一种半导体的碳氢清洗剂及制备方法
阅读说明：本技术 一种半导体的碳氢清洗剂及制备方法 (Hydrocarbon cleaning agent for semiconductor and preparation method ) 是由 吴爱平 郝光磊 于 2021-07-27 设计创作，主要内容包括：本申请涉及半导体清洗剂领域,具体公开了一种半导体的碳氢清洗剂及其制备方法。碳氢清洗剂由包含以下重量份的原料制成：碳氢溶剂40-80份、醇醚溶剂10-60份、细微粒去除剂1-5份、助焊剂去除剂0.1-10份、防白剂0.5-5份以及表面张力助剂0.1-5份；其制备方法为：S1.按重量份称取碳氢溶剂、醇醚溶剂、细微粒去除剂、助焊剂去除剂、防白剂以及表面张力助剂；S2.先将碳氢溶剂与醇醚溶剂混合均匀,制得混合液A；S3.再将细微粒去除剂、助焊剂去除剂、防白剂以及表面张力助剂混合均匀,制得混合液B；S4.将混合液B倒入混合液A中搅拌均匀,制得混合液C；S5.对混合液C进行静置处理,待其稳定后制得碳氢清洗剂成品。本申请的碳氢清洗剂具有VOCs含量低的优点。(The application relates to the field of semiconductor cleaning agents, and particularly discloses a hydrocarbon cleaning agent for a semiconductor and a preparation method thereof. The hydrocarbon cleaning agent is prepared from the following raw materials in parts by weight: 40-80 parts of hydrocarbon solvent, 10-60 parts of alcohol ether solvent, 1-5 parts of fine particle remover, 0.1-10 parts of scaling powder remover, 0.5-5 parts of anti-whitening agent and 0.1-5 parts of surface tension auxiliary agent; the preparation method comprises the following steps: s1, weighing a hydrocarbon solvent, an alcohol ether solvent, a fine particle remover, a scaling powder remover, a whitening inhibitor and a surface tension auxiliary agent according to parts by weight; s2, uniformly mixing a hydrocarbon solvent and an alcohol ether solvent to prepare a mixed solution A; s3, uniformly mixing the fine particle remover, the soldering flux remover, the anti-whitening agent and the surface tension auxiliary agent to prepare a mixed solution B; s4, pouring the mixed solution B into the mixed solution A, and uniformly stirring to obtain a mixed solution C; s5, standing the mixed liquid C, and preparing a hydrocarbon cleaning agent finished product after the mixed liquid C is stable. The hydrocarbon cleaning agent has the advantage of low VOCs content.)
技术领域
本申请涉及半导体清洗剂的技术领域，更具体地说，它涉及一种半导体的碳氢清洗剂及制备方法。
背景技术
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用。为了确保半导体器件的品质和高可靠性，在封装前需要对半导体器件进行清洗。半导体清洗剂主要用于清洗表面沾污的石蜡、油脂和油脂类高分子化合物以及表面沾污的金属原子和金属离子等。
因环保要求和《清洗剂挥发性有机物含量限值》(GB38508-2020)的规定，目前市场上常用的半导体溶剂型清洗剂一般为卤代烃或141B或者几种复配，而这类清洗剂的VOCs含量>1000g/L，超出GB38508-2020的上限值，因此需要提供一种低VOCs含量的半导体清洗剂。
发明内容
为了降低半导体清洗剂的挥发性有机物，本申请提供一种半导体的碳氢清洗剂及制备方法。
第一方面，本申请提供一种半导体的碳氢清洗剂，采用如下的技术方案：
一种半导体的碳氢清洗剂，由包含以下重量份的原料制成：碳氢溶剂40-80份、醇醚溶剂10-60份、细微粒去除剂1-5份、助焊剂去除剂0.1-10份、防白剂0.5-5份以及表面张力助剂0.1-5份。
通过采用上述技术方案，以碳氢溶剂为主剂制备的碳氢清洗剂具有蒸发损失少、无毒、与材料相容性好并且可彻底挥发等优势。另外，碳氢清洗剂可自然降解，清洗废液经蒸馏回收还可循环利用，且对空气没有污染。碳氢清洗剂中不含氯，对臭氧的破坏系数为零。采用上述配方制备的碳氢清洗剂的VOCs含量低于800g/L，具有优越的环保特性。
本申请还采用醇醚溶剂与碳氢溶剂复配，碳氢溶剂对非极性污垢具有优越的清洗性能，而醇醚溶剂相较于碳氢溶剂具有更高的表面活性，因此用于弥补碳氢溶剂对于极性污垢清洗性能欠佳的缺陷，两者具有良好的协同配合作用，有利于提高碳氢清洗剂的渗透性能以及清洁性能。
优选的，所述碳氢溶剂可为壬烷、癸烷、十一烷中的一种或多种。
通过采用上述技术方案，壬烷、癸烷、十一烷的闪点较高，闪点较高的烷烃易燃性较低，由于碳氢溶剂具有易燃缺陷，选取壬烷、癸烷、十一烷作为本申请的碳氢溶剂使用，有利于降低碳氢清洗剂易燃的不安全性。
优选的，所述醇醚溶剂可为3-丁氧基-1-丙醇、1-丁氧基-2-丙醇、2-叔丁氧基乙醇、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇中的一种或多种。
通过采用上述技术方案，选取3-丁氧基-1-丙醇、1-丁氧基-2-丙醇、2-叔丁氧基乙醇、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇中的一种或多种作为本申请的醇醚溶剂，主要出于以下三点原因：其一是因为上述组分与碳氢溶剂具有良好的相容性与相溶性；其二是因为上述各组分之间具有良好的协同性与相溶性；其三是因为上述各组分价廉易得，且安全无毒，具有良好的环保特性与低挥发性。
优选的，所述细微粒去除剂可为HFC-4310mee、HFO-1336mzzZ、3M7100、3M7200中的一种或多种。
通过采用上述技术方案，HFC-4310mee、HFO-1336mzzZ、3M7100、3M7200均为氟化液，选用氟化液作为本申请的细微颗粒去除剂，一方面是因为氟化液具有良好的金属等污垢的清洁能力，另一方面，氟化液具有一定的表活作用，上述三组分中的一种或多种与碳氢溶剂以及醇醚溶剂混合后，具有良好的协同增效作用，有利于进一步提高碳氢清洗剂的渗透性能与清洁能力。
优选的，所述助焊剂去除剂可为365AZ-M、365AZ-HM中的一种或两种混合。
通过采用上述技术方案，365AZ-M、365AZ-HM除了具有良好的助焊剂清洗作用外，还具有较高的树脂、油污、粘连剂等半导体表面污垢的清洁能力，向体系中加入365AZ-M、365AZ-HM中的一种或两种后，有利于扩大碳氢清洗剂的清洁范围并增强其清洁性能。
优选的，所述防白剂可为二乙二醇丁醚。
通过采用上述技术方案，二乙二醇丁醚具有较高的沸点以及较低的挥发速度，与体系中碳氢溶剂具有良好的相溶性，且其危化性较低，具有良好的环保特性，因此选用二乙二醇丁醚作为本申请的防白剂使用。
优选的，所述表面张力助剂可为脂肪醇聚氧乙烯醚、异构醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚中的一种或多种。
通过采用上述技术方案，脂肪醇聚氧乙烯醚、异构醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚均为非离子表面活性剂，且上述三种组分的分子结构中均含有羟基，羟基的存在有利于进一步增强聚醚提高体系表面活性的性能，另外，上述三种组分与碳氢溶剂具有良好的协同增效作用，因此，选用脂肪醇聚氧乙烯醚、异构醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚中的一种或多种作为本申请的表面张力助剂使用。
优选的，所述原料还包括脂肪醇醚硫酸钠0.1-1.5份与油酸三乙醇胺0.2-2.4份。
通过采用上述技术方案，脂肪醇醚硫酸钠与油酸三乙醇胺均为阴离子表面活性剂，两者不仅与醇醚溶剂具有良好的相溶性，且与上述表面张力助剂具有优越的协同增效作用，有利于增强碳氢清洗剂的清洁性能。
优选的，所述原料还包括磷酸三乙酯1-3份与乙基膦酸二乙酯3-5份。
通过采用上述技术方案，磷酸三乙酯与乙基膦酸二乙酯与碳氢溶剂以及醇醚溶剂均具有良好的相溶性与相容性，且磷酸三乙酯与乙基膦酸二乙酯具有较高的闪点，有利于提高碳氢清洗剂的整体闪点，从而降低碳氢清洗剂的易燃风险。另外，磷酸三乙酯与乙基膦酸二乙酯本身具有良好的阻燃性能，加入碳氢清洗剂体系中有利于提高其阻燃性能。磷酸三乙酯与乙基膦酸二乙酯还具有协同增效的作用，两者复配有利于提高阻燃效果。
第二方面，本申请提供一种半导体的碳氢清洗剂的制备方法，采用如下的技术方案：
一种半导体的碳氢清洗剂的制备方法，具体包括以下步骤：
S1.按重量份称取碳氢溶剂、醇醚溶剂、细微粒去除剂、助焊剂去除剂、防白剂以及表面张力助剂；
S2.先将碳氢溶剂与醇醚溶剂混合均匀，制得混合液A；
S3.再将细微粒去除剂、助焊剂去除剂、防白剂以及表面张力助剂混合均匀，制得混合液B；
S4.将混合液B倒入混合液A中搅拌均匀，制得混合液C；
S5.对混合液C进行静置处理，待其稳定后制得碳氢清洗剂成品。
通过采用上述技术方案，由于先将碳氢溶剂与醇醚溶剂混合均匀，再将细微粒去除剂、助焊剂去除剂、防白剂以及表面张力助剂混合均匀，最后将混合液B倒入混合液A中搅拌均匀制得混合液C，有助于提高混合的均匀性，从而提高制备的碳氢清洗剂的稳定性，减少甚至消除絮凝物的产生。
综上所述，本申请具有以下有益效果：
1、由于本申请采用碳氢溶剂为主剂制备碳氢清洗剂，使得碳氢清洗剂具有蒸发损失少、无毒、与材料相容性好并且可彻底挥发等优势。制备出的碳氢清洗剂的VOCs含量低于800g/L，具有优越的环保特性。
2、本申请中优选采用壬烷、癸烷、十一烷中的一种或多种作为碳氢溶剂，壬烷、癸烷、十一烷的闪点较高，闪点较高的烷烃易燃性较低，有利于降低碳氢清洗剂易燃的不安全性。
3.本申请中优选采用3-丁氧基-1-丙醇、1-丁氧基-2-丙醇、2-叔丁氧基乙醇、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇中的一种或多种作为醇醚溶剂，取得了为碳氢溶剂增效的效果。
4.本申请中优选采用脂肪醇醚硫酸钠与油酸三乙醇胺复配，两者与醇醚溶剂具有良好的相溶性，且与表面张力助剂具有优越的协同增效作用，有利于增强碳氢清洗剂的清洁性能。
5.本申请中优选采用磷酸三乙酯与乙基膦酸二乙酯复配，两者与碳氢溶剂以及醇醚溶剂均具有良好的相溶性与相容性，且磷酸三乙酯与乙基膦酸二乙酯可提高碳氢清洗剂的整体闪点，从而降低碳氢清洗剂的易燃风险。另外，磷酸三乙酯与乙基膦酸二乙酯本身具有良好的阻燃性能，加入碳氢清洗剂体系中有利于提高其阻燃性能。
具体实施方式
本申请所用原料均由市场购得。
以下结合实施例对本申请作进一步详细说明。
实施例
实施例1
一种半导体的碳氢清洗剂，由包含以下重量份的原料制成：壬烷40kg、3-丁氧基-1-丙醇10kg、HFC-4310mee 1kg、365AZ-M 0.1kg、二乙二醇丁醚0.5kg以及脂肪醇聚氧乙烯醚0.1kg。
半导体的碳氢清洗剂的制备方法，具体包括以下步骤：
S1.称取壬烷40kg、3-丁氧基-1-丙醇10kg、HFC-4310mee 1kg、365AZ-M0.1kg、二乙二醇丁醚0.5kg以及脂肪醇聚氧乙烯醚0.1kg；
S2.常温下，先将壬烷与3-丁氧基-1-丙醇混合均匀，制得混合液A；
S3.常温下，再将HFC-4310mee、365AZ-M、二乙二醇丁醚以及脂肪醇聚氧乙烯醚混合均匀，制得混合液B；
S4.常温下，将混合液B倒入混合液A中搅拌均匀，制得混合液C；
S5.常温下，对混合液C进行静置处理，待其稳定后制得碳氢清洗剂成品。
实施例2
一种半导体的碳氢清洗剂，由包含以下重量份的原料制成：壬烷60kg、3-丁氧基-1-丙醇35kg、HFC-4310mee 3kg、365AZ-M 5.2kg、二乙二醇丁醚2.75kg以及脂肪醇聚氧乙烯醚2.55kg。
半导体的碳氢清洗剂的制备方法，具体包括以下步骤：
S1.称取壬烷60kg、3-丁氧基-1-丙醇35kg、HFC-4310mee 3kg、365AZ-M5.2kg、二乙二醇丁醚2.75kg以及脂肪醇聚氧乙烯醚2.55kg；
S2.常温下，先将壬烷与3-丁氧基-1-丙醇混合均匀，制得混合液A；
S3.常温下，再将HFC-4310mee、365AZ-M、二乙二醇丁醚以及脂肪醇聚氧乙烯醚混合均匀，制得混合液B；
S4.常温下，将混合液B倒入混合液A中搅拌均匀，制得混合液C；
S5.常温下，对混合液C进行静置处理，待其稳定后制得碳氢清洗剂成品。
实施例3
一种半导体的碳氢清洗剂，由包含以下重量份的原料制成：壬烷80kg、3-丁氧基-1-丙醇60kg、HFC-4310mee 5kg、365AZ-M 10kg、二乙二醇丁醚5kg以及脂肪醇聚氧乙烯醚5kg。
半导体的碳氢清洗剂的制备方法，具体包括以下步骤：
S1.称取壬烷80kg、3-丁氧基-1-丙醇60kg、HFC-4310mee 5kg、365AZ-M10kg、二乙二醇丁醚5kg以及脂肪醇聚氧乙烯醚5kg；
S2.常温下，先将壬烷与3-丁氧基-1-丙醇混合均匀，制得混合液A；
S3.常温下，再将HFC-4310mee、365AZ-M、二乙二醇丁醚以及脂肪醇聚氧乙烯醚混合均匀，制得混合液B；
S4.常温下，将混合液B倒入混合液A中搅拌均匀，制得混合液C；
S5.常温下，对混合液C进行静置处理，待其稳定后制得碳氢清洗剂成品。
实施例4
一种半导体的碳氢清洗剂，由包含以下重量份的原料制成：癸烷50kg、1-丁氧基-2-丙醇20kg、HFO-1336mzzZ 2kg、365AZ-HM 3.5kg、二乙二醇丁醚2kg以及异构醇聚氧乙烯醚2kg。
半导体的碳氢清洗剂的制备方法，具体包括以下步骤：
S1.称取癸烷50kg、1-丁氧基-2-丙醇20kg、HFO-1336mzzZ 2kg、365AZ-HM 3.5kg、二乙二醇丁醚2kg以及异构醇聚氧乙烯醚2kg；
S2.常温下，先将癸烷与1-丁氧基-2-丙醇混合均匀，制得混合液A；
S3.常温下，再将HFO-1336mzzZ、365AZ-HM、二乙二醇丁醚以及异构醇聚氧乙烯醚，制得混合液B；
S4.常温下，将混合液B倒入混合液A中搅拌均匀，制得混合液C；
S5.常温下，对混合液C进行静置处理，待其稳定后制得碳氢清洗剂成品。
实施例5
一种半导体的碳氢清洗剂，由包含以下重量份的原料制成：十一烷60kg、2-叔丁氧基乙醇50kg、3M71004kg、质量比为1:1的365AZ-M与365AZ-HM 8kg、二乙二醇丁醚4kg以及烷基酚聚氧乙烯醚4kg。
半导体的碳氢清洗剂的制备方法，具体包括以下步骤：
S1.称取十一烷60kg、2-叔丁氧基乙醇50kg、3M7100 4kg、质量比为1:1的365AZ-M与365AZ-HM 8kg、二乙二醇丁醚4kg以及烷基酚聚氧乙烯醚4kg；
S2.常温下，先将十一烷与2-叔丁氧基乙醇混合均匀，制得混合液A；
S3.常温下，再将3M7100、质量比为1:1的365AZ-M与365AZ-HM、二乙二醇丁醚以及烷基酚聚氧乙烯醚混合均匀，制得混合液B；
S4.常温下，将混合液B倒入混合液A中搅拌均匀，制得混合液C；
S5.常温下，对混合液C进行静置处理，待其稳定后制得碳氢清洗剂成品。
实施例6
一种半导体的碳氢清洗剂，由包含以下重量份的原料制成：质量比为1:2的壬烷与癸烷60kg、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇40kg、质量比为1:1的HFC-4310mee与HFO-1336mzzZ3kg、365AZ-M 5kg、二乙二醇丁醚2.5kg以及质量比为1:1的脂肪醇聚氧乙烯醚与异构醇聚氧乙烯醚2.5kg。
半导体的碳氢清洗剂的制备方法，具体包括以下步骤：
S1.称取质量比为1:2的壬烷与癸烷60kg、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇40kg、质量比为1:1的HFC-4310mee与HFO-1336mzzZ 3kg、365AZ-M 5kg、二乙二醇丁醚2.5kg以及质量比为1:1的脂肪醇聚氧乙烯醚与异构醇聚氧乙烯醚2.5kg；
S2.常温下，先将壬烷、癸烷、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇混合均匀，制得混合液A；
S3.常温下，HFC-4310mee、HFO-1336mzzZ、365AZ-M、二乙二醇丁醚脂肪醇聚氧乙烯醚以及异构醇聚氧乙烯醚混合均匀，制得混合液B；
S4.常温下，将混合液B倒入混合液A中搅拌均匀，制得混合液C；
S5.常温下，对混合液C进行静置处理，待其稳定后制得碳氢清洗剂成品。
实施例7
一种半导体的碳氢清洗剂，由包含以下重量份的原料制成：质量比为1:1的癸烷与十一烷70kg、质量比为1:2的1-丁氧基-2-丙醇与2-叔丁氧基乙醇50kg、质量比为1:1的HFO-1336mzzZ与3M7200 4kg、365AZ-HM8kg、二乙二醇丁醚5kg以及质量比为1:1的异构醇聚氧乙烯醚与烷基酚聚氧乙烯醚4kg。
半导体的碳氢清洗剂的制备方法，具体包括以下步骤：
S1.称取质量比为1:1的癸烷与十一烷70kg、质量比为1:2的1-丁氧基-2-丙醇与2-叔丁氧基乙醇50kg、质量比为1:1的HFO-1336mzzZ与3M7200 4kg、365AZ-HM 8kg、二乙二醇丁醚5kg以及质量比为1:1的异构醇聚氧乙烯醚与烷基酚聚氧乙烯醚4kg；
S2.常温下，先将癸烷、十一烷、1-丁氧基-2-丙醇以及2-叔丁氧基乙醇混合均匀，制得混合液A；
S3.常温下，再将HFO-1336mzzZ、3M7200、365AZ-HM、二乙二醇丁醚、异构醇聚氧乙烯醚以及烷基酚聚氧乙烯醚混合均匀，制得混合液B；
S4.常温下，将混合液B倒入混合液A中搅拌均匀，制得混合液C；
S5.常温下，对混合液C进行静置处理，待其稳定后制得碳氢清洗剂成品。
实施例8
一种半导体的碳氢清洗剂，由包含以下重量份的原料制成：癸烷50kg、质量比为1:1:1的3-丁氧基-1-丙醇、1-丁氧基-2-丙醇与2-叔丁氧基乙醇45kg、质量比为1:1的HFC-4310mee与HFO-1336mzzZ 4.5kg、365AZ-HM7kg、二乙二醇丁醚4kg以及异构醇聚氧乙烯醚3kg。
半导体的碳氢清洗剂的制备方法，具体包括以下步骤：
S1.称取癸烷50kg、质量比为1:1:1的3-丁氧基-1-丙醇、1-丁氧基-2-丙醇与2-叔丁氧基乙醇45kg、质量比为1:1的HFC-4310mee与HFO-1336mzzZ 4.5kg、365AZ-HM 7kg、二乙二醇丁醚4kg以及异构醇聚氧乙烯醚3kg；
S2.常温下，先将癸烷、3-丁氧基-1-丙醇、1-丁氧基-2-丙醇以及2-叔丁氧基乙醇混合均匀，制得混合液A；
S3.常温下，再将HFC-4310mee、HFO-1336mzzZ、365AZ-HM、二乙二醇丁醚以及异构醇聚氧乙烯醚混合均匀，制得混合液B；
S4.常温下，将混合液B倒入混合液A中搅拌均匀，制得混合液C；
S5.常温下，对混合液C进行静置处理，待其稳定后制得碳氢清洗剂成品。
实施例9，本实施例与实施例8的区别之处在于：
原料还包括脂肪醇醚硫酸钠0.1份与油酸三乙醇胺0.2份。
实施例10，本实施例与实施例8的区别之处在于：
原料还包括脂肪醇醚硫酸钠0.8份与油酸三乙醇胺1.3份。
实施例11，本实施例与实施例8的区别之处在于：
原料还包括脂肪醇醚硫酸钠1.5份与油酸三乙醇胺2.4份。
实施例12，本实施例与实施例10的区别之处在于：
原料还包括磷酸三乙酯1份与乙基膦酸二乙酯5份。
实施例13，本实施例与实施例10的区别之处在于：
原料还包括磷酸三乙酯2份与乙基膦酸二乙酯4份。
实施例14，本实施例与实施例10的区别之处在于：
原料还包括磷酸三乙酯3份与乙基膦酸二乙酯3份。
对比实施例
对比实施例1，本对比实施例与实施例10的区别之处在于：
原料还包括脂肪醇醚硫酸钠0.8份。
对比实施例2，本对比实施例与实施例10的区别之处在于：
原料还包括油酸三乙醇胺1.3份。
对比实施例3，本对比实施例与实施例13的区别之处在于：
原料还包括磷酸三乙酯2份。
对比实施例4，本对比实施例与实施例13的区别之处在于：
原料还包括乙基膦酸二乙酯4份。
对比例
对比例1，与实施例2的区别之处在于：
将壬烷替换为乙基硅氧烷。
对比例2，与实施例2的区别之处在于：
将壬烷替换为纯水。
对比例3，与实施例2的区别之处在于：
删除3-丁氧基-1-丙醇。
性能检测试验
对由实施例1-14、对比实施例1-4以及对比例1-3制备出的碳氢清洗剂进行取样，并对样品进行以下性能检测试验。
试验方法
根据GB38508—2020检测样品的VOCs值。
根据GB/T 261—2008检测样品的闪点。
根据Q/12NK 5119—2012检测样品的净洗力。
将样品送检至毒性检测所检测毒性。
检测结果记录在表1中。
表1
结合实施例1-8并结合表1可以看出，实施例1-8均为在本申请碳氢清洗剂配方范围内的各组分的不同复配，由实施例1-8的配方制备出的碳氢清洗剂均具有符合排放标准的VOCs、较高的闪点、优越的净洗力以及无毒环保性，因此，由本申请的配方制备的碳氢清洗剂具有优越的不易燃性、清洁力以及环保性。
结合实施例1-8和对比例1-2并结合表1可以看出，对比例1中采用硅烷有机溶剂替代碳氢溶剂，VOCs值超过1000g/L，不符合排放标准，且清洗剂的净洗力下降。对比例2中采用纯水替代碳氢溶剂，清洗剂的净洗力下降相较于对比例1更为明显，由此可知，本申请的碳氢清洗剂具有更高的净洗力，且挥发性有机物符合国家排放标准。
结合实施例8-11并结合表1可以看出，向体系中加入脂肪醇醚硫酸钠与油酸三乙醇胺，制备的碳氢清洗剂的净洗力显著上升，这是由于脂肪醇醚硫酸钠与油酸三乙醇胺与表面张力助剂具有优越的协同增效作用，有利于增强碳氢清洗剂的清洁性能。
结合实施例9-11和对比实施例1-2并结合表1可以看出，单独添加脂肪醇醚硫酸钠或油酸三乙醇胺虽然对于提升碳氢清洗剂的净洗力具有一定的促进作用，但是两者复配加入的提升性能更为显著，说明两者之间具有良好的协同增效作用。
结合实施例8、实施例12-14并结合表1可以看出，向体系中加入磷酸三乙酯与乙基膦酸二乙酯，制得的碳氢清洗剂的闪点显著上升，这是由于磷酸三乙酯与乙基膦酸二乙酯均具有较高的闪点，且本身具有良好的阻燃性能，加入碳氢清洗剂体系中有利于提高其阻燃性能。
结合实施例12-14和对比实施例3-4并结合表1可以看出，单独添加磷酸三乙酯或乙基膦酸二乙酯，碳氢清洗剂的闪点也有明显提升，但是由于磷酸三乙酯与乙基膦酸二乙酯还具有协同增效的作用，两者复配更有利于提高碳氢清洗剂的阻燃效果，因此，两者同时加入时碳氢清洗剂的闪点上升更为显著。
综上所述，本申请中的半导体的碳氢清洗剂具有较低的VOCs、良好的不易燃性、优越的净洗力以及较低的挥发性，且可以重复使用。
本具体实施例仅仅是对本申请的解释，其并不是对本申请的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本申请的权利要求范围内都受到专利法的保护。
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