阅读说明：本技术 一种改善异质结太阳电池光电性能的方法 (Method for improving photoelectric performance of heterojunction solar cell ) 是由 俞健 李君君 何佳龙 李兵川 陈涛 黄跃龙 于 2019-11-14 设计创作，主要内容包括：本发明公开一种改善异质结太阳电池光电性能的方法,所述覆盖层具有表面减反射、载流子传导、电极选择性沉积掩膜之功能,步骤如下：(a)制备异质结太阳电池衬底；(b)沉积金属种子层栅极；(c)非栅极区域沉积覆盖层；(d)烘干覆盖层；(e)栅极区域电化学沉积金属电极；(f)覆盖层后处理；(g)烘干覆盖层。本发明所述之方法,能显著降低电化学沉积金属电极工艺复杂性,所用之聚合物覆盖层,处理后光电性能显著提高,亦可作为异质结太阳电池的透明导电薄膜,此方法既避免了常规异质结太阳电池电化学沉积电极去除掩膜的工艺,也可少用或不用透明导电薄膜,有利于提高异质结太阳电池转换效率、降低生产成本,在工业化生产中优势显著。(The invention discloses a method for improving the photoelectric property of a heterojunction solar cell, wherein a covering layer has the functions of surface antireflection, carrier conduction and electrode selective deposition masking, and the method comprises the following steps: (a) preparing a heterojunction solar cell substrate; (b) depositing a metal seed layer grid; (c) depositing a covering layer in the non-grid region; (d) drying the covering layer; (e) electrochemically depositing a metal electrode in the gate region; (f) post-treating the covering layer; (g) and drying the covering layer. The method can obviously reduce the complexity of the electrochemical deposition metal electrode process, the used polymer covering layer can obviously improve the photoelectric property after treatment, and can also be used as a transparent conductive film of the heterojunction solar cell.)

一种改善异质结太阳电池光电性能的方法

技术领域

本发明属于异质结太阳电池技术领域，涉及一种改善异质结太阳电池光电性能的方法。

背景技术

太阳能电池的原理是基于光生伏特效应，将太阳能直接转换为电能的一种装置，也是太阳能实际应用中的重要组成部分。目前，晶体硅太阳能电池已经成为光伏工业的主流，市场上80％以上的都是晶体硅太阳电池，而生产单晶硅的成本目前仍比较高、工艺流程复杂、总体转换效率不高、高温性能差、光致衰减等制约着其进一步的发展。

异质结太阳电池是在n型或p型单晶硅衬底上依次双面沉积本征非晶硅薄膜作为钝化层，以饱和单晶硅表面由于晶格突然截止产生的悬挂键，减少载流子复合中心。再依次沉积n型非晶硅薄膜和 p型非晶硅薄膜作为发射极和背面电场，为了形成内建电场以及产生电荷分离场，可有效提高开路电压、填充因子以及转换效率，这种电池既利用了薄膜电池的制造工艺，也充分发挥了晶体硅和非晶硅的材料特性，具有较高的转换效率(目前为27％左右)、低温工艺、双面发电、高转换效率(产业化)≥23％等优点，成为太阳电池发展的热点。

异质结(SHJ)太阳电池因其透明导电薄膜(TCO)优良的导电性，其电镀选择性极差，需采用掩膜工艺来制备电极。常见的图形化掩膜技术有光刻技术、丝网印刷等。光刻工艺可以获得微小、精密的图形(线宽尺寸一般是数百微米至数十微米)，但光刻加工面积较小且工艺复杂，包括表面清洗、旋涂光刻胶、前烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、去胶等步骤。丝网印刷技术可以在一般太阳能电池面积(156mm×156mm)上，印刷图形化掩膜浆料，但图形尺寸和精度受限于丝网印刷技术，线宽尺寸一般为数十至数百微米。但以上工艺均需要后期去除掩膜的步骤，工艺复杂。本发明提出一种改善异质结太阳电池光电性能的方法，能显著降低电化学沉积金属电极工艺的复杂性，所用之聚合物覆盖层，在处理后具有优良的光电性能，可进一步作为异质结太阳电池的透明导电薄膜层而存在，此方法不仅避免了常规异质结太阳电池电化学沉积电极去除掩膜的工艺，还可降低透明导电薄膜的沉积厚度，有利于提高异质结太阳电池的转换效率，进一步实现高效、低成本的目的。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提出一种改善异质结太阳电池光电性能的方法。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种改善异质结太阳电池光电性能的方法，它的步骤如下：

(a)制备异质结(SHJ)太阳电池衬底；

(b)沉积金属种子层栅极；

(c)非栅极区域沉积覆盖层；

(d)烘干覆盖层；

(e)栅极区域电化学沉积金属电极；

(f)覆盖层后处理；

(g)烘干覆盖层。

进一步，所述的覆盖层的材料成分中含有聚合物、有机溶剂及导电粒子。

进一步，在所述的步骤(c)中，制备覆盖层的方法可以包括光刻、喷墨打印、旋涂、丝网印刷、层压干膜、狭缝喷涂、等离子体刻蚀、激光烧蚀等方法中的一种或多种。

进一步，在所述的步骤(d)中，烘干覆盖层的温度为 50℃～300℃；时间为1min～60min；烘干气氛为空气、氧气、氮气、氩气或氮氢混合气体。

进一步，在所述的步骤(d)后，覆盖层的厚度为0.05μm～5 μm。

进一步，在所述的步骤(3)中，电极制备方法可以包括电镀、化学镀、光诱导电镀、喷墨打印、丝网印刷、滴涂等方法中的一种或多种。

进一步，在所述的步骤(f)中，后处理覆盖层的方法可以包括无水乙醇后处理、丙酮后处理、异丙醇后处理、乙烯基乙二醇后处理、甘油单硬脂酸酯后处理、二乙二醇甲醚后处理、二甲基亚砜后处理、氯苯后处理、甲醇后处理、甲酸后处理、二甲苯后处理、硫酸后处理、盐酸后处理等方法中的一种或多种；后处理时间为1min～80 min；后处理温度为10℃～80℃。

进一步，在所述的步骤(g)中，所述的覆盖层具有表面减反射、载流子传导、电极选择性沉积掩膜之功能，材料为聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸或聚对苯二甲酸乙二酯或聚乙烯或聚氯乙烯或聚酰亚胺或聚甲基丙烯酸甲酯，金属纳米颗粒或纳米线，聚噻吩和聚阴离子化合物中的一种或几种的组合。

进一步，在上述步骤后，所述的覆盖层后处理前电导率不大于10S/cm；后处理后覆盖层的电导率大于500S/cm。

采用了上述技术方案后，本发明方法相比于传统的掩膜方法具有更简单的工艺步骤；另外本发明涂覆掩膜层的工艺和材料成本也十分低廉，配合后处理的步骤，可得到光电性能优良的覆盖层且进一步作为异质结太阳电池(SHJ)的透明导电薄膜层而存在，此方法不仅避免了常规异质结太阳电池电化学沉积电极去除掩膜的工艺，还可降低透明导电薄膜的沉积厚度，有利于提高异质结太阳电池的转换效率的同时降低生产成本，在工业化规模生产中具有明显的优势。

附图说明

图1为采用本方法的SHJ太阳电池的结构示意图；

图2为基于本方法的SHJ太阳电池的工艺流程：

(a)SHJ太阳电池衬底；

(b)沉积金属种子层栅极；

(c)非栅极区域沉积覆盖层；

(d)栅极区域电化学沉积铜电极；

(e)栅极区域电化学沉积锡；

(f)覆盖层后处理；

图3为覆盖层处理前后的示意图：

(a)为覆盖层后处理前图示；

(b)为覆盖层后处理后图示。

具体实施方式

为了使本发明的内容更容易被清晰地理解，下面根据实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明。

如图1所示，应用本发明改善异质结太阳电池光电性能的方法，其工艺包括：

(a)对N型单晶硅衬底层进行损伤去除及表面织构化；

(b)在N型单晶硅衬底层的双面均沉积本征非晶硅薄膜；

(c)在两个沉积本征非晶硅薄膜的表面分别沉积P型非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜；

(d)在P型非晶硅薄膜的表面沉积掺锡的氧化铟透明导电薄膜；

(e)在N型非晶硅薄膜的表面沉积掺锡的氧化铟透明导电薄膜；

上述步骤(d)和(e)中的掺锡的氧化铟透明导电薄膜可以通过PECVD、PVD、RPD(反应等离子体沉积)等方法制备，厚度在1 nm～1000nm之间；

(f)再在掺锡的氧化铟透明导电薄的表面沉积金属种子层栅极，厚度为1nm～100nm；

(g)将覆盖层材料按设计的图形制备在非栅极区域，制备覆盖层的方法可以包括光刻、喷墨打印、旋涂、丝网印刷、层压干膜、狭缝喷涂、等离子体刻蚀、激光烧蚀等方法中的一种或多种。

(h)后再进行烘干，烘干温度为50℃～300℃之间；时间为1 min～60min；烘干气氛为空气、氧气、氮气、氩气或氮氢混合气体；覆盖层的厚度为0.05μm～5μm；如图3(a)所示，得到的覆盖层的电导率不大于10S/cm；

(i)在金属种子层栅极处双面依次制备Cu作为金属传导层、制备Sn作为保护层，制备方法可以包括电镀、化学镀、光诱导电镀、喷墨打印、丝网印刷、滴涂等方法中的一种或多种。

(j)在所述的步骤(i)后，将覆盖层经过后处理，后处理的方法可以包括无水乙醇后处理、丙酮后处理、异丙醇后处理、乙烯基乙二醇后处理、甘油单硬脂酸酯后处理、二乙二醇甲醚后处理、二甲基亚砜后处理、氯苯后处理、甲醇后处理、甲酸后处理、二甲苯后处理、硫酸后处理、盐酸后处理等方法中的一种或多种；后处理时间为1 min～80min；后处理温度为10℃～80℃；如图3(b)所示，得到的覆盖层的电导率大于500S/cm。

经过上述步骤后，得到光电性能优良的覆盖层，可进一步作为异质结太阳电池的透明导电薄膜层而存在，此方法不仅避免了常规异质结太阳电池电化学沉积电极去除掩膜的工艺，还可降低透明导电薄膜的沉积厚度，有利于提高异质结太阳电池的转换效率的同时降低生产成本，在工业化规模生产中具有明显的优势。

以上所述的具体实施例，对本发明解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。