粒而含有氧化锌颗粒、氧化钛颗粒或氧化锡颗粒的情况相比，或者与底涂层含有紫环酮化合物和氧化铝颗粒且底涂层的厚度大于10μm的情况相比，上述方案所提供的电子照相感光体的充电维持性优异，可抑制因异物扎入所引起的漏电流发生，抑制在反复形成图像时所产生的残余电位增加。

根据上述第5方案，提供一种电子照相感光体，与紫环酮化合物的总含量相对于底涂层的总固体成分量大于70质量％的情况相比，该方案所提供的电子照相感光体的充电维持性优异，可抑制因异物扎入所引起的漏电流发生，抑制在反复形成图像时所产生的残余电位增加。

根据上述第7方案，提供一种处理盒，该处理盒具备电子照相感光体，与底涂层含有紫环酮化合物但不含氧化铝颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化镁颗粒、氧化钙颗粒和二氧化硅颗粒而含有氧化锌颗粒、氧化钛颗粒或氧化锡颗粒的情况相比，或者与底涂层含有紫环酮化合物和氧化铝颗粒且底涂层的厚度大于10μm的情况相比，该处理盒中具备的电子照相感光体的充电维持性优异，可抑制因异物扎入所引起的漏电流发生，抑制在反复形成图像时所产生的残余电位增加。

根据上述第8方案，提供一种图像形成装置，该图像形成装置具备电子照相感光体，与底涂层含有紫环酮化合物但不含氧化铝颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化镁颗粒、氧化钙颗粒和二氧化硅颗粒而含有氧化锌颗粒、氧化钛颗粒或氧化锡颗粒的情况相比，或者与底涂层含有紫环酮化合物和氧化铝颗粒且底涂层的厚度大于10μm的情况相比，该图像形成装置中具备的电子照相感光体的充电维持性优异，可抑制因异物扎入所引起的漏电流发生，抑制在反复形成图像时所产生的残余电位增加。

附图说明

图1是示出本实施方式的电子照相感光体的层构成的一例的示意性局部截面图。

图2是示出本实施方式的图像形成装置的一例的示意性构成图。

图3是示出本实施方式的图像形成装置的另一例的示意性构成图。

具体实施方式

以下对本发明的实施方式进行说明。这些说明和实施例用于对实施方式进行例示，并非对实施方式的范围进行限制。

本发明中使用“～”表示的数值范围表示分别包含“～”之前和之后记载的数值作为最小值和最大值的范围。

在本发明中阶段性记载的数值范围中，一个数值范围所记载的上限值或下限值可以替换为其他阶段性记载的数值范围的上限值或下限值。另外，在本发明中记载的数值范围中，其数值范围的上限值或下限值还可以替换为实施例中示出的值。

关于本发明中的“工序”这一术语，其不仅是独立的工序，在无法与其他工序明确区分的情况下，只要可达成该工序所期望的目的，则也包含在本术语中。

本发明中的各成分可以包含两种以上的相应物质。本发明中，在提及组合物中的各成分的量时，在组合物中存在两种以上的与各成分相应的物质的情况下，只要不特别声明，则是指组合物中存在的该两种以上的物质的总量。

本发明中的主成分是指主要的成分。主成分例如是指在两种以上的成分的混合物中占混合物的总质量的30质量％以上的成分。

本发明中，电子照相感光体也简称为感光体。

<电子照相感光体>

本实施方式的感光体具备导电性基体、配置在导电性基体上的底涂层、以及配置在底涂层上的感光层。

图1示意性示出本实施方式的感光体的层构成的一例。图1所示的感光体7A具有在导电性基体4上依序层积底涂层1、电荷产生层2和电荷传输层3而成的结构。电荷产生层2和电荷传输层3构成感光层5。感光体7A可以为在电荷传输层3上进一步设有保护层的层构成。

本实施方式的感光体中，可以如图1所示的感光体7A那样为电荷产生层2与电荷传输层3分离的功能分离型，也可以为电荷产生层2与电荷传输层3一体化的单层型感光层。

本实施方式的感光体中，底涂层含有选自由通式(1)所表示的化合物和通式(2)所表示的化合物组成的组中的至少一种紫环酮化合物、选自由氧化铝颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化镁颗粒、氧化钙颗粒和二氧化硅颗粒组成的组中的至少一种金属氧化物颗粒、以及粘结性树脂，底涂层的厚度为1μm以上10μm以下。

本发明中，通式(1)所表示的化合物也称为紫环酮化合物(1)，通式(2)所表示的化合物也称为紫环酮化合物(2)。

本实施方式的感光体的充电维持性优异，可抑制因异物扎入所引起的漏电流发生，抑制在反复形成图像时所产生的残余电位增加。作为其理由，推测机理如下。

通过在底涂层中包含紫环酮化合物(1)和紫环酮化合物(2)中的至少一种，感光体的充电维持性得到优化，但底涂层发生软化，容易发生因异物扎入所引起的漏电流发生；而通过在底涂层中含有作为无机颗粒且为绝缘性物质的氧化铝颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化镁颗粒、氧化钙颗粒和二氧化硅颗粒中的至少一种，可物理性抑制异物扎入且电气性抑制漏电流发生。通过在底涂层中含有作为绝缘性物质的上述金属氧化物颗粒，在反复形成图像时残余电位可能会增加，而通过使底涂层的层厚比较薄、为1μm以上10μm以下，可抑制在反复形成图像时所产生的残余电位增加。

本实施方式中，与紫环酮化合物(1)和紫环酮化合物(2)中的至少一种一起包含在底涂层中的金属氧化物颗粒为氧化铝颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化镁颗粒、氧化钙颗粒和二氧化硅颗粒中的至少一种。上述以外的金属氧化物颗粒(例如氧化锌颗粒、氧化钛颗粒、氧化锡颗粒)的绝缘性比较弱，可能无法充分抑制漏电流发生。

关于本实施方式中的底涂层的厚度，从抑制在反复形成图像时所产生的残余电位增加的方面出发为10μm以下。底涂层的厚度若大于10μm，则在反复形成图像时残余电位容易增加。从抑制漏电流发生的方面和底涂层的制造容易性的方面出发，本实施方式中的底涂层的厚度为1μm以上。

下面对本实施方式的感光体的各层进行详细说明。

[底涂层]

底涂层含有选自由紫环酮化合物(1)和紫环酮化合物(2)组成的组中的至少一种、选自由氧化铝颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化镁颗粒、氧化钙颗粒和二氧化硅颗粒组成的组中的至少一种金属氧化物颗粒、以及粘结性树脂。底涂层也可以含有上述金属氧化物颗粒以外的颗粒、其他添加材料。

-紫环酮化合物(1)、紫环酮化合物(2)-

底涂层含有紫环酮化合物(1)和紫环酮化合物(2)中的至少一者。紫环酮化合物(1)为下述通式(1)所表示的化合物。紫环酮化合物(2)为下述通式(2)所表示的化合物。

[化2]

通式(1)中，R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R¹⁶、R¹⁷和R¹⁸各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳烷基、芳基、芳氧基、烷氧羰基、芳氧羰基、烷氧羰基烷基、芳氧羰基烷基或卤原子。R¹¹与R¹²、R¹²与R¹³以及R¹³与R¹⁴各自独立地可以相互连结而形成环。R¹⁵与R¹⁶、R¹⁶与R¹⁷以及R¹⁷与R¹⁸各自独立地可以相互连结而形成环。

通式(2)中，R²¹、R²²、R²³、R²⁴、R²⁵、R²⁶、R²⁷和R²⁸各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳烷基、芳基、芳氧基、烷氧羰基、芳氧羰基、烷氧羰基烷基、芳氧羰基烷基或卤原子。R²¹与R²²、R²²与R²³以及R²³与R²⁴各自独立地可以相互连结而形成环。R²⁵与R²⁶、R²⁶与R²⁷以及R²⁷与R²⁸各自独立地可以相互连结而形成环。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的烷基，可以举出取代或无取代的烷基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的烷基，可以举出碳原子数为1以上20以下(优选碳原子数为1以上10以下、更优选碳原子数为1以上6以下)的直链状的烷基、碳原子数为3以上20以下(优选碳原子数为3以上10以下)的支链状的烷基、碳原子数为3以上20以下(优选碳原子数为3以上10以下)的环状的烷基。

作为碳原子数为1以上20以下的直链状的烷基，可以举出甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基等。

作为碳原子数为3以上20以下的支链状的烷基，可以举出异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、叔戊基、异己基、仲己基、叔己基、异庚基、仲庚基、叔庚基、异辛基、仲辛基、叔辛基、异壬基、仲壬基、叔壬基、异癸基、仲癸基、叔癸基、异十二烷基、仲十二烷基、叔十二烷基、叔十四烷基、叔十五烷基等。

作为碳原子数为3以上20以下的环状的烷基，可以举出环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、这些单环烷基连结而成的多环(例如二环、三环、螺环)烷基等。

上述之中，作为无取代的烷基，优选甲基、乙基等直链状的烷基。

作为烷基中的取代基，可以举出烷氧基、羟基、羧基、硝基和卤原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为将烷基中的氢原子取代的烷氧基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的烷氧基同样的基团。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的烷氧基，可以举出取代或无取代的烷氧基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的烷氧基，可以举出碳原子数为1以上10以下(优选为1以上6以下、更优选为1～4)的直链状、支链状或环状的烷氧基。

作为直链状的烷氧基，具体地说，可以举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基等。

作为支链状的烷氧基，具体地说，可以举出异丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、异己氧基、仲己氧基、叔己氧基、异庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、异辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、异壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、异癸氧基、仲癸氧基、叔癸氧基等。

作为环状的烷氧基，具体地说，可以举出环丙氧基、环丁氧基、环戊氧基、环己氧基、环庚氧基、环辛氧基、环壬氧基、环癸氧基等。

这些之中，作为无取代的烷氧基，优选直链状的烷氧基。

作为烷氧基中的取代基，可以举出芳基、烷氧羰基、芳氧羰基、羟基、羧基、硝基和卤原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为将烷氧基中的氢原子取代的芳基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的芳基同样的基团。

作为将烷氧基中的氢原子取代的烷氧羰基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的烷氧羰基同样的基团。

作为将烷氧基中的氢原子取代的芳氧羰基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的芳氧羰基同样的基团。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的芳烷基，可以举出取代或无取代的芳烷基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的芳烷基，优选碳原子数为7以上30以下的芳烷基，更优选碳原子数为7以上16以下的芳烷基，进一步优选碳原子数为7以上12以下的芳烷基。

作为碳原子数为7以上30以下的无取代的芳烷基，可以举出苄基、苯基乙基、苯基丙基、4-苯基丁基、苯基戊基、苯基己基、苯基庚基、苯基辛基、苯基壬基、萘基甲基、萘基乙基、蒽基甲基、苯基-环戊基甲基等。

作为芳烷基中的取代基，可以举出烷氧基、烷氧羰基、芳氧羰基和卤原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为将芳烷基中的氢原子取代的烷氧基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的烷氧基同样的基团。

作为将芳烷基中的氢原子取代的烷氧羰基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的烷氧羰基同样的基团。

作为将芳烷基中的氢原子取代的芳氧羰基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的芳氧羰基同样的基团。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的芳基，可以举出取代或无取代的芳基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的芳基，优选碳原子数为6以上30以下的芳基，更优选碳原子数为6以上14以下的芳基，进一步优选碳原子数为6以上10以下的芳基。

作为碳原子数为6以上30以下的芳基，可以举出苯基、联苯基、1-萘基、2-萘基、9-蒽基、9-菲基、1-芘基、5-萘并萘基(naphthacenyl)、1-茚基、2-甘菊环基、9-芴基、联苯烯基、引达省基、荧蒽基、苊烯基、醋蒽烯基、非那烯基、芴基、蒽基、双蒽基、三蒽基、四蒽基、蒽醌基、菲基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、并四苯基(naphthacenyl)、七曜烯基(pleiadenyl)、苉基、苝基、五苯基、并五苯基、四(二萘嵌苯)基、六苯基、并六苯基、玉红省基、晕苯基等。上述之中，优选苯基。

作为芳基中的取代基，可以举出烷基、烷氧基、烷氧羰基、芳氧羰基和卤原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为将芳基中的氢原子取代的烷基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的烷基同样的基团。

作为将芳基中的氢原子取代的烷氧基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的烷氧基同样的基团。

作为将芳基中的氢原子取代的烷氧羰基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的烷氧羰基同样的基团。

作为将芳基中的氢原子取代的芳氧羰基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的芳氧羰基同样的基团。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的芳氧基(-O-Ar，Ar表示芳基)，可以举出取代或无取代的芳氧基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的芳氧基，优选碳原子数为6以上30以下的芳氧基，更优选碳原子数为6以上14以下的芳氧基，进一步优选碳原子数为6以上10以下的芳氧基。

作为碳原子数为6以上30以下的芳氧基，可以举出苯基氧基(苯氧基)、联苯氧基、1-萘基氧基、2-萘基氧基、9-蒽基氧基、9-菲基氧基、1-芘基氧基、5-并四苯基氧基、1-茚基氧基、2-甘菊环基氧基、9-芴基氧基、联苯烯基氧基、引达省基氧基、荧蒽基氧基、苊烯基氧基、醋蒽烯氧基、非那烯基氧基、芴基氧基、蒽基氧基、双蒽基氧基、三蒽基氧基、四蒽基氧基、蒽醌基氧基、菲基氧基、苯并[9,10]菲基氧基、芘基氧基、

基氧基、并四苯基氧基、七曜烯氧基、苉基氧基、苝基氧基、五苯基氧基、并五苯基氧基、四(二萘嵌苯)基氧基、六苯基氧基、并六苯氧基、玉红省基氧基、晕苯基氧基等。上述之中，优选苯基氧基(苯氧基)。

作为芳氧基中的取代基，可以举出烷基、烷氧羰基、芳氧羰基和卤原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为将芳氧基中的氢原子取代的烷基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的烷基同样的基团。

作为将芳氧基中的氢原子取代的烷氧羰基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的烷氧羰基同样的基团。

作为将芳氧基中的氢原子取代的芳氧羰基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的芳氧羰基同样的基团。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的烷氧羰基(-CO-OR，R表示烷基)，可以举出取代或无取代的烷氧羰基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的烷氧羰基中的烷基链的碳原子数，优选为1以上20以下、更优选为1以上15以下、进一步优选为1以上10以下。

作为烷基链的碳原子数为1以上20以下的烷氧羰基，可以举出甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、异丙氧基羰基、正丁氧基羰基、仲丁氧基丁基羰基、叔丁氧基羰基、五氧基羰基、六氧基羰基、七氧基羰基、八氧基羰基、九氧基羰基、十氧基羰基、十二氧基羰基、十三氧基羰基、十四氧基羰基、十五氧基羰基、十六氧基羰基、十七氧基羰基、十八氧基羰基、十九氧基羰基、二十氧基羰基等。

作为烷氧羰基中的取代基，可以举出芳基、羟基和卤原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为将烷氧羰基中的氢原子取代的芳基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的芳基同样的基团。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的芳氧羰基(-CO-OAr，Ar表示芳基)，可以举出取代或无取代的芳氧羰基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的芳氧羰基中的芳基的碳原子数，优选为6以上30以下、更优选为6以上14以下、进一步优选为6以上10以下。

作为具有碳原子数为6以上30以下的芳基的芳氧羰基，可以举出苯氧基羰基、联苯氧基羰基、1-萘基氧基羰基、2-萘基氧基羰基、9-蒽基氧基羰基、9-菲基氧基羰基、1-芘基氧基羰基、5-并四苯基氧基羰基、1-茚基氧基羰基、2-甘菊环基氧基羰基、9-芴基氧基羰基、联苯烯基氧基羰基、引达省基氧基羰基、荧蒽基氧基羰基、苊烯基氧基羰基、醋蒽烯氧基羰基、非那烯基氧基羰基、芴基氧基羰基、蒽基氧基羰基、双蒽基氧基羰基、三蒽基氧基羰基、四蒽基氧基羰基、蒽醌基氧基羰基、菲基氧基羰基、苯并[9,10]菲氧基羰基、芘基氧基羰基、基氧基羰基、并四苯基氧基羰基、七曜烯氧基羰基、苉基氧基羰基、苝基氧基羰基、五苯基氧基羰基、并五苯基氧基羰基、四(二萘嵌苯)基氧基羰基、六苯基氧基羰基、并六苯氧基羰基、玉红省基氧基羰基、晕苯基氧基羰基等。上述之中，优选苯氧基羰基。

作为芳氧羰基中的取代基，可以举出烷基、羟基和卤原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为将芳氧羰基的氢原子取代的烷基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的烷基同样的基团。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的烷氧羰基烷基(-(C_nH_2n)-CO-OR，R表示烷基，n表示1以上的整数)，可以举出取代或无取代的烷氧羰基烷基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的烷氧羰基烷基中的烷氧羰基(-CO-OR)，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的烷氧羰基同样的基团。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的烷氧羰基烷基中的亚烷基链(-C_nH_2n-)，可以举出碳原子数为1以上20以下(优选碳原子数为1以上10以下、更优选碳原子数为1以上6以下)的直链状的亚烷基链、碳原子数为3以上20以下(优选碳原子数为3以上10以下)的支链状的亚烷基链、碳原子数为3以上20以下(优选碳原子数为3以上10以下)的环状的亚烷基链。

作为碳原子数为1以上20以下的直链状的亚烷基链，可以举出亚甲基、亚乙基、正亚丙基、正亚丁基、正亚戊基、正亚己基、正亚庚基、正亚辛基、正亚壬基、正亚癸基、正亚十一烷基、正亚十二烷基、亚十三烷基、正亚十四烷基、正亚十五烷基、正亚十七烷基、正亚十八烷基、正亚十九烷基、正亚二十烷基等。

作为碳原子数为3以上20以下的支链状的亚烷基链，可以举出异亚丙基、异亚丁基、仲亚丁基、叔亚丁基、异亚戊基、新亚戊基、叔亚戊基、异亚己基、仲亚己基、叔亚己基、异亚庚基、仲亚庚基、叔亚庚基、异亚辛基、仲亚辛基、叔亚辛基、异亚壬基、仲亚壬基、叔亚壬基、异亚癸基、仲亚癸基、叔亚癸基、异亚十二烷基、仲亚十二烷基、叔亚十二烷基、叔亚十四烷基、叔亚十五烷基等。

作为碳原子数为3以上20以下的环状的亚烷基链，亚环丙基、亚环丁基、亚环戊基、亚环己基、亚环庚基、亚环辛基、亚环壬基、亚环癸基等。

作为烷氧羰基烷基中的取代基，可以举出芳基、羟基和卤原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为将烷氧羰基烷基的氢原子取代的芳基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的芳基同样的基团。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的芳氧羰基烷基(-(C_nH_2n)-CO-OAr，Ar表示芳基，n表示1以上的整数)，可以举出取代或无取代的芳氧羰基烷基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的芳氧羰基烷基中的芳氧羰基(-CO-OAr，Ar表示芳基)，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的芳氧羰基同样的基团。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的芳氧羰基烷基中的亚烷基链(-C_nH_2n-)，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的烷氧羰基烷基中的亚烷基链同样的基团。

作为芳氧羰基烷基中的取代基，可以举出烷基、羟基和卤原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为将芳氧羰基烷基的氢原子取代的烷基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的无取代的烷基同样的基团。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的卤原子，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。

通式(1)中，作为R¹¹与R¹²、R¹²与R¹³、R¹³与R¹⁴、R¹⁵与R¹⁶、R¹⁶与R¹⁷、或者R¹⁷与R¹⁸相互连结而形成的环结构，可以举出苯环、碳原子数为10以上18以下的稠环(萘环、蒽环、菲环、1,2-苯并菲环(苯并[α]菲环)、并四苯环、四芬环(苯并[α]蒽环)、苯并[9,10]菲环等)等。上述之中，作为所形成的环结构，优选苯环。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的烷基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的烷基同样的基团。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的烷氧基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的烷氧基同样的基团。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的芳烷基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的芳烷基同样的基团。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的芳基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的芳基同样的基团。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的芳氧基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的芳氧基同样的基团。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的烷氧羰基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的烷氧羰基同样的基团。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的芳氧羰基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的芳氧羰基同样的基团。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的烷氧羰基烷基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的烷氧羰基烷基同样的基团。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的芳氧羰基烷基，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的芳氧羰基烷基同样的基团。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的卤原子，可以举出与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的卤原子同样的原子。

通式(2)中，作为R²¹与R²²、R²²与R²³、R²³与R²⁴、R²⁵与R²⁶、R²⁶与R²⁷、或者R²⁷与R²⁸相互连结而形成的环结构，可以举出苯环、碳原子数为10以上18以下的稠环(萘环、蒽环、菲环、1,2-苯并菲环(苯并[α]菲环)、并四苯环、四芬环(苯并[α]蒽环)、苯并[9,10]菲环等)等。上述之中，作为所形成的环结构，优选苯环。

从进一步抑制反复形成图像时所产生的光灵敏度的降低和残余电位的上升的方面出发，通式(1)中的R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R¹⁶、R¹⁷和R¹⁸各自独立地优选为氢原子、烷基、烷氧羰基、芳氧羰基、烷氧羰基烷基或芳氧羰基烷基。

从进一步抑制反复形成图像时所产生的光灵敏度的降低和残余电位的上升的方面出发，通式(2)中的R²¹、R²²、R²³、R²⁴、R²⁵、R²⁶、R²⁷和R²⁸各自独立地优选为氢原子、烷基、烷氧羰基、芳氧羰基、烷氧羰基烷基或芳氧羰基烷基。

以下示出紫环酮化合物(1)和紫环酮化合物(2)的具体例，但并非将本实施方式限定于此。下述的结构式中，Ph表示苯基。

[化3]

[化4]

[化5]

[化6]

[化7]

[化8]

紫环酮化合物(1)与紫环酮化合物(2)处于异构体的关系(即，顺式体与反式体的关系)。作为一般的合成法，将2摩尔邻苯二胺化合物与1摩尔萘四羧酸化合物加热使其缩合来进行合成，但得到的是顺式体与反式体的混合物，关于混合比，通常顺式体比反式体更多。关于顺式体与反式体的分离，例如可以通过利用氢氧化钾的醇溶液的加热清洗而分离成可溶性的顺式体和难溶性的反式体。

从将底涂层的体积电阻率控制在所期望的范围内的方面以及成膜性的方面出发，紫环酮化合物(1)和紫环酮化合物(2)的总含量相对于底涂层的总固体成分量优选为30质量％以上90质量％以下，更优选为40质量％以上80质量％以下，进一步优选为45质量％以上75质量％以下，进而优选为50质量％以上70质量％以下。

-金属氧化物颗粒-

底涂层含有选自由氧化铝颗粒(也称为alumina，氧化铝)、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化镁颗粒、氧化钙颗粒和二氧化硅颗粒(也称为silica，二氧化硅)组成的组中的至少一种金属氧化物颗粒。

金属氧化物颗粒可以施以表面处理。作为金属氧化物颗粒的表面处理剂，可以举出例如硅烷偶联剂、钛酸酯系偶联剂、铝系偶联剂、表面活性剂等。金属氧化物颗粒可以将金属种不同的金属氧化物颗粒、表面处理不同的金属氧化物颗粒、或者粒径不同的金属氧化物颗粒2种以上混合使用。

从在底涂层中的分散性的方面出发，底涂层所含有的选自由氧化铝颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化镁颗粒、氧化钙颗粒和二氧化硅颗粒组成的组中的至少一种金属氧化物颗粒的平均一次粒径优选为10nm以上、更优选为50nm以上、进一步优选为100nm以上、进而优选为150nm以上、进而优选为200nm以上，并且优选为1000nm以下、更优选为900nm以下、进一步优选为800nm以下、进而优选为600nm以下、进而优选为400nm以下。

底涂层所含有的金属氧化物颗粒的平均一次粒径如下求出：利用扫描型电子显微镜(SEM)对底涂层的截面进行观察，计测随机地选取的100个金属氧化物颗粒的长轴长，将100个长轴长平均，由此求出该平均一次粒径。

从抑制因异物扎入所引起的漏电流发生的方面出发，选自由氧化铝颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化镁颗粒、氧化钙颗粒和二氧化硅颗粒组成的组中的至少一种金属氧化物颗粒的总体积在底涂层中占优选10体积％以上、更优选15体积％以上、进一步优选20体积％以上。从光灵敏度和抑制残余电位的方面出发，选自由氧化铝颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化镁颗粒、氧化钙颗粒和二氧化硅颗粒组成的组中的至少一种金属氧化物颗粒的总体积在底涂层中占优选35体积％以下、更优选30体积％以下、进一步优选25体积％以下、进而优选20体积％以下、进而优选15体积％以下。

金属氧化物颗粒在底涂层中所占的体积比例可利用扫描型电子显微镜(SEM)对底涂层的截面进行观察并通过下述方法求出。

在SEM图像中，对于底涂层确定任意的面积S，求出面积S中包含的金属氧化物颗粒的总面积A。假定底涂层为均质的，将金属氧化物颗粒的总面积A除以面积S而得到的值换算成百分数(％)，将其作为金属氧化物颗粒在底涂层中所占的体积比例。面积S被设为相对于金属氧化物颗粒的尺寸足够大的面积。例如被设为包含100个以上金属氧化物颗粒的尺寸。面积S也可以为2个以上截面的合计。

从抑制因异物扎入所引起的漏电流发生的方面出发，选自由氧化铝颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化镁颗粒、氧化钙颗粒和二氧化硅颗粒组成的组中的至少一种金属氧化物颗粒的总含量相对于底涂层的总固体成分量优选为5质量％以上、更优选为10质量％以上、进一步优选为15质量％以上。从光灵敏度和抑制残余电位的方面出发，选自由氧化铝颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化镁颗粒、氧化钙颗粒和二氧化硅颗粒组成的组中的至少一种金属氧化物颗粒的总含量相对于底涂层的总固体成分量优选小于30质量％、更优选为25质量％以下、进一步优选为20质量％以下。

从光灵敏度和抑制残余电位的方面出发，底涂层所含有的选自由氧化铝颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化镁颗粒、氧化钙颗粒和二氧化硅颗粒组成的组中的至少一种金属氧化物颗粒的总含量相对于底涂层所含有的紫环酮化合物(1)和紫环酮化合物(2)的总含量优选为20质量％以上、更优选为25质量％以上、进一步优选为30质量％以上，并且优选为70质量％以下、更优选为65质量％以下、进一步优选为60质量％以下、进而优选为50质量％以下。

-粘结性树脂-

作为底涂层中使用的粘结性树脂，例如可以举出：乙缩醛树脂(例如聚乙烯醇缩丁醛等)、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、酪蛋白树脂、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、不饱和聚酯树脂、甲基丙烯酸类树脂、丙烯酸类树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、有机硅树脂、有机硅改性醇酸树脂、脲树脂、酚树脂、苯酚-甲醛树脂、三聚氰胺树脂、氨基甲酸酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂等公知的高分子化合物；锆螯合化合物；钛螯合化合物；铝螯合化合物；钛醇盐化合物；有机钛化合物；硅烷偶联剂等公知的材料。

作为在底涂层中使用的粘结性树脂，例如还可以举出具有电荷传输性基团的电荷传输性树脂、导电性树脂(例如聚苯胺等)等。

这些之中，作为底涂层中使用的粘结性树脂，优选不溶于上层的涂布溶剂中的不溶性树脂，特别优选脲树脂、酚树脂、苯酚-甲醛树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂等热固化性树脂；通过选自由聚酰胺树脂、聚酯树脂、聚醚树脂、甲基丙烯酸类树脂、丙烯酸类树脂、聚乙烯醇树脂和聚乙烯醇缩醛树脂组成的组中的至少一种树脂与固化剂的反应而得到的树脂。在将这些粘结性树脂2种以上组合使用的情况下，其混合比例根据需要进行设定。

作为底涂层中使用的粘结性树脂，从紫环酮化合物和金属氧化物颗粒的良好分散的方面出发，优选聚氨酯。聚氨酯通常通过多官能异氰酸酯与多元醇的加聚反应来合成。

作为多官能异氰酸酯，可以举出例如亚甲基二异氰酸酯、亚乙基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯,1,4-环己烷二异氰酸酯、2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯、间苯二异氰酸酯、对苯二异氰酸酯、3,3'-二甲基-4,4'-二苯基甲烷二异氰酸酯、3,3'-二甲基联苯二异氰酸酯、4,4'-联苯二异氰酸酯、二环己基甲烷二异氰酸酯、亚甲基双(4-环己基异氰酸酯)等二异氰酸酯；上述二异氰酸酯经三聚体化而成的异氰脲酸酯；将上述二异氰酸酯的异氰酸酯基用封端剂封端而成的封端异氰酸酯；等等。多官能异氰酸酯可以使用1种，也可以将2种以上合用。

作为多元醇，可以举出例如乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、2,3-丁二醇、2,2-二甲基-1,3-丙二醇、1,2-戊二醇、1,4-戊二醇、1,5-戊二醇、2,4-戊二醇、3,3-二甲基-1,2-丁二醇、2-乙基-2-甲基-1,3-丙二醇、1,2-己二醇、1,5-己二醇、1,6-己二醇、2,5-己二醇、2-甲基-2,4-戊二醇、2,2-二乙基-1,3-丙二醇、2,4-二甲基-2,4-戊二醇、1,7-庚二醇、2-甲基-2-丙基-1,3-丙二醇、2,5-二甲基-2,5-己二醇、2-乙基-1,3-己二醇、1,2-辛二醇、1,8-辛二醇、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇、1,4-环己烷二甲醇、氢醌、二乙二醇、三乙二醇、二丙二醇、三丙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇、聚(氧基四亚甲基)二醇、4,4'-二羟基-二苯基-2,2-丙烷、4,4'-二羟基苯基砜等二醇。

作为多元醇，进一步可以举出例如聚酯多元醇、聚碳酸酯多元醇、聚己内酯多元醇、聚醚多元醇、聚乙烯醇缩丁醛等。

多元醇可以使用1种，也可以将2种以上合用。

作为氨基甲酸酯固化催化剂(即多官能异氰酸酯与多元醇的加聚反应的催化剂)，可以使用公知的有机酸金属盐或有机金属络合物。

底涂层中包含的粘结性树脂中，优选粘结性树脂的总量的80质量％以上100质量％以下为聚氨酯，更优选90质量％以上100质量％以下为聚氨酯，进一步优选95质量％以上100质量％以下为聚氨酯。

在底涂层中，为了提高电学特性、提高环境稳定性、提高画质，可以包含各种添加剂。

作为添加剂，可以举出多环稠合系、偶氮系等电子传输性颜料、锆螯合化合物、钛螯合化合物、铝螯合化合物、钛醇盐化合物、有机钛化合物、硅烷偶联剂等公知的材料。如上所述，硅烷偶联剂用于无机颗粒的表面处理，但也可以作为添加剂进一步添加至底涂层中。

作为添加剂的硅烷偶联剂可以举出例如乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N,N-双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氯丙基三甲氧基硅烷等。

作为锆螯合化合物，可以举出例如丁醇锆、乙酰乙酸乙酯锆、三乙醇胺锆、乙酰丙酮合丁醇锆、乙酰乙酸乙酯丁醇锆、乙酸锆、草酸锆、乳酸锆、膦酸锆、辛酸锆、环烷酸锆、月桂酸锆、硬脂酸锆、异硬脂酸锆、甲基丙烯酸酯丁醇锆、硬脂酸酯丁醇锆、异硬脂酸酯丁醇锆等。

作为钛螯合化合物，可以举出例如钛酸四异丙酯、钛酸四正丁酯、钛酸丁酯二聚物、四(2-乙基己基)钛酸酯、乙酰丙酮化钛、聚乙酰丙酮化钛、辛二醇酸钛(titaniumoctylene glycollate)、乳酸钛铵盐、乳酸钛、乳酸乙酯钛、三乙醇胺合钛、多羟基硬脂酸钛等。

作为铝螯合化合物，可以举出例如异丙酸铝、二异丙酸-单丁氧基铝、丁酸铝、二乙基乙酰乙酸-二异丙酸铝、三(乙基乙酰乙酸)铝等。

这些添加剂可以单独使用，或者也可以以2个以上的化合物的混合物或缩聚物的形式使用。

从抑制反复形成图像时的残余电位增加的方面出发，底涂层的层厚为1μm以上，优选为2μm以上、更优选为3μm以上。从感光体的充电维持性优异的方面出发，底涂层的层厚为10μm以下，优选为9μm以下、更优选为8μm以下。

底涂层的体积电阻率优选为1×10¹⁰Ωcm以上、1×10¹²Ωcm以下。

底涂层的维氏硬度可以为35以上。

关于底涂层的表面粗糙度(十点平均粗糙度)，为了抑制莫尔图像，可以将其调整至所使用的曝光用激光波长λ的1/(4n)(n为上层的折射率)到1/2。

为了调整表面粗糙度，可以在底涂层中添加树脂颗粒等。作为树脂颗粒，可以举出有机硅树脂颗粒、交联型聚甲基丙烯酸甲酯树脂颗粒等。另外，为了调整表面粗糙度，可以对底涂层的表面进行研磨。作为研磨方法，可以举出抛光研磨、喷砂处理、湿式珩磨、磨削处理等。

底涂层的形成没有特别限制，可利用公知的形成方法，例如可通过下述方法形成：形成将上述成分添加到溶剂中而成的底涂层形成用涂布液的涂膜，将该涂膜干燥，根据需要进行加热，由此形成底涂层。

作为用于制备底涂层形成用涂布液的溶剂，可以举出公知的有机溶剂，例如醇系溶剂、芳香族烃溶剂、卤代烃溶剂、酮系溶剂、酮醇系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂等。

作为这些溶剂，具体地说，可以举出例如甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、苯甲醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二氧六环、四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯、甲苯等通常的有机溶剂。

紫环酮化合物(1)和紫环酮化合物(2)不容易溶解在有机溶剂中，因而优选将其分散在有机溶剂中。作为该分散方法，可以举出例如辊碾机、球磨机、振动球磨机、超微磨碎机、砂磨机、胶体磨、涂料摇摆器等公知的方法。金属氧化物颗粒也优选利用同样的分散方法分散在有机溶剂中。

作为将底涂层形成用涂布液涂布在导电性基体上的方法，可以举出例如刮板涂布法、绕线棒涂布法、喷涂法、浸渍涂布法、珠涂法、气刀涂布法、幕帘式涂布法等通常的方法。

[导电性基体]

作为导电性基体，例如可以举出包含金属(铝、铜、锌、铬、镍、钼、钒、铟、金、铂等)或合金(不锈钢等)的金属板、金属鼓以及金属带等。另外，作为导电性基体，还可以举出例如涂布、蒸镀或层积有导电性化合物(例如导电性聚合物、氧化铟等)、金属(例如铝、钯、金等)或合金的纸、树脂膜、带等。此处，“导电性”是指体积电阻率小于1×10¹³Ωcm。

关于导电性基体的表面，在电子照相感光体被用于激光打印机的情况下，出于抑制照射激光时所产生的干涉条纹的目的，优选将该导电性基体的表面粗面化至以中心线平均粗糙度Ra计为0.04μm以上0.5μm以下。在光源中使用非干涉光的情况下，用于防止干涉条纹的粗面化并不是特别需要的，但该粗面化可抑制因导电性基体的表面凹凸所致的缺陷的发生，因而适合于进一步的长寿命化。

作为粗面化的方法，例如可以举出：通过将研磨剂悬浮在水中并喷吹至支撑体而进行的湿式珩磨；将导电性基体压接于旋转的磨石而连续地进行磨削加工的无心磨削；阳极氧化处理等。

作为粗面化的方法，还可以举出下述方法：不对导电性基体的表面进行粗面化，而是使导电性或半导电性粉体分散在树脂中，在导电性基体的表面上形成层，利用分散在该层中的颗粒进行粗面化。

利用阳极氧化进行的粗面化处理是通过将金属制(例如铝制)的导电性基体作为阳极在电解质溶液中进行阳极氧化而在导电性基体的表面形成氧化膜的粗面化处理。作为电解质溶液，例如可以举出硫酸溶液、草酸溶液等。但是，通过阳极氧化形成的多孔质阳极氧化膜在原本的状态下在化学上是活性的，容易被污染，因环境所致的电阻变动也较大。因此，优选对多孔质阳极氧化膜进行下述封孔处理：在加压水蒸气或沸水中(也可以加入镍等的金属盐)，利用因水合反应所致的体积膨胀来堵塞氧化膜的微细孔，使其变为更稳定的水合氧化物。

阳极氧化膜的膜厚例如优选为0.3μm以上15μm以下。该膜厚处于上述范围内时，具有针对注入发挥出阻隔性的倾向，并且具有抑制因反复使用所致的残余电位的上升的倾向。

也可以对导电性基体实施基于酸性处理液的处理或勃姆石处理。

基于酸性处理液的处理例如如下实施。首先制备包含磷酸、铬酸和氢氟酸的酸性处理液。酸性处理液中的磷酸、铬酸和氢氟酸的混配比例例如可以为：磷酸为10质量％以上11质量％以下的范围、铬酸为3质量％以上5质量％以下的范围、氢氟酸为0.5质量％以上2质量％以下的范围，这些酸整体的浓度为13.5质量％以上18质量％以下的范围。处理温度例如优选为42℃以上48℃以下。覆膜的膜厚优选为0.3μm以上15μm以下。

勃姆石处理例如通过在90℃以上100℃以下的纯水中浸渍5分钟至60分钟、或者与90℃以上120℃以下的加热水蒸气接触5分钟至60分钟来进行。覆膜的膜厚优选为0.1μm以上5μm以下。也可以进一步使用己二酸、硼酸、硼酸盐、磷酸盐、邻苯二甲酸盐、马来酸盐、苯甲酸盐、酒石酸盐、柠檬酸盐等覆膜溶解性低的电解质溶液对其进行阳极氧化处理。

[中间层]

尽管省略了图示，但在底涂层与感光层之间可以进一步设置中间层。

中间层例如为包含树脂的层。作为用于中间层的树脂，可以举出例如乙缩醛树脂(例如聚乙烯醇缩丁醛等)、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、酪蛋白树脂、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、甲基丙烯酸类树脂、丙烯酸类树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、有机硅树脂、有机硅改性醇酸树脂、苯酚-甲醛树脂、三聚氰胺树脂等高分子化合物。

中间层可以为包含有机金属化合物的层。作为用于中间层的有机金属化合物，可以举出含有锆、钛、铝、锰、硅等金属原子的有机金属化合物等。

这些用于中间层的化合物可以单独使用，或者可以以2种以上的化合物的混合物或者缩聚物的形式使用。

这些之中，中间层优选为包含含有锆原子或硅原子的有机金属化合物的层。

中间层的形成没有特别限制，可利用公知的形成方法，例如通过下述方法进行：形成将上述成分添加至溶剂中而成的中间层形成用涂布液的涂膜，将该涂膜干燥，根据需要进行加热，由此形成该中间层。

作为形成中间层的涂布方法，使用浸渍涂布法、挤出涂布法、绕线棒涂布法、喷涂法、刮板涂布法、刮刀涂布法、幕帘式涂布法等通常的方法。

中间层的膜厚例如优选设定为为0.1μm以上3μm以下的范围。

[电荷产生层]

电荷产生层例如为包含电荷产生材料和粘结性树脂的层。另外，电荷产生层可以为电荷产生材料的蒸镀层。电荷产生材料的蒸镀层适合于使用LED(Light EmittingDiode，发光二极管)、有机EL(Electro-Luminescence，电致发光)图像阵列等非干涉性光源的情况。

作为电荷产生材料，可以举出双偶氮、三偶氮等偶氮颜料；二溴二苯并芘二酮醇(dibromoantanthrone)等稠环芳香族颜料；二萘嵌苯颜料；吡咯并吡咯颜料；酞菁颜料；氧化锌；三方晶系硒等。

这些之中，为了应对近红外域的激光曝光，作为电荷产生材料，优选使用金属酞菁颜料或者无金属酞菁颜料。具体地说，例如更优选日本特开平5-263007号公报、日本特开平5-279591号公报等所公开的羟基镓酞菁；日本特开平5-98181号公报等所公开的氯代镓酞菁；日本特开平5-140472号公报、日本特开平5-140473号公报等所公开的二氯锡酞菁；日本特开平4-189873号公报等所公开的氧钛酞菁。

另一方面，为了应对近紫外域的激光曝光，作为电荷产生材料，优选二溴二苯并芘二酮醇(dibromoantanthrone)等稠环芳香族颜料；硫靛蓝系颜料；四氮杂卟啉化合物；氧化锌；三方晶系硒；日本特开2004-78147号公报、日本特开2005-181992号公报所公开的双偶氮颜料等。

使用在450nm以上780nm以下具有发光的中心波长的LED、有机EL图像阵列等非干涉光源的情况下，也可以使用上述电荷产生材料，但从分辨率的方面出发，在以20μm以下的薄膜使用感光层时，感光层中的电场强度提高，容易产生因从基体注入电荷所致的充电降低、即产生被称为所谓黑点的图像缺陷。该情况在使用三方晶系硒、酞菁颜料等在p-型半导体中容易产生暗电流的电荷产生材料时变得显著。

与之相对，在使用稠环芳香族颜料、二萘嵌苯颜料、偶氮颜料等n-型半导体作为电荷产生材料的情况下，不容易产生暗电流，即使制成薄膜也可抑制被称为黑点的图像缺陷。作为n-型电荷产生材料，例如可以举出日本特开2012-155282号公报的[0288]～[0291]段所记载的化合物(CG-1)～(CG-27)，但并不限定于此。

关于n-型的判定，使用常用的飞行时间法，通过流动的光电流的极性进行判定，将与空穴相比更容易使电子作为载流子流动的类型作为n-型。

作为用于电荷产生层的粘结性树脂，可以从广泛的绝缘性树脂中选择，另外，作为粘结性树脂，可以从聚-N-乙烯基咔唑、聚乙烯基蒽、聚乙烯基芘、聚硅烷等有机光导电性聚合物中选择。

作为粘结性树脂，例如可以举出聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚芳酯树脂(双酚类与芳香族2元羧酸的缩聚物等)、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、苯氧基树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚酰胺树脂、丙烯酸树脂、聚丙烯酰胺树脂、聚乙烯基吡啶树脂、纤维素树脂、氨基甲酸酯树脂、环氧树脂、酪蛋白、聚乙烯醇树脂、聚乙烯吡咯烷酮树脂等。此处，“绝缘性”是指体积电阻率为1×10¹³Ωcm以上。

这些粘结性树脂可以单独使用1种或将2种以上混合使用。

电荷产生材料与粘结性树脂的混配比以质量比计优选为10:1至1:10的范围内。

电荷产生层中可以包含其他公知的添加剂。

电荷产生层的形成没有特别限制，可利用公知的形成方法，例如可如下进行：形成将上述成分添加至溶剂中而成的电荷产生层形成用涂布液的涂膜，将该涂膜干燥，根据需要进行加热，由此形成电荷产生层。电荷产生层的形成也可以通过电荷产生材料的蒸镀来进行。电荷产生层基于蒸镀的形成特别适于利用稠环芳香族颜料、二萘嵌苯颜料作为电荷产生材料的情况。

作为用于制备电荷产生层形成用涂布液的溶剂，可以举出甲醇、乙醇、正丙醇、正丁醇、苯甲醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸正丁酯、二氧六环、四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯、甲苯等。这些溶剂可以单独使用1种或将2种以上混合使用。

作为使颗粒(例如电荷产生材料)分散在电荷产生层形成用涂布液中的方法，例如利用球磨机、振动球磨机、超微磨碎机、砂磨机、卧式砂磨机等介质分散机；搅拌、超声波分散机、辊碾机、高压均质器等无介质分散机。作为高压均质器，例如可以举出：在高压状态下使分散液进行液-液碰撞或液-壁碰撞来进行分散的碰撞方式；在高压状态下在微细的流路中贯通来进行分散的贯通方式等。

在该分散时，电荷产生层形成用涂布液中的电荷产生材料的平均粒径为0.5μm以下、优选为0.3μm以下、进一步优选为0.15μm以下是有效的。

作为将电荷产生层形成用涂布液涂布至底涂层上(或中间层上)的方法，例如可以举出刮板涂布法、绕线棒涂布法、喷涂法、浸渍涂布法、珠涂法、气刀涂布法、幕帘式涂布法等通常的方法。

电荷产生层的膜厚例如被设定成优选为0.1μm以上5.0μm以下、更优选为0.2μm以上2.0μm以下的范围内。

[电荷传输层]

电荷传输层例如为包含电荷传输材料和粘结性树脂的层。电荷传输层也可以为包含高分子电荷传输材料的层。

作为电荷传输材料，可以举出对苯醌、氯醌、溴醌、蒽醌等醌系化合物；四氰基对苯二醌二甲烷系化合物；2,4,7-三硝基芴酮等芴酮化合物；氧杂蒽酮系化合物；二苯甲酮系化合物；氰基乙烯基系化合物；乙烯系化合物等电子传输性化合物。作为电荷传输材料，还可以举出三芳基胺系化合物、联苯胺系化合物、芳基烷烃系化合物、芳基取代乙烯系化合物、均二苯代乙烯系化合物、蒽系化合物、腙系化合物等空穴传输性化合物。这些电荷传输材料可以单独使用1种或以2种以上使用，但并不限于这些。

作为电荷传输材料，从电荷迁移率的方面出发，优选下述结构式(a-1)所表示的三芳基胺衍生物以及下述结构式(a-2)所表示的联苯胺衍生物。

[化9]

结构式(a-1)中，Ar^T1、Ar^T2和Ar^T3各自独立地表示取代或无取代的芳基、-C₆H₄-C(R^T4)＝C(R^T5)(R^T6)、或者-C₆H₄-CH＝CH-CH＝C(R^T7)(R^T8)。R^T4、R^T5、R^T6、R^T7和R^T8各自独立地表示氢原子、取代或无取代的烷基、或者取代或无取代的芳基。

作为上述各基团的取代基，可以举出卤原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的烷氧基。另外，作为上述各基团的取代基，还可以举出被碳原子数1～3的烷基取代的取代氨基。

[化10]

结构式(a-2)中，R^T91和R^T92各自独立地表示氢原子、卤原子、碳原子数1～5的烷基、或者碳原子数1～5的烷氧基。R^T101、R^T102、R^T111和R^T112各自独立地表示卤原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的烷氧基、被碳原子数为1以上2以下的烷基取代的氨基、取代或无取代的芳基、-C(R^T12)＝C(R^T13)(R^T14)、或者-CH＝CH-CH＝C(R^T15)(R^T16)，R^T12、R^T13、R^T14、R^T15和R^T16各自独立地表示氢原子、取代或无取代的烷基、或者取代或无取代的芳基。Tm1、Tm2、Tn1和Tn2各自独立地表示0以上2以下的整数。

作为上述各基团的取代基，可以举出卤原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的烷氧基。另外，作为上述各基团的取代基，还可以举出被碳原子数1～3的烷基取代的取代氨基。

此处，结构式(a-1)所表示的三芳基胺衍生物以及上述结构式(a-2)所表示的联苯胺衍生物之中，从电荷迁移率的方面出发，特别优选具有“-C₆H₄-CH＝CH-CH＝C(R^T7)(R^T8)”的三芳基胺衍生物以及具有“-CH＝CH-CH＝C(R^T15)(R^T16)”的联苯胺衍生物。

作为高分子电荷传输材料，使用聚-N-乙烯基咔唑、聚硅烷等具有电荷传输性的公知的材料。特别是日本特开平8-176293号公报、日本特开平8-208820号公报等中所公开的聚酯系高分子电荷传输材料是特别优选的。高分子电荷传输材料可以单独使用，也可以与粘结性树脂合用。

用于电荷传输层的粘结性树脂可以举出聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、聚芳酯树脂、甲基丙烯酸类树脂、丙烯酸类树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐共聚物、有机硅树脂、有机硅改性醇酸树脂、苯酚-甲醛树脂、苯乙烯改性醇酸树脂、聚-N-乙烯基咔唑、聚硅烷等。这些之中，作为粘结性树脂，聚碳酸酯树脂或聚芳酯树脂是优选的。这些粘结性树脂单独使用1种或以2种以上使用。

电荷传输材料与粘结性树脂的混配比以质量比计优选为10:1至1:5。

电荷传输层中可以包含其他公知的添加剂。

电荷传输层的形成没有特别限制，可利用公知的形成方法，例如可如下进行：形成将上述成分添加至溶剂中而成的电荷传输层形成用涂布液的涂膜，将该涂膜干燥，根据需要进行加热，由此形成电荷传输层。

作为用于制备电荷传输层形成用涂布液的溶剂，可以举出苯、甲苯、二甲苯、氯苯等芳香族烃类；丙酮、2-丁酮等酮类；二氯甲烷、氯仿、氯化乙烯等卤代脂肪族烃类；四氢呋喃、***等环状或直链状的醚类等通常的有机溶剂。这些溶剂可以单独使用或将2种以上混合使用。

作为将电荷传输层形成用涂布液涂布在电荷产生层上时的涂布方法，可以举出刮板涂布法、绕线棒涂布法、喷涂法、浸渍涂布法、珠涂法、气刀涂布法、幕帘式涂布法等通常的方法。

电荷传输层的膜厚例如被设定成优选为5μm以上50μm以下、更优选为10μm以上30μm以下的范围内。

[保护层]

保护层根据需要设置在感光层上。保护层例如是出于防止充电时的感光层的化学变化、或进一步改善感光层的机械强度的目的而设置的。

因此，保护层可以应用由固化膜(交联膜)构成的层。作为这些层，例如可以举出下述1)或2)所示的层。

1)由如下组合物的固化膜所构成的层，该组合物包含在同一分子内具有反应性基团和电荷传输性骨架的含反应性基团电荷传输材料(即，包含该含反应性基团电荷传输材料的聚合物或交联体的层)

2)由如下组合物的固化膜所构成的层，该组合物包含非反应性的电荷传输材料和不具有电荷传输性骨架但具有反应性基团的含反应性基团非电荷传输材料(即，包含非反应性的电荷传输材料和该含反应性基团非电荷传输材料的聚合物或交联体的层)

作为含反应性基团电荷传输材料的反应性基团，可以举出链聚合性基团、环氧基、-OH、-OR[其中R表示烷基]、-NH₂、-SH、-COOH、-SiR^Q1 _3-Qn(OR^Q2)_Qn[其中，R^Q1表示氢原子、烷基或者取代或无取代的芳基，R^Q2表示氢原子、烷基、三烷基甲硅烷基。Qn表示1～3的整数]等公知的反应性基团。

作为链聚合性基团，只要是可进行自由基聚合的官能团就没有特别限定，例如为具有至少含有碳双键的基团的官能团。具体而言，可以举出含有选自乙烯基、乙烯基醚基、乙烯基硫醚基、苯乙烯基(乙烯基苯基)、丙烯酰基、甲基丙烯酰基以及它们的衍生物中的至少一种的基团等。其中，出于其反应性优异的原因，作为链聚合性基团，优选为含有选自乙烯基、苯乙烯基(乙烯基苯基)、丙烯酰基、甲基丙烯酰基以及它们的衍生物中的至少一种的基团。

作为含反应性基团电荷传输材料的电荷传输性骨架，只要是电子照相感光体中的公知结构就没有特别限定，例如可以举出如下结构：骨架来自三芳基胺系化合物、联苯胺系化合物、腙系化合物等含氮的空穴传输性化合物，且与氮原子共轭的结构。这些之中，优选三芳基胺骨架。

这些具有反应性基团和电荷传输性骨架的含反应性基团电荷传输材料、非反应性的电荷传输材料、含反应性基团非电荷传输材料从公知的材料中选择即可。

保护层中可以包含其他公知的添加剂。

保护层的形成没有特别限制，可利用公知的形成方法，例如可如下进行：形成将上述成分添加至溶剂中而成的保护层形成用涂布液的涂膜，将该涂膜干燥，根据需要进行加热等固化处理，由此形成保护层。

作为用于制备保护层形成用涂布液的溶剂，可以举出甲苯、二甲苯等芳香族系溶剂；甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯系溶剂；四氢呋喃、二氧六环等醚系溶剂；乙二醇单甲醚等溶纤剂系溶剂；异丙醇、丁醇等醇系溶剂等。这些溶剂可以单独使用或将2种以上混合使用。

保护层形成用涂布液可以为无溶剂的涂布液。

作为将保护层形成用涂布液涂布在感光层(例如电荷传输层)上的方法，可以举出浸渍涂布法、挤出涂布法、绕线棒涂布法、喷涂法、刮板涂布法、刮刀涂布法、幕帘式涂布法等通常的方法。

保护层的膜厚例如被设定成优选为1μm以上20μm以下、更优选为2μm以上10μm以下的范围内。

[单层型感光层]

单层型感光层(电荷产生/电荷传输层)例如为包含电荷产生材料和电荷传输材料以及必要时的粘结性树脂和其他公知的添加剂的层。这些材料与电荷产生层和电荷传输层中说明的材料是同样的。

并且，单层型感光层中，电荷产生材料的含量相对于总固体成分可以为0.1质量％以上10质量％以下，优选为0.8质量％以上5质量％以下。另外，单层型感光层中，电荷传输材料的含量相对于总固体成分可以为5质量％以上50质量％以下。

单层型感光层的形成方法与电荷产生层、电荷传输层的形成方法是同样的。

单层型感光层的膜厚例如可以为5μm以上50μm以下，优选为10μm以上40μm以下。

[图像形成装置、处理盒]

本实施方式的图像形成装置具备：电子照相感光体；对电子照相感光体的表面进行充电的充电单元；在充电后的电子照相感光体的表面形成静电潜像的静电潜像形成单元；利用包含色调剂的显影剂对于在电子照相感光体的表面形成的静电潜像进行显影而形成色调剂图像的显影单元；以及将色调剂图像转印至记录介质的表面的转印单元。并且，作为电子照相感光体，应用上述本实施方式的电子照相感光体。

本实施方式的图像形成装置可应用下述公知的图像形成装置：具备对转印到记录介质表面的色调剂图像进行定影的定影单元的装置；将形成在电子照相感光体表面的色调剂图像直接转印至记录介质上的直接转印方式的装置；将形成在电子照相感光体的表面的色调剂图像一次转印至中间转印体的表面、再将转印到中间转印体表面的色调剂图像二次转印到记录介质表面的中间转印方式的装置；具备在色调剂图像转印后对充电前的电子照相感光体的表面进行清洁的清洁单元的装置；具备在色调剂图像转印后在充电前对电子照相感光体表面照射除电光来进行除电的除电单元的装置；具备用于提高电子照相感光体的温度、降低相对温度的电子照相感光体加热部件的装置；等等。

在中间转印方式的装置的情况下，转印单元例如应用具有在表面转印色调剂图像的中间转印体、将形成在电子照相感光体表面的色调剂图像一次转印至中间转印体表面的一次转印单元、以及将转印至中间转印体表面的色调剂图像二次转印至记录介质表面的二次转印单元的构成。

本实施方式的图像形成装置可以为干式显影方式的图像形成装置、湿式显影方式(利用液体显影剂的显影方式)的图像形成装置中的任一种。

本实施方式的图像形成装置中，例如具备电子照相感光体的部分可以为相对于图像形成装置可进行装卸的盒结构(处理盒)。作为处理盒，例如适于使用具备本实施方式的电子照相感光体的处理盒。在处理盒中，除了电子照相感光体以外，还可以具备例如选自由充电单元、静电潜像形成单元、显影单元、转印单元组成的组中的至少一者。

下面示出本实施方式的图像形成装置的一例，但并不限于此。对图中示出的主要部分进行说明，对于其他部分，省略其说明。

图2是示出本实施方式的图像形成装置的一例的示意性构成图。

如图2所示，本实施方式的图像形成装置100具备：具备电子照相感光体7的处理盒300；曝光装置9(静电潜像形成单元的一例)；转印装置40(一次转印装置)；以及中间转印体50。图像形成装置100中，曝光装置9配置在可由处理盒300的开口部对电子照相感光体7进行曝光的位置，转印装置40配置在隔着中间转印体50与电子照相感光体7对置的位置，中间转印体50按照其一部分与电子照相感光体7接触来进行配置。尽管未图示，但还具有将转印至中间转印体50的色调剂图像转印至记录介质(例如纸张)的二次转印装置。中间转印体50、转印装置40(一次转印装置)以及二次转印装置(未图示)相当于转印单元的一例。

图2中的处理盒300在外壳内一体地支撑电子照相感光体7、充电装置8(充电单元的一例)、显影装置11(显影单元的一例)以及清洁装置13(清洁单元的一例)。清洁装置13具有清洁刮板(清洁部件的一例)131，清洁刮板131按照与电子照相感光体7的表面接触的方式进行配置。清洁部件也可以不是清洁刮板131的方式而是导电性或绝缘性的纤维状部件，其可以单独或与清洁刮板131合用。

图2中，作为图像形成装置，示出了具备将润滑材料14供给至电子照相感光体7的表面的纤维状部件132(卷状)以及辅助清洁的纤维状部件133(平刷状)的示例，但这些部件是根据需要进行配置的。

下面对本实施方式的图像形成装置的各构成进行说明。

-充电装置-

作为充电装置8，例如使用接触型充电器，该接触型充电器利用了导电性或半导电性的充电辊、充电刷、充电膜、充电橡胶刮板、充电管等。另外，还可使用非接触方式的辊充电器、利用了电晕放电的电晕丝(スコロトロン，scorotron)充电器或电晕管(コロトロン，corotron)充电器等本身公知的充电器等。

-曝光装置-

作为曝光装置9，例如可以举出利用半导体激光、LED光、液晶光闸光等光按照确定的图像对电子照相感光体7表面进行曝光的光学设备等。光源的波长被设为电子照相感光体的分光灵敏度区域内。作为半导体激光的波长，在780nm附近具有振荡波长的近红外为主流。但是，并不限于该波长，也可以利用大致为600nm的振荡波长激光或者作为蓝色激光的在400nm以上450nm以下具有振荡波长的激光。另外，为了进行彩色成像，可输出多光束类型的面发光型激光源也是有效的。

-显影装置-

作为显影装置11，例如可以举出接触或不接触显影剂来进行显影的通常的显影装置。作为显影装置11，只要具有上述功能就没有特别限制，可根据目的进行选择。例如可以举出具有使用刷、辊等使单组分系显影剂或双组分系显影剂附着于电子照相感光体7的功能的公知显影器等。其中优选使用在表面保持有显影剂的显影辊。

显影装置11中使用的显影剂可以是只有色调剂的单组分系显影剂，也可以是包含色调剂和载体的双组分系显影剂。另外，显影剂可以为磁性、也可以为非磁性。这些显影剂可应用公知的显影剂。

-清洁装置-

清洁装置13使用具备清洁刮板131的清洁刮板方式的装置。

除了清洁刮板方式以外，还可以采用毛刷清洁方式、显影同时清洁方式。

-转印装置-

作为转印装置40，例如可以举出使用带、辊、膜、橡胶刮板等的接触型转印充电器、利用电晕放电的电晕丝转印充电器或电晕管转印充电器等其本身公知的转印充电器。

-中间转印体-

作为中间转印体50，使用赋予了半导电性的包含聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯、橡胶等的带状转印体(中间转印带)。另外，作为中间转印体的形态，除了带状以外，还可以使用鼓状转印体。

图3为示出本实施方式的图像形成装置的另一例的示意性构成图。

图3所示的图像形成装置120为搭载有4个处理盒300的串联方式的多色图像形成装置。图像形成装置120中，4个处理盒300各自并列地配置在中间转印体50上，成为每1色使用1个电子照相感光体的构成。图像形成装置120除了为串联方式以外，具有与图像形成装置100同样的构成。

实施例

下面举出实施例对本发明的电子照相感光体更具体地说明。只要不脱离本发明的宗旨，以下的实施例中示出的材料、用量、比例、处理过程等可适当地变更。因此，本发明的电子照相感光体的范围不应由以下所示的具体例进行限定性解释。

<感光体的制作>

[实施例1]

(底涂层的形成)

将封端异氰酸酯(Sumidur BL3175、Sumitomo-Bayer Urethane Co.,Ltd.制造，固体成分75质量％)21质量份、丁缩醛树脂(S-LECBL-1、积水化学工业公司制造)9质量份和作为氨基甲酸酯固化催化剂的二月桂酸二辛基锡0.005质量份溶解在甲基乙基酮143质量份中。在该溶液中混合紫环酮化合物(1-3)和紫环酮化合物(2-3)的混合物(质量比1:1)50质量份以及氧化铝颗粒(EM Japan株式会社、平均一次粒径200nm)20质量份，使用直径1mm的玻璃珠利用砂磨机进行120分钟的分散，得到底涂层形成用涂布液。将该涂布液浸渍涂布在圆筒状铝基材上，在160℃进行60分钟的干燥固化，形成厚度5.0μm的底涂层。

(电荷产生层的形成)

作为电荷产生材料，准备羟基镓酞菁，该羟基镓酞菁在使用Cukα特征X射线的X射线衍射光谱中在布剌格角度(2θ±0.2°)至少为7.3°、16.0°、24.9°、28.0°的位置具有衍射峰。将羟基镓酞菁15质量份、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂(VMCH、Nippon Unicar公司制造)10质量份和乙酸正丁酯200质量份混合，将所得到的混合物使用直径1mm的玻璃珠利用砂磨机分散4小时。向所得到的分散液中添加乙酸正丁酯175质量份和甲基乙基酮180质量份，进行搅拌，得到电荷产生层形成用涂布液。将该涂布液浸渍涂布在底涂层上，在常温(25℃)下干燥，形成厚度0.2μm的电荷产生层。

(电荷传输层的形成)

在具备光气吹入管、温度计和搅拌机的烧瓶中在氮气气氛下投入1,1-双(4-羟基苯基)环己烷(以下称为Z)106.9g(0.398摩尔)、4,4’-二羟基联苯(以下称为BP)24.7g(0.133摩尔)、亚硫酸氢盐0.41g、9.1％氢氧化钠水溶液825ml(氢氧化钠2.018摩尔)、二氯甲烷500ml并进行溶解，在搅拌下保持于18℃～21℃，利用75分钟吹入光气76.2g(0.770摩尔)来进行光气化反应。光气化反应终止后，加入对叔丁基苯酚1.11g(0.0075摩尔)和25％氢氧化钠水溶液54ml(氢氧化钠0.266摩尔)并进行搅拌，中途添加三乙胺0.18mL(0.0013摩尔)，在30℃～35℃的温度反应2.5小时。将分离出的二氯甲烷相进行酸清洗和水洗至无机盐类和胺类消失，之后除去二氯甲烷，得到聚碳酸酯共聚物(1)。聚碳酸酯共聚物(1)中，Z与BP的结构单元比以摩尔比计为75:25，粘均分子量为5万。

将N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-[1,1’]联苯-4,4’-二胺(TPD)25质量份、下述的结构式(A)所表示的化合物20质量份以及作为粘结性树脂的聚碳酸酯共聚物(1)55质量份添加到四氢呋喃560质量份和甲苯240质量份中进行溶解，得到电荷传输层用涂布液。将该涂布液涂布在电荷产生层上，在135℃进行45分钟的干燥，形成厚度22μm的电荷传输层。通过以上的处理得到了实施例1的感光体。

[化11]

[实施例2～17]

在底涂层的形成中，将紫环酮化合物的种类和添加量、或者金属氧化物颗粒的种类和添加量、或者底涂层的层厚按表1中的记载进行变更，除此以外与实施例1同样地制作感光体。

实施例2中使用的氧化铁颗粒的平均一次粒径为250nm(Corefront株式会社制造)。

实施例3中使用的氧化铜颗粒的平均一次粒径100nm(Japan-Ion株式会社制造)。

实施例4中使用的氧化镁颗粒的平均一次粒径为100nm(Ion-Ceramic株式会社制造)。

实施例5中使用的氧化钙颗粒的平均一次粒径为150nm(近江矿业株式会社制造)。

实施例6中使用的二氧化硅颗粒的平均一次粒径为200nm(Corefront株式会社制造)。

[实施例18]

除了将底涂层的形成中的粘结性树脂由聚氨酯变更为聚乙烯(PRIME POLYMER株式会社制NEO-ZEX)以外，与实施例1同样地制作感光体。

[比较例1～3]

除了在底涂层的形成中将紫环酮化合物变更为表1中记载的酰亚胺化合物以外，与实施例1同样地制作感光体。比较例1～3中使用的酰亚胺化合物(A)、酰亚胺化合物(B)或酰亚胺化合物(C)的化学结构如下所示。

[化12]

[比较例4]

除了在底涂层的形成中不使用金属氧化物颗粒以外，与实施例1同样地制作感光体。

[比较例5]

除了如表1中所记载变更底涂层的层厚以外，与实施例1同样地制作感光体。

[比较例6～9]

在底涂层的形成中，除了如表1中所记载将金属氧化物颗粒变更为其他颗粒以外，与实施例1同样地制作感光体。

比较例6中使用的氧化锌颗粒是将表面未处理的氧化锌颗粒(平均一次粒径70nm、TAYCA制MZ-150)利用硅烷偶联剂(3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、信越化学公司制造KBE-502)进行了表面处理的颗粒。

比较例7中使用的氧化钛颗粒的平均一次粒径为30nm(Fuji Titanium Industry制造TAF-1500J)。

比较例8中使用的氧化锡颗粒的平均一次粒径为20nm(Mitsubishi Materials制S1)。

比较例9中使用的铁颗粒的平均一次粒径为100nm(JFE钢株式会社制造)。

<感光体的性能评价>

将各实施例或各比较例的感光体安装于富士施乐株式会社制造的图像形成装置Docucentre-V C7775中，在温度为40℃且相对湿度为90％的环境下进行以下的性能评价。将评价结果列于表1。

[充电维持性]

将表面电位计(Trek公司制造，Trek 334)的表面电位探针设置在距感光体的表面1mm的位置。

将感光体的表面充电至-700V后，测定0.1秒后的电位降低量(暗衰减率)，将电位降低量分成下述4个等级。

A+：电位降低量小于20V。

A：电位降低量为20V以上且小于25V。

B：电位降低量为25V以上且小于50V。

C：电位降低量为50V以上。

[漏电流的发生抑制]

在碳纤维贯通感光层和底涂层达到导电性基体时，电流流通并产生点状的图像缺陷，利用该现象对漏电流发生的抑制进行评价。

在显影剂中混合相对于显影剂量为0.1质量％的碳纤维(平均径7μm、平均长120μm)，用A4纸连续输出3万张图像浓度为15％的黑色图像。目视观察第3万张的图像中有无点状的图像缺陷，将图像缺陷的程度分成下述等级A～C。

A+：点状的图像缺陷小于5个。

A：点状的图像缺陷为5个以上且小于10个。

B：点状的图像缺陷为10个以上且小于20个。

C：点状的图像缺陷为20个以上。

[反复成像时的残余电位]

将表面电位计(Trek公司制造，Trek 334)的表面电位探针设置在距感光体的表面1mm的位置。

将感光体的表面充电至-700V，测定除电后的残余电位。

在用A4纸输出8万张浓度20％的图像之前和之后进行上述的测定，由输出后的残余电位减去输出前的残余电位来计算出残余电位差，将输出前后的残余电位差分成下述等级A+～C。

A+：输出前后的残余电位差小于20V。

A：输出前后的残余电位差为20V以上且小于50V。

B：输出前后的残余电位差为50V以上且小于100V。

C：输出前后的残余电位差为100V以上。

[符号的说明]

1底涂层、2电荷产生层、3电荷传输层、4导电性基体、5感光层、7A电子照相感光体、7电子照相感光体、8充电装置、9曝光装置、11显影装置、13清洁装置、14润滑剂、40转印装置、50中间转印体、100图像形成装置、120图像形成装置、131清洁刮板、132纤维状部件(卷状)、133纤维状部件(平刷状)、300处理盒