阅读说明：本技术 一种单键开关机与复位电路 (Single-key startup and shutdown and reset circuit ) 是由 张江 于 2019-10-30 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种单键开关机与复位电路,包括三极管电路、与所述三极管电路相连接的MOS管电路以及与所述三极管电路、MOS管电路相连接的7404非门电路；所述三级管电路包括三极管Q2以及与所述三级管Q2相连接的电阻R4、电阻R5以及电容C1；所述三极管Q2的基极与7404非门电路一端相连接,且在该7404非门电路与三级管Q2基极的连接线路上串接有一电阻R3；所述三极管Q2的发射极接公共地；所述MOS管电路包括MOS管Q1,该MOS管Q1为P沟道增强型MOS管；且所述MOS管Q1的漏极接外部电源电压VBAT,MOS管Q1的源极接外部电源BAT,MOS管Q1的栅极接三极管Q2的集电极,实际应用过程中,可避免MCU程序跑飞而意外关机,也可以实现MCU任意状态的软硬件复位,产品电源不受影响。(The invention provides a single-key startup and shutdown and reset circuit, which comprises a triode circuit, an MOS (metal oxide semiconductor) tube circuit connected with the triode circuit and a 7404 NOT gate circuit connected with the triode circuit and the MOS tube circuit; the triode circuit comprises a triode Q2, a resistor R4, a resistor R5 and a capacitor C1, wherein the resistor R4, the resistor R5 and the capacitor C1 are connected with the triode Q2; the base electrode of the triode Q2 is connected with one end of a 7404 NOT gate circuit, and a resistor R3 is connected in series on a connecting line between the 7404 NOT gate circuit and the base electrode of a triode Q2; the emitter of the triode Q2 is connected with the common ground; the MOS tube circuit comprises an MOS tube Q1, and the MOS tube Q1 is a P-channel enhancement type MOS tube; and the drain electrode of the MOS tube Q1 is connected with an external power supply voltage VBAT, the source electrode of the MOS tube Q1 is connected with an external power supply BAT, and the grid electrode of the MOS tube Q1 is connected with the collector electrode of the triode Q2.)

一种单键开关机与复位电路

[技术领域]

本发明涉及开关机与复位电路技术领域，尤其涉及一种可以有效避免MCU程序跑飞而意外关机，也可以实现MCU任意状态的软硬件复位，且产品电源不受影响的单键开关机与复位电路。

[背景技术]

随着智能化家居的普及，现代智能设备体积越来越小，性能越来越强。很多设备都需要做到尽量节能，所以在很多时候都必不可少关机和复位功能，由于产品的体积问题，这两个功能会尽量做到一个按键上。

目前较为常见的单键开关机和复位电路，一般原理如下：当按下SW1按键，Q1 PMOS的栅极为低，Q1导通，VBAT有电压，VBAT通过DCDC变换得到MCU供电的电压VCC，同时MCU工作，给POWER_HOLD一个持续的高电平，从而保持Q1的导通状态，松开按键后，产品也是有电的，POWER_HOLD输出低电平实现关机功能。但此电路有一个严重的缺陷，MCU必需给一个稳定的POWER_HOLD高电平信号，一旦MCU被辐射干扰，或是本身程序出问题，产品便会掉电。

怎样在此电路的基础上进行改进，解决以上所述的缺陷，是本领域技术人员经常考虑的问题，也进行了大量的研发与实验，并取得了较好的成绩。

[

发明内容

]

为克服现有技术所存在的问题，本发明提供一种可以有效避免MCU程序跑飞而意外关机，也可以实现MCU任意状态的软硬件复位，且产品电源不受影响的单键开关机与复位电路。

本发明解决技术问题的方案是提供一种单键开关机与复位电路，包括三极管电路、与所述三极管电路相连接的MOS管电路以及与所述三极管电路、MOS管电路相连接的7404非门电路；所述三级管电路包括三极管Q2以及与所述三级管Q2相连接的电阻R4、电阻R5以及电容C1；所述三极管Q2的基极与7404非门电路一端相连接，且在该7404非门电路与三级管Q2基极的连接线路上串接有一电阻R3；所述三极管Q2的发射极接公共地；所述MOS管电路包括MOS管Q1，该MOS管Q1为P沟道增强型MOS管；且所述MOS管Q1的漏极接外部电源电压VBAT，MOS管Q1的源极接外部电源BAT，MOS管Q1的栅极接三极管Q2的集电极；所述MOS管Q1的源极与栅极之间还并联连接有一第一电阻电路，该第一电阻电路中串联连接有一电阻R1；所述三极管Q2的基极通过一第二电阻电路连接MOS管Q1的漏极，该电阻R5串接于所述第二电阻电路中；所述三极管Q2的基极与发射极之间还并联连接有一第三电阻电路和第一电容电路；该电阻R4串接于所述第三电阻电路中；该电容C1串接于所述第一电容电路中；所述MOS管Q1的栅极还连接有一二极管电路；该二极管电路中串接有一二极管D1以及控制按钮SW1，所述二极管电路相对于MOS管Q1栅极的另一端接公共地；还包括与所述二极管电路的二极管D1和控制按钮SW1连线部位相连接的另一复位电路；该复位电路中串联连接有一二极管D2，且复位电路一端连接外部芯片的MCU-RESET触点；所述7404非门电路相对于三极管Q2基极的另一端连接外部芯片的POWER-HOLD触点。

优选地，所述复位电路上还连接有一第四电阻电路；该第四电阻电路中串接有一电阻R2；且所述第四电阻电路一端接外部电源电压VCC。

与现有技术相比，本发明一种单键开关机与复位电路通过同时设置三极管电路、与所述三极管电路相连接的MOS管电路以及与所述三极管电路、MOS管电路相连接的7404非门电路，三级管电路包括三极管Q2以及与所述三级管Q2相连接的电阻R4、电阻R5以及电容C1，三极管Q2的基极与7404非门电路一端相连接，且在该7404非门电路与三级管Q2基极的连接线路上串接有一电阻R3，三极管Q2的发射极接公共地，MOS管电路包括MOS管Q1，该MOS管Q1为P沟道增强型MOS管，且所述MOS管Q1的漏极接外部电源电压VBAT，MOS管Q1的源极接外部电源BAT，MOS管Q1的栅极接三极管Q2的集电极，结合其他部分的电路连接关系，实际应用过程中，可避免MCU程序跑飞而意外关机，也可以实现MCU任意状态的软硬件复位，产品电源不受影响。

[附图说明]

图1是传统的一种单键开关机与复位电路的电路连接结构示意图。

图2是本发明一种单键开关机与复位电路的电路连接结构示意图。

[

具体实施方式

]

为使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定此发明。

请参阅图1和图2，本发明一种单键开关机与复位电路1包括三极管电路、与所述三极管电路相连接的MOS管电路以及与所述三极管电路、MOS管电路相连接的7404非门电路；所述三级管电路包括三极管Q2以及与所述三级管Q2相连接的电阻R4、电阻R5以及电容C1；所述三极管Q2的基极与7404非门电路一端相连接，且在该7404非门电路与三级管Q2基极的连接线路上串接有一电阻R3；所述三极管Q2的发射极接公共地；所述MOS管电路包括MOS管Q1，该MOS管Q1为P沟道增强型MOS管；且所述MOS管Q1的漏极接外部电源电压VBAT，MOS管Q1的源极接外部电源BAT，MOS管Q1的栅极接三极管Q2的集电极；所述MOS管Q1的源极与栅极之间还并联连接有一第一电阻电路，该第一电阻电路中串联连接有一电阻R1；所述三极管Q2的基极通过一第二电阻电路连接MOS管Q1的漏极，该电阻R5串接于所述第二电阻电路中；所述三极管Q2的基极与发射极之间还并联连接有一第三电阻电路和第一电容电路；该电阻R4串接于所述第三电阻电路中；该电容C1串接于所述第一电容电路中；所述MOS管Q1的栅极还连接有一二极管电路；该二极管电路中串接有一二极管D1以及控制按钮SW1，所述二极管电路相对于MOS管Q1栅极的另一端接公共地；还包括与所述二极管电路的二极管D1和控制按钮SW1连线部位相连接的另一复位电路；该复位电路中串联连接有一二极管D2，且复位电路一端连接外部芯片的MCU-RESET触点；所述7404非门电路相对于三极管Q2基极的另一端连接外部芯片的POWER-HOLD触点。

本申请通过同时设置三极管电路、与所述三极管电路相连接的MOS管电路以及与所述三极管电路、MOS管电路相连接的7404非门电路，三级管电路包括三极管Q2以及与所述三级管Q2相连接的电阻R4、电阻R5以及电容C1，三极管Q2的基极与7404非门电路一端相连接，且在该7404非门电路与三级管Q2基极的连接线路上串接有一电阻R3，三极管Q2的发射极接公共地，MOS管电路包括MOS管Q1，该MOS管Q1为P沟道增强型MOS管，且所述MOS管Q1的漏极接外部电源电压VBAT，MOS管Q1的源极接外部电源BAT，MOS管Q1的栅极接三极管Q2的集电极，结合其他部分的电路连接关系，实际应用过程中，可避免MCU程序跑飞而意外关机，也可以实现MCU任意状态的软硬件复位，产品电源不受影响。

此电路由于开机时POWER_HOLD为低电平，从而不会因MCU被干扰复位而导致意外关机。原理如下：

当按下SW1按键Q1 PMOS的栅极为低，Q1导通，VBAT有电压。VBAT通过DCDC变换得到MCU供电的电压VCC。同时MCU工作，此时不需要给POWER_HOLD高电平信号。Q2的基极通过R5给C1充电后，通过R5、R4分压得到一个0.7V左右的电压，Q2导通，从而Q1保持导通的状态。POWER_HOLD输出高电平实现关机功能。

优选地，所述复位电路上还连接有一第四电阻电路；该第四电阻电路中串接有一电阻R2；且所述第四电阻电路一端接外部电源电压VCC。

在Q2的基极加一电阻R5和电容C1，R5另一端接到VBAT，C1的另一端接到地。POWER_HOLD开机保持信号通过7404非门电路通过R3接到Q2的基极。

与现有技术相比，本发明一种单键开关机与复位电路1通过同时设置三极管电路、与所述三极管电路相连接的MOS管电路以及与所述三极管电路、MOS管电路相连接的7404非门电路，三级管电路包括三极管Q2以及与所述三级管Q2相连接的电阻R4、电阻R5以及电容C1，三极管Q2的基极与7404非门电路一端相连接，且在该7404非门电路与三级管Q2基极的连接线路上串接有一电阻R3，三极管Q2的发射极接公共地，MOS管电路包括MOS管Q1，该MOS管Q1为P沟道增强型MOS管，且所述MOS管Q1的漏极接外部电源电压VBAT，MOS管Q1的源极接外部电源BAT，MOS管Q1的栅极接三极管Q2的集电极，结合其他部分的电路连接关系，实际应用过程中，可避免MCU程序跑飞而意外关机，也可以实现MCU任意状态的软硬件复位，产品电源不受影响。

以上所述的本发明实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的权利要求保护范围之内。