具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图即实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

为了说明本发明的技术方案，下面结合具体附图及实施例来进行说明。

请参考图1、图2和图3，本申请第一方面的实施例提供了一种阵列基板，包括基板1、多条扫描线2、多条数据线3、第一绝缘层5、多个像素电极6、主动元件7、数据线驱动器8和数据线引线9。

基板1可以为普通的玻璃基板，或设置为柔性基板，以实现阵列基板的柔性化。

多条扫描线2和多条数据线3均设于基板1上，用于给主动元件7提供信号，数据线3与扫描线2相互交叉并构成多个像素区域4。

第一绝缘层5设于扫描线2和数据线3之间，扫描线2和数据线3通过第一绝缘层5隔开。

可选的，第一绝缘层5的材料采用SiO2、SiNx或SiNxO中的一种或多种。

多个像素电极6分别位于每个像素区域4内。

主动元件7电性连接扫描线2、数据线3以及像素电极6。

可选的，主动元件7为单栅极薄膜晶体管或双栅极薄膜晶体管，也可为多栅极薄膜晶体管，从而可以根据产品需求，进行驱动能力设计。

主动元件7包括栅极71、主动层72、源极73和漏极74，源极73连接相应的数据线3，漏极74连接相应的像素电极6，源极73、漏极74同层设置且位于主动层72的两侧。

数据线驱动器8用于提供数据线信号。

数据线引线9与扫描线2同层且平行设置，用于电性连接数据线驱动器8与数据线3，其中，第一绝缘层5上设有暴露部分数据线引线9的第一过孔10，数据线引线9通过第一过孔10与数据线3电性连接。

本发明第一方面实施例提供的阵列基板，由于第一绝缘层5上设有暴露部分数据线引线9的第一过孔10，数据线引线9又与所述扫描线2同层且平行设置，数据线引线9可以通过第一过孔10与数据线3电性连接，从而使得数据线3无需再单独进行引线与数据线驱动器8连接，减少了数据线引线9所占的面积，进而在保证显示装置拥有较高分辨率的同时实现边框窄化。

本发明之阵列基板除了适用EPD(ElectrophoreSis Display，电子纸显示器)外，还可应用于TFT-LCD(Thin film tranSistor liquid crystal display，薄膜晶体管液晶显示器)的全反或者半透半反阵列(ARRAY)基板设计。

请参考图1，在其中一些实施例中，阵列基板还包括扫描线驱动器11，扫描线驱动器11与多条扫描线2电性连接且用于提供扫描线2信号，扫描线驱动器11与数据线驱动器8位于基板1的同一侧。

通过采用上述方案，扫描线2和数据线3通过基板1的同一侧引出，减少了其走线需占据的面积，实现了边框窄化。

在实际应用中，扫描线驱动器11和数据线驱动器8可以设置在同一个总驱动器中。

请再次参考图1、图2和图3，在其中一些实施例中，阵列基板还包括第二绝缘层12，覆盖源极73和漏极74；第二绝缘层12中设置有第二过孔13，像素电极6设于第二绝缘层12上方且通过第二过孔13与相应的漏极74接触且相导通。

通过采用上述方案，第一绝缘层5和第二绝缘层12隔绝了扫描线2和数据线3，故在实现显示开关驱动时，驱动引线带来的电场影响均被屏蔽，故降低寄生电容及寄生电场的影响，从而实现了驱动电压的持续稳定，保证了显示效果。

可选的，公共电极与栅极位于同一层，或者与源极73、漏极74位于同一层。

请参考图1、图2和图3，在其中一些实施例中，还包括第三绝缘层14和多个公共电极15，多个公共电极15分别位于每个像素区域4内，第三绝缘层14设置在公共电极15与对应的像素电极6之间，公共电极15与对应的像素电极6形成存储电容，第二过孔13同时贯穿第三绝缘层14和第二绝缘层12。

通过采用上述方案，第一绝缘层5、第二绝缘层12和第三绝缘层14进一步隔绝了扫描线2和数据线3的电场，故在实现显示开关驱动时，驱动引线带来的电场影响均被屏蔽，故降低寄生电容及寄生电场的影响，从而实现了驱动电压的持续稳定，保证了显示效果。

同时，由于栅极71、公共电极15与源极73、漏极74在不同层，从而可以根据产品功耗需求，在膜层厚度一定的情况下，可以增加栅极71、公共电极15与源极73、漏极74对应的走线线宽的宽度，降低走线电阻，从而降低走线负载，实现产品低功耗。

请参考图3，在其中一些实施例中，第二绝缘层12和公共电极之间设置有钝化层16。

通过采用上述方案，钝化层16和第二绝缘层12实现了双层隔绝异物，可以提升产品良率，减少后期产品修复及报废。

请参考图1、图2和图3，在其中一些实施例中，阵列基板还包括绝缘阻隔层17，绝缘阻隔层17设置在像素电极6上且包括多个阻隔区域，阻隔区域与像素区域4一一对应设置且像素区域4位于阻隔区域的内部。

通过采用上述方案，将两相邻像素区域4间的电场进行阻隔，避免杂序电场影响此处电子膜粒子异常或液晶无法正常扭转，导致弱显或者显示异常，从而影响产品使用。

请参考图1、图2和图3，本申请第一方面的实施例提供了一种阵列基板，包括基板1、多条扫描线2、多条数据线3、第一绝缘层5、第二绝缘层12、第三绝缘层14、多个公共电机15、钝化层16、多个像素电极6、主动元件7、数据线驱动器8、扫描线驱动器11和数据线引线9。

多条扫描线2和多条数据线3均设于基板1上，数据线3与扫描线2相互交叉并构成多个像素区域4，第一绝缘层5设于扫描线2和数据线3之间，扫描线2和数据线3通过第一绝缘层5隔开，多个像素电极6分别位于每个像素区域4内。

主动元件7为双栅极薄膜晶体管，主动元件7包括两个栅极71、主动层72、源极73和漏极74，源极73连接相应的数据线3，源极73、漏极74同层设置且位于主动层72的两侧，第二绝缘层12覆盖源极73和漏极74，第二绝缘层12中设置有第二过孔13。

多个公共电极15分别位于每个像素区域4内，第三绝缘层14设置在公共电极与对应的像素电极6之间，公共电极15与对应的像素电极6形成存储电容，第二过孔13同时贯穿第三绝缘层14和第二绝缘层12，像素电极6设于第二绝缘层12上方且通过第二过孔13与相应的漏极74接触且相导通，钝化层16设置在第二绝缘层12和公共电极之间。

数据线驱动器8用于提供数据线3信号，扫描线驱动器11与多条扫描线2电性连接且用于提供扫描线2信号，扫描线驱动器11与数据线驱动器8位于基板1的同一侧。

数据线引线9与扫描线2同层且平行设置，用于电性连接数据线驱动器8与数据线3，其中，第一绝缘层5上设有暴露部分数据线引线9的第一过孔10，数据线引线9通过第一过孔10与数据线3电性连接。

本发明第一方面实施例提供的阵列基板，由于第一绝缘层5上设有暴露部分数据线引线9的第一过孔10，数据线引线9又与所述扫描线2同层且平行设置，数据线引线9可以通过第一过孔10与数据线3电性连接，从而使得数据线3无需再单独进行引线与数据线驱动器8连接，减少了数据线3所占的面积，进而在保证显示装置拥有较高分辨率的同时实现边框窄化。

请参考图3至图4，本申请第二方面的实施例提供了一种阵列基板的制造方法，包括：

S10：提供一基板1。

具体的，基板1可以为普通的玻璃基板，或设置为柔性基板，以实现阵列基板的柔性化。

S20：请一并参考图5和图6，在基板1上制备多条扫描线2、多条数据线引线9和多个栅极71，扫描线2和数据线引线9平行设置，栅极71与相应的扫描线2电性连接，数据线引线9用于连接数据线驱动器。

具体的，多条扫描线2和多条数据线3均设于基板1上，用于提供信号。

可选的，可以通过溅射、光刻和蚀刻等的方式做出多条扫描线2、多条数据线引线9和多个栅极71。

可选的，多条扫描线2、多条数据线引线9和多个栅极71的材料均采用MO、AL、Au、TI、Nb、Cu及其合金、ITO中的一种或多种。

S30：请一并参考图7和图8，在基板1上依次制备第一绝缘层5和主动层72，第一绝缘层5覆盖扫描线2、数据线引线9和栅极71，主动层72设置在栅极71的上方。

具体的，扫描线2和数据线3通过第一绝缘层5隔开，主动层72和扫描线2、数据线引线9、栅极71通过第一绝缘层5隔开。

可选的，通过溅射或化学沉积方式做出第一绝缘层5，通过溅射或化学沉积方式做主动层72，然后通过光刻、干刻做出主动层72图形，第一绝缘层5的材料采用SiO2、SiNx或SiNxO中的一种或多种。

S40：请一并参考图9和图10，在第一绝缘层5中蚀刻出多个第一过孔10，第一过孔10与像素区域4对应设置，用于部分暴露出数据线引线9。

具体的，可以通过光刻、蚀刻的方式做出第一绝缘层5挖坑区域，部分露出下层数据线引线9，形成第一过孔10。

S50：请一并参考图11和图12，在第一绝缘层5的上方制备多条数据线3、多个漏极74和多个源极73，数据线3与扫描线2相互交叉并构成多个像素区域4，漏极74和源极73分别设置在像素区域4中，源极73与相应的数据线3电性连接，数据线3和数据线引线9对应设置，数据线3通过第一过孔10与相应的数据线引线9接通。

具体的，可以通过溅射方式先做出电极层，然后通过光刻、蚀刻做出源极73、漏极74和数据线3。

S60：请一并参考图19和图20，制备多个像素电极6，多个像素电极6分别设于像素区域4内，像素电极6与相应的漏极74接触且相导通。

具体的，可以通过溅射方式做出电极层，然后通过光刻、蚀刻做出像素电极6。

在一实施例中，在第一绝缘层5的上方制备多条数据线3、多个漏极74和多个源极73之后，且在制备多个像素电极6之前，阵列基板的制造方法还包括如下步骤：

首先，请一并参考图13和图14，在漏极74、源极73和数据线3的上方依次制备第二绝缘层12和钝化层16。

具体的，可以通过溅射或化学沉积方式做出第二绝缘层12，第一绝缘层5的材料采用SiO2、SiNx或SiNxO中的一种或多种。可以通过光刻、蚀刻做出钝化层16，以掩盖扫描线2和数据线3，像素电极6设于第二绝缘层12上方且与相应的漏极74接触且相导通。

通过采用上述方案，第一绝缘层5和第二绝缘层12隔绝了扫描线2和数据线3，故在实现显示开关驱动时，驱动引线带来的电场影响均被屏蔽，故降低寄生电容及寄生电场的影响，从而实现了驱动电压的持续稳定，保证了显示效果。

其次，请一并参考图15和图16，在钝化层16的上方制备多个公共电极。

具体的，多个公共电极分别位于每个像素区域4内，第三绝缘层14设置在公共电极与对应的像素电极6之间，公共电极与对应的像素电极6形成存储电容。

通过采用上述方案，由于栅极71、公共电极与源极73、漏极74层在不同层，从而可以根据产品功耗需求，在膜层厚度一定的情况下，可以增加栅极71、公共电极与源极73、漏极74对应的走线线宽的宽度，降低走线电阻，从而降低走线负载，实现产品低功耗。

可选的，可以通过溅射方式做出电极层，然后通过光刻、蚀刻做出公共电极。

然后，请一并参考图17和图18，在公共电极的上方制备第三绝缘层14，并在第三绝缘层14和第二绝缘层12中制备第二过孔13。

具体的，第二过孔13同时贯穿第三绝缘层14和第二绝缘层12，露出下层漏极74，在后续制备像素电极6时，像素电极6通过第二过孔13与相应的漏极74接触且相导通。

通过采用上述方案，第一绝缘层5、第二绝缘层12和第三绝缘层14进一步隔绝了扫描线2和数据线3的电场，故在实现显示开关驱动时，驱动引线带来的电场影响均被屏蔽，故降低寄生电容及寄生电场的影响，从而实现了驱动电压的持续稳定，保证了显示效果。

可选的，可以通过溅射或化学沉积方式做出第三绝缘层，第三绝缘层14的材料采用SiO2、SiNx或SiNxO中的一种或多种。

可选的，通过光刻、蚀刻做出第三绝缘层14挖孔区域，露出下层漏极74，形成第二过孔13。

本发明之阵列基板的制造方法，在制造过程中数据线引线9与所述扫描线2同层且平行设置，而数据线引线9又通过第一绝缘层5上的第一过孔10与数据线3电性连接，从而使得数据线3无需再单独进行引线与数据线驱动器8连接，减少了数据线3所占的面积，进而在保证显示装置拥有较高分辨率的同时实现边框窄化。

请参考图2、图3、图19和图20，在其中一些实施例中，在制备多个像素电极6后，阵列基板的制造方法还包括：

在像素电极6的上方制备绝缘阻隔层17，绝缘阻隔层17设置在像素电极6层上且包括多个阻隔区域，阻隔区域与像素区域4一一对应设置且像素区域4位于阻隔区域的内部。

通过采用上述方案，将两相邻像素区域4间的电场进行阻隔，避免杂序电场影响此处电子膜粒子及TFT液晶无法正常扭转，导致弱显或者显示异常，从而影响产品使用。

本申请第三方面的实施例提供了一种显示装置，包括相对设置的阵列基板和对置基板，阵列基板采用第一方面的阵列基板。

可选的，显示装置可为LCD或电子纸。

在其中一些实施例中，显示装置为全反射式或半透半反式的TFT-LCD(Thin filmtranSistor Liquid crystal display，薄膜晶体管液晶显示器)；或，显示装置为电子纸显示装置。

本发明之显示装置，通过将数据线引线9与所述扫描线2同层且平行设置，而数据线引线9又通过第一绝缘层5上的第一过孔10与数据线3电性连接，在保证显示装置拥有较高分辨率的同时实现边框窄化。

以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。