阅读说明：本技术 清洗保护膜残留胶印的方法及用于清洗残留胶印的装置 (Method for cleaning residual offset printing of protective film and device for cleaning residual offset printing ) 是由 熊启龙 于 2020-04-10 设计创作，主要内容包括：本申请属于掩模版生产技术领域,尤其涉及一种清洗保护膜残留胶印的方法及用于清洗残留胶印的装置。本申请的清洗保护膜残留胶印的方法,通过将掩膜版水平固定,可防止掩膜版在清洗时晃动导致掩膜版损伤；再通过提供干冰清洗机,便能通过-78.5℃的干冰微细颗粒冲击作用到掩膜版上的残胶上,干冰迅速汽化,会升华过程吸收大量能量。先使残胶迅速冷冻、脆化并断裂,使残胶从粘弹态变成固态,残胶脆性增大后,粘性将减小,表面吸附力会降低。残胶断裂后,表面积会增大,在干冰的持续冲击下形成低温冷冻剥离、干冰持续压力吹扫剥离及干冰微颗粒冲击剥离等,最终残胶随干冰气流被剥离清除,且不会损伤掩膜版石英基板及表面图形。(The application belongs to the technical field of mask production, and particularly relates to a method for cleaning residual offset printing of a protective film and a device for cleaning the residual offset printing. According to the method for cleaning the residual offset printing of the protective film, the mask is horizontally fixed, so that the mask is prevented from being damaged due to shaking during cleaning; and then by providing a dry ice cleaning machine, the dry ice fine particles at the temperature of-78.5 ℃ can impact and act on the residual glue on the mask plate, the dry ice is quickly vaporized, and a large amount of energy can be absorbed in the sublimation process. The residual gum is rapidly frozen, embrittled and broken to change the residual gum from a viscoelastic state to a solid state, after the brittleness of the residual gum is increased, the viscosity is reduced, and the surface adsorption force is reduced. After the residual glue is broken, the surface area is increased, low-temperature freezing stripping, dry ice continuous pressure blowing stripping, dry ice microparticle impact stripping and the like are formed under the continuous impact of dry ice, finally the residual glue is stripped and removed along with dry ice airflow, and the quartz substrate and the surface pattern of the mask plate cannot be damaged.)

清洗保护膜残留胶印的方法及用于清洗残留胶印的装置

技术领域

本申请属于掩模版生产技术领域，尤其涉及一种清洗保护膜残留胶印的方法及用于清洗残留胶印的装置。

背景技术

掩膜版(Photomask)也称光罩或MASK，是一种用于微电子制造过程中的图形转移工具或模版。通过曝光、显影以及蚀刻等工序，在玻璃铬版上制作需要的微观图形，主要应用于微电子平版印刷。制作掩膜版所使用的原材料为铬版，其是一种硬面掩膜版材料，即掩膜版基版，它是在平整的、高光洁度的玻璃基版上通过直流磁控溅射沉积上铬-氧化铬薄膜而形成铬膜基版，再在其上涂敷一层光致抗蚀剂(又称光刻胶)制成铬版原料。经过曝光、显影、蚀刻以及脱膜等工序，最终在玻璃基板上将铬膜层制作成需要的图形。

掩膜版在使用时(曝光时)，由于光线的聚焦作用，与铬层图形相同高度的灰尘会与图形一样产生遮光的效果，从而在转印图形时，在终端产品上产生对应缺陷。而与铬层图形不同高度的灰尘，由于光线的离焦作用，对制作产品的影响会大大降低。故石英掩膜版一般都会贴合保护膜，以保护铬层图形不受灰尘影响。但是根据实际使用需求的不同，也会需要将保护膜取下，但是保护膜会在掩膜版上残留有残胶，不易清除。

发明内容

本申请的目的在于提供一种清洗保护膜残留胶印的方法，旨在解决现有技术中的掩膜版上的残胶不易被清除的技术问题。

为实现上述目的，本申请采用的技术方案是：一种清洗保护膜残留胶印的方法，用于清洗掩膜版上的残胶，包括以下步骤：

S01：将所述掩膜版水平固定，并将所述掩膜版上的铝框分离，所述铝框分离开后残留所述残胶于所述掩膜版上；

S02：提供干冰清洗机，所述干冰清洗机的喷嘴朝向所述残胶设置；

S03：启动所述干冰清洗机，并移动所述喷嘴以清洗所述残胶，直至清洗完成所述残胶。

在一个实施例中，所述喷嘴朝向所述残胶设置具体为：所述喷嘴的轴线与所述掩膜版的上表面呈夹角设置。

在一个实施例中，所述喷嘴的轴线与所述掩膜版的上表面之间的夹角为5°～30°之间。

在一个实施例中，所述喷嘴为钛合金材质喷嘴。

在一个实施例中，所述喷嘴朝向所述残胶设置还包括：所述喷嘴的出气口与待清洗的所述残胶的工作距离为10mm～50mm。

在一个实施例中，移动所述喷嘴以清洗所述残胶具体为：所述喷嘴的移动速度为5mm/s～50mm/s。

在一个实施例中，所述清洗完成所述残胶还包括：检测所述掩膜版上是否还残留有所述残胶；

若有，则继续清洗，直至所述掩膜版上的所述残胶被清洗完成；

若无，则不再继续清洗。

在一个实施例中，将所述掩膜版水平固定具体为：提供多个夹具，多个所述夹具分别夹持固定所述掩膜版的边缘，并将所述掩膜版固定。

本申请的有益效果：本申请的清洗保护膜残留胶印的方法，通过将掩膜版水平固定，可防止掩膜版在清洗时晃动导致掩膜版损伤；再通过提供干冰清洗机，便能通过-78.5℃的干冰微细颗粒冲击作用到掩膜版上的残胶上，干冰迅速汽化，会升华过程吸收大量能量。先使残胶迅速冷冻、脆化并断裂，使残胶从粘弹态变成固态，残胶脆性增大后，粘性将减小，表面吸附力会降低。残胶断裂后，表面积会增大，在干冰的持续冲击下形成低温冷冻剥离、干冰持续压力吹扫剥离及干冰微颗粒冲击剥离等，最终残胶随干冰气流被剥离清除，且不会损伤掩膜版石英基板及表面图形。

本申请实施例还提供一种用于清洗残留胶印的装置，用于清洗掩膜版上的残胶，包括操作台、设于所述操作台上的多个夹具以及设于操作台上的干冰清洗机，所述掩膜版设于多个所述夹具上，所述干冰清洗机的喷嘴朝向所述掩膜版设置。

在一个实施例中，所述喷嘴为钛合金喷嘴。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的清洗保护膜残留胶印的方法结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图1述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

保护膜的结构一般为三层，从上到下依次为树脂薄膜、铝框以及框胶。框胶分为两类：第一类是用聚乙烯泡沫做框胶的支撑材料，上下表面涂丙烯酸胶，与粘合面粘合。第二类是整体呈胶条状，胶条内部粘性较大，外部与掩膜版和铝框表面粘连。第二类通过加热的方式可以降低框胶的粘性。两种胶框的粘合强度都很大。都是先使用物理方法去除保护膜，将铝框通过工具橇下，此时掩膜版表面都会残留大量且难以清除的残胶。一般采用有机溶剂溶解后再擦拭的清除方法，这种方法会使用较多的有机溶剂，而且框胶残胶附着力非常强，擦拭清除非常耗时耗力。因此，采用清洗保护膜残留胶印的方法，可高效地将残胶清除。

如图1所示，本申请实施例提供一种清洗保护膜残留胶印的方法，用于清洗掩膜版上的残胶，包括以下步骤：S01：将掩膜版水平固定，具体地，是通过工具实现掩膜版的固定，并将掩膜版上的铝框分离，常使用专业工具实现铝框的拆卸，铝框分离开后残留残胶于掩膜版上，该残胶即为上述的框胶残留；S02：提供干冰清洗机，干冰清洗机的喷嘴朝向残胶设置，优选地，可从掩膜版的边缘区域开始清洗，此处不做唯一限定；S03：启动该干冰清洗机，并移动喷嘴以清洗残胶，直至清洗完成残胶，

在一个实施例中，该喷嘴可为该干冰清洗机上的可移动的喷嘴，还可通过移动干冰清洗机来实现喷嘴的移动，当然，也可将干冰清洗机和喷嘴固定，而采用将夹具进行移动的方式实现喷嘴将残胶全方位清洗。

本申请实施例的清洗保护膜残留胶印的方法，通过将掩膜版水平固定，可防止掩膜版在清洗时晃动导致掩膜版损伤；再通过提供干冰清洗机，便能通过 -78.5℃的干冰微细颗粒冲击作用到掩膜版上的残胶上，干冰会迅速汽化，在升华过程会吸收大量的能量。在此过程中，汽化的干冰使残胶迅速冷冻、脆化并断裂，使残胶从粘弹态变成固态。当残胶脆性增大后，粘性将减小，表面吸附力会降低。当残胶进一步断裂后，表面积会增大，在干冰的持续冲击下形成低温冷冻剥离、干冰持续压力吹扫剥离及干冰微颗粒冲击剥离等，最终残胶随干冰气流被剥离清除，且不会损伤掩膜版石英基板及表面图形。

在一个实施例中，将该喷嘴朝向残胶设置具体为：喷嘴的轴线与掩膜版的上表面呈夹角设置。通过将喷嘴的轴线设置为与掩膜版的上表面呈夹角设置，具体是指将喷嘴倾斜，可防止喷嘴喷出的干冰气流将残胶击飞，并防止飞溅的残胶堵塞喷嘴。

在一个实施例中，喷嘴的轴线与掩膜版的上表面之间的夹角为5°～30°之间。通过将夹角设置为5°～30°之间，可进一步将残胶吹离开，防止飞溅的残胶影响正常工作。

在一个实施例中，喷嘴为钛合金材质喷嘴。钛合金因具有强度高、耐蚀性好以及耐热性高等特点，尤其是钛合金在低温和超低温下，仍能保持其力学性能，因此，该喷嘴可长时间保持较佳地工作状态。

在一个实施例中，喷嘴朝向残胶设置还包括：喷嘴的出气口与待清洗的残胶的工作距离为10mm～50mm。通过限定喷嘴的出气口与待清洗的残胶的工作距离，可使得干冰气流能够将残胶迅速冷冻、脆化并断裂，保障该干冰清洗机的清洗效果。

在一个实施例中，移动喷嘴以清洗残胶具体为：喷嘴的移动速度为 5mm/s～50mm/s。通过将喷嘴的移动速度设置为小于50mm/s，使得该

在一个实施例中，清洗完成残胶还包括：检测掩膜版上是否还残留有残胶；若有，则继续清洗，直至掩膜版上的残胶被清洗完成；若无，则不再继续清洗。

在一个实施例中，将掩膜版水平固定具体为：提供多个夹具，多个夹具分别夹持固定掩膜版的边缘，并将掩膜版固定。通过设置多个夹具，能够将掩膜版固定，防止在收到喷嘴的气流后掩膜版会移动，进而保障掩膜版能够完全被清洗到，以保障清洗效果。

本申请实施例还提供一种用于清洗残留胶印的装置，用于清洗掩膜版上的残胶，包括操作台、设于操作台上的多个夹具以及设于操作台上的干冰清洗机，掩膜版设于多个夹具上，干冰清洗机的喷嘴朝向掩膜版设置。通过设置操作台和操作台上的夹具，使得夹具能够将掩膜版进行固定，再通过干冰清洗机将掩膜版上的残胶进行清洗，使得

在一个实施例中，喷嘴为钛合金喷嘴。钛合金因具有强度高、耐蚀性好以及耐热性高等特点，尤其是钛合金在低温和超低温下，仍能保持其力学性能，因此，该喷嘴可长时间保持较佳地工作状态。

以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。