一种抗菌玻璃盖板及其制备方法
阅读说明：本技术 一种抗菌玻璃盖板及其制备方法 (Antibacterial glass cover plate and preparation method thereof ) 是由 李勇聪 梁凤连 梁金培 唐光安 于 2020-05-29 设计创作，主要内容包括：本发明涉及玻璃盖板技术领域,具体涉及一种抗菌玻璃盖板及其制备方法,其中,所述制备方法包括如下步骤：步骤一、对基片进行等离子体清洗；步骤二、对基片表面镀第一层硅膜；步骤三、在基片的第一层硅膜表面镀银钛复合抗菌膜；步骤四、在基片的银钛复合抗菌膜表面镀第二层硅膜。其中,抗菌玻璃盖板包括玻璃基片、镀于玻璃基片表面的第一层硅膜、镀于第一层硅膜表面的银钛复合抗菌膜、镀于银钛复合抗菌膜表面的第二层硅膜和镀于第二层硅膜表面的AF防指纹膜,所述第一层硅膜和第二层硅膜的厚度均为8-10nm,所述银钛复合抗菌膜的厚度为30-60nm。本发明的玻璃盖板具有良好的抑菌杀菌效果。(The invention relates to the technical field of glass cover plates, in particular to an antibacterial glass cover plate and a preparation method thereof, wherein the preparation method comprises the following steps: step one, carrying out plasma cleaning on a substrate; plating a first silicon film on the surface of the substrate; plating a silver-titanium composite antibacterial film on the surface of the first silicon film of the substrate; and step four, plating a second silicon film on the surface of the silver-titanium composite antibacterial film of the substrate. The antibacterial glass cover plate comprises a glass substrate, a first silicon film plated on the surface of the glass substrate, a silver-titanium composite antibacterial film plated on the surface of the first silicon film, a second silicon film plated on the surface of the silver-titanium composite antibacterial film and an AF fingerprint-proof film plated on the surface of the second silicon film, wherein the thicknesses of the first silicon film and the second silicon film are both 8-10nm, and the thickness of the silver-titanium composite antibacterial film is 30-60 nm. The glass cover plate has good antibacterial and bactericidal effects.)
技术领域
本发明涉及玻璃盖板技术领域，具体涉及一种抗菌玻璃盖板及其制备方法。
背景技术
随着科技的发展，手机的功能越来越强大，由最初简单的短信及通话功能，逐渐到现在的拍照、上网、购物、支付等功能，手机也逐渐成为人们生活中不可或缺的必需品，随着手机在人们生活中广泛使用，消费者对手机的要求也在不断提升，除了要求手机能满足消费者日常的工作生活外，还希望能够对自身的健康不产生影响，现有的手机玻璃盖板长时间使用后会玻璃白面会滋生霉菌、大肠杆菌等细菌，从而影响身体健康。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明提供一种抗菌玻璃盖板的制备方法，制备方法简单，效率高，制得的玻璃盖板的抑菌杀菌效果好。
本发明还提供一种抗菌玻璃盖板，其具有抑菌杀菌的效果。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种抗菌玻璃盖板的制备方法，其包括如下步骤：
步骤一、对基片进行等离子体清洗；
步骤二、对基片表面镀第一层硅膜；
步骤三、在基片的第一层硅膜表面镀银钛复合抗菌膜；
步骤四、在基片的银钛复合抗菌膜表面镀第二层硅膜。
本发明在镀银钛复合抗菌膜前先对基片进行等离子体清洗和镀第一层硅膜，可以提高银钛抗菌膜的附着力，延长银钛复合抗菌膜的抗抑菌和抑菌作用期限，提高抗菌和抑菌效果，本发明还在银钛复合抗菌膜表面镀第二层硅膜，有利于减缓银钛复合抗菌膜的脱落速度，进一步延长其抑菌抗菌作用期限，提高抗菌和抑菌效果。具体的，所述基片为玻璃盖板。
其中，所述步骤一的具体操作为：将内部放置有待镀膜基片的真空镀膜机的真空室抽真空，接着开启与真空镀膜机的离子源清洗机构的两个电极电连接的高压中频电源，同时通过真空镀膜机的气体输送装置向真空镀膜机的清洗腔内输送氩气和氧气的混合气体，气体在离子源清洗机构的电极的作用下形成等离子体并进入真空镀膜机的真空室内对真空室内的基片表面进行清洗，清洗结束后，断开两个电极的电源。
其中，所述步骤一中的清洗时间为3-8min，所述真空镀膜机的真空室内的电压为600-790V，通入真空镀膜机的真空室内的氩气量为900-1500cc。
本发明通过采用上述方法对基片表面进行等离子体清洗，对基片起清洁作用的同时还可以提高镀第一层硅膜时硅膜在基片表面的附着力，有利于提高基片的抗菌性能。
其中，所述步骤二的具体操作为：
向真空镀膜机的真空室内充入60-200cc的氩气和100-300cc的氧气，然后开启真空镀膜机的第一加热器对真空镀膜机内的硅靶进行加热，使硅靶受热蒸发成小分子物质并沉积于基片表面形成第一层硅膜，所述真空镀膜机的真空室内的功率为3-4.5kW，镀膜时间为4-7min，镀膜完成后关闭第一加热器。
本发明在镀第一层硅膜时，通过通入上述含量的氩气和氧气，氧气在高温作用下能与硅形成氧化物沉积在基片表面，而氩气是惰性气体，镀膜时不会被氧气氧化，氩气用于调节真空室内的压力，使氧化物均匀且致密的附着于基片表面，同时也可以增加后续步骤镀膜材料在基片表面的附着力。
其中，所述步骤三的具体操作为：
向真空镀膜机的真空室内充入140-160cc的氩气和300-350cc的氧气，然后开启真空镀膜机的第二加热器，使第二加热器对银钛复合靶进行加热，进而使银钛复合靶受热蒸发成小分子物质并沉积于基片表面形成银钛复合抗菌膜，镀膜时间为6-8min，真空室内的功率为4-4.5kW，镀膜完成后，关闭第二加热器。
本发明在镀银钛复合抗菌膜时，通过通入上述含量的氩气和氧气，氧气在高温作用下与银和钛形成抗菌氧化物，而氩气是惰性气体，不会被氧气氧化，氩气用于调节真空室内的压力，使抗菌氧化物可以均匀且致密附着在第一层硅膜表面，有利于提高抑菌抗菌效果。
本发明通过采用上述方法镀银钛复合抗菌膜，在高温作用下使银钛复合靶蒸发形成纳米分子，纳米银颗粒具有量子尺寸效应和宏观量子隧道效应，其比表面积大，抗菌活性大幅增强，具有很强的穿透力，可以轻易地进入病原体的细胞中破坏细胞活性。而钛与氧气反应形成的二氧化钛纳米管具有极大的比表面积和特殊的管状结构，具有较高的吸附能力和良好的选择性，使本发明的玻璃盖板可有效杀灭大肠埃希菌、金黄色葡萄球菌和沙门菌等细菌的效果。
其中，所述步骤四的具体操作为：
向真空镀膜机的真空室内充入200-250cc的氩气和300-350cc的氧气，然后开启真空镀膜机的第一加热器对真空镀膜机内的硅靶进行加热，使硅靶受热蒸发成小分子物质并沉积于基片表面形成第二层硅膜，所述真空镀膜机的真空室内的功率为3.5-4.5kW，镀膜时间为6-8min，镀膜完成后关闭第一加热器。
本发明镀第二层硅膜时，通入的氩气和氧气的含量相较镀第一层硅膜时通入的氩气和氧气含量均更大，进而使镀第二层硅膜时真空室内的真空度更高，使镀于银钛复合抗菌膜表面的硅膜的致密性较差，密度较低，使第二层硅膜的设置不会抑制或影响银钛复合抗菌膜的抗菌作用，更有利于提高基片的抗菌持久性和抗菌效果，而镀第一层硅膜时的氧气量和氩气量均较小，真空室内的真空度较低，使镀于基片表面的硅膜的附着力更好，致密度也更好，使基片表面不易滋生细菌。
其中，还包括：
步骤五、对表面镀有第二层硅膜的基片进行等离子清洗；
步骤六、在基片的第二硅膜表面镀AF防指纹膜。
通过对基片进行二次等离子清洗有利于提高AF防指纹膜在第二层硅膜表面的附着力，提高玻璃盖板的防指纹效果。
其中，所述步骤五的具体操作为：
开启与真空镀膜机的离子源清洗机构的两个电极电连接的高压中频电源，同时通过真空镀膜机的气体输送装置向真空镀膜机的清洗腔内输送氩气和氧气的混合气体，气体在离子源清洗机构的电极的作用下形成等离子体并进入真空镀膜机的真空室内对真空室内的基片表面进行清洗，清洗结束后，断开两个电极的电源，清洗时间为1-1.5min，真空室内的电压为600-790V，氩气的通入量为900-1500cc。
其中，所述步骤六的具体操作为：
开启与真空镀膜机的导电药丸架电连接的电源，使导电药丸架通电发热，进而使放置于导电药丸盘上的AF药丸挥发而镀在基片表面形成AF防指纹膜，镀膜时间为4-5min，导电药丸架的通电电流为750-800A。
通过采用上述步骤，使AF防指纹膜均匀地被镀于第二层硅膜表面，制得的抗菌玻璃盖板具有良好的防指纹效果。
一种抗菌玻璃盖板，其包括玻璃基片、镀于玻璃基片表面的第一层硅膜、镀于第一层硅膜表面的银钛复合抗菌膜、镀于银钛复合抗菌膜表面的第二层硅膜和镀于第二层硅膜表面的AF防指纹膜，所述第一层硅膜和第二层硅膜的厚度均为8-10nm，所述银钛复合抗菌膜的厚度为30-60nm。
本发明通过在玻璃基片表面镀第一层硅膜，有利于提高银钛复合抗菌膜的附着力，使银钛复合抗菌膜的抗菌效果更持久且抗菌效果更好，在银钛复合抗菌膜表面镀第二层硅膜，有利于提高AF防指纹膜的附着性，提高玻璃盖板的防指纹效果，当银钛复合抗菌膜的厚度过小时，抗菌效果不好，不能有效抑制细菌的滋生，而当银钛抗菌膜的厚度过大时，会延长加工时间、增大生产成本，且在一定厚度范围内，银钛复合抗菌膜的抑菌效果变化不大，因此当其厚度为30-60nm范围时，其抑菌效果更好，且加工效率高，也有利于降低生产成本。
本发明的有益效果是：
本发明在镀银钛复合抗菌膜前先对基片进行等离子体清洗和镀第一层硅膜，可以提高银钛抗菌膜的附着力，延长银钛复合抗菌膜的抗抑菌和抑菌作用期限，提高抗菌和抑菌效果，本发明还在银钛复合抗菌膜表面镀第二层硅膜，有利于减缓银钛复合抗菌膜的脱落速度，进一步延长其抑菌抗菌作用期限，提高抗菌和抑菌效果。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明实施例4的整体结构示意图；
图2是本发明实施例4的正视图；
图3是本发明实施例4的传动机构的俯视图；
图4是本发明实施例4的导电药丸架的第一承载组件和导电支柱的连接结构示意图；
图5是本发明实施例4的导电药丸架的第一承载组件和第二承载组件在导电支柱上的分布示意图；
图6是本发明实施例4的导电连接杆的结构示意图；
图7是本发明实施例4的清洗腔的结构示意图。
附图标记说明：11、真空室；12、材料室；13、第一靶材腔；14、第一挡板；15、第二靶材腔；17、清洗腔；2、抽真空机构；3、材料架；31、第一连接杆；32、第二连接杆；33、承载膜；34、双面胶带；41、导电药丸架；42、导电支柱；43、第一承载组件；431、导电连接杆；432、导电带；433、导电药丸盘；434、导电定位盖；435、第一锁紧螺杆；44、第二承载组件；51、转轴；52、连接架；53、承载件；54、主动齿轮；55、从动齿轮；61、驱动齿轮；71、硅靶；72、第一加热器；81、钛银复合靶；82、第二加热器；91、电极；92、气体输送装置。
具体实施方式
以下将结合实施例和附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本发明的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本发明的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本发明的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本发明保护的范围。另外，专利中涉及到的所有联接/连接关系，并非单指构件直接相接，而是指可根据具体实施情况，通过添加或减少联接辅件，来组成更优的联接结构。本发明创造中的各个技术特征，在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。
实施例1
一种抗菌玻璃盖板的制备方法，其包括如下步骤：
步骤一、对基片进行等离子体清洗；
步骤二、对基片表面镀第一层硅膜；
步骤三、在基片的第一层硅膜表面镀银钛复合抗菌膜；
步骤四、在基片的银钛复合抗菌膜表面镀第二层硅膜。
其中，所述步骤一的具体操作为：将内部放置有待镀膜基片的真空镀膜机的真空室抽真空，接着开启与真空镀膜机的离子源清洗机构的两个电极电连接的高压中频电源，同时通过真空镀膜机的气体输送装置向真空镀膜机的清洗腔内输送氩气和氧气的混合气体，气体在离子源清洗机构的电极的作用下形成等离子体并进入真空镀膜机的真空室内对真空室内的基片表面进行清洗，清洗结束后，断开两个电极的电源。
其中，所述步骤一中的清洗时间为3min，所述真空镀膜机的真空室内的电压为600V，通入真空镀膜机的真空室内的氩气量为900cc。
其中，所述步骤二的具体操作为：
向真空镀膜机的真空室内充入60cc的氩气和100cc的氧气，然后开启真空镀膜机的第一加热器对真空镀膜机内的硅靶进行加热，使硅靶受热蒸发成小分子物质并沉积于基片表面形成第一层硅膜，所述真空镀膜机的真空室内的功率为3kW，镀膜时间为4min，镀膜完成后关闭第一加热器。
其中，所述步骤三的具体操作为：
向真空镀膜机的真空室内充入140cc的氩气和300cc的氧气，然后开启真空镀膜机的第二加热器，使第二加热器对银钛复合靶进行加热，进而使银钛复合靶受热蒸发成小分子物质并沉积于基片表面形成银钛复合抗菌膜，镀膜时间为6min，真空室内的功率为4kW，镀膜完成后，关闭第二加热器。
其中，所述步骤四的具体操作为：
向真空镀膜机的真空室内充入200cc的氩气和300cc的氧气，然后开启真空镀膜机的第一加热器对真空镀膜机内的硅靶进行加热，使硅靶受热蒸发成小分子物质并沉积于基片表面形成第二层硅膜，所述真空镀膜机的真空室内的功率为3.5kW，镀膜时间为6min，镀膜完成后关闭第一加热器。
其中，还包括：
步骤五、对表面镀有第二层硅膜的基片进行等离子清洗；
步骤六、在基片的第二硅膜表面镀AF防指纹膜。
其中，所述步骤五的具体操作为：
开启与真空镀膜机的离子源清洗机构的两个电极电连接的高压中频电源，同时通过真空镀膜机的气体输送装置向真空镀膜机的清洗腔内输送氩气和氧气的混合气体，气体在离子源清洗机构的电极的作用下形成等离子体并进入真空镀膜机的真空室内对真空室内的基片表面进行清洗，清洗结束后，断开两个电极的电源，清洗时间为1min，真空室内的电压为600V，氩气的通入量为900cc。
其中，所述步骤六的具体操作为：
开启与真空镀膜机的导电药丸架电连接的电源，使导电药丸架通电发热，进而使放置于导电药丸盘上的AF药丸挥发而镀在基片表面形成AF防指纹膜，镀膜时间为4min，导电药丸架的通电电流为750A。
采用上述制备方法制得的抗菌玻璃盖板，其包括玻璃基片和镀于玻璃基片表面的第一层硅膜、镀于第一层硅膜表面的银钛复合抗菌膜、镀于银钛复合抗菌膜表面的第二层硅膜和镀于第二层硅膜表面的AF防指纹膜，所述第一层硅膜和第二层硅膜的厚度均为8nm，所述银钛复合抗菌膜的厚度为30nm。
实施例2
一种抗菌玻璃盖板的制备方法，其包括如下步骤：
步骤一、对基片进行等离子体清洗；
步骤二、对基片表面镀第一层硅膜；
步骤三、在基片的第一层硅膜表面镀银钛复合抗菌膜；
步骤四、在基片的银钛复合抗菌膜表面镀第二层硅膜。
其中，所述步骤一的具体操作为：将内部放置有待镀膜基片的真空镀膜机的真空室抽真空，接着开启与真空镀膜机的离子源清洗机构的两个电极电连接的高压中频电源，同时通过真空镀膜机的气体输送装置向真空镀膜机的清洗腔内输送氩气和氧气的混合气体，气体在离子源清洗机构的电极的作用下形成等离子体并进入真空镀膜机的真空室内对真空室内的基片表面进行清洗，清洗结束后，断开两个电极的电源。
其中，所述步骤一中的清洗时间为5.5min，所述真空镀膜机的真空室内的电压为695V，通入真空镀膜机的真空室内的氩气量为1200cc。
其中，所述步骤二的具体操作为：
向真空镀膜机的真空室内充入130cc的氩气和200cc的氧气，然后开启真空镀膜机的第一加热器对真空镀膜机内的硅靶进行加热，使硅靶受热蒸发成小分子物质并沉积于基片表面形成第一层硅膜，所述真空镀膜机的真空室内的功率为3.75kW，镀膜时间为5.5min，镀膜完成后关闭第一加热器。
其中，所述步骤三的具体操作为：
向真空镀膜机的真空室内充入150cc的氩气和325cc的氧气，然后开启真空镀膜机的第二加热器，使第二加热器对银钛复合靶进行加热，进而使银钛复合靶受热蒸发成小分子物质并沉积于基片表面形成银钛复合抗菌膜，镀膜时间为7min，真空室内的功率为4.25kW，镀膜完成后，关闭第二加热器。
其中，所述步骤四的具体操作为：
向真空镀膜机的真空室内充入225cc的氩气和325cc的氧气，然后开启真空镀膜机的第一加热器对真空镀膜机内的硅靶进行加热，使硅靶受热蒸发成小分子物质并沉积于基片表面形成第二层硅膜，所述真空镀膜机的真空室内的功率为4kW，镀膜时间为7min，镀膜完成后关闭第一加热器。
其中，还包括：
步骤五、对表面镀有第二层硅膜的基片进行等离子清洗；
步骤六、在基片的第二硅膜表面镀AF防指纹膜。
其中，所述步骤五的具体操作为：
开启与真空镀膜机的离子源清洗机构的两个电极电连接的高压中频电源，同时通过真空镀膜机的气体输送装置向真空镀膜机的清洗腔内输送氩气和氧气的混合气体，气体在离子源清洗机构的电极的作用下形成等离子体并进入真空镀膜机的真空室内对真空室内的基片表面进行清洗，清洗结束后，断开两个电极的电源，清洗时间为1.25min，真空室内的电压为695V，氩气的通入量为1200cc。
其中，所述步骤六的具体操作为：
开启与真空镀膜机的导电药丸架电连接的电源，使导电药丸架通电发热，进而使放置于导电药丸盘上的AF药丸挥发而镀在基片表面形成AF防指纹膜，镀膜时间为4.5min，导电药丸架的通电电流为775A。
采用上述制备方法制得的抗菌玻璃盖板，其包括玻璃基片和镀于玻璃基片表面的第一层硅膜、镀于第一层硅膜表面的银钛复合抗菌膜、镀于银钛复合抗菌膜表面的第二层硅膜和镀于第二层硅膜表面的AF防指纹膜，所述第一层硅膜和第二层硅膜的厚度均为9nm，所述银钛复合抗菌膜的厚度为45nm。
实施例3
一种抗菌玻璃盖板的制备方法，其包括如下步骤：
步骤一、对基片进行等离子体清洗；
步骤二、对基片表面镀第一层硅膜；
步骤三、在基片的第一层硅膜表面镀银钛复合抗菌膜；
步骤四、在基片的银钛复合抗菌膜表面镀第二层硅膜。
其中，所述步骤一的具体操作为：将内部放置有待镀膜基片的真空镀膜机的真空室抽真空，接着开启与真空镀膜机的离子源清洗机构的两个电极电连接的高压中频电源，同时通过真空镀膜机的气体输送装置向真空镀膜机的清洗腔内输送氩气和氧气的混合气体，气体在离子源清洗机构的电极的作用下形成等离子体并进入真空镀膜机的真空室内对真空室内的基片表面进行清洗，清洗结束后，断开两个电极的电源。
其中，所述步骤一中的清洗时间为8min，所述真空镀膜机的真空室内的电压为790V，通入真空镀膜机的真空室内的氩气量为1500cc。
其中，所述步骤二的具体操作为：
向真空镀膜机的真空室内充入200cc的氩气和300cc的氧气，然后开启真空镀膜机的第一加热器对真空镀膜机内的硅靶进行加热，使硅靶受热蒸发成小分子物质并沉积于基片表面形成第一层硅膜，所述真空镀膜机的真空室内的功率为4.5kW，镀膜时间为7min，镀膜完成后关闭第一加热器。
其中，所述步骤三的具体操作为：
向真空镀膜机的真空室内充入160cc的氩气和350cc的氧气，然后开启真空镀膜机的第二加热器，使第二加热器对银钛复合靶进行加热，进而使银钛复合靶受热蒸发成小分子物质并沉积于基片表面形成银钛复合抗菌膜，镀膜时间为8min，真空室内的功率为4.5kW，镀膜完成后，关闭第二加热器。
其中，所述步骤四的具体操作为：
向真空镀膜机的真空室内充入250cc的氩气和350cc的氧气，然后开启真空镀膜机的第一加热器对真空镀膜机内的硅靶进行加热，使硅靶受热蒸发成小分子物质并沉积于基片表面形成第二层硅膜，所述真空镀膜机的真空室内的功率为4.5kW，镀膜时间为8min，镀膜完成后关闭第一加热器。
其中，还包括：
步骤五、对表面镀有第二层硅膜的基片进行等离子清洗；
步骤六、在基片的第二硅膜表面镀AF防指纹膜。
其中，所述步骤五的具体操作为：
开启与真空镀膜机的离子源清洗机构的两个电极电连接的高压中频电源，同时通过真空镀膜机的气体输送装置向真空镀膜机的清洗腔内输送氩气和氧气的混合气体，气体在离子源清洗机构的电极的作用下形成等离子体并进入真空镀膜机的真空室内对真空室内的基片表面进行清洗，清洗结束后，断开两个电极的电源，清洗时间为1.5min，真空室内的电压为790V，氩气的通入量为1500cc。
其中，所述步骤六的具体操作为：
开启与真空镀膜机的导电药丸架电连接的电源，使导电药丸架通电发热，进而使放置于导电药丸盘上的AF药丸挥发而镀在基片表面形成AF防指纹膜，镀膜时间为5min，导电药丸架的通电电流为800A。
采用上述制备方法制得的抗菌玻璃盖板，其包括玻璃基片和镀于玻璃基片表面的第一层硅膜、镀于第一层硅膜表面的银钛复合抗菌膜、镀于银钛复合抗菌膜表面的第二层硅膜和镀于第二层硅膜表面的AF防指纹膜，所述第一层硅膜和第二层硅膜的厚度均为10nm，所述银钛复合抗菌膜的厚度为60nm。
实施例4
本发明的抗菌玻璃盖板制备时，所使用的真空镀膜机的具体结构如下：
一种真空镀膜机，如图1-7所示，其包括真空箱、设于真空箱外用于对真空箱抽真空的抽真空机构2和设于真空箱内的材料架3、第一镀膜机构、传动机构、驱动机构、第二镀膜机构、第三镀膜机构以及离子源清洗机构。具体的，所述抽真空机构2为真空泵。所述材料架3用于承载待镀膜的基片。所述第一镀膜机构用于对材料架3上的基片镀防指纹膜。所述传动机构用于带动材料架3和第一镀膜机构转动。所述驱动机构用于驱动传动机构转动。所述第二镀膜机构用于对材料架3上的基片镀硅膜。所述第三镀膜机构用于对材料架3上的基片镀抗菌膜。所述离子源清洗机构用于向真空腔内释放等离子体对材料架3上的基片进行清洗。
本发明通过设置上述结构，使真空镀膜机同时具有对待镀膜的基片进行等离子表面清洗、镀硅膜、镀抗菌膜和镀防指纹膜，且通过传动机构和驱动机构，使镀膜过程中材料架3和第一镀膜机构可以转动，进而使镀膜时放置于材料架3上的基片可以被转动到各个位置，使材料架3上的所有基片均可以被转动到靠近第一镀膜机构、第二镀膜机构和第三镀膜机构的位置，更有利于对基片表面均匀镀膜。
具体镀膜时，先将待镀膜的基片放置于材料架3上，然后通过抽真空机构2对真空箱抽真空，接着通过离子源清洗机构向真空腔内释放等离子体对待镀膜的基片表面进行清洗，再接着通过第二镀膜机构对材料架3上的基片镀硅膜，对基片镀完硅膜后通过第三镀膜机构对材料架3上的基片镀抗菌膜，镀完抗菌膜后，再通过第二镀膜机构再次在基片表面镀一层硅膜，最后通过第一镀膜机构在基片表面镀防指纹AF膜，即完成基片的镀膜工作，操作简单，在一个设备内即可完成多层镀膜以及不同膜层的镀膜作用，不需要用多个镀膜设备，有利于减少设备成本，提高工作效率。
其中，如图1和2所示，所述真空箱包括真空室11和分别与真空室11两相对侧铰接的两个材料室12，每个所述材料室12均能与真空室11合并形成密封腔体，每个所述材料室12内均设有材料架3、第一镀膜机构和传动机构，所述驱动机构、第二镀膜机构、第三镀膜机构和离子源清洗机构设于真空室11内，当所述材料室12与真空室11合并时，所述驱动机构驱动传动机构转动。
本发明通过设置两个与真空室11侧部铰接的材料室12，使其中一个材料室12内的基片进行镀膜时，工作人员可以对另一个材料室12内的材料架3安装待镀膜的基片，进而当上一个材料室12内的基片镀好膜后，可以马上将装好待镀基片的材料室12与真空室11合并继续进行镀膜工作，也就是说本发明通过设置两个材料室12，对两个材料室12内的基片进行轮流镀膜，相比一个材料室12和一个材料架3的镀膜机而言，本发明的镀膜机镀膜时可以节省安装基片的时间，大大提高了镀膜效率。
其中，如图1-3所示，所述传动机构包括转轴51、连接架52、承载件53、主动齿轮54和多个从动齿轮55，所述转轴51转动设于材料室12内，所述连接架52的中心、承载件53的中心和主动齿轮54的中心与转轴51固定连接，所述材料架3设置有多个，多个所述材料架3沿主动齿轮54的圆周边缘周向间隔设于承载件53上，所述材料架3的上端通过第一连接杆31与连接架52转动连接，所述材料架3的下端通过第二连接杆32与承载件53转动连接，所述从动齿轮55固定设于第二连接杆32上，所述从动齿轮55与主动齿轮54啮合，所述驱动装置用于驱动承载件53转动。
镀膜时，通过驱动装置驱动承载件53转动，进而带动转轴51、连接架52、主动齿轮54、第一镀膜机构和设于承载件53上的多个材料架3作同步转动，而由于主动齿轮54和从动齿轮55啮合，进而主动齿轮54转动时带动多个从动齿轮55转动，进而带动多个材料架3自转。
综上，本发明通过设置驱动装置和传动装置，使镀膜时，材料架3可以跟随承载件53的转动在真空镀膜机内部运动至各个位置，并同时作自转运动，而安装于材料架3上的玻璃盖板跟随材料架3运动，可以避免玻璃盖板在镀膜时一直处于一个位置而导致位于不同位置的玻璃盖板表面镀膜厚度不一致，有利于提高真空镀膜机的镀膜均匀性。
其中，所述承载件53为承载齿轮，所述驱动机构包括设于真空室11内的驱动齿轮61和用于驱动驱动齿轮61转动的电机(图中未示出)，当所述材料室12和真空室11合并时，所述驱动齿轮61和承载齿轮啮合。
通过将驱动装置设于真空室11上，一方面可以减少材料室12的整体重量，便于工作人员推动材料室12转动，使材料室12和真空室11合并，另一方面，由于材料室12和真空室11合并或打开时，材料室12均需要发生运动，如果将驱动装置设于材料室12上时，驱动装置的电机需要跟随材料室12运动，运动过程中容易使电机与外部的物质发生碰撞而造成电机受损，因此有利于保护电机。
其中，如图1所示，每个所述材料架3的表面包覆有承载膜33，所述承载膜33远离材料架3的一面粘贴双面胶带34，所述双面胶带34用于粘贴玻璃盖板表面的保护膜。
为了对基片表面进行保护，具体的，所述基片为手机玻璃盖板，防止基片在储存或转运的过程中被划伤，镀膜前，多块基片是排列粘贴在保护膜上的，且基片的两侧面均粘贴有保护膜，形成粘附有多块基片的料带。对基片进行镀膜时，需要先将基片待镀膜一侧的保护膜撕掉，然后将另一侧的保护膜通过双面胶带34粘贴到材料架3上的承载膜33上，使玻璃盖板被固定于材料架3上，然后通过真空镀膜机对材料架3上的玻璃盖板进行镀膜，待玻璃盖板镀膜结束后，将镀好膜的玻璃盖板从保护膜上取下即可，相比挂钩和夹持机械手，本发明的材料架3固定玻璃盖板的方式更加简单，且对玻璃盖板进行固定时不易使玻璃盖板表面产生划痕，更有利于保护玻璃盖板，提高成品率，减少后续的加工工序。具体的，所述保护膜为表面设有胶黏剂的塑料薄膜，所述承载膜33为塑料薄膜，其价格便宜，镀膜后，可以直接将材料架3上的承载膜33揭掉，当需要对新的玻璃盖板进行镀膜前，在材料架3上覆上新的承载膜33和双面胶纸，其操作简单，且可以避免双面胶纸直接粘贴到材料架3上，有利于保护材料架3，使材料架3的表面始终保持平整，更有利于玻璃盖板的安装。
其中，如图4-6所示，所述第一镀膜机构包括用于放置AF药丸的导电药丸架41和与导电药丸架41电连接的电源(图中未示出)，具体的，所述AF药丸为防指纹药丸，所述导电药丸架41包括下端与主动齿轮54固定连接的两根导电支柱42、从下至上设于两根导电支柱42之间的多个第一承载组件43，所述第一承载组件43包括分别与两根导电支柱42连接的两根导电连接杆431、一端分别与两根导电连接杆431连接的两根导电带432和设于两根导电带432之间用于放置AF药丸的导电药丸盘433，所述导电连接杆431远离导电支柱42的一端设有导电定位盖434，所述导电定位盖434上转动连接第一锁紧螺杆435，所述第一锁紧螺杆435与导电连接杆431的端部螺纹连接，所述导电带432夹设于导电定位盖434和导电连接杆431之间。
本发明通过设置上述结构，当需要更换导电药丸盘433或对其进行维修时，只需要转动第一锁紧螺杆435，使第一锁紧螺杆435带动导电定位盖434沿远离导电连接杆431的方向移动，进而使导电定位盖434和导电连接杆431不再夹持导电带432，此时可将导电带432和导电药丸盘433从导电药丸架41上取下，更换新的导电药丸盘433时，只需要将导电药丸盘433两侧的两条导电带432放置在导电定位盖434和导电连接杆431之间，然后转动第一锁紧螺杆435，使第一锁紧螺杆435带动导电定位盖434向导电连接杆431的端部移动，使导电定位盖434和导电连接杆431的端部相互配合夹紧导电带432，即可完成导电药丸盘433的安装，本发明的导电药丸盘433拆装方便，拆装效率高，当导电药丸盘433受损需要维修或更换时，只需要更换新的导电药丸盘433即可，不需要对整个药丸架进行维修和更换，有利于减少维修成本。具体的，所述导电药丸架41为铜材制成。
具体的，当要对基片表面镀AF防指纹膜时，通过开启与导电药丸架41电连接的电源，使导电药丸架41通电发热，进而使放置于导电药丸盘433上的AF药丸挥发而镀在基片上。
其中，所述导电药丸架41还包括设于导电支柱42远离第一承载组件43一侧的多个第二承载组件44，所述第二承载组件44的结构与第一承载组件43的结构相同且对称设置。
其中，如图1-2所示，所述真空室11内设有第一靶材腔13，所述第一靶材腔13的开口处滑动设置用于封闭第一靶材腔13开口的第一挡板14，所述第二镀膜机构设于第一靶材腔13内，所述第二镀膜机构包括硅靶71和用于对硅靶71进行加热的第一加热器72。
具体使用时，通过第一加热器72对硅靶71进行加热，使硅靶71受热蒸发成小分子物质并扩散到真空室11内，最终沉积于基片表面，实现对基片表面镀硅膜。第一挡板14的设置，使第一镀膜机构和第三镀膜机构镀膜时，第一挡板14可以封堵住第一靶材腔13的开口，使第一镀膜机构和第三镀膜机构镀膜时镀膜材料不会扩散到第一靶材腔13内。
其中，所述真空室11内设有第二靶材腔15，所述第二靶材腔15的开口处滑动设置用于封闭第一靶材腔13开口的第二挡板(图中未标示)，所述第三镀膜机构包括钛银复合靶81和用于对钛银复合靶81进行加热的第二加热器82。
具体使用时，通过第二加热器82对钛银复合靶81进行加热，使钛银复合靶81受热蒸发成银分子和钛分子并扩散到真空室11内，最终沉积于基片表面，实现对基片表面镀钛银复合膜。第二挡板的设置，使第一镀膜机构和第二镀膜机构镀膜时，第二挡板可以封堵住第二靶材腔15的开口，使第一镀膜机构和第二镀膜机构镀膜时镀膜材料不会扩散到第二靶材腔15内。
其中，如图2和图7所示，所述真空室11内设有清洗腔17，所述离子源清洗机构包括设于真空箱外用于向清洗腔17内通入清洁气体的气体输送装置92和固定设于清洗腔17内的两个电极91，具体的，两个电极91分别为正负极，两个所述电极91分别与外部的高压中频电源电连接，所述清洗腔17的开口于真空室11连通。
具体使用时，通过气体输送装置92向清洗腔17内通入清洁气体，清洁气体在接通高压中频电源的两个电极91的作用下形成等离子体，等离子体进入真空室11内对基片表面进行清洗。
具体的，所述清洁气体为氧气和氩气的混合体。所述气体输送装置92包括气体输送管道和设于设于气体输送管道上的阀门(图中未示出)。
以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可做出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。