阅读说明：本技术 发光层、发光设备、发光层的制造装置 (Light-emitting layer, light-emitting device, and apparatus for manufacturing light-emitting layer ) 是由 兼弘昌行 石田壮史 仲西洋平 冈本翔太 于 2018-06-15 设计创作，主要内容包括：提供一种发光设备,目的在于提供不包含高温工艺且适于量产的发光层以及具备该发光层的发光设备,所述发光设备包括：发光层,其有分散有量子点的感光性材料形成；第一电极,其形成在所述发光层的下层；第二电极,其形成在所述发光层的上层。(Provided are a light emitting device which does not include a high temperature process and is suitable for mass production, and a light emitting device having the light emitting layer, the light emitting device including: a light-emitting layer formed of a photosensitive material in which quantum dots are dispersed; a first electrode formed on a lower layer of the light-emitting layer; and a second electrode formed on an upper layer of the light emitting layer.)

发光层、发光设备、发光层的制造装置

技术领域

本发明涉及一种具备量子点的发光层，具备该发光层的发光元件以及具备该发光元件的发光设备。

背景技术

专利文献1公开了形成或图案化纳米结构阵列的方法。专利文献2公开了对元件基板图案化量子点层的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本公告专利公报“特表2009-545883号公报(2009年12月24日公开)”

专利文献2：日本公开专利公报“特开2013-56412号公报(2013年3月28日公开)”

发明内容

本发明所要解决的技术问题

专利文献1记载的方法包括使量子点的发光特性失活的高温工艺，难以适用于具备量子点的发光设备。此外，在专利文献2记载的方法中，由于难以实现发光设备的大型化和高清晰度，并且节拍时间(takttime)长，因此，专利文献2记载的方法不适用于量产工艺。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，使在发光层具备量子点的发光设备中发光颜色的分离变得容易。

用于解决技术问题的技术方案

为了解决上述问题，本发明一形态涉及的发光层由分散有量子点的感光性材料形成。

此外，为了解决上述问题，本发明的一形态涉及的发光层的制造装置进行如下步骤：对基材涂布分散有量子点的感光性材料；在所述基材上的所述感光性材料中形成曝光区域以及非曝光区域；去除所述曝光区域的至少一部分或所述非曝光区域中的至少一部分中的所述感光性材料。

有益效果

根据本发明的一形态，可以提供一种不会使量子点的发光特性失活，容易实现大型化以及高清晰度，且能够缩短节拍时间的具备量子点的发光层。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式涉及的发光设备的制造方法的一个示例的工序截面图。

图2是本发明的第一实施方式涉及的发光设备的俯视图以及截面图。

图3是表示本发明的第一实施方式涉及的发光设备的制造方法的一个示例的流程图。

图4是表示本发明的第一实施方式涉及的发光设备的发光层的制造所使用的制造装置的框图。

图5是表示本发明的第一实施方式涉及的发光设备的发光机构的截面图。

图6是表示本发明的第二实施方式涉及的发光设备的制造方法的一个示例的工序截面图。

图7是本发明第三实施方式涉及的发光设备的截面图。

图8是表示本发明的第三实施方式涉及的发光设备的制造方法的一个示例的流程图。

图9是表示本发明第三实施方式涉及的发光设备的发光机构的截面图。

图10是本发明第四实施方式涉及的发光设备的截面图。

图11是表示本发明第四实施方式涉及的发光设备的发光机构的截面图。

具体实施方式

〔第一实施方式〕

在本说明书中，从发光设备的发光层到第一电极的方向记载为“下方向”，从发光设备的发光层到第二电极的方向记载为“上方向”。

图2是本实施例涉及的发光设备2的放大俯视图和放大截面图。图2的(a)是表示透过电子输送层16和第二电极18a的发光设备2的像素周边的上表面的图。图2的(b)是与图2的(a)的箭头对应的向视截面图。

如图2的(b)所示，发光设备2为在形成有未图示的TFT(Thin Film Transister，薄膜晶体管)的阵列基板4上层叠各层的结构。第一电极8a与TFT电连接，并且包括用于防止电极之间的短路的边缘罩6。在第一电极8a上具备空穴注入层10、空穴输送层12、发光层14、电子输送层16以及第二电极18a。如图2所示，被边缘罩6包围的区域是各种颜色的像素区域，包括红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP。

在阵列基板4上的第一电极8a的上层从下方依次形成空穴注入层10、空穴输送层12和发光层14。阵列基板4是透明基板，该透明基板形成有与作为各像素的第一电极8a的每一个对应的TFT。作为基板的材料可以是玻璃，也可以是可弯曲的塑料。当将塑料用作阵列基板4时，可以获得柔性发光设备2。

作为TFT材料包括非晶硅半导体、低温多晶硅类半导体、氧化物半导体等，优选使用氧化物半导体。氧化物半导体与非晶硅相比，迁移率高，且特性变化小。因此，具备氧化物半导体的TFT适合于更高清晰度的下一代显示装置。此外，氧化物半导体通过与低温多晶硅相比简便的工艺来形成。因此，具备氧化物半导体的TFT具有可以应用于需要大面积的装置的优点。

作为氧化物半导体可以例举，由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)构成的化合物(In-Ga-Zn-O)、由铟(In)、锡(Tin)、锌(Zn)和氧(O)构成的化合物(In-Tin-Zn-O)或由铟(In)、铝(Al)、锌(Zn)和氧(O)构成的化合物(In-Al-Zn-O)等。

第一电极8a是阳极并且具有透光性。第一电极8a也可以包括例如ITO、IZO或ISO等透明氧化物。空穴注入层10也可以包括PEDOT/PSS，例如，可以例举Clevios(注册商标)AI4083。空穴输送层12也可以包括PVK、poly-TPD、CBP、NPD或TFB等有机材料。另外，空穴输送层12也可以包括NiO或MoO₃等无机材料。

在发光层14的上表面上从下方依次形成电子输送层16和第二电极18a。通常，作为电子输送层16经常使用ZnO纳米粒子。此外，电子输送层16也可以包括Alq3、PBD、TPBi、BCP、Balq或CDBP等。第二电极18a是阴极并且具有光反射性。第二电极18a也可以包括Mg、Ca、Na、Ti、In、Ir、Li、Gd、Al、Ag、Zn、Pb、Ce、Ba、LiF/Al、LiO₂/Al、LiF/Ca或BaF₂/Ca等。另外，在电子输送层16和第二电极18a之间也可以形成电子注入层。

此处，发光层14具有量子点(半导体纳米粒子)。量子点分散在发光层14中。多个像素区域的一部分所具备的发光层具有量子点，该量子点与其他不同像素区域所具备的发光层所具有的量子点不同。例如，如图1的(a)所示，形成在各自像素区域RP、GP和BP中的发光层14分别具有红色量子点RD、绿色量子点GD和蓝色量子点BD三种量子点。

量子点RD、GD和BD发出的荧光波段分别不同，且分别发出红色、绿色和蓝色作为荧光。除了量子点RD、GD和BD之外，发光层14也可以包括例如发出黄色作为荧光的量子点。量子点RD、GD和BD具有核-壳结构，也可以包括例如CdSe/ZnSe、CdSe/ZnS、CdS/ZnSe、CdS/ZnS、ZnSe/ZnS、InP/ZnS或ZnO/MgO等。

此处，蓝光是在400nm以上且500nm以下的波段中具有发光中心波长的光。此外，绿光是在超过500nm且600nm以下的波段中具有发光中心波长的光。此外，红光是在超过600nm且780nm以下的波段中具有发光中心波长的光。

接着，参照图1和图3说明本实施方式涉及的发光设备2的制造方法。图1是用于说明发光设备2的制造方法的工序截面图。图3是本实施例涉及的发光设备2的制造方法的流程图。

首先，制备具备TFT和连接到该TFT的各种配线的阵列基板4，并在阵列基板4上形成电连接到TFT的第一电极8a(S10)。接着，在第一电极8a之间形成边缘罩6(S12)。在第一电极8a的上层从下方依次形成空穴注入层10和空穴输送层12(S14)，得到图1的(a)所示的结构。到此处为止的各要素的制造方法，也可以适当地采用现有公知的方法。

接着，说明发光层14的制造方法。本实施方式涉及的发光层14由分散有量子点的感光性材料、使用光刻法而制造。首先，如图1的(b)所示，在作为基材的空穴输送层12上涂布分散有红色量子点RD的感光性材料14a(S16)。感光性材料14a的涂布也可以使用例如包括旋涂法、喷涂法、流延法、喷墨法的印刷法或LB法等公知的方法来实施。从确保容易进行涂布控制和图案控制的膜厚的观点来看，感光性材料14a的厚度优选为10nm以上，更优选为20nm以上。此外，从易于注入载体、提高发光效率的观点来看，感光性材料14a的厚度优选为500nm以下，更优选为小于200nm。

感光性材料14a也可以包含感光性树脂，例如SU-8(日本化药)、KI系列(日立化成)、AZ光刻胶(Merck)或Sumistres(住友化学)等。此外，感光性材料14a也可以含有光聚合引发剂和光酸产生剂中的至少一种。可以适当选择相对于感光性材料14a的量子点的浓度，以使可以容易涂布且能够获得期望的膜厚。具体而言，相对于感光性材料14a的量子点的浓度优选为1～50wt％的范围，更优选为10～40wt％的范围。若小于上述浓度，则不能充分获得所期望的发光特性，并且不能形成发光设备的发光层。此外，若超过上述范围，则由于量子点成分增加会损坏所形成的膜的稳定性，并且平坦性和图案化精度可能劣化。

接着，如图1的(c)所示，将掩模图案M设置在感光性材料14a的上方(S18)，从掩模图案M的上方照射光以使感光性材料14a曝光(S20)。即，在感光性材料14a中，在上方不存在掩模图案M的位置形成有曝光区域，在上方存在掩模图案M的位置形成有非曝光区域。例如，在曝光时的光可以采用i线(波长365nm)，但是也可以根据材料来适当选择。此外，从提高图案精度和减少膜损失的观点来看，曝光量优选为20mJ/cm²以上。此外，从抑制节拍时间的增加和减少对其他构件的损害的观点来看，曝光量优选为1000mJ/cm²以下。

此时，掩模图案M设置在绿色像素区域GP、蓝色像素区域BP和边缘罩6的上方。因此，照射到绿色像素区域GP、蓝色像素区域BP和边缘罩6的光被掩模图案M遮挡而成为非曝光区域。因此，仅形成在红色像素区域RP中的空穴输送层12上的感光性材料14a被曝光而成为曝光区域。曝光区域中的感光性材料14a变质而成为发光层14。

接着，用显影剂洗涤感光性材料14a，并去除感光性材料14a(S22)。显影剂例如是TMAH，但是只要根据感光性材料14a适当地选择即可。此处，感光性材料14a为通过曝光获得在显影剂中呈难溶性的负型感光性材料。因此，如图1的(d)所示，仅作为曝光的感光性材料14a的发光层14不溶解在显影剂中，而是残留在空穴输送层12上。因此，具有红色量子点RD的发光层14仅形成在红色像素区域RP上。

重复以上的S16、S18、S20和S22，以在绿色像素区域GP中形成具有绿色量子点GD的发光层14，在蓝色像素区域BP中形成具有蓝色量子点BD的发光层14。由此，获得图1的(e)所示的结构。最后，在发光层14的上层从下方依次形成电子输送层16和第二电极18a(S24)。电子输送层16和第二电极18a的形成除了上述印刷法以外，也可以使用溅射法、或真空蒸镀法等来实施。

以上，制造图1的(f)所示的发光设备2。另外，在上述发光设备2的制造过程中，实际上，在涂布感光性材料14a之后，可以执行预烘烤以从感光性材料14a中去除溶剂。此外，发光层14显影之后，也可以执行后烘烤，以确保发光层14与基材的紧密接触性和提高后续工艺对处理的耐性。

图4是表示在上述发光设备2的制造工序中在制造发光层14时使用的发光层的制造装置20的框图。发光层的制造装置20包括控制器22、涂布装置24、曝光装置26和显影装置28。涂布装置24对分散有量子点的感光性材料24a的基材进行涂布。曝光装置26将掩模图案M设置在基板上的感光性材料24a的上方，并将光照射到感光性材料24a的至少一部分。在光照射到感光性材料24a之后，显影装置28去除感光性材料24a的至少一部分。控制器22控制涂布装置24、曝光装置26和显影装置28。

在上述制造方法中，在具有量子点的发光层形成期间和形成之后不存在高温工艺。因此，降低了量子点的发光特性失活并且不产生荧光的可能性。因此，通过上述制造方法提高了发光设备2的制造成品率。此外，在上述制造方法中，可以使用光刻法形成发光层14。因此，可以高精度图案化，且抑制节拍时间的增加而形成发光层14。因此，由于发光设备2的大型化或高清晰度更容易实现，因此，上述制造方法更适合于量产。

此外，在上述的制造方法中，量子点分布在感光性材料14a和发光层14的内部。因此，当形成发光层14时或在形成发光层14之后的工序中，减少了量子点与氧气或水分等直接接触，并且可以减少对量子点的损坏。因此，通过上述制造方法，发光设备2的制造成品率进一步提高。

图5是说明本实施例涉及的发光设备2的发光结构的截面图。在图5中表示了从发光设备2的绿色量子点GD产生荧光的情况。

首先，如图5所示，在绿色像素区域GP中的两个电极之间施加电压。具体地，通过控制阵列基板4上的TFT，在属于绿色像素区域GP的第一电极8a(像素电极)与对置的第二电极18a的两个电极之间施加电压。以作为阳极的第一电极8a与作为阴极的第二电极18a相比高电势的方式产生电势差。由此，从第一电极8a和空穴注入层10向空穴输送层12注入空穴，从第二电极18a向电子输送层16注入电子。空穴输送层12将空穴输送至发光层14，并且电子输送层16将电子输送至发光层14。而且，在发光层14中的绿色量子点GD中，通过空穴和电子重组产生激子。当该激子跃迁到基态时，在绿色量子点GD中产生绿色荧光。

在绿色量子点GD中产生的荧光中，朝向下方产生的荧光透过作为透明电极的第一电极8a和作为透明基板的阵列基板4，并发射到发光设备2的下方。另一方面，在绿色量子点GD中产生的荧光中，朝向上方产生的荧光在作为反射电极的第二电极18a中反射。因此，该荧光也发射到发光设备2的下方。由于绿色量子点GD中产生的荧光都向下方发射，因此提高了发光效率。关于在红色像素区域RP和蓝色像素区域BP中产生的荧光，上述发光机构相同。

〔第二实施方式〕

图6为表示本实施方式涉及的发光设备2的制造方法的其它示例的工序截面图。本实施方式涉及的发光设备2与上述实施方式涉及的发光设备2的不同之处仅在于，具备包含正型感光性材料的发光层15来代替发光层14。参照图3和图6说明本实施方式涉及的发光设备2的制造方法。

首先，与上述发光设备2的制造方法同样地，制作形成有与TFT电连接的第一电极8a的阵列基板，并且在电极之间形成边缘罩6。在第一电极8a的上层形成空穴注入层10和空穴输送层12(S10、S12、S14)，获得图6的(a)所示的结构。接着，如图6的(b)所示，将分散有红色量子点RD的正型感光性材料涂布在作为基材的空穴输送层12上(S16)，通过使用预烘烤等感光性材料固化而获得发光层15。

接着，如图6的(c)所示，仅在红色像素区域RP的上方设置掩模图案M(S18)，从发光层15的上方照射光，曝光发光层15(S20)。发光层15通过曝光转变为提高了在显影剂中的溶解性的曝光后的发光层15a。因此，通过使用显影剂而清洗发光层15和曝光后的发光层15a来去除曝光后的发光层15a(S22)。因此，具有红色量子点RD的发光层15仅形成在红色像素区域RP。

重复以上的S16、S18、S20和S22，以在绿色像素区域GP中形成具有绿色量子点GD的发光层15，在蓝色像素区域BP中形成具有蓝色量子点BD的发光层15。由此，获得图6的(e)所示的结构。最后，在发光层14的上层从下方依次形成电子输送层16和第二电极18a(S24)。以上，制造图6的(f)所示的发光设备2。

在本实施例涉及的发光设备2的制造方法中，当形成发光层15时，去除曝光后的发光层15a，残留未被曝光的发光层15。即，发光设备2包括未被曝光的发光层15。因此，由于发光层15所具备的量子点未照射曝光时的光，降低了量子点受到曝光时的损坏的可能性。因此，通过上述制造方法，发光设备2的制造成品率进一步提高。另外，本实施方式涉及的发光设备2的发光机构也可以与上述实施例涉及的发光设备2的发光机构相同。

〔第三实施方式〕

图7表示本实施方式涉及的发光设备2的截面图。本实施例涉及的发光设备2包括第一电极8b和第二电极18b，以代替第一电极8a和第二电极18a。

本实施例涉及的发光设备2在阵列基板4上的边缘罩6所包围的每个像素区域中从下方依次包括第一电极8b、电子输送层16和发光层14。第一电极8b是阴极并且具有光反射性。第一电极8b也可以包括与第二电极18a所含有的材料相同的材料。

在发光层14的上层从下方依次形成空穴输送层12、空穴注入层10和第二电极18b。第二电极18b是阳极并且具有透光性。第二电极1b也可以包括与第一电极8a所含有的材料相同的材料。

接着，参照图8说明本实施方式涉及的发光设备2的制造方法。图8是表示本实施方式涉及的发光设备2的制造方法的流程图。

首先，与上述发光设备2的制造方法同样地，制作具备TFT和连接到该TFT的各种配线的阵列基板4，并在阵列基板4上形成电连接到TFT的第一电极8b。接着，在第一电极8b之间形成边缘罩6。接着，在第一电极8b的上层从下方依次形成电子注入层16(S34)。

接着，在红色像素区域RP形成发光层14。发光层14的形成也可以通过与上述发光层14的形成相同的方法形成。即，也可以将感光性材料14a涂布到电子注入层上(S36)，设置掩模图案M(S38)，曝光感光性材料14a(S40)，去除感光性材料14a的一部分(S42)。由此，在红色像素区域RP中形成分散有红色量子点RD的发光层14。在绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中也是同样地，重复S36、S38、S40、S42来形成分别分散有绿色量子点GD和蓝色量子点BD的发光层14。

最后，与上述发光设备2的制造方法同样地，在发光层14的上层从下方依次形成空穴输送层12、空穴注入层10和第二电极18b(S44)。由此，获得了本实施例涉及的发光设备2。

在上述发光设备2的制造方法中，当形成电子注入层16时，不存在具备量子点的发光层14。因此，即使在电子注入层16的形成中应用高温工艺，也不会对量子点造成损坏。

图9是说明本实施方式涉及的发光设备2的发光机构的截面图。在图9中，与图5同样地，表示了从发光设备2的绿色量子点GD产生荧光的情况。

首先，如图9所示，在绿色像素区域GP中的两个电极之间施加电压。具体地，通过控制阵列基板4上的TFT，在属于绿色像素区域GP的第一电极8b(像素电极)与对置的第二电极18b的两个电极之间施加电压。以作为阳极的第一电极8b与作为阴极的第二电极18b相比低电势的方式产生电势差。由此，电子从第一电极8b注入到电子输送层16中，并且空穴从第二电极18b和空穴注入层10注入到空穴输送层12中。之后发光层14中的荧光的发生机构与参照图5说明的机构相同。

在绿色量子点GD中产生的荧光中，朝向上方产生的荧光透过作为透明薄膜的空穴输送层12和空穴注入层10、作为透明电极的第二电极18b，并向发光设备2的上方发射。另一方面，在绿色量子点GD中产生的荧光中，朝向下方产生的荧光在作为反射电极的第一电极8b中反射。因此，该荧光也在发光设备2的上方发射。由于在绿色量子点GD中产生的荧光都朝向上方发射，因此提高了发光效率。

此外，在本实施例涉及的发光设备2中，提取荧光的方向在没有形成TFT的发光设备2上方。因此，可以使从发光层14发射的荧光透过的开口变宽。因此，本实施例涉及的发光设备2可以进一步提高发光效率。

〔第四实施方式〕

图10表示本实施方式涉及的发光设备2的截面图。本实施例涉及的发光设备2与先前实施例涉及的发光设备2的不同之处仅在于：具备第一电极8c和第二电极18c，以代替第一电极8b和第二电极18b。

第一电极8c是阴极，并且具有透光性。第一电极8c也可以包括与第一电极8a所包含的材料相同的材料。第二电极18c是阳极，并且具有光反射性。第二电极18c也可以包括与第二电极18a所包含的材料相同的材料。

本实施例涉及的发光设备2与先前实施例涉及的发光设备2的不同之处仅在于：在第一电极和第二电极中，所使用的材料和电极的特性是相反的。因此，本实施方式涉及的发光设备2可以通过与前述实施方式涉及的发光设备2相同的制造方法来制造。因此，在本实施例中，即使在形成电子注入层16中应用高温工艺，也不会对量子点造成损坏。

图11是说明本实施方式涉及的发光设备2的发光机构的截面图。图11表示与图5和图9同样地，从发光设备2的绿色量子点GD产生荧光的情况。来自本实施方式涉及的发光设备2的发光层的荧光的产生机构与参照图9说明的机构相同。此外，如参照图5说明的那样，本实施例涉及的发光设备2中，荧光也在发光设备2下方发射。由于绿色量子点GD中产生的荧光都向下方发射，因此提高了发光效率。

〔总结〕

形态一的发光层由分散有量子点的感光性材料形成。

在形态二中，所述发光层具有至少三种荧光的波段分别不同的量子点。

在形态三中，所述发光层的厚度为10nm以上且500nm以下。

在形态四中，所述发光层具备光聚合引发剂和光酸产生剂中的至少一种。

在形态五中，所述发光层为负型感光性材料。

在形态六中，所述发光层为正型感光性材料。

形态七涉及发光设备，包括：发光层；第一电极，其设置在所述发光层的下层；第二电极，其设置在所述发光层的上层。

在形态八中，所述发光层被切割成多个像素区域。

在形态九中，所述像素区域的一部分所具备的发光层具有量子点，所述量子点与其他不同的像素区域所具备的发光层所具有的量子点不同。

在形态十中，所述第一电极及所述第二电极的至少一个具有透光性。

在形态十一中，所述第一电极具有光反射性。

在形态十二中，所述第二电极具有光反射性。

在形态十三中，所述第一电极是阳极，所述第二电极是阴极。

在形态十四中，所述第一电极是阴极，所述第二电极是阳极。

形态十五的发光层的制造装置进行如下步骤：对基材涂布分散有量子点的感光性材料；在所述基材上的所述感光性材料中形成曝光区域以及非曝光区域；去除所述曝光区域的至少一部分或所述非曝光区域中的至少一部分中的所述感光性材料。

形态十六的发光层的制造方法，包括：涂布工序，在基材上涂布分散有量子点的感光性材料；曝光工序，在所述基材上的所述感光性材料形成曝光区域以及非曝光区域；显影工序，在所述曝光工序之后，去除所述曝光区域的至少一部分或所述非曝光区域中的至少一部分中的所述感光性材料。

在形态十七中，所述感光性材料具备光聚合引发剂和光酸产生剂中的至少一种。

在形态十八的发光设备的制造方法具备所述发光层的制造方法。

在形态十九中，进一步包括边缘罩形成工序，形成将所述感光性材料切割成多个像素区域的边缘罩。

在形态二十中，在所述像素区域的一部分形成具有量子点的发光层，所述量子点是与其他不同的所述像素区域所形成的发光层所具有的量子点不同种类的量子点。

在形态二十一中，进一步包括：第一电极形成工序，形成与所述感光性材料相比在下层的第一电极；第二电极形成工序，形成与所述感光性材料相比在上层的第二电极。

在形态二十二中，所述感光性材料中的所述曝光区域中的至少一部分中的所述感光性材料在所述显影工序中去除。

在形态二十三中，所述感光性材料中的所述非曝光区域的至少一部分中的所述感光性材料在所述显影工序中去除。

在形态二十四中，在所述曝光工序中，在所述感光性材料的上方设置掩膜图案而进行所述曝光区域和所述非曝光区域的形成。

本发明不限于上述各实施方式，能在权利要求所示的范围中进行各种变更，将在不同的实施方式中分别公开的技术手段适当组合而得到的实施方式也包含于本发明的技术范围。进一步地，能够通过组合各实施方式分别公开的技术手段来形成新的技术特征。

附图标记说明

2 发光设备

6 隔堤层

8a～8c 第一电极

14/15 发光层

18a～18c 第二电极

20 发光层的制造装置

RP/GP/BP 像素区域

RD/GD/BD 量子点

M 掩膜图案