阅读说明：本技术 磁头以及磁记录装置 (Magnetic head and magnetic recording apparatus ) 是由 永泽鹤美 成田直幸 首藤浩文 高岸雅幸 前田知幸 于 2019-09-10 设计创作，主要内容包括：提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式,磁头包括：屏蔽件；磁极；第1磁性层,其设置在屏蔽件与磁极之间；第2磁性层,其设置在第1磁性层与磁极之间；第3磁性层,其设置在第2磁性层与磁极之间；第1非磁性层,其设置在屏蔽件与第1磁性层之间；第2非磁性层,其设置在第1磁性层与第2磁性层之间；第3非磁性层,其设置在第2磁性层与第3磁性层之间；以及第4非磁性层,其设置在第3磁性层与磁极之间。第1非磁性层和第3非磁性层包含选自由Cu、Ag、Au、Al以及Ti构成的组中的至少一种。第2非磁性层和第4非磁性层包含选自由Ta、Pt、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh、Pd以及Ru构成的组中的至少一种。(A magnetic head and a magnetic recording apparatus capable of improving recording density are provided. According to an embodiment, a magnetic head includes: a shield; a magnetic pole; a 1 st magnetic layer disposed between the shield and the magnetic pole; a 2 nd magnetic layer disposed between the 1 st magnetic layer and the magnetic pole; a 3 rd magnetic layer disposed between the 2 nd magnetic layer and the magnetic pole; a 1 st nonmagnetic layer disposed between the shield and the 1 st magnetic layer; a 2 nd nonmagnetic layer disposed between the 1 st magnetic layer and the 2 nd magnetic layer; a 3 rd non-magnetic layer disposed between the 2 nd and 3 rd magnetic layers; and a 4 th non-magnetic layer disposed between the 3 rd magnetic layer and the magnetic pole. The 1 st and 3 rd nonmagnetic layers contain at least one selected from the group consisting of Cu, Ag, Au, Al, and Ti. The 2 nd and 4 th nonmagnetic layers contain at least one selected from the group consisting of Ta, Pt, Ir, W, Mo, Cr, Tb, Rh, Pd, and Ru.)

磁头以及磁记录装置

本申请以日本专利申请2019-043930(申请日2019年3月11日)为基础，根据该申请享受优先权。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及磁头以及磁记录装置。

背景技术

使用磁头来在HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)等磁记录介质记录信息。在磁头以及磁记录装置中希望提高记录密度。

发明内容

本发明的实施方式提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。

根据本发明的实施方式，磁头包括:屏蔽件；磁极；第1磁性层，其设置在所述屏蔽件与所述磁极之间；第2磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间；第3磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述磁极之间；第1非磁性层，其设置在所述屏蔽件与所述第1磁性层之间；第2非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；第3非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第3磁性层之间；以及第4非磁性层，其设置在所述第3磁性层与所述磁极之间。所述第1非磁性层以及所述第3非磁性层包含选自由Cu、Ag、Au、Al以及Ti构成的组中的至少一种。所述第2非磁性层以及所述第4非磁性层包含选自由Ta、Pt、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh、Pd以及Ru构成的组中的至少一种。所述第2非磁性层以及所述第4非磁性层各自的、沿着从所述屏蔽件朝向所述磁极的第1方向的厚度，为1nm以上且3nm以下。

根据上述构成，能够提供能提高记录密度的磁头以及磁记录装置。

附图说明

图1是对第1实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖视图。

图2是对第1实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖视图。

图3是对第2实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖视图。

图4是对第2实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖视图。

图5是对第3实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖视图。

图6是对第3实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖视图。

图7是对实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖视图。

图8是对实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖视图。

图9是对实施方式涉及的磁记录装置的一部分进行例示的示意性立体图。

图10是对实施方式涉及的磁记录装置进行例示的示意性立体图。

图11的(a)以及图11的(b)是对实施方式涉及的磁记录装置的一部分进行例示的示意性立体图。

标号说明

10D第1电路；10U电路部；11～13第1磁性层～第3磁性层；11M～13M第1磁性层磁化～第3磁性层磁化；20D第2电路；21～26第1非磁性层～第6非磁性层；21e导电层；30磁极；30D第3电路；30F介质对向面；30M磁极磁化；30c线圈；31屏蔽件；31M屏蔽件磁化；80磁记录介质；110、111、120、121、130、131、140、141磁头；150磁记录装置；154悬架；155臂；156音圈马达；157轴承部；158头万向架(gimbal)组件；159头滑块；159A空气流入侧；159B空气流出侧；160头堆叠组件(Head Stack Assembly)、161支承框架；162线圈；180记录用介质盘；180M主轴马达；181记录介质；190信号处理部；AR箭头；D1、D2第1方向、第2方向；I1、I2第1电流、第2电流；Iw记录电流；Je1、Je2第1电子流、第2电子流；SB层叠体；T1～T3第1端子～第3端子。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。

附图是示意性或者概念性的附图，各部分的厚度和宽度的关系、部分间的大小的比率等并不一定限于与现实的情况相同。即使是在表示相同的部分的情况下，有时也通过附图以彼此的尺寸、比率不同的方式来表示。

在本申请说明书和各图中，对与关于前面的附图已经描述过的要素同样的要素标记同一标号，适当省略详细的说明。

(第1实施方式)

图1是对第1实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖视图。

如图1所示，在实施方式中，磁记录装置150包括磁头110以及磁记录介质80。磁记录装置150例如也可以还包括记录电流电路(第3电路30D)。

磁头110包括屏蔽件31、磁极30、第1磁性层11～第3磁性层13以及第1非磁性层21～第4非磁性层24。在该例子中，磁头110还包括第5非磁性层25以及第6非磁性层26。

例如，磁头110包括线圈30c。线圈30c的至少一部分与磁极30相对向。例如，从记录电流电路(第3电路30D)向线圈30c供给记录电流Iw。由此，从磁极30产生与记录电流Iw相应的记录磁场。记录磁场被施加于磁记录介质80，磁记录介质80的磁化方向受到控制。由此，在磁记录介质80记录信息。

磁极30例如是主磁极。磁极30包括介质对向面30F。介质对向面30F沿着磁头110的ABS(Air Bearing Surface，空气支承面)。介质对向面30F与磁记录介质80相对向。

将与介质对向面30F垂直的方向作为Z轴方向。将与Z轴方向垂直的一个方向作为X轴方向。将与Z轴方向以及X轴方向垂直的方向作为Y轴方向。

Z轴方向例如是高度方向。X轴方向例如是沿磁道(down track)方向。Y轴方向是交叉磁道(cross track)方向。

屏蔽件31例如与“尾随屏蔽件(trailing shield)”对应。屏蔽件31例如是辅助磁极。屏蔽件31能够与磁极30一起形成磁芯。例如也可以设有侧屏蔽件(未图示)等的追加的屏蔽件。

在磁头110中，第1磁性层11设置在屏蔽件31与磁极30之间。第2磁性层12设置在第1磁性层11与磁极30之间。第3磁性层13设置在第2磁性层12与磁极30之间。

将从屏蔽件31朝向磁极30的方向作为第1方向D1。第1方向D1例如沿着X轴方向。

第1磁性层11例如包含选自由FeNi以及CoFe构成的组中的至少一种。第2磁性层12以及第3磁性层13例如包含FeCo合金等。关于这些磁性层的材料的例子，将在后面进行描述。

第1非磁性层21设置在屏蔽件31与第1磁性层11之间。第2非磁性层22设置在第1磁性层11与第2磁性层12之间。第3非磁性层23设置在第2磁性层12与第3磁性层13之间。第4非磁性层24设置在第3磁性层13与磁极30之间。第5非磁性层25设置在第1磁性层11与第2非磁性层22之间。第6非磁性层26设置在第2非磁性层22与第2磁性层12之间。第1磁性层11～第3磁性层13以及第1非磁性层21～第6非磁性层26包含于层叠体SB。

第1非磁性层21以及第3非磁性层23例如包含选自由Cu、Ag、Au、Al以及Ti构成的组中的至少一种。第1非磁性层21以及第3非磁性层23例如是使自旋(spin)透过的层。

第2非磁性层22以及第4非磁性层24例如包含选自由Ta、Pt、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh、Pd以及Ru构成的组中的至少一种。第2非磁性层22以及第4非磁性层24例如是消除(或者减弱)自旋的层。第2非磁性层22以及第4非磁性层各自的沿着第1方向D1的厚度例如为1nm以上且3nm以下。

第5非磁性层25以及第6非磁性层26例如包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti以及Ru构成的组中的至少一种。第5非磁性层25以及第6非磁性层26各自的沿着第1方向D1的厚度为1nm以上且3nm以下。也可以设置第5非磁性层25和第6非磁性层26中的至少任一个。通过这些非磁性层例如能抑制第1磁性层11中的阻尼(damping)的增加。通过这些非磁性层例如能抑制第2磁性层12中的阻尼的增加。例如，动作电流密度降低。例如，能得到长的寿命。

如图1所示，在磁头110中，能够流动第1电流I1。第1电流I1具有从屏蔽件31朝向磁极30的方向。第1电流I1具有从第1非磁性层21朝向第4非磁性层24的方向。例如从第1电路10D供给第1电流I1。例如，第1电路10D与屏蔽件31以及磁极30电连接。

在第1非磁性层21、第1磁性层11、第5非磁性层25、第2非磁性层22、第6非磁性层26、第2磁性层12、第3非磁性层23、第3磁性层13以及第4非磁性层24中，第1电流I1在从第1非磁性层21到第4非磁性层24的方向上流动。

通过第1电流I1，流动第1电子流Je1。第1电子流Je1在从磁极30朝向屏蔽件31的方向上流动。

磁极30具有磁极磁化30M。屏蔽件31具有屏蔽件磁化31M。第1磁性层11具有第1磁性层磁化11M。第2磁性层12具有第2磁性层磁化12M。第3磁性层13具有第3磁性层磁化13M。

通过第1电流I1(第1电子流Je1)，例如第1磁性层磁化11M相对于屏蔽件磁化31M以及磁极磁化30M而反转。由此，在磁极30所产生的记录磁场难以通过层叠体SB。能够降低屏蔽件31与磁极30之间的磁场(间隙磁场)。

由此，记录磁场的多数部分朝向磁记录介质80。记录磁场被高效地施加于磁记录介质80。第1磁性层11例如作为MFCL(Magnetic Field Control Layer，磁场控制层)发挥功能。

另一方面，通过第1电流I1(第1电子流Je1)以及间隙磁场，自旋被从第3磁性层13注入到第2磁性层12，第2磁性层磁化12M旋转。第3磁性层13例如作为自旋注入层发挥功能。第2磁性层12例如作为振荡层发挥功能。包括第2磁性层12、第3非磁性层23以及第3磁性层13的层叠体例如作为STO(Spin Torque Oscillator，自旋转矩振荡器)发挥功能。例如，在第2磁性层12和第3磁性层13中相互提供自旋转矩。例如当增加电流时，第3磁性层13的第3磁性层磁化13M先反转，然后，第2磁性层12的第2磁性层磁化12M开始振荡。当第2磁性层磁化12M开始振荡时，边朝向第3磁性层磁化13M的反转方向边进行振荡。例如，第2磁性层磁化12M向间隙磁场方向倾斜，实质上在面内进行振荡。

从STO产生高频磁场，该高频磁场被施加于磁记录介质80。在磁记录介质80中，在被施加了高频的部分，磁化的方向容易变化。能够容易控制磁记录介质80的磁化方向。

在实施方式中，通过设置第1磁性层11，能够不降低记录磁场地降低间隙磁场。由此，例如能够在低的电流密度下，通过自旋转矩使第2磁性层磁化12M旋转。由此，例如能够提高记录特性。例如，能够提高记录密度。例如，容易得到高的可靠性。在实施方式中，能够提供能提高记录密度的磁头以及磁记录装置。

例如，通过第1磁性层11，能控制施加于STO的间隙磁场。例如，记录磁场和施加于STO的间隙磁场可以独立地进行设计。由此，例如容易调整STO的振荡频率。

图2是对第1实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖视图。

如图2所示，在实施方式中，磁记录装置150包括磁头111以及磁记录介质80。磁头111包括屏蔽件31、磁极30、第1磁性层11～第3磁性层13以及第1非磁性层21～第4非磁性层24。在该例子中，磁头111还包括第5非磁性层25以及第6非磁性层26。

在磁头111中，第1磁性层11设置在屏蔽件31与磁极30之间。第2磁性层12设置在屏蔽件31与第1磁性层11之间。第3磁性层13设置在屏蔽件31与第2磁性层12之间。

第1非磁性层21设置在第1磁性层11与磁极30之间。第2非磁性层22设置在第2磁性层12与第1非磁性层21之间。第3非磁性层23设置在第3磁性层13与第2非磁性层22之间。第4非磁性层24设置在屏蔽件31与第3磁性层13之间。第5非磁性层25设置在第2非磁性层22与第1磁性层11之间。第6非磁性层26设置在第2磁性层12与第2非磁性层22之间。

在该情况下，第1非磁性层21以及第3非磁性层23也包含选自由Cu、Ag、Au、Al以及Ti构成的组中的至少一种。第2非磁性层22以及第4非磁性层24包括选自由Ta、Pt、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh、Pd以及Ru构成的组中的至少一种。第2非磁性层22以及第4非磁性层24各自的沿着第1方向D1(从屏蔽件31朝向磁极30的方向)的厚度为1nm以上且3nm以下。第5非磁性层25以及第6非磁性层26包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti以及Ru构成的组中的至少一种。第5非磁性层25以及第6非磁性层26各自的沿着第1方向D1的厚度为1nm以上且3nm以下。也可以设有第5非磁性层25和第6非磁性层26中的至少任一个。例如，能抑制第1磁性层11中的阻尼的增加。例如，能抑制第2磁性层12中的阻尼的增加。例如，动作电流密度降低。例如，能得到长的寿命。

如图2所示，在磁头111中流动从磁极30朝向屏蔽件31的第1电流I1。第1电流I1具有从第1非磁性层21朝向第4非磁性层24的方向。第1电子流Je1具有从屏蔽件31朝向磁极30的方向。从第1电路10D供给第1电流I1。

在磁头111中，也能不使记录磁场降低地降低间隙磁场。例如，能够在低的电流密度下，通过自旋转矩使第2磁性层磁化12M旋转。例如，能够提高记录特性。能够提高记录密度。例如，容易得到高的可靠性。能够提供能提高记录密度的磁头以及磁记录装置。例如，STO的振荡频率的调整变得容易。

在磁头110以及111中，例如第1磁性层11与第1非磁性层21以及第5非磁性层25相接。第2非磁性层22与第5非磁性层25以及第6非磁性层26相接。第2磁性层12与第6非磁性层26以及第3非磁性层23相接。第3磁性层13与第3非磁性层23以及第4非磁性层24相接。

在磁头110以及111中，例如第2磁性层12的厚度(沿着第1方向D1的厚度)与第2磁性层12的第2饱和磁通密度之积，大于第3磁性层的厚度(沿着第1方向D1的厚度)与第3磁性层13的第3饱和磁通密度之积。由此，容易在第2磁性层12中进行振荡。例如，第2磁性层12的体积与第2磁性层12的第2饱和磁通密度之积，大于第3磁性层13的体积与第3磁性层13的第3饱和磁通密度之积。例如，第3磁性层13的厚度比第2磁性层12的厚度薄。由此，例如能在第2磁性层12以及第3磁性层13中得到稳定的振荡。

(第2实施方式)

图3是对第2实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖视图。

如图3所示，在实施方式中，磁记录装置150包括磁头120、磁记录介质80以及电路部10U。磁记录装置150例如还可以包括记录电流电路(第3电路30D)。

磁头120包括屏蔽件31、磁极30、第1磁性层11～第3磁性层13以及第1非磁性层21～第4非磁性层24。在该例子中，磁头120还包括第5非磁性层25以及第6非磁性层26。

第1磁性层11设置在屏蔽件31与磁极30之间。第2磁性层12设置在第1磁性层11与磁极30之间。第3磁性层13设置在第2磁性层12与磁极30之间。

第1非磁性层21设置在屏蔽件31与第1磁性层11之间。第2非磁性层22设置在第1磁性层11与第2磁性层12之间。第3非磁性层23设置在第2磁性层12与第3磁性层13之间。第4非磁性层24设置在第3磁性层13与磁极30之间。第5非磁性层25设置在第1磁性层11与第2非磁性层22之间。第6非磁性层26设置在第2非磁性层22与第2磁性层12之间。

电路部10U包括第1电路10D以及第2电路20D。第1电路10D能够供给第1电流I1。第1电流I1具有从屏蔽件31朝向第2非磁性层22的方向。第1电流I1具有从第1非磁性层21朝向第2非磁性层22的方向。第2电路20D能够供给第2电流I2。第2电流I2具有从第2非磁性层22朝向磁极30的方向。第2电流I2具有从第2非磁性层22朝向第4非磁性层24的方向。基于第1电流I1的第1电子流Je1的方向与第1电流I1的方向相反。基于第2电流I2的第2电子流Je2的方向与第2电流I2的方向相反。

例如，磁头120包括第1端子T1～第3端子T3。第1端子T1与屏蔽件31电连接。第2端子T2与磁极30电连接。第3端子T3与第2非磁性层22电连接。

第1电路10D的一端与第1端子T1电连接。第1电路10D的另一端与第3端子T3电连接。第2电路20D的一端与第2端子T2电连接。第2电路20D的另一端与第3端子T3电连接。

通过第1电流I1，第1磁性层11的第1磁性层磁化11M相对于屏蔽件磁化31M以及磁极磁化30M而反转。通过第2电流I2，第2磁性层磁化12M旋转。第2磁性层12进行振荡。

电路部10U能够相互独立地控制第1电流I1和第2电流I2。由此，能够通过第1电流I1降低间隙磁场，并且通过第2电流I2容易地调整STO的振荡频率。由此，能够容易提高记录密度。例如，能够提供能提高记录密度的磁头以及磁记录装置。

例如，起因于制造工艺的变动等，STO的振荡频率有时会变动。在这样的情况下，通过独立地控制第1电流I1以及第2电流I2，振荡频率的调整变得容易。

在磁头120中，第1非磁性层21以及第3非磁性层23例如包含选自由Cu、Ag、Au、Al以及Ti构成的组中的至少一种。第2非磁性层22以及第4非磁性层24例如包含选自由Ta、Pt、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh、Pd以及Ru构成的组中的至少一种。第2非磁性层22以及第4非磁性层24各自的、沿着第1方向D1(从屏蔽件31朝向磁极30的方向)的厚度，为1nm以上且3nm以下。第5非磁性层25以及第6非磁性层26例如包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti以及Ru构成的组中的至少一种。第5非磁性层25以及第6非磁性层26各自的、沿着第1方向D1的厚度，为1nm以上且3nm以下。也可以设置第5非磁性层25和第6非磁性层26中的至少任一个。例如，能抑制第1磁性层11中的阻尼的增加。例如，能抑制第2磁性层12中的阻尼的增加。例如，动作电流密度降低。例如，能得到长的寿命。

在磁头120中，例如第1磁性层11与第1非磁性层21以及第5非磁性层25相接。第2非磁性层22与第5非磁性层25以及第6非磁性层26相接。第2磁性层12与第6非磁性层26以及第3非磁性层23相接。第3磁性层13与第3非磁性层23以及第4非磁性层24相接。

图4是对第2实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖视图。

如图4所示，在实施方式中，磁记录装置150包括磁头121、磁记录介质80以及电路部10U。磁记录装置150例如也可以还包括记录电流电路(第3电路30D)。

磁头121包括屏蔽件31、磁极30、第1磁性层11～第3磁性层13以及第1非磁性层21～第4非磁性层24。在该例子中，磁头120还包括第5非磁性层25以及第6非磁性层26。

在磁头121中，第1磁性层11设置在屏蔽件31与磁极30之间。第2磁性层12设置在第1磁性层11与磁极30之间。第3磁性层13设置在第1磁性层11与第2磁性层12之间。

第1非磁性层21设置在屏蔽件31与第1磁性层11之间。第2非磁性层22设置在第1磁性层11与第3磁性层13之间。第3非磁性层23设置在第3磁性层13与第2磁性层12之间。第4非磁性层24设置在第2磁性层12与磁极30之间。第5非磁性层25设置在第1磁性层11与第2非磁性层22之间。第6非磁性层26设置在第2非磁性层22与第3磁性层13之间。

在该例子中，电路部10U也包括能够供给第1电流I1的第1电路10D以及能够供给第2电流I2的第2电路20D。第1电流I1具有从第1非磁性层21朝向第2非磁性层22的方向。第2电流I2具有从第4非磁性层24朝向第2非磁性层22的方向。电路部10U能够相互独立地控制第1电流I1和第2电流I2。

例如，能够通过第1电流I1降低间隙磁场，并且通过第2电流I2容易地调整STO的振荡频率。能够容易提高记录密度。例如，能够提供能提高记录密度的磁头以及磁记录装置。振荡频率的调整变得容易。

在磁头121中，第1非磁性层21以及第3非磁性层23例如包含选自由Cu、Ag、Au、Al以及Ti构成的组中的至少一种。第2非磁性层22以及第4非磁性层24包含选自由Ta、Pt、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh、Pd以及Ru构成的组中的至少一种。第2非磁性层22以及第4非磁性层24各自的厚度(沿着从屏蔽件31朝向磁极30的方向的厚度)为1nm以上且3nm以下。第5非磁性层25以及第6非磁性层包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti以及Ru构成的组中的至少一种。第5非磁性层25以及第6非磁性层26各自的厚度(沿着第1方向D1的厚度)为1nm以上且3nm以下。也可以设置第5非磁性层25和第6非磁性层26中的至少任一个。例如，能抑制第1磁性层11中的阻尼的增加。例如，能抑制第2磁性层12中的阻尼的增加。例如，动作电流密度降低。例如，能得到长的寿命。

在磁头121中，例如第1磁性层11与第1非磁性层21以及第5非磁性层25相接。第2非磁性层22与第5非磁性层25以及第6非磁性层26相接。第3磁性层13与第6非磁性层26以及第3非磁性层23相接。第2磁性层12与第3非磁性层23以及第4非磁性层24相接。

在磁头120以及121中，例如第2磁性层12的厚度(沿着第1方向D1的厚度)与第2磁性层12的第2饱和磁通密度之积，比第3磁性层的厚度(沿着第1方向D1的厚度)与第3磁性层13的第3饱和磁通密度之积大。由此，容易在第2磁性层12中进行振荡。例如，第2磁性层12的体积与第2磁性层12的第2饱和磁通密度之积，比第3磁性层13的体积与第3磁性层13的第3饱和磁通密度之积大。例如，第3磁性层13的厚度比第2磁性层12的厚度薄。由此，例如能在第2磁性层12以及第3磁性层13中得到稳定的振荡。

(第3实施方式)

图5是对第3实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖视图。

如图5所示，在实施方式中，磁记录装置150包括磁头130、磁记录介质80以及电路部10U。磁记录装置150例如也可以还包括记录电流电路(第3电路30D)。

磁头130包括屏蔽件31、磁极30、第1磁性层11～第3磁性层13以及第1非磁性层21～第4非磁性层24。在该例子中，磁头130还包括第5非磁性层25以及第6非磁性层26。

磁极30包括介质对向面30F。从屏蔽件31朝向磁极30的第1方向D1沿着介质对向面30F。介质对向面30F例如沿着X－Y平面。

第1磁性层11在第1方向D1上的位置位于屏蔽件31在第1方向D1上的位置与磁极30在第1方向D1上的位置之间。

第2磁性层12设置在屏蔽件31与磁极30之间。将与介质对向面30F交叉的方向作为第2方向D2。第2方向D2例如沿着Z轴方向。第2磁性层12在第2方向D2上的位置，位于包含介质对向面30F的平面(沿着X－Y平面的平面)在第2方向D2上的位置与第1磁性层11在第2方向D2上的位置之间。

第3磁性层13设置在第2磁性层12与磁极30之间。

在第1磁性层11与磁极30之间设置第1非磁性层21。第2非磁性层22设置在屏蔽件31与第2磁性层12之间。第3非磁性层23设置在第2磁性层12与第3磁性层13之间。第4非磁性层24设置在第3磁性层13与磁极30之间。在第5非磁性层25与第1非磁性层21之间设置第1磁性层11。第6非磁性层26设置在第2非磁性层22与第2磁性层12之间。

在磁头130中，第1磁性层11与包括第2磁性层12以及第3磁性层13的层叠体分别地设置。在第1磁性层11中流动的第1电流I1和在包括第2磁性层12以及第3磁性层13的层叠体中流动的第2电流I2能够相互独立地进行控制。

在磁头130中，通过在第1磁性层11中流动的第1电流I1，第1磁性层磁化11M相对于屏蔽件磁化31M以及磁极磁化30M的方向而反转。间隙磁场会增大。

例如，能够通过第1电流I1增大间隙磁场，并且通过在包括第2磁性层12以及第3磁性层13的层叠体中流动的第2电流I2容易地调整STO的振荡频率。能够容易提高记录密度。例如，能够提供能提高记录密度的磁头以及磁记录装置。振荡频率的调整变得容易。

包括磁头130的磁记录装置150也可以包括电路部10U。电路部10U包括能够供给第1电流I1的第1电路10D和能够供给第2电流I2的第2电路20D。第1电流I1具有从第1磁性层11朝向第1非磁性层21的方向。第1电流I1具有从磁极30朝向第1非磁性层21的方向。第2电流I2具有从第2非磁性层22朝向第4非磁性层24的方向。第2电流I2具有从屏蔽件31朝向磁极30的方向。电路部10U能够相互独立地控制第1电流I1和第2电流I2。

在该例子中，设置有导电层21e，在导电层21e与第1非磁性层21之间具有第1磁性层11。

例如，磁头130包括第1端子T1～第3端子T3。第1端子T1与屏蔽件31电连接。第2端子T2与磁极30电连接。第3端子T3与导电层21e电连接。

第2电路20D的一端与第1端子T1电连接。第2电路20D的另一端与第3端子T3电连接。第1电路10D的一端与第2端子T2电连接。第1电路10D的另一端与第3端子T3电连接。

在磁头130中，第1非磁性层21以及第3非磁性层23例如包含选自由Cu、Ag、Au、Al以及Ti构成的组中的至少一种。第2非磁性层22以及第4非磁性层包含选自由Ta、Pt、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh、Pd以及Ru构成的组中的至少一种。第2非磁性层22以及第4非磁性层24各自的沿着第1方向D1(从屏蔽件31朝向磁极30的方向)的厚度为1nm以上且3nm以下。第5非磁性层25以及第6非磁性层26包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti以及Ru构成的组中的至少一种。第5非磁性层25以及第6非磁性层26各自的沿着第1方向D1的厚度为1nm以上且3nm以下。也可以设置第5非磁性层25和第6非磁性层26中的至少任一个。例如，能抑制第1磁性层11中的阻尼的增加。例如，能抑制第2磁性层12中的阻尼的增加。例如，动作电流密度降低。例如，能得到长的寿命。

在磁头130中，例如第1磁性层11与第1非磁性层21以及第5非磁性层25相接。第6非磁性层26与第2非磁性层22以及第2磁性层12相接。第2磁性层12与第6非磁性层26以及第3非磁性层23相接。第3磁性层13与第3非磁性层23以及第4非磁性层24相接。

图6是对第3实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖视图。

如图6所示，在实施方式中，磁记录装置150包括磁头131、磁记录介质80以及电路部10U。磁记录装置150例如也可以还包括记录电流电路(第3电路30D)。

磁头131包括屏蔽件31、磁极30、第1磁性层11～第3磁性层13以及第1非磁性层21～第4非磁性层24。在该例子中，磁头131还包括第5非磁性层25以及第6非磁性层26。

从屏蔽件31朝向磁极30的第1方向D1沿着磁极30的介质对向面30F。第1磁性层11在第1方向D1上的位置位于屏蔽件31在第1方向D1上的位置与磁极30在第1方向D1上的位置之间。

第2磁性层12设置在屏蔽件31与磁极30之间。与介质对向面30F交叉的第2方向D2上的第2磁性层12的位置，位于包含介质对向面30F的平面在第2方向D2上的位置与第1磁性层11在第2方向D2上的位置之间。

第3磁性层13设置在屏蔽件31与第2磁性层12之间。

在第1磁性层11与磁极30之间设置第1非磁性层21。第2非磁性层22设置在第2磁性层12与磁极30之间。第3非磁性层23设置在第3磁性层13与第2磁性层12之间。第4非磁性层24设置在屏蔽件31与第3磁性层13之间。在第5非磁性层25与第1非磁性层21之间设置第1磁性层11。第6非磁性层26设置在第2非磁性层22与第2磁性层12之间。

在磁头131中，第1磁性层11也与包括第2磁性层12以及第3磁性层13的层叠体分别地设置。在第1磁性层11中流动的第1电流I1和在包括第2磁性层12以及第3磁性层13的层叠体中流动的第2电流I2能够相互独立地进行控制。第1电流I1具有从第1磁性层11朝向第1非磁性层21的方向。第2电流I2具有从第2非磁性层22朝向第4非磁性层24的方向。

在磁头131中，通过在第1磁性层11中流动的第1电流I1，第1磁性层磁化11M相对于屏蔽件磁化31M以及磁极磁化30M的方向而反转。间隙磁场增大。

例如，能够通过第1电流I1增大间隙磁场，并且通过在包括第2磁性层12以及第3磁性层13的层叠体中流动的第2电流I2容易地调整STO的振荡频率。能够容易提高记录密度。例如，能够提供能提高记录密度的磁头以及磁记录装置。振荡频率的调整变得容易。

例如，磁头131包括第1端子T1～第3端子T3。第3端子T3与导电层21e电连接。第2电路20D与第1端子T1以及第3端子T3电连接。第1电路10D与第2端子T2以及第3端子T3电连接。

在磁头131中，第1非磁性层21以及第3非磁性层23例如包含选自由Cu、Ag、Au、Al以及Ti构成的组中的至少一种。第2非磁性层22以及第4非磁性层24包含选自由Ta、Pt、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh、Pd以及Ru构成的组中的至少一种。第2非磁性层22以及第4非磁性层24各自的、沿着第1方向D1的厚度，为1nm以上且3nm以下。第5非磁性层25以及第6非磁性层26包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti以及Ru构成的组中的至少一种。第5非磁性层25以及第6非磁性层26各自的、沿着第1方向D1的厚度，为1nm以上且3nm以下。也可以设置第5非磁性层25和第6非磁性层26中的至少任一个。例如，能抑制第1磁性层11中的阻尼的增加。例如，能抑制第2磁性层12中的阻尼的增加。例如，动作电流密度降低。例如，能得到长的寿命。

在磁头131中，例如第1磁性层11与第1非磁性层21以及第5非磁性层25相接。第3磁性层13与第4非磁性层24以及第3非磁性层23相接。第2磁性层12与第3非磁性层23以及第6非磁性层26相接。第6非磁性层26与第2磁性层12以及第2非磁性层22相接。

在磁头130以及131中，例如第2磁性层12的厚度(沿着第1方向D1的厚度)与第2磁性层12的第2饱和磁通密度之积，比第3磁性层13的厚度(沿着第1方向D1的厚度)与第3磁性层13的第3饱和磁通密度之积大。由此，容易在第2磁性层12中进行振荡。例如，第2磁性层12的体积与第2磁性层12的第2饱和磁通密度之积，比第3磁性层13的体积与第3磁性层13的第3饱和磁通密度之积大。例如，第3磁性层13的厚度比第2磁性层12的厚度薄。由此，例如能在第2磁性层12以及第3磁性层13中得到稳定的振荡。

在磁头130中，第2磁性层12与第1磁性层11之间的沿着第2方向D2的距离，例如为第1磁性层11的沿着第2方向D2的长度的1/2以上。在磁头131中，第3磁性层13与第1磁性层11之间的沿着第2方向D2的距离，例如为第1磁性层11的沿着第2方向D2的长度的1/2以上。

图7以及图8是对实施方式涉及的磁头以及磁记录装置进行例示的示意性剖视图。

如图7所例示的磁头140那样，在磁头110的构成中，层叠体SB的层叠方向(第1方向D1)也可以相对于包含介质对向面30F的平面(例如X－Y平面)倾斜。如图8所例示的磁头141那样，在磁头111的构成中，层叠体SB的层叠方向也可以相对于包含介质对向面30F的平面(例如X－Y平面)倾斜。在磁头141中，第2磁性层12的体积容易大于第3磁性层13的体积。

这样的层叠方向(第1方向D1)的倾斜也可以应用于第1实施方式～第3实施方式涉及的任意的磁记录头。

在实施方式中，磁极30例如包含FeCo合金或者FeCoNi合金等。

屏蔽件31例如包含FeCo合金或者FeCoNi合金等。

第2磁性层12和第3磁性层13中的至少任一个例如包含FeCo合金、赫斯勒(Heusler)合金、[Fe/Co]人工晶格、[FeCoNi/Ni]人工晶格以及[Co/Pt]人工晶格中至少任一个。第1磁性层11和第2磁性层12中的至少任一个也可以包括层叠膜，所述层叠膜包括FeCo合金膜、赫斯勒合金膜、[Fe/Co]人工晶格膜、[FeCoNi/Ni]人工晶格膜以及[Co/Pt]人工晶格膜中的至少两个。

磁记录介质80例如包含CoCrPt－SiO₂颗粒膜。

实施方式涉及的磁头也可以对磁记录介质80进行瓦写入记录或者交错(interlace)记录。能够进一步提高记录密度。

以下，对本实施方式涉及的磁记录装置的例子进行说明。

图9是对实施方式涉及的磁记录装置的一部分进行例示的示意性立体图。

图9例示出了头滑块。

磁头110设置在头滑块159。头滑块159例如包含Al₂O₃/TiC等。头滑块159一边在磁记录介质上悬浮或者接触，一边相对于磁记录介质而相对地运动。

头滑块159例如具有空气流入侧159A以及空气流出侧159B。磁头110配置在头滑块159的空气流出侧159B的侧面等。由此，磁头110一边在磁记录介质上悬浮或者接触，一边相对于磁记录介质而相对地运动。

图10是对实施方式涉及的磁记录装置进行例示的示意性立体图。

如图10所示，在实施方式涉及的磁记录装置150中使用旋转致动器。记录用介质盘180设置于主轴马达180M。记录用介质盘180通过主轴马达180M来按箭头AR的方向旋转。主轴马达180M对来自驱动装置控制部的控制信号进行响应。本实施方式涉及的磁记录装置150也可以包括多个记录用介质盘180。磁记录装置150也可以包括记录介质181。记录介质181例如是SSD(Solid State Drive，固态驱动器)。在记录介质181例如使用闪速存储器等的非易失性存储器。例如，磁记录装置150也可以是混合HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)。

头滑块159进行记录于记录用介质盘180的信息的记录以及再现。头滑块159设置在薄膜状的悬架154的前端。在头滑块159的前端附近设置实施方式涉及的磁头。

当记录用介质盘180旋转时，通过悬架154获得的按压压力与在头滑块159的介质对向面(ABS)产生的压力平衡。头滑块159的介质对向面与记录用介质盘180的表面之间的距离成为预定悬浮量。在实施方式中，头滑块159也可以与记录用介质盘180接触。例如，也可以应用接触移动(走行)式。

悬架154与臂155(例如致动器臂)的一端连接。臂155例如具有线轴(bobbin)部等。线轴部保持驱动线圈。在臂155的另一端设置音圈马达156。音圈马达156是线性马达的一种。音圈马达156例如包括驱动线圈以及磁回路。驱动线圈卷绕于臂155的线轴部。磁回路包括永磁体以及对向轭。在永磁体与对向轭之间设置驱动线圈。悬架154具有一端和另一端。磁头设置在悬架154的一端。臂155与悬架154的另一端连接。

臂155由滚珠轴承保持。滚珠轴承设置在轴承部157上下的两处。臂155能够通过音圈马达156来旋转以及滑动。磁头能够移动到记录用介质盘180的任意位置。

图11的(a)以及图11的(b)是对实施方式涉及的磁记录装置的一部分进行例示的示意性立体图。

图11的(a)对磁记录装置的一部分的构成进行例示，是头堆叠组件160的放大立体图。图11的(b)是对成为头堆叠组件160的一部分的磁头组件(头万向架组件：HGA)158进行例示的立体图。

如图11的(a)所示，头堆叠组件160包括轴承部157、头万向架组件158以及支承框架161。头万向架组件158从轴承部157延伸。支承框架161从轴承部157延伸。支承框架161延伸的方向与头万向架组件158延伸的方向相反。支承框架161支承音圈马达156的线圈162。

如图11的(b)所示，头万向架组件158具有从轴承部157延伸的臂155和从臂155延伸的悬架154。

在悬架154的前端设置头滑块159。在头滑块159设置实施方式涉及的磁头。

实施方式涉及的磁头组件(头万向架组件)158包括实施方式涉及的磁头、设置了磁头的头滑块159、悬架154以及臂155。头滑块159设置在悬架154的一端。臂155与悬架154的另一端连接。

悬架154例如具有信号的记录以及再现用的引线(未图示)。悬架154例如也可以具有用于调整悬浮量的加热器用的引线(未图示)。悬架154例如也可以具有用于自旋转矩振荡器用等的引线(未图示)。这些引线与设置在磁头的多个电极电连接。

在磁记录装置150中，设置信号处理部190。信号处理部190使用磁头进行对于磁记录介质的信号的记录以及再现。例如通过信号处理部190的输入输出线与头万向架组件158的电极焊盘连接，信号处理部190与磁头电连接。

本实施方式涉及的磁记录装置150包括磁记录介质、实施方式涉及的磁头、可动部、位置控制部以及信号处理部。可动部能够使磁记录介质与磁头在分离或者接触的状态下相对地进行移动。位置控制部使磁头位置对合于磁记录介质的预定记录位置。信号处理部进行：使用了磁头的、对于磁记录介质的信号的记录以及再现。

例如，作为上述的磁记录介质，使用记录用介质盘180。上述的可动部例如包括头滑块159。上述的位置控制部例如包括头万向架组件158。

本实施方式涉及的磁记录装置150包括磁记录介质、实施方式涉及的磁头组件、使用设置在磁头组件的磁头进行对于磁记录介质的信号的记录以及再现的信号处理部。

实施方式也可以包括以下构成(例如技术方案)。

(构成1)

一种磁头，具备：

屏蔽件；

磁极；

第1磁性层，其设置在所述屏蔽件与所述磁极之间；

第2磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间；

第3磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述磁极之间；

第1非磁性层，其设置在所述屏蔽件与所述第1磁性层之间；

第2非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；

第3非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第3磁性层之间；以及

第4非磁性层，其设置在所述第3磁性层与所述磁极之间，

所述第1非磁性层以及所述第3非磁性层包含选自由Cu、Ag、Au、Al以及Ti构成的组中的至少一种，

所述第2非磁性层以及所述第4非磁性层包含选自由Ta、Pt、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh、Pd以及Ru构成的组中的至少一种，

所述第2非磁性层以及所述第4非磁性层各自的、沿着从所述屏蔽件朝向所述磁极的第1方向的厚度，为1nm以上且3nm以下。

(构成2)

根据构成1所述的磁头，流动具有从所述第1非磁性层朝向所述第4非磁性层的方向的第1电流。

(构成3)

一种磁头，具备：

屏蔽件；

磁极；

第1磁性层，其设置在所述屏蔽件与所述磁极之间；

第2磁性层，其设置在所述屏蔽件与所述第1磁性层之间；

第3磁性层，其设置在所述屏蔽件与所述第2磁性层之间；

第1非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间；

第2非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第1非磁性层之间；

第3非磁性层，其设置在所述第3磁性层与所述第2非磁性层之间；以及

第4非磁性层，其设置在所述屏蔽件与所述第3磁性层之间，

所述第1非磁性层以及所述第3非磁性层包含选自由Cu、Ag、Au、Al以及Ti构成的组中的至少一种，

所述第2非磁性层以及所述第4非磁性层包含选自由Ta、Pt、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh、Pd以及Ru构成的组中的至少一种，

所述第2非磁性层以及所述第4非磁性层各自的、沿着从所述屏蔽件朝向所述磁极的第1方向的厚度，为1nm以上且3nm以下。

(构成4)

根据构成3所述的磁头，流动具有从所述第1非磁性层朝向所述第4非磁性层的方向的第1电流。

(构成5)

根据构成1～4中任一项所述的磁头，还具备：

第5非磁性层，其设置在所述第2非磁性层与所述第1磁性层之间；和

第6非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第2非磁性层之间，所述第5非磁性层以及所述第6非磁性层包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti以及Ru构成的组中的至少一种，

所述第5非磁性层以及所述第6非磁性层各自的、沿着所述第1方向的厚度，为1nm以上且3nm以下。

(构成6)

一种磁头，具备：

屏蔽件；

磁极，所述磁极包括介质对向面，从所述屏蔽件朝向所述磁极的第1方向沿着所述介质对向面；

第1磁性层，所述第1磁性层在所述第1方向上的位置位于所述屏蔽件在所述第1方向上的位置与所述磁极在所述第1方向上的位置之间；

第2磁性层，其设置在所述屏蔽件与所述磁极之间，所述第2磁性层在与所述介质对向面交叉的第2方向上的位置，位于包含所述介质对向面的平面在所述第2方向上的位置与所述第1磁性层在所述第2方向上的位置之间；

第3磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述磁极之间；

第1非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间；

第2非磁性层，其设置在所述屏蔽件与所述第2磁性层之间；

第3非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第3磁性层之间；

第4非磁性层，其设置在所述第3磁性层与所述磁极之间；

第5非磁性层，在所述第5非磁性层与所述第1非磁性层之间设置有所述第1磁性层；以及

第6非磁性层，其设置在所述第2非磁性层与所述第2磁性层之间。

(构成7)

一种磁头，具备：

屏蔽件；

磁极，所述磁极包含介质对向面，从所述屏蔽件朝向所述磁极的第1方向沿着所述介质对向面；

第1磁性层，所述第1磁性层在所述第1方向上的位置位于所述屏蔽件在所述第1方向上的位置与所述磁极在所述第1方向上的位置之间；

第2磁性层，其设置在所述屏蔽件与所述磁极之间，所述第2磁性层在与所述介质对向面交叉的第2方向上的位置，位于包含所述介质对向面的平面在所述第2方向上的位置与所述第1磁性层在所述第2方向上的位置之间；

第3磁性层，其设置在所述屏蔽件与所述第2磁性层之间；

第1非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间；

第2非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述磁极之间；

第3非磁性层，其设置在所述第3磁性层与所述第2磁性层之间；

第4非磁性层，其设置在所述屏蔽件与所述第3磁性层之间；

第5非磁性层，在所述第5非磁性层与所述第1非磁性层之间设置有所述第1磁性层；以及

第6非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第2非磁性层之间。

(构成8)

根据构成6或者7所述的磁头，

所述第1非磁性层以及所述第3非磁性层包含选自由Cu、Ag、Au、Al以及Ti构成的组中的至少一种，

所述第2非磁性层以及所述第4非磁性层包含选自由Ta、Pt、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh、Pd以及Ru构成的组中的至少一种，

所述第2非磁性层以及所述第4非磁性层各自的、沿着从所述屏蔽件朝向所述磁极的第1方向的厚度，为1nm以上且3nm以下，

所述第5非磁性层以及所述第6非磁性层包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti以及Ru构成的组中的至少一种，

所述第5非磁性层以及所述第6非磁性层各自的、沿着所述第1方向的厚度，为1nm以上且3nm以下。

(构成9)

根据构成1～8中任一项所述的磁头，所述第2磁性层的沿着所述第1方向的第2厚度与所述第2磁性层的第2饱和磁通密度之积，比所述第3磁性层的沿着所述第1方向的第3厚度与所述第3磁性层的第3饱和磁通密度之积大。

(构成10)

根据构成1～9中任一项所述的磁头，所述第2磁性层的体积与所述第2磁性层的第2饱和磁通密度之积，比所述第3磁性层的体积与所述第3磁性层的第3饱和磁通密度之积大。

(构成11)

一种磁记录装置，具备：

构成6～8中任一项所述的磁头；和

电路部，

所述电路部包括：

第1电路，其能够供给具有从所述第1磁性层朝向所述第1非磁性层的方向的第1电流；和

第2电路，其能够供给具有从所述第2非磁性层朝向所述第4非磁性层的方向的第2电流，

所述电路部能够相互独立地控制所述第1电流和所述第2电流。

(构成12)

一种磁记录装置，具备：

屏蔽件；

磁极；

第1磁性层，其设置在所述屏蔽件与所述磁极之间；

第2磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间；

第3磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述磁极之间；

第1非磁性层，其设置在所述屏蔽件与所述第1磁性层之间；

第2非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；

第3非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第3磁性层之间；

第4非磁性层，其设置在所述第3磁性层与所述磁极之间；以及

电路部，其包括第1电路和第2电路，所述第1电路能够供给具有从所述第1非磁性层朝向所述第2非磁性层的方向的第1电流，所述第2电路能够供给具有从所述第2非磁性层朝向所述第4非磁性层的方向的第2电流，

所述电路部能够相互独立地控制所述第1电流和所述第2电流。

(构成13)

根据构成12所述的磁记录装置，还具备：

第5非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2非磁性层之间；和

第6非磁性层，其设置在所述第2非磁性层与所述第2磁性层之间，

所述第5非磁性层以及所述第6非磁性层包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti以及Ru构成的组中的至少一种，

所述第5非磁性层以及所述第6非磁性层各自的、沿着所述第1方向的厚度，为1nm以上且3nm以下。

(构成14)

一种磁记录装置，具备：

屏蔽件；

磁极；

第1磁性层，其设置在所述屏蔽件与所述磁极之间；

第2磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间；

第3磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；

第1非磁性层，其设置在所述屏蔽件与所述第1磁性层之间；

第2非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第3磁性层之间；

第3非磁性层，其设置在所述第3磁性层与所述第2磁性层之间；

第4非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述磁极之间；以及

电路部，其包括第1电路和第2电路，所述第1电路能够供给具有从所述第1非磁性层朝向所述第2非磁性层的方向的第1电流，所述第2电路能够供给具有从所述第4非磁性层朝向所述第2非磁性层的方向的第2电流，

所述电路部能够相互独立地控制所述第1电流和所述第2电流。

(构成15)

根据构成14所述的磁记录装置，还具备：

第5非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2非磁性层之间；和

第6非磁性层，其设置在所述第2非磁性层与所述第3磁性层之间，

所述第5非磁性层以及所述第6非磁性层包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti以及Ru构成的组中的至少一种，

所述第5非磁性层以及所述第6非磁性层各自的、沿着所述第1方向的厚度，为1nm以上且3nm以下。

(构成16)

根据构成12～15中任一项所述的磁记录装置，

所述第1非磁性层以及所述第3非磁性层包含选自由Cu、Ag、Au、Al以及Ti构成的组中的至少一种，

所述第2非磁性层以及所述第4非磁性层包含选自由Ta、Pt、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh、Pd以及Ru构成的组中的至少一种，

所述第2非磁性层以及所述第4非磁性层各自的、沿着从所述屏蔽件朝向所述磁极的第1方向的厚度，为1nm以上且3nm以下。

(构成17)

根据构成12～16中任一项所述的磁记录装置，

所述第2磁性层的沿着所述第1方向的第2厚度与所述第2磁性层的第2饱和磁通密度之积，比所述第3磁性层的沿着所述第1方向的第3厚度与所述第3磁性层的第3饱和磁通密度之积大。

(构成18)

根据构成12～17中任一项所述的磁记录装置，

所述第2磁性层的体积与所述第2磁性层的第2饱和磁通密度之积，比所述第3磁性层的体积与所述第3磁性层的第3饱和磁通密度之积大。

(构成19)

根据构成12～18中任一项所述的磁记录装置，所述第1磁性层包含选自由FeNi以及CoFe构成的组中的至少一种。

(构成20)

根据构成12～19中任一项所述的磁记录装置，

还具备第3电路，

所述磁头还包括线圈，

所述第3电路向所述线圈供给记录电流。

(构成21)

根据构成1～10中任一项所述的磁头，所述第2磁性层的厚度比所述第3磁性层的厚度薄。

(构成22)

根据构成12～20中任一项所述的磁记录装置，所述第2磁性层的厚度比所述第3磁性层的厚度薄。

根据实施方式，能够提供能提高记录密度的磁头以及磁记录装置。

在本申请说明书中，“垂直”以及“平行”并不仅仅是严格的垂直以及严格的平行，还包含例如制造工序中的偏差等，只要实质上垂直以及实质上平行即可。

以上，参照具体例对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并不限定于这些具体例。例如，关于磁头所包含的磁极、屏蔽件、磁性层、导电层、绝缘层以及布线等各要素的具体构成，只要能够通过本领域技术人员从公知的范围中适当地进行选择来同样地实施本发明、获得同样的效果，就包含在本发明的范围内。

另外，对于在技术上可行的范围内组合各具体例的任意两个以上的要素而得到的方式，只要包含本发明的宗旨，就也包含在本发明的范围内。

另外，只要包含本发明的宗旨，本领域技术人员能够基于作为本发明的实施方式而在以上描述过的磁记录装置以及磁头来适当地进行设计变更所实施的全部的磁记录装置以及磁头，也属于本发明的范围内。

另外，本领域技术人员在本发明的思想范畴中能够想到各种变更例以及修正例，应认为：那些变更例以及修正例也属于本发明的范围内。

以上对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在技术方案记载的发明及其等同的范围内。