阅读说明：本技术 光刻胶的涂布方法 (Coating method of photoresist ) 是由 王绪根 吴长明 姚振海 陈骆 朱联合 韩建伟 于 2020-04-22 设计创作，主要内容包括：本申请公开了一种光刻胶的涂布方法,涉及半导体制造领域。该方法包括将待涂胶的晶圆放置在涂胶显影机台的承载台；利用光刻胶溶剂清洗晶圆背面；清洗完成后,控制晶圆按预设参数转动,甩干晶圆背面,预设参数包括转速和转动时间；控制晶圆处于静止状态,向晶圆的正面喷涂光刻胶；涂胶完成后,控制晶圆转动,令光刻胶成膜；解决了不配备清洗装置的涂胶显影机台在工作时容易因下排管道的压力过高报警的问题；达到了在不改造涂胶显影机台的硬件结构的情况下疏通下排管道,避免出现下排管道内的排风压力高,以及避免光刻胶膜厚异常的效果。(The application discloses a coating method of a photoresist, and relates to the field of semiconductor manufacturing. The method comprises the steps of placing a wafer to be coated with glue on a bearing table of a coating and developing machine; cleaning the back surface of the wafer by using a photoresist solvent; after cleaning, controlling the wafer to rotate according to preset parameters, and spin-drying the back surface of the wafer, wherein the preset parameters comprise rotating speed and rotating time; controlling the wafer to be in a static state, and spraying photoresist on the front side of the wafer; after the coating is finished, controlling the wafer to rotate to enable the photoresist to form a film; the problem that when a gluing developing machine station without a cleaning device works, an alarm is easily given due to overhigh pressure of a lower discharge pipeline is solved; the lower drainage pipeline is dredged under the condition that the hardware structure of the gluing developing machine table is not modified, the high exhaust pressure in the lower drainage pipeline is avoided, and the abnormal effect of the thickness of the photoresist film is avoided.)

光刻胶的涂布方法

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种光刻胶的涂布方法。

背景技术

集成电路制造包括光刻、刻蚀、淀积、氧化、离子注入、机械化学平坦化等。其中，光刻的本质是将电路结构复制到将要进行刻蚀和离子注入的硅片上，光刻直接影响后续工艺的质量。光刻工艺的基本步骤主要是涂胶、曝光和显影，光刻工艺中使用的工具主要是涂胶显影机台(Track)和曝光机。

在制造功率器件时，为了提高功率器件在高温高压环境下的可靠性，一般需要使用很厚的光刻胶作为表面保护层，采用的光刻胶一般选用聚酰亚胺(Polyimide)。聚酰亚胺为一种有机高分子材料，具有耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性、耐介质性。

由于聚酰亚胺的粘稠度很高，在涂布过程中会粘附堆积在涂胶显影机台的下排管道内，导致下排管道的压力过高报警，影响涂布的聚酰亚胺的膜厚。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种光刻胶的涂布方法。该技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种光刻胶的涂布方法，该方法包括：

将待涂胶的晶圆放置在涂胶显影机台的承载台；

利用光刻胶溶剂清洗晶圆背面；

清洗完成后，控制晶圆按预设参数转动，甩干晶圆背面，预设参数包括转速和转动时间；

控制晶圆处于静止状态，向晶圆的正面喷涂光刻胶；

涂胶完成后，控制晶圆转动，令光刻胶成膜。

可选的，光刻胶为非感光性聚酰亚胺。

可选的，利用光刻胶溶剂清洗晶圆背面，包括：

控制晶圆转动；

通过晶圆下方的喷洗阀向晶圆背面喷洒光刻胶溶剂。

可选的，晶圆的下方至少设置有两个喷洗阀。

可选的，光刻胶溶剂为N-甲基吡咯烷酮。

可选的，清洗完成后，控制晶圆按预设参数转动，甩干晶圆的背面，包括：

清洗完成后，在预定转动时间内控制晶圆按预设转速转动，甩干晶圆的背面；

其中，预设转速从低到高变化。

可选的，预设转速的范围为1500RPM-3500RPM。

可选的，涂胶完成后，控制晶圆转动，令光刻胶成膜，包括：

涂胶完成后，控制晶圆逐渐加速转动，令光刻胶成膜。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

通过在待涂胶的晶圆放置在涂胶显影机台的承载台上后，先利用光刻胶溶剂清洗晶圆背面，清洗晶圆背面的光刻胶溶剂流入涂胶显影机台的下排管道内，溶解堆积在下排管道中的光刻胶，然后再将光刻胶涂布在晶圆的正面，解决了不配备清洗装置的涂胶显影机台在工作时容易因下排管道的压力过高报警的问题；达到了在不改造涂胶显影机台的硬件结构的情况下疏通下排管道，避免出现下排管道内的排风压力高，以及避免光刻胶膜厚异常的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请

具体实施方式

或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是一种现有的涂胶显影机台在涂布光刻胶时的示意图；

图2是本申请实施例提供的一种光刻胶的涂布方法的流程图；

图3是本申请实施例提供的一种涂胶显影机台在涂布光刻胶时的示意图；

图4是本申请另一实施例提供的一种光刻胶的涂布方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

在利用涂胶显影机台(Track)对晶圆涂布光刻胶时，先保持晶圆静止，在光刻胶涂布完成后，控制晶圆转动，令晶圆上的光刻胶甩开成膜。由于作为光刻胶的聚酰亚胺的粘稠度很大，甩出去的聚酰亚胺很容易粘附堆积在涂胶显影机台的下排管道内。如图1所示，涂胶显影机台10的下排管道11内堆积了聚酰亚胺12，堆积的聚酰亚胺12堵塞了下排管道11。

在配备清洗装置的涂胶显影机台中，可以利用清洗装置定期清洗下排管道，去除下排管道内堆积的聚酰亚胺。然而，没有清洗装置的涂胶显影机台，除了改造机台的硬件结构外，无法有效的解决下排管道内堆积聚酰亚胺，导致涂胶显影机台工作时容易出现排风压力过高的警报，也影响涂布在晶圆表面的聚酰亚胺的膜厚等问题。

请参考图2，本申请实施例提供了一种光刻胶的涂布方法的流程图，该方法适用于没有配备清洗装置涂胶显影机台中，该方法至少包括如下步骤：

步骤201，将待涂胶的晶圆放置在涂胶显影机台的承载台。

如图3所示，待涂胶的晶圆22放置在涂胶显影机台10的承载台23上。

步骤202，利用光刻胶溶剂清洗晶圆背面。

在清洗晶圆背面时，控制晶圆转动，光刻胶溶剂清洗晶圆的背面，光刻胶溶剂从晶圆22与承载台23之间的间隙流入涂胶显影机台10的下排管道11内。比如，光刻胶溶剂沿着虚线箭头S1和虚线箭头S2所指的方向流入下排管道。

由于光刻胶溶剂能够溶解光刻胶，流入下排管道11的光刻胶溶剂能稀释溶解下排管道11内堆积的光刻胶，起到疏通下排管道的效果。

步骤203，清洗完成后，控制晶圆按预设参数转动，甩干晶圆背面。

预设参数包括转速和转动时间。

在利用光刻胶溶剂清洗晶圆背面后，通过转动晶圆甩干晶圆背面，避免光刻胶溶剂残留在晶圆背面。

甩干晶圆背面是的晶圆转速和转动时间是根据实际情况预先设置的。

步骤204，控制晶圆处于静止状态，向晶圆的正面喷涂光刻胶。

晶圆背面甩干后，控制晶圆处于静止状态，向晶圆的正面喷涂光刻胶。

步骤205，涂胶完成后，控制晶圆转动，令光刻胶成膜。

涂胶完成后，控制晶圆转动，令晶圆正面的光刻胶甩开成膜。

综上所述，本申请实施例提供的光刻胶的涂布方法，在待涂胶的晶圆放置在涂胶显影机台的承载台上后，先利用光刻胶溶剂清洗晶圆背面，清洗晶圆背面的光刻胶溶剂流入涂胶显影机台的下排管道内，溶解堆积在下排管道中的光刻胶，然后再将光刻胶涂布在晶圆的正面，解决了不配备清洗装置的涂胶显影机台在工作时容易因下排管道的压力过高报警的问题；达到了在不改造涂胶显影机台的硬件结构的情况下疏通下排管道，避免出现下排管道内的排风压力高，以及避免光刻胶膜厚异常的效果。

在图2所示实施例的可选实施例中，光刻胶为非感光性聚酰亚胺。

在图2所示实施例的可选实施例中，光刻胶溶剂为N-甲基吡咯烷酮(NMP)。

请参考图4，其示出了本申请另一实施例提供的一种光刻胶的涂布方法的流程图，该方法适用于没有配备清洗装置涂胶显影机台中，该方法至少包括如下步骤：

步骤401，将待涂胶的晶圆放置在涂胶显影机台的承载台。

步骤402，控制晶圆转动。

控制晶圆在晶背清洗过程中保持转动。晶圆在清洗时的转动速度是预先根据实际情况设置的。

步骤403，通过晶圆下方的喷洗阀向晶圆背面喷射光刻胶溶剂。

可选的，光刻胶溶剂为N-甲基吡咯烷酮(NMP)。

如图3所示，涂胶显影机台10中位于晶圆22下方的位置设置有喷洗阀21，通过喷洗阀21喷射光刻胶溶剂清洗晶圆22的背面。

可选的，晶圆的下方至少设置有两个喷洗阀。

喷洗阀与晶圆背面之间的夹角不等于90°，喷洗阀的倾斜角度根据实际情况确定，本申请实施例对此不作限定。

当清洗晶圆背面时晶圆转动，清洗阀向晶背喷射光刻胶溶剂，在离心力的作用下，喷射到晶背的光刻胶溶剂从晶圆与承载台之间的间隙流入涂胶显影机台的下排管道中，溶解下排管道内堆积的光刻胶。

步骤404，清洗完成后，在预定转动时间内控制晶圆按预设转速转动，甩干晶圆的背面。

预设转速从低到高变化。

可选的，预设转速的范围为1500RPM-3500RPM。

利用光刻胶溶剂对晶背的清洗完成后，控制晶圆转动，且转动速度从低到高变化，甩干晶圆的背面，避免光刻胶容易在晶圆的背面残留。

在甩干过程中，晶圆的转动时间是预先设置的，转动时间根据实际情况确定。

步骤405，控制晶圆处于静止状态，向晶圆的正面喷涂光刻胶。

可选的，光刻胶为非感光性聚酰亚胺。

在涂布光刻胶之前，控制晶圆处于静止状态，向晶圆的正面喷涂光刻胶。

步骤406，涂胶完成后，控制晶圆逐渐加速转动，令光刻胶成膜。

在光刻胶喷涂结束后，晶圆转动，并在转动过程中逐渐加速，晶圆正面的光刻胶被甩开成膜。

在光刻胶甩出成膜的过程中，虽然仍会有光刻胶被甩进涂胶显影机台的下排管道内，但由于在涂胶前的晶背清洗步骤中，光刻胶溶剂稀释溶解了下排管道内残留的光刻胶，新甩入的光刻胶不会堆积堵塞下排管道，避免了下排管道排风压力高，光刻胶涂布时出现膜厚异常的问题。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。