非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的发光背光源
阅读说明：本技术 非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的发光背光源 (Non-linked same-depression staggered double-cathode chamfer single-tip gate control structure light-emitting backlight source ) 是由 李玉魁 于 2020-03-24 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的发光背光源,包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件,所述的真空封闭体由前硬透玻璃板、后硬透玻璃板和玻璃窄框条构成；在前硬透玻璃板上有阳极蚀膜垫层、阳极续合直银层和薄发光层,所述的阳极蚀膜垫层和阳极续合直银层相连,所述的薄发光层制作在阳极蚀膜垫层上面；在后硬透玻璃板上有非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构。具有发光背光源的发光均匀性能良好、发光背光源的发光亮度高的优点。(The invention discloses a luminous backlight source with a non-joint hollow staggered double-sided cathode chamfer single-tip gating structure, which comprises a vacuum enclosure and an auxiliary getter element positioned in the vacuum enclosure, wherein the vacuum enclosure consists of a front hard transparent glass plate, a rear hard transparent glass plate and a glass narrow frame strip; the front hard transparent glass plate is provided with an anode etched film cushion layer, an anode continuous straight silver layer and a thin luminous layer, the anode etched film cushion layer is connected with the anode continuous straight silver layer, and the thin luminous layer is manufactured on the anode etched film cushion layer; and a non-linked same-depression staggered double-sided cathode chamfer single-pointed gate control structure is arranged on the rear hard transparent glass plate. The LED backlight source has the advantages of good light-emitting uniformity and high light-emitting brightness.)
技术领域
本发明属于纳米科学与技术领域、集成电路科学与技术领域、半导体科学与技术领域、真空科学与技术领域、微电子科学与技术领域、平面显示技术领域以及光电子科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面发光背光源的制作，具体涉及到碳纳米管阴极的发光背光源的制作，特别涉及到一种非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的发光背光源及其制作工艺。
背景技术
碳纳米管具有优异的电子发射特性，可以用来充当发光背光源的电子源，为发光背光源元器件提供很好的阴极电流。碳纳米管的极高机械强度和良好的耐热性，能够确保碳纳米管在发光背光源运转过程中发挥正常电子发射功能，而不至于出现被烧毁现象。随着对碳纳米管阴极的印刷制备、调制、处理等工艺的研究向前推进，间接也推动了发光背光源元器件的研究进展。但是，在三极结构的碳纳米管阴极发光背光源中，还存在着一些技术难题有待解决。第一，门极电压对碳纳米管阴极的控制能力太弱。门极电压是需要外部施加的，若是较小的门极电压，则碳纳米管阴极根本就不受影响；若是较大的门极电压，则还会引起门极-阴极之间电场击穿情况的出现。门极的本质作用是用于对碳纳米管阴极的电子发射进行调控的，而碳纳米管阴极进行电子发射不受门极电压的严格限制，就是门极电压失去本质作用的表现。第二，碳纳米管阴极的电子发射效率比较低下。在碳纳米管阴极中，仅有少部分碳纳米管能够正常进行电子发射，这还是不足以用于形成发光背光源的大阴极电流的，而大部分碳纳米管没有电子发射，形成了事实上的失效阴极，也浪费并占用了宝贵的碳纳米管制作面积。上述技术难题的存在，还需要进行认真探求并给出解决办法。
发明内容
发明目的：本发明的目的在于克服上述发光背光源中存在的缺陷和不足而提供一种发光背光源的发光均匀性能良好的、发光背光源的发光亮度高的非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的发光背光源及其制作工艺。
技术方案：本发明的非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的发光背光源，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件，所述的真空封闭体由前硬透玻璃板、后硬透玻璃板和玻璃窄框条构成；在前硬透玻璃板上有阳极蚀膜垫层、阳极续合直银层和薄发光层，所述的阳极蚀膜垫层和阳极续合直银层相连，所述的薄发光层制作在阳极蚀膜垫层上面；在后硬透玻璃板上有非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构。
具体地，所述的非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的衬底为后硬透玻璃板；后硬透玻璃板上的印刷的绝缘浆料层形成透黑遏抵层；透黑遏抵层上的印刷的银浆层形成阴极续合直银层；阴极续合直银层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极同洼下位层；阴极同洼下位层的下表面为圆形平面、且位于阴极续合直银层上，阴极同洼下位层的上表面为圆形平面、且阴极同洼下位层的上表面和下表面相互平行，阴极同洼下位层的上表面直径小于下表面直径，阴极同洼下位层的下表面中心垂直线和上表面中心垂直线相互重合，阴极同洼下位层的外下侧面为圆柱面，阴极同洼下位层的外上侧面为凹陷的洼面、且凹陷方向为朝向阴极同洼下位层下表面中心垂直线方向；阴极同洼下位层中存在四方孔，四方孔内印刷的银浆层形成阴极内串线一层；阴极内串线一层和阴极续合直银层是相互连通的；阴极同洼下位层中存在三角孔，三角孔内印刷的银浆层形成阴极内串线二层；阴极内串线二层和阴极续合直银层是相互连通的；阴极同洼下位层外上侧面上的印刷的银浆层形成阴极双洼底电极；阴极双洼底电极位于阴极同洼下位层外上侧面上，阴极双洼底电极的下边缘和阴极同洼下位层外上侧面的下边缘相平齐，阴极双洼底电极的上边缘和阴极同洼下位层外上侧面的上边缘相平齐；阴极双洼底电极和阴极内串线二层是相互连通的；阴极同洼下位层上表面的印刷的绝缘浆料层形成阴极同洼中位层；阴极同洼中位层的下表面为圆形平面、且位于阴极同洼下位层上表面上，阴极同洼中位层的下表面中心垂直线和阴极同洼下位层的上表面中心垂直线相互重合，阴极同洼中位层的下表面直径小于阴极同洼下位层的上表面直径，阴极同洼中位层的上表面为圆形平面、且阴极同洼中位层的上表面和下表面相互平行，阴极同洼中位层的上表面直径小于下表面直径，阴极同洼中位层的上表面中心垂直线和下表面中心垂直线相互重合，阴极同洼中位层的外侧面为凹陷的洼面、且凹陷方向为朝向阴极同洼中位层下表面中心垂直线方向，阴极同洼中位层的高度小于下表面直径；阴极同洼中位层中存在四方孔，四方孔内印刷的银浆层形成阴极内串线三层；阴极内串线三层和阴极内串线一层是相互连通的；阴极同洼中位层上表面的印刷的银浆层形成阴极内串线四层；阴极内串线四层和阴极内串线三层是相互连通的；阴极同洼中位层外侧面的印刷的银浆层形成阴极双洼顶电极；阴极双洼顶电极位于阴极同洼中位层外侧面上，阴极双洼顶电极的下边缘和阴极同洼中位层外侧面下边缘相平齐，阴极双洼顶电极的上边缘和阴极同洼中位层外侧面上边缘相平齐；阴极双洼顶电极和阴极内串线四层是相互连通的；阴极同洼中位层上表面的印刷的绝缘浆料层形成阴极同洼覆盖层；透黑遏抵层上的印刷的绝缘浆料层形成门极倒角底一层；门极倒角底一层的下表面为平面、且位于透黑遏抵层上，门极倒角底一层中存在圆形孔，圆形孔中暴露出透黑遏抵层、阴极续合直银层、阴极同洼下位层、阴极内串线一层、阴极内串线二层、阴极双洼底电极、阴极同洼中位层、阴极内串线三层、阴极内串线四层、阴极双洼顶电极、阴极同洼覆盖层，门极倒角底一层圆形孔内侧面为直立的圆筒面；门极倒角底一层上的印刷的银浆层形成门极单尖下电极；门极单尖下电极为凸起的弧形、且位于门极倒角底一层上，门极单尖下电极的前末端朝向门极倒角底一层圆形孔内侧面方向、而后末端朝向远离门极倒角底一层圆形孔内侧面方向，门极单尖下电极的前末端和门极倒角底一层圆形孔内侧面相平齐；门极倒角底一层上的印刷的银浆层形成门极单尖后电极；门极单尖后电极为斜直坡面形、且位于门极倒角底一层上，门极单尖后电极的前末端朝向门极倒角底一层圆形孔内侧面方向、而后末端为朝向远离门极倒角底一层圆形孔内侧面方向，门极单尖后电极的前末端和门极单尖前电极的后末端相连；门极单尖前电极和门极单尖后电极是相互连通的；门极单尖前电极、门极单尖后电极和门极倒角底一层上的印刷的绝缘浆料层形成门极倒角底二层；门极倒角底二层上的印刷的银浆层形成门极单尖上电极；门极单尖上电极为凸起的弧形、且位于门极倒角底二层上，门极单尖上电极的前末端朝向门极倒角底一层圆形孔内侧面方向、而后末端朝向远离门极倒角底一层圆形孔内侧面方向，门极单尖上电极的前末端和门极单尖前电极的前末端相连，门极单尖后电极的后末端和门极单尖上电极的中间部位相连；门极单尖后电极和门极单尖上电极是相互连通的，门极单尖前电极和门极单尖上电极是相互连通的；透黑遏抵层上的印刷的绝缘浆料层形成门极倒角底三层；门极倒角底三层上的印刷的银浆层形成门极续合直银层；门极续合直银层的前末端和门极单尖上电极的后末端相连；门极续合直银层和门极单尖上电极是相互连通的；门极单尖上电极上的印刷的绝缘浆料层形成门极倒角底四层；碳纳米管制作在阴极双洼底电极和阴极双洼顶电极上。
具体地，所述的非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的固定位置为后硬透玻璃板。
具体地，所述的后硬透玻璃板的材料为硼硅玻璃或钠钙玻璃。
本发明同时提供上述的非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的发光背光源的制作工艺，包括以下步骤：
1)后硬透玻璃板的制作：对平面钠钙玻璃进行划割，形成后硬透玻璃板。
2)透黑遏抵层的制作：在后硬透玻璃板上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成透黑遏抵层。
3)阴极续合直银层的制作：在透黑遏抵层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极续合直银层。
4)阴极同洼下位层的制作：在阴极续合直银层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极同洼下位层。
5)阴极内串线一层的制作：在阴极同洼下位层的四方孔内印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极内串线一层。
6)阴极内串线二层的制作：在阴极同洼下位层的三角孔内印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极内串线二层。
7)阴极双洼底电极的制作：在阴极同洼下位层外上侧面上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极双洼底电极。
8)阴极同洼中位层的制作：在阴极同洼下位层上表面上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极同洼中位层。
9)阴极内串线三层的制作：在阴极同洼中位层的四方孔内印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极内串线三层。
10)阴极内串线四层的制作：在阴极同洼中位层上表面印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极内串线四层。
11)阴极双洼顶电极的制作：在阴极同洼中位层外侧面上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极双洼顶电极。
12)阴极同洼覆盖层的制作：在阴极同洼中位层上表面印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极同洼覆盖层。
13)门极倒角底一层的制作：在透黑遏抵层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极倒角底一层。
14)门极单尖下电极的制作：在门极倒角底一层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极单尖下电极。
15)门极单尖后电极的制作：在门极倒角底一层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极单尖后电极。
16)门极倒角底二层的制作：在门极单尖前电极、门极单尖后电极和门极倒角底一层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极倒角底二层。
17)门极单尖上电极的制作：在门极倒角底二层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极单尖上电极。
18)门极倒角底三层的制作：在透黑遏抵层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极倒角底三层。
19)门极续合直银层的制作：在门极倒角底三层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极续合直银层。
20)门极倒角底四层的制作：在门极单尖上电极上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极倒角底四层。
21)非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的清洁：对非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘。
22)碳纳米管层的制作：将碳纳米管制作在阴极双洼底电极和阴极双洼顶电极上，形成碳纳米管层。
23)碳纳米管层的处理：对碳纳米管层进行后处理，改善其电子发射特性。
24)前硬透玻璃板的制作：对平面钠钙玻璃进行划割，形成前硬透玻璃板。
25)阳极蚀膜垫层的制作：对覆盖于前硬透玻璃板表面的锡铟氧化物膜层进行刻蚀工艺，形成阳极蚀膜垫层。
26)阳极续合直银层的制作：在前硬透玻璃板上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阳极续合直银层。
27)薄发光层的制作：在阳极蚀膜垫层上印刷荧光粉，经烘烤工艺后形成薄发光层。
28)发光背光源器件装配：将消气剂安装于前硬透玻璃板的非显示区域；然后，将前硬透玻璃板、后硬透玻璃板和玻璃窄框条装配到一起，用夹子固定。
29)发光背光源器件封装：对已装配的发光背光源器件进行封装工艺，形成成品件。
具体地，步骤26中，在前硬透玻璃板的非显示区域印刷银浆，经过烘烤工艺之后，最高烘烤温度：192℃，最高烘烤温度保持时间：7.5分钟；放置在烧结炉中进行烧结，最高烧结温度：532℃，最高烧结温度保持时间：9.5分钟。
具体地，步骤27中，在阳极蚀膜垫层上印刷荧光粉，然后放置在烘箱中进行烘烤工艺，最高烘烤温度：152℃，最高烘烤温度保持时间：7.5分钟。
具体地，步骤29中，所述封装工艺包括将发光背光源器件放入烘箱中进行烘烤；放入烧结炉中进行烧结；在排气台上进行排气、封离；在烤消机上对消气剂进行烤消；最后加装管脚形成成品件。
有益效果：本发明具有如下显著的进步：
首先，在所述的非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构中，制作了门极单尖前电极、门极单尖后电极和门极单尖上电极。门极单尖前电极、门极单尖后电极和门极单尖上电极共同作用，能够将门极电压顺利传递到碳纳米管阴极表面，并控制碳纳米管阴极的电子发射，从而表现了门极应用的本质作用，这也有助于提高发光背光源的发光亮度。
其次，在所述的非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构中，制作了阴极双洼顶电极和阴极双洼底电极。阴极双洼底电极环绕着阴极同洼下位层，具有很大的表面积；阴极双洼顶电极环绕着阴极同洼中位层，也具有很大的表面积。这同时也就扩展了碳纳米管层的制作面积，能够增大发光背光源的阴极电流，这有助于进一步改善发光背光源的发光均匀性。
第三，在所述的非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构中，碳纳米管层制作在了阴极双洼顶电极和阴极双洼底电极上。鉴于阴极双洼顶电极具有很大的阴极边缘，同时阴极双洼底电极也具有很大的阴极边缘，当碳纳米管层被同时制作在阴极双洼底电极和阴极双洼顶电极上以后，能够进行更多的电子发射。这对提高发光背光源的发光亮度是十分有益的。
此外，在所述的非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的发光背光源中，没有采用特殊的制作材料，这有助于降低整体发光背光源的制作成本。
附图说明
图1给出了非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的纵向结构示意图。
图2给出了非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的横向结构示意图。
图3给出了非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的发光背光源的结构示意图。
图中，后硬透玻璃板1、透黑遏抵层2、阴极续合直银层3、阴极同洼下位层4、阴极内串线一层5、阴极内串线二层6、阴极双洼底电极7、阴极同洼中位层8、阴极内串线三层9、阴极内串线四层10、阴极双洼顶电极11、阴极同洼覆盖层12、门极倒角底一层13、门极单尖下电极14、门极单尖后电极15、门极倒角底二层16、门极单尖上电极17、门极倒角底三层18、门极续合直银层19、门极倒角底四层20、碳纳米管层21、前硬透玻璃板22、阳极蚀膜垫层23、阳极续合直银层24、薄发光层25、消气剂26、玻璃窄框条27。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明，但本发明并不局限于本实施例。
本实施例的非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的发光背光源如图1、图2和图3所示，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件26，所述的真空封闭体由前硬透玻璃板22、后硬透玻璃板1和玻璃窄框条27构成；在前硬透玻璃板上有阳极蚀膜垫层23、阳极续合直银层24和薄发光层25，所述的阳极蚀膜垫层和阳极续合直银层相连，所述的薄发光层制作在阳极蚀膜垫层上面；在后硬透玻璃板上有非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构。
非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构包括后硬透玻璃板1、透黑遏抵层2、阴极续合直银层3、阴极同洼下位层4、阴极内串线一层5、阴极内串线二层6、阴极双洼底电极7、阴极同洼中位层8、阴极内串线三层9、阴极内串线四层10、阴极双洼顶电极11、阴极同洼覆盖层12、门极倒角底一层13、门极单尖下电极14、门极单尖后电极15、门极倒角底二层16、门极单尖上电极17、门极倒角底三层18、门极续合直银层19、门极倒角底四层20。
所述的非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的衬底为后硬透玻璃板；后硬透玻璃板上的印刷的绝缘浆料层形成透黑遏抵层；透黑遏抵层上的印刷的银浆层形成阴极续合直银层；阴极续合直银层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极同洼下位层；阴极同洼下位层的下表面为圆形平面、且位于阴极续合直银层上，阴极同洼下位层的上表面为圆形平面、且阴极同洼下位层的上表面和下表面相互平行，阴极同洼下位层的上表面直径小于下表面直径，阴极同洼下位层的下表面中心垂直线和上表面中心垂直线相互重合，阴极同洼下位层的外下侧面为圆柱面，阴极同洼下位层的外上侧面为凹陷的洼面、且凹陷方向为朝向阴极同洼下位层下表面中心垂直线方向；阴极同洼下位层中存在四方孔，四方孔内印刷的银浆层形成阴极内串线一层；阴极内串线一层和阴极续合直银层是相互连通的；阴极同洼下位层中存在三角孔，三角孔内印刷的银浆层形成阴极内串线二层；阴极内串线二层和阴极续合直银层是相互连通的；阴极同洼下位层外上侧面上的印刷的银浆层形成阴极双洼底电极；阴极双洼底电极位于阴极同洼下位层外上侧面上，阴极双洼底电极的下边缘和阴极同洼下位层外上侧面的下边缘相平齐，阴极双洼底电极的上边缘和阴极同洼下位层外上侧面的上边缘相平齐；阴极双洼底电极和阴极内串线二层是相互连通的；阴极同洼下位层上表面的印刷的绝缘浆料层形成阴极同洼中位层；阴极同洼中位层的下表面为圆形平面、且位于阴极同洼下位层上表面上，阴极同洼中位层的下表面中心垂直线和阴极同洼下位层的上表面中心垂直线相互重合，阴极同洼中位层的下表面直径小于阴极同洼下位层的上表面直径，阴极同洼中位层的上表面为圆形平面、且阴极同洼中位层的上表面和下表面相互平行，阴极同洼中位层的上表面直径小于下表面直径，阴极同洼中位层的上表面中心垂直线和下表面中心垂直线相互重合，阴极同洼中位层的外侧面为凹陷的洼面、且凹陷方向为朝向阴极同洼中位层下表面中心垂直线方向，阴极同洼中位层的高度小于下表面直径；阴极同洼中位层中存在四方孔，四方孔内印刷的银浆层形成阴极内串线三层；阴极内串线三层和阴极内串线一层是相互连通的；阴极同洼中位层上表面的印刷的银浆层形成阴极内串线四层；阴极内串线四层和阴极内串线三层是相互连通的；阴极同洼中位层外侧面的印刷的银浆层形成阴极双洼顶电极；阴极双洼顶电极位于阴极同洼中位层外侧面上，阴极双洼顶电极的下边缘和阴极同洼中位层外侧面下边缘相平齐，阴极双洼顶电极的上边缘和阴极同洼中位层外侧面上边缘相平齐；阴极双洼顶电极和阴极内串线四层是相互连通的；阴极同洼中位层上表面的印刷的绝缘浆料层形成阴极同洼覆盖层；透黑遏抵层上的印刷的绝缘浆料层形成门极倒角底一层；门极倒角底一层的下表面为平面、且位于透黑遏抵层上，门极倒角底一层中存在圆形孔，圆形孔中暴露出透黑遏抵层、阴极续合直银层、阴极同洼下位层、阴极内串线一层、阴极内串线二层、阴极双洼底电极、阴极同洼中位层、阴极内串线三层、阴极内串线四层、阴极双洼顶电极、阴极同洼覆盖层，门极倒角底一层圆形孔内侧面为直立的圆筒面；门极倒角底一层上的印刷的银浆层形成门极单尖下电极；门极单尖下电极为凸起的弧形、且位于门极倒角底一层上，门极单尖下电极的前末端朝向门极倒角底一层圆形孔内侧面方向、而后末端朝向远离门极倒角底一层圆形孔内侧面方向，门极单尖下电极的前末端和门极倒角底一层圆形孔内侧面相平齐；门极倒角底一层上的印刷的银浆层形成门极单尖后电极；门极单尖后电极为斜直坡面形、且位于门极倒角底一层上，门极单尖后电极的前末端朝向门极倒角底一层圆形孔内侧面方向、而后末端为朝向远离门极倒角底一层圆形孔内侧面方向，门极单尖后电极的前末端和门极单尖前电极的后末端相连；门极单尖前电极和门极单尖后电极是相互连通的；门极单尖前电极、门极单尖后电极和门极倒角底一层上的印刷的绝缘浆料层形成门极倒角底二层；门极倒角底二层上的印刷的银浆层形成门极单尖上电极；门极单尖上电极为凸起的弧形、且位于门极倒角底二层上，门极单尖上电极的前末端朝向门极倒角底一层圆形孔内侧面方向、而后末端朝向远离门极倒角底一层圆形孔内侧面方向，门极单尖上电极的前末端和门极单尖前电极的前末端相连，门极单尖后电极的后末端和门极单尖上电极的中间部位相连；门极单尖后电极和门极单尖上电极是相互连通的，门极单尖前电极和门极单尖上电极是相互连通的；透黑遏抵层上的印刷的绝缘浆料层形成门极倒角底三层；门极倒角底三层上的印刷的银浆层形成门极续合直银层；门极续合直银层的前末端和门极单尖上电极的后末端相连；门极续合直银层和门极单尖上电极是相互连通的；门极单尖上电极上的印刷的绝缘浆料层形成门极倒角底四层；碳纳米管制作在阴极双洼底电极和阴极双洼顶电极上。
所述的非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的固定位置为后硬透玻璃板。
所述的后硬透玻璃板的材料为硼硅玻璃或钠钙玻璃。
上述的非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的发光背光源的制作工艺，包括以下步骤：
1)后硬透玻璃板的制作：对平面钠钙玻璃进行划割，形成后硬透玻璃板。
2)透黑遏抵层的制作：在后硬透玻璃板上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成透黑遏抵层。
3)阴极续合直银层的制作：在透黑遏抵层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极续合直银层。
4)阴极同洼下位层的制作：在阴极续合直银层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极同洼下位层。
5)阴极内串线一层的制作：在阴极同洼下位层的四方孔内印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极内串线一层。
6)阴极内串线二层的制作：在阴极同洼下位层的三角孔内印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极内串线二层。
7)阴极双洼底电极的制作：在阴极同洼下位层外上侧面上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极双洼底电极。
8)阴极同洼中位层的制作：在阴极同洼下位层上表面上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极同洼中位层。
9)阴极内串线三层的制作：在阴极同洼中位层的四方孔内印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极内串线三层。
10)阴极内串线四层的制作：在阴极同洼中位层上表面印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极内串线四层。
11)阴极双洼顶电极的制作：在阴极同洼中位层外侧面上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成阴极双洼顶电极。
12)阴极同洼覆盖层的制作：在阴极同洼中位层上表面印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成阴极同洼覆盖层。
13)门极倒角底一层的制作：在透黑遏抵层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极倒角底一层。
14)门极单尖下电极的制作：在门极倒角底一层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极单尖下电极。
15)门极单尖后电极的制作：在门极倒角底一层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极单尖后电极。
16)门极倒角底二层的制作：在门极单尖前电极、门极单尖后电极和门极倒角底一层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极倒角底二层。
17)门极单尖上电极的制作：在门极倒角底二层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极单尖上电极。
18)门极倒角底三层的制作：在透黑遏抵层上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极倒角底三层。
19)门极续合直银层的制作：在门极倒角底三层上印刷银浆，经烘烤、烧结工艺后形成门极续合直银层。
20)门极倒角底四层的制作：在门极单尖上电极上印刷绝缘浆料，经烘烤、烧结工艺后形成门极倒角底四层。
21)非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的清洁：对非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘。
22)碳纳米管层的制作：将碳纳米管制作在阴极双洼底电极和阴极双洼顶电极上，形成碳纳米管层。
23)碳纳米管层的处理：对碳纳米管层进行后处理，改善其电子发射特性。
24)前硬透玻璃板的制作：对平面钠钙玻璃进行划割，形成前硬透玻璃板。
25)阳极蚀膜垫层的制作：对覆盖于前硬透玻璃板表面的锡铟氧化物膜层进行刻蚀工艺，形成阳极蚀膜垫层。
26)阳极续合直银层的制作：在前硬透玻璃板上印刷银浆，经192℃下烘烤7.5分钟，放置在烧结炉中于532℃下烧结9.5分钟后形成阳极续合直银层。
27)薄发光层的制作：在阳极蚀膜垫层上印刷荧光粉，然后放置在烘箱中于152℃下烘烤7.5分钟后形成薄发光层。
28)发光背光源器件装配：将消气剂安装于前硬透玻璃板的非显示区域；然后，将前硬透玻璃板、后硬透玻璃板和玻璃窄框条装配到一起，用夹子固定。
29)发光背光源器件封装：对已装配的发光背光源器件进行封装工艺，包括将发光背光源器件放入烘箱中进行烘烤；放入烧结炉中进行烧结；在排气台上进行排气、封离；在烤消机上对消气剂进行烤消；最后加装管脚形成成品件。