具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明提供一种HJT电池的加工方法，在重掺杂有金属氧化物的最外侧TCO膜层上制备金属电极50，金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内，制备而成的HJT电池可以获得较佳的结合力，在制备或者使用过程中能有效避免发生栅线脱落的情况，且能获得较高的栅线拉力，同时能获得较大的退火窗口，有利于加工制造，另外无需使用单独的镀铜工艺腔，大大降低了生产成本。

实施例一

参考图1，本实施例一提供一种HJT电池的加工方法，包括以下步骤：

步骤10、在硅衬底的正面、背面分别沉积非晶硅本征层；

步骤20、在正面的非晶硅本征层上沉积第一传输层，在背面的非晶硅本征层上沉积第二传输层；

步骤30、分别在所述第一传输层和所述第二传输层上沉积多层TCO膜层，其中，位于最外侧的TCO膜层掺杂有金属氧化物，且金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内；

步骤40、分别在最外侧的TCO膜层上制备金属电极。

TCO膜层(透明导电氧化物，transparentconductiveoxide)主要包括In、Sb、Zn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特性。

在本实施例中，先是选取硅衬底10，硅衬底10可采用n型单晶硅片，再在硅衬底10上进行双面制绒，接着在硅衬底10的正面、背面分别沉积非晶硅本征层20，并在正面的非晶硅本征层20上沉积第一传输层31，在背面的非晶硅本征层20上沉积第二传输层32。在制备第一传输层31和第二传输层32之后，在第一传输层31上沉积多层TCO膜层，并在第二传输层32上沉积多层TCO膜层，接着在正面、背面最外侧的TCO膜层上制备金属电极50。

需要说明的是，第一传输层31可为n型非晶硅层或者p型非晶硅层，第二传输层32可为p型非晶硅层或者n型非晶硅层。具体来说，当在正面的非晶硅本征层20上沉积n型非晶硅层时，在背面的非晶硅本征层20上沉积p型非晶硅层；当在正面的非晶硅本征层20上沉积p型非晶硅层时，在背面的非晶硅本征层20上沉积n型非晶硅层。

其中，位于最外侧的TCO膜层掺杂有金属氧化物，且金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内，制备而成的HJT电池可以获得较佳的结合力，在制备或者使用过程中能有效避免发生栅线脱落的情况，且能获得较高的栅线拉力，同时能获得较大的退火窗口，有利于加工制造，并能够带来较高的电池填充因子(FF)和较高电池效率(Eff)，另外无需使用单独的镀铜工艺腔，大大降低了生产成本。

具体地，参考图2，所述分别在所述第一传输层和所述第二传输层上沉积多层TCO膜层的步骤，具体包括：

步骤31、分别在所述第一传输层和所述第二传输层上依次沉积第一TCO膜层、第二TCO膜层和第三TCO膜层。

在电池正面、背面分别沉积第一传输层31和第二传输层32后，再分别在第一传输层31和第二传输层32上依次沉积第一TCO膜层41、第二TCO膜层42和第三TCO膜层43。在三层TCO膜层中，第一TCO膜层41位于最内侧，第三TCO膜层43位于最外侧，第二TCO膜层42位于第一TCO膜层41和第三TCO膜层43之间。

其中，第三TCO膜层43掺杂有金属氧化物，且金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内。在重金属掺杂的第三TCO膜层43上制备金属电极50后，制成的HJT电池可以获得较佳的结合力，在制备或者使用过程中能有效避免发生栅线脱落的情况，且能获得较高的栅线拉力，同时能获得较大的退火窗口，有利于加工制造，并能够带来较高的电池填充因子(FF)和较高电池效率(Eff)，另外无需使用单独的镀铜工艺腔，大大降低了生产成本。

在本实施例中，所述第一TCO膜层41的厚度在10nm至40nm范围内，所述第二TCO膜层42的厚度在10nm至40nm范围内，所述第三TCO膜层43的厚度在5nm至25nm范围内。优选地，第一TCO膜层41的厚度为35nm，第二TCO膜层42的厚度为30nm，第三TCO膜层43的厚度为15nm。

在本实施例中，所述金属氧化物包含有银、镍、锡，且银、镍、锡的比例为银占60％、镍占20％、锡占20％。

具体地，参考图3，所述分别在最外侧的TCO膜层上制备金属电极的步骤，具体包括：

步骤41、分别在最外侧的TCO膜层上镀金属种子层；

步骤42、分别在所述金属种子层上沉积金属栅线；

步骤43、分别在所述金属栅线上沉积金属保护层。

在本实施例中，在制备好正面、背面最外侧的TCO膜层(可理解为如上述的第三TCO膜层43)后，先分别在最外侧的TCO膜层上镀金属种子层，再在镀好的金属种子层上沉积金属栅线，最后在金属栅线上沉积金属保护层。在重金属掺杂的最外侧的TCO膜层上制备金属电极50后，制成的HJT电池可以获得较佳的结合力，在制备或者使用过程中能有效避免发生栅线脱落的情况，且能获得较高的栅线拉力，同时能获得较大的退火窗口，有利于加工制造，并能够带来较高的电池填充因子(FF)和较高电池效率(Eff)，另外无需使用单独的镀铜工艺腔，大大降低了生产成本。

其中，金属种子层可选为铜种子层，则沉积后的金属栅线即为铜栅线。当然，在其他实施例中，金属种子层也可选为其他，例如银种子层，则沉积后的金属栅线即为银栅线。

其中，金属保护层可选为镍保护层。当然，在其他实施例中，金属保护层也可选为其他，例如银保护层。

实施例二

参考图4，本实施例二提供一种HJT电池，包括：

硅衬底10；

分别设置在所述硅衬底10正面、背面的非晶硅本征层20；

设置在正面的非晶硅本征层20上的第一传输层31，设置在背面的非晶硅本征层20上的第二传输层32；

分别设置在所述第一传输层31和所述第二传输层32上的多层TCO膜层，其中，位于最外侧的TCO膜层掺杂有金属氧化物，且金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内；

分别设置在最外侧的TCO膜层上的金属电极50。

TCO膜层(透明导电氧化物，transparentconductiveoxide)主要包括In、Sb、Zn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特性。

在本实施例中，先是选取硅衬底10，硅衬底10可采用n型单晶硅片，再在硅衬底10上进行双面制绒，接着在硅衬底10的正面、背面分别沉积非晶硅本征层20，并在正面的非晶硅本征层20上沉积第一传输层31，在背面的非晶硅本征层20上沉积第二传输层32。在制备第一传输层31和第二传输层32之后，在第一传输层31上沉积多层TCO膜层，并在第二传输层32上沉积多层TCO膜层，接着在正面、背面最外侧的TCO膜层上制备金属电极50，从而制备如上所述的HJT电池。

需要说明的是，第一传输层31可为n型非晶硅层或者p型非晶硅层，第二传输层32可为p型非晶硅层或者n型非晶硅层。具体来说，当在正面的非晶硅本征层20上沉积n型非晶硅层时，在背面的非晶硅本征层20上沉积p型非晶硅层；当在正面的非晶硅本征层20上沉积p型非晶硅层时，在背面的非晶硅本征层20上沉积n型非晶硅层。

其中，位于最外侧的TCO膜层掺杂有金属氧化物，且金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内，制备而成的HJT电池可以获得较佳的结合力，在制备或者使用过程中能有效避免发生栅线脱落的情况，且能获得较高的栅线拉力，同时能获得较大的退火窗口，有利于加工制造，并能够带来较高的电池填充因子(FF)和较高电池效率(Eff)，另外无需使用单独的镀铜工艺腔，大大降低了生产成本。

在本实施例中，所述TCO膜层设有三层，由内到外依次为第一TCO膜层41、第二TCO膜层42和第三TCO膜层43。在制备过程中，先在电池正面、背面分别沉积第一传输层31和第二传输层32，再分别在第一传输层31和第二传输层32上依次沉积第一TCO膜层41、第二TCO膜层42和第三TCO膜层43。在三层TCO膜层中，第一TCO膜层41位于最内侧，第三TCO膜层43位于最外侧，第二TCO膜层42位于第一TCO膜层41和第三TCO膜层43之间。

其中，第三TCO膜层43掺杂有金属氧化物，且金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内。在重金属掺杂的第三TCO膜层43上制备金属电极50后，制成的HJT电池可以获得较佳的结合力，在制备或者使用过程中能有效避免发生栅线脱落的情况，且能获得较高的栅线拉力，同时能获得较大的退火窗口，有利于加工制造，并能够带来较高的电池填充因子(FF)和较高电池效率(Eff)，另外无需使用单独的镀铜工艺腔，大大降低了生产成本。

在本实施例中，所述第一TCO膜层41的厚度在10nm至40nm范围内，所述第二TCO膜层42的厚度在10nm至40nm范围内，所述第三TCO膜层43的厚度在5nm至25nm范围内。优选地，第一TCO膜层41的厚度为35nm，第二TCO膜层42的厚度为30nm，第三TCO膜层43的厚度为15nm。

在本实施例中，所述金属氧化物包含有银、镍、锡，且银、镍、锡的比例为银占60％、镍占20％、锡占20％。

其中，所述金属电极50为铜电极。当然，在其他实施例中，金属电极50也可选为其他，例如银电极等。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。