阅读说明：本技术 TOPCon太阳能电池的制造方法及其非晶硅晶化的方法和设备 ([db:专利名称-en]) 是由 马哲国 于 2019-10-14 设计创作，主要内容包括：本发明提供TOPCon太阳能电池的制造方法及其非晶硅晶化的方法和设备。所述晶化的方法包括：(a).提供用于TOPCon太阳能电池的且背面依次沉积有氧化层和非晶硅层的硅片；(b).接收硅片并将其在800-950℃的温度下进行20至40分钟的热处理,以将非晶硅层晶化成多晶硅层；以及(c).接收硅片并将其在比步骤(c)温度低50-300℃的降低温度下进行1至5分钟的降温热处理,并在每个降温热处理之后将硅片在800-1000℃的温度下进行10秒至5分钟的热处理以释放应力。本发明能有效避免非晶硅晶化爆膜。([db:摘要-en])

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