光掩模、其修正方法、制造方法、显示装置用器件的制造方法
阅读说明：本技术 光掩模、其修正方法、制造方法、显示装置用器件的制造方法 (Photomask, method of correcting photomask, method of manufacturing photomask, and method of manufacturing device for display device ) 是由 中山憲治 于 2019-07-29 设计创作，主要内容包括：提供光掩模、其修正方法、制造方法、显示装置用器件的制造方法。即使在利用相移作用的光掩模中产生缺陷,也能够进行精密的修正。一种光掩模修正方法,对具有在透明基板(1)上将半透光膜(2)图案化而形成的转印用图案的光掩模中产生的缺陷(20)进行修正,包括确定缺陷(20)的工序；形成修正膜(4)的修正膜形成工序。半透光部(12)具有对于曝光光的代表波长的光的透射率Tm(％)(Tm＞25)和相移量φm(度)(160≤φm≤200)。在修正膜形成工序,按任意的顺序层叠组成彼此不同的第1膜4a和第2膜4b。第1膜4a包含Cr及O,第2膜4b包含Cr、O及C。第1膜不包含C,或包含含量小于第2膜的含量的C,第2膜包含含量小于第1膜的含量的O。(A photomask, a correction method thereof, a manufacturing method thereof, and a manufacturing method of a device for a display device are provided. Even if a defect occurs in a photomask using a phase shift effect, precise correction can be performed. A photomask correction method for correcting a defect (20) generated in a photomask having a transfer pattern formed by patterning a semi-transparent film (2) on a transparent substrate (1), includes a step of determining the defect (20); and a correction film forming step of forming a correction film (4). The semi-light transmitting part (12) has a transmittance Tm (%) for light of a representative wavelength of exposure light (Tm > 25) and a phase shift amount phi m (degrees) (160 < phi m < 200). In the correction film forming step, the 1 st film 4a and the 2 nd film 4b having different compositions are laminated in an arbitrary order. The 1 st film 4a contains Cr and O, and the 2 nd film 4b contains Cr, O and C. The 1 st film contains no C or C in an amount less than that of the 2 nd film, and the 2 nd film contains O in an amount less than that of the 1 st film.)
技术领域
本发明涉及一种对在光掩模上产生的缺陷进行修正的方法，尤其涉及一种适用于显示装置制造用的光掩模的修正(repair)方法、进行修正后的光掩模、光掩模的制造方法、使用光掩模的显示装置用器件的制造方法。
背景技术
作为半导体集成电路中使用的光掩模，公知衰减型(或者半色调型)的相移掩模。该相移掩模是通过具有低透射率和180度的相移量的半色调膜(halftone film)形成相当于二元掩模(Binary mask)的遮光部的部分而形成的。
专利文献1中记载了如下的方案：即，当在具有这种相移掩模的移相部中产生了缺陷的情况下，在移相缺陷部配置具有与移相部几乎相同的透射率以及几乎相同的相移量的修正部件。
另一方面，公知在液晶显示装置的制造中，为了提高其生产效率，而使用多色调光掩模(multitone mask(多色调掩模))。专利文献2中记载了如下的方法：即，在多色调光掩模中，存在除了遮光部、透光部以外，还具有在透明基板上形成有半透光膜的半透光部的多色调光掩模，在该半透光部中产生的缺陷上形成修正膜来进行修正。由此，透明基板露出的透光部与在透明基板上形成有修正膜的修正部之间的相位差为80度以下。由此，在相邻的透光部与修正部的边界，能够抑制由相位差引起的透射率降低带来的薄膜晶体管沟道的短路等不良状况。
进而，专利文献3中提出了在显示装置的制造中使用具有高透射率(30％以上)的相移膜的光掩模的方案。
现有技术文献
专利文献：
专利文献1：日本特开平7－146544号公报
专利文献2：日本特开2010－198006号公报
专利文献3：日本特开2016－71059号公报
发明内容
发明要解决的问题
例如，当在半色调型相移掩模所具有的、由半色调膜形成的图案部分产生缺陷时，修正该缺陷未必容易。一般来说公知的是当在光掩模产生缺陷，想要通过修正膜对该缺陷进行修正时，作为修正单元，而使用FIB(聚焦离子束)装置。
FIB装置主要使用镓离子，使碳系的膜堆积，但经过本发明人的研究，在使用FIB装置、单纯地在光掩模的缺陷部分堆积修正膜的方法中，有时不能恢复与未产生缺陷的光掩模同样的功能。如果修正对象的光掩模是所谓的二元掩模，则修正操作比较容易。另一方面，通过本发明人的研究可知在修正对象为半色调型相移掩模的情况下，即使使用上述FIB装置，在光掩模的缺陷部分堆积修正膜，相对于曝光光的相移量为约180度，并且，不容易形成具有对正常的部分的半色调膜所设定的期望透射率的修正膜。这也与FIB装置是为了遮光膜的修正而设计的，并且未设想将相移量和透射率分别单独地调整为期望值的情况有关。即，存在如下的问题：为了研究将FIB装置应用于相移掩模的修正的可能性，需要从修正膜的原料、形成条件的探索开始来进行，即使在此基础上，根据这些努力的结果，也未必能够根据相移掩模的不同而实现不同的透射率等光学性能。
另外，基于FIB装置的缺陷修正虽然有利于针对微小的缺陷的修正膜的堆积，但在利用修正膜迅速且均匀地覆盖需要修正的区域的效率上，后述的激光CVD法更有利。因此，一般在针对尺寸大的显示装置制造用(以下，称为“FPD用”)的光掩模的修正中，与FIB装置相比激光CVD法更有利。
在上述的专利文献2中，在形成半透光部的半透光膜的缺陷修正中使用激光CVD法。通过这种方式，能够在缺陷部分比较高效地堆积修正膜，在大型的FPD用光掩模中更容易应用。但是，通过该方式形成的修正膜是针对不具有相移作用的半透光膜的修正膜。
当前，在显示装置中，伴随像素密度的增加，高精细化的趋势显著。此外，在便携式终端中，特别要求亮度、省电的性能。并且，为了实现这些，制造工序中使用的光掩模也包括微小的部分，要求对这些微小部分进行可靠地分辨的技术。分辨率改良的倾向不一定仅限于针对曝光装置，可以考虑对光掩模也期待具有提高分辨率的技术。由此，上述的专利文献3中提出了在FPD用光掩模中也使用了相移作用的转印用图案。
然而，针对具有相移作用的半透光膜中产生的缺陷，要得到具有与在光掩模的制造工序中最初成膜的半透光膜(以下，也称为“正常的半透光膜”。)相同的透射率和相移量的修正膜伴随有显著的困难。特别是，未建立针对具有高透射率(例如，25％以上)，且具有相移作用的半透光部的修正膜的形成方法。
本发明的主要目的在于提供一种即使在利用相移作用的光掩模中产生缺陷，也能够进行精密的修正的技术。
用于解决问题的手段
(第1方面)
本发明的第1方面的光掩模修正方法对具有转印用图案的光掩模中所产生的缺陷进行修正，所述转印用图案包含在透明基板上将半透光膜图案化而形成的半透光部，其特征在于，所述光掩模修正方法包括如下的工序：确定要实施修正的所述缺陷的工序；以及为了修正所述缺陷，而形成修正膜的修正膜形成工序，所述半透光部具有对于曝光光的代表波长的光的透射率Tm(％)、和相移量φm(度)，其中，160≤φm≤200，在所述修正膜形成工序中，按照任意的顺序层叠组成彼此不同的第1膜和第2膜，所述第1膜包含Cr以及O，所述第2膜包含Cr、O以及C，所述第1膜不包含C，或者包含含量小于所述第2膜的含量的C，所述第2膜包含含量小于所述第1膜的含量的O。
(第2方面)
本发明的第2方面的特征在于，
根据上述第1方面所述的光掩模修正方法，Tm＞25。
(第3方面)
本发明的第3方面的特征在于，
根据上述第1方面或者第2方面所述的光掩模修正方法，
所述修正膜所具有的、对于所述代表波长的光的透射率Tr(％)和相移量φr(度)满足30＜Tr≤75、且160≤φr＜200。
(第4方面)
本发明的第4方面的特征在于，
根据上述第1至3方面中的任一方面所述的光掩模修正方法，
在所述修正膜形成工序中，应用激光CVD法。
(第5方面)
本发明的第5方面的特征在于，
根据上述第1至4方面中的任一方面所述的光掩模修正方法，所述第1膜所具有的、对于所述代表波长的光的透射率T1(％)和相移量φ1(度)、以及所述第2膜所具有的、对于所述代表波长的光的透射率T2(％)和相移量φ2(度)分别满足以下的(1)～(4)的关系：
(1)100≤φ1＜200
(2)φ2＜100
(3)55≤T1
(4)25＜T2＜80。
(第6方面)
本发明的第6方面的特征在于，
根据上述第1至5方面中的任一方面所述的光掩模修正方法，所述第2膜中所包含的Cr含量大于所述第1膜中所包含的Cr含量。
(第7方面)
本发明的第7方面的特征在于，
根据上述第1至6方面中的任一方面所述的光掩模修正方法，所述第1膜中所包含的Cr和O的含量的合计按照原子％为所述第1膜的成分的80％以上。
(第8方面)
本发明的第8方面的特征在于，
根据上述第1至7方面中的任一方面所述的光掩模修正方法，
所述第1膜由包含5～45原子％的Cr和55～95原子％的O的材料构成，
所述第2膜由包含20～70原子％的Cr、5～45原子％的O以及10～60原子％的C的材料构成。
(第9方面)
本发明的第9方面的特征在于，
根据上述第1至8方面中的任一方面所述的光掩模修正方法，在所述第1膜上层叠所述第2膜。
(第10方面)
本发明的第10方面的特征在于，
根据上述第1至9方面中的任一方面所述的光掩模修正方法，
所述转印用图案包括实质上不透射曝光光的遮光部。
(第11方面)
本发明的第11方面的特征在于，
根据上述第1至10方面中的任一方面所述的光掩模修正方法，
所述转印用图案包括实质上不透射曝光光的遮光部，并且，所述半透光部配置成被所述遮光部所夹持。
(第12方面)
本发明的第12方面的特征在于，
根据上述第1至11方面中的任一方面所述的光掩模修正方法，
在所述修正膜形成工序之后包括后期工序，在所述后期工序中，通过形成具有遮光性的补充膜，从而对形成有所述修正膜的修正半透光部的形状进行修整。
(第13方面)
本发明的第13方面的特征在于，
根据上述第1至12方面中的任一方面所述的光掩模修正方法，
在所述修正膜形成工序之前还具有预处理工序，在所述预处理工序中，进行所述缺陷部分或者所述缺陷周边的膜去除而使所述透明基板露出。
(第14方面)
本发明的第14方面的特征在于，
根据上述第1至13方面中的任一方面所述的光掩模修正方法，
所述光掩模为在显示装置用器件的制造中使用的光掩模。
(第15方面)
本发明的第15方面的光掩模的制造方法的特征在于，所述光掩模的制造方法包括上述第1至14方面中的任一方面所述的光掩模修正方法。
(第16方面)
本发明的第16方面的光掩模所述光掩模具有转印用图案，所述转印用图案包含将在透明基板上形成的半透光膜图案化而形成的半透光部，且所述光掩模针对所述半透光部中所产生的缺陷部分形成有修正膜，其特征在于，
所述半透光部具有对于曝光光的代表波长的光的透射率Tm(％)和相移量φm(度)，其中，Tm＞25，160≤φm≤200，
所述修正膜具有按照任意的顺序层叠包含Cr和O的第1膜、以及包含Cr、C和O的第2膜而得到的层叠膜，
所述第1膜不包含C，或者包含含量小于所述第2膜的含量的C，
所述第2膜包含含量小于所述第1膜的含量的O。
(第17方面)
本发明的第17方面的特征在于，
根据第16方面所述的光掩模，
所述修正膜所具有的、对于所述代表波长的光的透射率Tr(％)和相移量φr(度)满足30＜Tr≤75、且160≤φr＜200。
(第18方面)
本发明的第18方面的特征在于，
根据第16或者17方面所述的光掩模，
所述修正膜为激光CVD膜。
(第19方面)
本发明的第19方面的特征在于，
根据第16至18方面中的任一方面所述的光掩模，
所述第1膜所具有的、对于所述代表波长的光的透射率T1(％)和相移量φ1(度)、以及所述第2膜所具有的、对于所述代表波长的光的透射率T2(％)和相移量φ2(度)分别满足以下的(1)～(4)的关系：
(1)100≤φ1＜200
(2)φ2＜100
(3)55≤T1
(4)25＜T2＜80。
(第20方面)
本发明的第20方面的特征在于，
根据第16至19方面中的任一方面所述的光掩模，
所述第1膜和所述第2膜均包含Cr，并且所述第2膜中所包含的Cr的含量大于所述第1膜中所包含的Cr的含量。
(第21方面)
本发明的第21方面的特征在于，
根据上述第20方面所述的光掩模，
所述第1膜中所包含的Cr和O的含量的合计按照原子％为所述第1膜的成分的80％以上。
(第22方面)
本发明的第22方面的特征在于，
根据上述第16至21方面中的任一方面所述的光掩模，
所述第1膜由包含5～45原子％的Cr和55～95原子％的O的材料构成，
所述第2膜由包含20～70原子％的Cr、5～45原子％的O以及10～60原子％的C的材料构成。
(第23方面)
本发明的第23方面的特征在于，
根据上述第16至22方面中的任一方面所述的光掩模，
所述第2膜层叠于所述第1膜上。
(第24方面)
本发明的第24方面的特征在于，
根据上述第16至23方面中的任一方面所述的光掩模，
所述转印用图案具有将在所述透明基板上形成的遮光膜图案化而形成的遮光部。
(第25方面)
本发明的第25方面的特征在于，
根据上述第16至23方面中的任一方面所述的光掩模，
所述转印用图案包括实质上不透射曝光光的遮光部，并且所述半透光部包括配置成被所述遮光部所夹持的部分。
(第26方面)
本发明的第26方面的特征在于，
根据上述第16至23方面中的任一方面所述的光掩模，
所述转印用图案具有将在所述透明基板上形成的遮光膜图案化而形成的遮光部，并且在形成有所述修正膜的修正半透光部的边缘附近形成有与所述遮光膜的组成不同的遮光性的补充膜。
(第27方面)
本发明的第27方面的特征在于，
根据上述第16至26方面中的任一方面所述的光掩模，
所述光掩模为在显示装置用器件的制造中使用的光掩模。
(第28方面)
本发明的第28方面的显示装置用器件的制造方法的特征在于，
所述显示装置用器件的制造方法包括如下的步骤：
准备第16至27方面中的任一方面所述的光掩模的工序；以及
利用曝光装置对所述光掩模进行曝光，将所述转印用图案转印在被转印体上的转印工序。
发明效果
根据本发明，即使在利用相移作用的光掩模中产生缺陷，也能够进行精密的修正。
附图说明
图1为示意性地示出本发明的第1实施方式中的光掩模修正方法的概要的说明图，(a)为示出正常的图案的示例的图，(b)为示出白色缺陷的示例的图，(c)为示出第1膜形成的示例的图，(d)为示出第2膜形成的示例的图。
图2为示意性地示出本发明的第2实施方式中的光掩模修正方法的概要的说明图，(a)为示出正常的图案的示例的图，(b)为示出白色缺陷的示例的图，(c)为示出缺陷周边的膜去除的示例的图，(d)为示出第1膜形成的示例的图，(e)为示出第2形成的示例的图，(f)为示出遮光性补充膜形成的示例的图。
图3为示意性地示出本发明的第3实施方式中的光掩模修正方法的概要的说明图，(a)为示出正常的图案的示例的图，(b)为示出白色缺陷的示例的图，(c)为示出缺陷周边的膜去除的示例的图，(d)为示出第1膜形成的示例的图，(e)为示出第2膜形成的示例的图，(f)为示出遮光性补充膜形成的示例的图。
图4为例示了通过本发明的光掩模修正方法形成的修正膜的光学特性的说明图，(a)为示出作为相移控制膜的第1膜为单层的情况下的相移量与透射率的关系的一个具体示例的图，(b)为示出作为透射控制膜的第2膜为单层的情况下的相位差与透射率的关系的一个具体示例的图，(c)为示出将第1膜与第2膜层叠而得到的修正膜(层叠膜)的相移量与透射率的关系的一个具体示例的图。
标号说明：
1…透明基板
2…半透光膜
3…遮光膜
4…修正膜
4a…第1膜
4b…第2膜
5…补充膜
10，10′…转印用图案
11…透光部
12…半透光部
12a…修正半透光部
13…遮光部
20…白色缺陷
21，22…修正用区域
具体实施方式
以下，对本发明所涉及的光掩模修正方法、光掩模的制造方法、光掩模、以及显示装置用器件的制造方法的实施方式进行说明。
当在透明基板上形成的转印用图案产生缺陷时，可以应用本发明所涉及的光掩模修正方法。
＜作为缺陷修正的对象的光掩模＞
在此，对应用本发明的光掩模修正方法的光掩模进行说明。
作为应用本发明的光掩模修正方法的光掩模，具有在透明基板上形成的、对一个或者多个光学膜分别进行图案化而形成的转印用图案。并且，该光学膜的至少一个为具有针对曝光光的规定的透射率和相移作用的半透光膜。该半透光膜是使透射的曝光光的相位偏移期望量的膜。
即，本发明的光掩模修正方法的对象可以是准备在透明基板上至少形成有上述半透光膜的光掩模坯体(或者光掩模中间体)，通过光刻工序形成转印用图案的光掩模、或者光掩模中间体。
关于转印用图案，例如，作为示例而列举由对在透明基板上形成的半透光膜进行图案化而形成的透光部和半透光部构成的转印用图案，或者具有分别对在透明基板上形成的半透光膜以及遮光膜进行图案化而形成的透光部、遮光部、以及半透光部的转印用图案，但也可以是还具有追加的膜图案的转印用图案。
在该光掩模为FPD用的光掩模时，本发明可被有利地应用。
FPD用光掩模与半导体装置制造用的光掩模不同，一般尺寸大(例如，主表面的一边为200～2000mm左右的四边形，厚度为5～20mm左右)，且具有重量，在此基础上，其尺寸是多种多样的。
作为透明基板，只要是对于在光掩模的曝光中使用的曝光波长具有足够的透明性即可，没有特别限制。例如，可以使用石英、其它各种玻璃基板(钠钙玻璃、铝硅酸盐玻璃等)，但特别优选石英基板。
对于构成半透光部的半透光膜的光学特性，例示以下的光学特性。
本发明的光掩模修正方法的对象为对于曝光光的代表波长的光具有透射率Tm(％)的半透光部。在满足25＜Tm的情况下，本发明的效果尤为显著。例如，为25＜Tm≤80。
另外，在本申请的说明书中，透射率是设透明基板的透射率为100％时的透射率。
在此，曝光光可以使用主要具有300～500nm的波长的光作为FPD用光掩模的曝光装置的光源。例如，优选利用具有包括i线、h线、g线中的任意一个或者多个的波长域的光源，尤其是较多地利用包括这些波长的高圧水银灯。
在该情况下，上述曝光光的代表波长可以采用i线～g线的波长域中所包含的任意的波长。例如，能够将接近这些波长域的中央值的h线(405nm)设为上述代表波长。在以下的说明中，除非特别说明，将h线作为代表波长进行说明。当然，也可以将比上述波长短的波长侧的波长域(例如300～365nm)用为曝光光。
此外，可以设上述半透光膜的相移量φm对于上述代表波长的光为约180度。在此，约180度是指160～200度的范围。更优选设为对于曝光光中所包含的所有的主要波长(例如，i线、h线、g线)具有160～200度的相移量。
优选i线～g线的波长域中的相移量的偏差为40度以下。
另外，具备具有上述这样的透射率Tm和相移量φm的半透光部的光掩模与所谓的二元掩模相比，能够提高转印用图案的分辨率。例如，公知如下所述的光掩模：即，透光部与半透光部相邻地配置，通过由在该边界产生的各透射光引起的衍射、干涉，提高分辨率。在这种所谓的相移掩模中，主流的做法是将半透光部的透射率设为10％以下。
另一方面，转印用图案除了透光部、半透光部以外，还可以具有遮光部。即，具有对在透明基板上形成的半透光膜以及遮光膜分别进行图案化而形成的转印用图案的光掩模也可以设为本发明的光掩模修正方法的对象。
例如，如专利文献3所述的光掩模那样，在透光部与半透光部不相邻，遮光部介于透光部与半透光部之间而配置的情况下，以及在进而由介入的遮光部夹持半透光部的情况下，通过利用透过半透光部的、与透光部位于反相关系的相位的光，从而能够得到如下的优点：即，提高(增大)焦点深度，在此基础上，减小MEEF(掩模误差增大系数)、曝光所需的光能量的Dose量等。
由此，有时设计如下所述的转印用图案：即，具有相移作用的半透光部不与透光部直接相邻，而是经由遮光部、或实质上不具有相移作用的半透光部，配置在附近的规定位置。在这种情况下，相对于一般的半色调型相移掩模的透射率(例如10％以下)，将具有相移作用的半透光部的透射率Tm设计为比较高(例如Tm＞25)是有用的，对分辨率性能的提高起到显著的效果。关于这种高透射率的相移半透光部，上述透射率Tm的更优选的范围为30＜Tm≤75，进一步优选为40＜Tm≤70。在该情况下，能够使半透光部的透射光适当地干涉与半透光部分隔规定距离的透光部的透射光，能够提高在透光部形成的透射光的光强度分布状况(profile)。
由此当在高透射率且具有相移作用的半透光部产生了缺陷时，必须修正这些缺陷。
为了修正相关的缺陷，应用本发明的光掩模修正方法。
＜光掩模修正方法的第1实施方式＞
以下，参照图1，对本发明的光掩模修正方法的第1实施方式进行说明。
图1的(a)示出了在第1实施方式中作为修正对象的光掩模的正常的图案部分。在第1实施方式中作为修正对象的转印用图案10具有透明基板1露出的透光部11、以及在透明基板1上形成有具有相移作用的半透光膜2的半透光部12。
首先，在确定缺陷的工序中，确定在半透光膜2中产生的缺陷，将该缺陷设为修正对象。针对本应该有的半透光膜2缺失而形成的白色缺陷，首先，决定形成后述的修正膜4的修正区域。可以根据需要，进行去除缺陷部分、或者缺陷位置周边的不需要的膜(残留的半透光膜2)或异物的工序(预处理工序)，在修整了形成修正膜4的修正区域的形状之后，形成修正膜4。可以使用基于激光的蒸腾(激光轰击(LaserZap))等进行不需要的残留膜2的去除。
另一方面，在针对黑色缺陷、即异物的附着、或残留有本应通过图案化工序去除的遮光膜的半透光部12等、具有剩余缺陷的半透光部12实施本发明的修正的情况下，通过上述同样的方式去除剩余物，在使透明基板1露出的状态下，形成本发明的修正膜4即可。
图1的(a)示出对在透明基板1上形成的具有相移作用的半透光膜2进行图案化而形成的转印用图案10。半透光部12具有对于曝光光的代表波长(在此，为h线)的光的透射率Tm(％)，Tm＞25。具体来说，如上所述，例如，可以设为25＜Tm≤80。此外，半透光部12具有对于上述代表波长的光的相移量φm。在此，φm设为160≤φm≤200(度)。
图1的(b)示出在该半透光部12产生了白色缺陷的情况。该白色缺陷可以是本应该有的半透光膜2缺失而形成的白色缺陷，或者也可以是去除具有剩余缺陷的半透光部12的剩余物而形成的人为的白色缺陷。如在后面作为修正膜形成工序而详细叙述的那样，在该白色缺陷部分20形成修正膜4而进行修正。修正膜4的形成方式可以优选使用激光CVD法。
激光CVD法是导入膜原料，赋予通过激光照射产生的热量和/或光的能量，而形成膜(也称为激光CVD膜)的方法。作为膜原料，可以使用金属羰基第6族元素即Cr(CO)6(六羰基铬)、Mo(CO)6(六羰基钼)、W(CO)6(六羰基钨)等。其中，当使用Cr(CO)6作为光掩模的修正的膜原料时，由于针对清洗等的耐化学性优异，因此优选。在本第1实施方式中，对将Cr(CO)6作为膜原料的情况进行说明。
作为照射的激光，优选使用紫外线区域的激光。对激光照射区域导入原料气体，通过光CVD和/或热CVD的作用，堆积膜。例如，可以使用波长355nm的Nd YAG激光等。作为载体气体，可以使用Ar(氩)，但也可以包含N(氮)。
设想在一般的激光CVD装置中，使用激光CVD来形成遮光性的修正膜。但是，在本发明中，形成具有相移作用的半透光性的修正膜4。为此，选择导入的气体的流量、能量功率等条件。
如图1的(d)所示，本发明的修正膜4具有第1膜4a和第2膜4b的层叠结构。对于该层叠顺序，可以是任意一方位于上方，此外，不排除在不妨碍本发明的作用效果的范围内还具有追加的膜的情况。在以下的说明中，通过在第1膜4a上层叠第2膜4b，从而形成具有期望的光学性能的修正膜4。
(第1膜)
图1的(c)示出形成第1膜4a的工序。
为了使通过第1膜4a与在其上层叠的第2膜4b的层叠而形成的修正膜4对于曝光光的代表波长的光具有约180度的相移量φr(度)，使该第1膜4a具有适当的相移量φ1(度)。优选第1膜4a负责上述相移量φr的50％以上，即，作为所谓的“相移控制膜”发挥功能。
即，关于第1膜4a的相移量φ1以及修正膜4的相移量φr，可以设为160≤φr≤200、并且，100≤φ1＜200。
相移量φ1进一步优选为120≤φ1＜180，更优选为130≤φ1＜160。
第1膜4a所具有的对于上述代表波长的光的透射率T1优选设为55≤T1，更具体来说，为55≤T1≤95，更优选为60≤T1≤80，进一步优选为60≤T1≤70。
另外，关于上述相移量，例如，160≤φr≤200是指包括160+360M≤φr≤200+360M(M为非负的整数)在内的范围。以下，对于相移量，也设为同样的意思。
优选第1膜4a的主要成分为Cr(铬)和O(氧)。即，Cr和O的合计为第1膜4a的全部成分的80％以上。Cr和O的合计含量更优选为90％以上，进一步优选为95％以上。
另外，膜成分的含量％表示原子％。以下也是同样的。
第1膜4a中也可以不包含原料气体中所包含的C(碳)，但在包含的情况下，优选为20％以下，更优选为10％以下。此外，第1膜4a的C含量比后述的第2膜4b的C含量小，优选为第2膜4b的C含量的2/3以下，更优选为1/3以下。
优选第1膜4a的最大成分(具有最大含量)为O，并且O的含量为50％以上。
优选的第1膜4a的组成为含有5～45％的Cr，55～95％的O。
此外，优选第1膜4a的Cr的含量为5～30％。
第1膜4a更优选含有20～30％的Cr，70～80％的O。
优选第1膜4a的Cr的含量小于后述的第2膜4b。
通过采用上述这种组成，从而第1膜4a可以采用具有高透射率，并且具有足够的相移量的膜。并且，能够通过激光CVD形成第1膜4a。
为了根据以上的组成形成第1膜4a，达到上述的光学特性，第1膜4a的膜厚为
图4的(a)例示了第1膜4a的光学特性。
图4的(a)示出将纵轴设为相移量(度)，将横轴设为透射率(％)，作为相移控制膜的第1膜4a为单层的情况下的相移量φ1与透射率的关系的一个具体示例。
(第2膜)
图1的(d)示出在第1膜4a上形成第2膜4b的工序。
第2膜4b具有为了使通过其与第1膜4a的层叠而形成的修正膜4的透射率Tr(％)成为期望值的调整所需的透射率T2(％)。即，第2膜4b能够设为所谓的“透射控制膜”。
优选第1膜4a的透射率T1与第2膜4b的透射率T2为T1＞T2。
第2膜4b所具有的优选的透射率T2为25＜T2＜80，更优选为30≤T2＜70，进一步优选为45≤T2＜65。
进而，第2膜4b的相移量φ2小于第1膜4a的相移量φ1，且φ2＜100。具体为20≤φ2＜100，更优选为20≤φ2＜60，进一步优选为30≤φ2＜50。
优选第2膜4b的主要成分为Cr、O以及C。即，优选Cr、O以及C构成第2膜4b的全部成分的90％以上，更优选为95％以上。
优选第2膜4b中所包含的C比第1膜4a中所包含的C多。
此外，优选将第2膜4b的Cr的含量设为比第1膜4a的Cr的含量大。
具体来说，第2膜4b的组成可以设为含有20～70％的Cr，5～45％的O，10～60％的C。
更优选为第2膜4b的组成可以设为含有40～50％的Cr，15～25％的O，25～35％的C。
在通过激光CVD法形成上述第1膜4a、第2膜4b时，可以使用具有彼此不同的成分、或成分比的原料气体，或者也可以使用相同的原料气体同时采用不同的形成条件，得到彼此不同的组成、物性。
在本第1实施方式中，将第1膜4a和第2膜4b的原料气体设为相同(Cr(CO)6)，但应用了彼此不同的形成条件。
即，在第1膜4a的形成时，将原料气体的流量设为比第2膜4b小(例如1/2以下，进而设为1/8～1/6等)，此外，激光的照射功率密度也可以设为比第2膜4b的情况下小(例如1/2以下)。这些对于限制原料气体的分解反应，形成具有足够的相移量，同时透射率不会过小的第1膜4a是有效的方法。
作为一例，可以是原料气体流量为30cc/分钟以下，优选为10～20cc/分钟，此外，将激光照射功率密度设为3mW/cm2以下，优选为1～2mW/cm2。此外，可以将激光照射时间设为10秒以上，优选为20～30秒。即，用于形成第1膜4a的原料气体流量以及激光照射功率密度设为比较低的流量且比较低的能量，与后述的第2膜4b相比，应用长时间的膜形成是有用的。
另一方面，在形成第2膜4b的情况下，与第1膜4a的情况相比，增大原料气体流量，增多C的含量。此外，优选用于形成第2膜4b的激光照射功率密度也比第1膜4a的情况大。由此，即使促进原料气体的分解反应，减小膜厚，也形成透射率比第1膜4a小的第2膜4b。
作为一例，用于形成第2膜4b的原料气体流量为60cc/分钟以上，优选为80～110cc/分钟左右，此外，将激光照射功率密度设为6mW/cm2以上，优选为8～12mW/cm2。此外，激光照射时间可以比第1膜4a的情况短，例如为1.0秒以下，优选为0.5～0.8秒。即，作为用于形成第2膜4b的原料气体流量以及激光照射功率密度，能够采用相对较高的流量且相对较高的能量、短时间的条件。
这种第2膜4b的形成条件也可以称为比应用于使用激光CVD、形成遮光性的修正膜(例如，二元掩模的修正时)大的所谓的高能量条件。
通过应用这种条件，从而第2膜4b为薄膜，且相移量φ2极小，此外，由于膜密度高，因此成为耐化学性也优异的膜。
通过上述的组成，作为对期望的光学特性进行补充的膜，第2膜4b的膜厚可以设为
图4的(b)例示了第2膜4b的光学特性。
图4的(b)示出了将纵轴设为相移量(度)，将横轴设为透射率(％)，作为透射控制膜的第2膜4b为单层的情况下的相移量φ2与透射率T2的关系的一个具体示例。
(层叠膜)
通过将上述的第1膜4a和第2膜4b层叠，从而能够形成对于上述代表波长的光具有以下的相移量φr(度)、以及透射率Tr(％)的修正膜4。即，将第1膜4a和第2膜4b层叠而得到的修正膜4可以设为
160≤φr≤200
Tr＞25。
优选修正膜4的透射率Tr可以为与半透光部的透射率Tm相同的范围，即，30＜Tr≤75，更优选为40＜Tr≤70。
第1膜4a和第2膜4b的层叠顺序可以是任意的。但是，由于上述的组成的不同，与第1膜4a相比第2膜4b的耐化学性更高，因此通过将第2膜4b配置在上层侧，从而能够提高耐清洗性等，因此优选。
作为包括第1膜4a、第2膜4b的修正膜4，可以将Cr－C－O组成比设为Cr：30～70％、O：5～35％、C：20～60，更优选设为Cr：40～50％、O：5～25％、C：35～45％。
图4的(c)例示了将第1膜4a和第2膜4b层叠而得到的修正膜4的光学特性。
图4的(c)示出了将纵轴设为相移量(度)，将横轴设为透射率(％)，将第1膜4a和第2膜4b层叠而得到的修正膜4的相移量与透射率的关系的一个具体示例。根据图4可知，将第1膜4a和第2膜4b层叠而得到的修正膜4实现了具有在第1膜4a为单层的情况(参照图4的(a))或者第2膜4b为单层的情况(参照图4的(b))中的任意情况下均无法得到的相移量与透射率的关系，即对于曝光光具有高透射率且具有相移作用的光学特性。
即，通过应用以上所说明的过程的光掩模修正方法，从而即使在具有规定的透射率且具有相移作用的半透光膜2中产生缺陷，也能够进行为了恢复该光学特性的精密的修正。更详细来说，根据本第1实施方式的光掩模修正方法，通过将修正膜4设为2层结构，从而能够实施修正以使得具有难以实现的与高透射率的相移膜几乎相同的光学物性。在此，由于第1膜4a、第2膜4b均能够通过相同的膜形成方法(在此，为激光CVD法)形成，因此不需要使用多个方式的修正装置。这在例如后述的显示装置制造用光掩模的修正中是非常有利的。
另外，在图1所示的第1实施方式中，半透光部12与透光部11相邻。在这种转印用图案中，在通过上述的工序形成了所需面积以上的修正膜4之后，去除该修正膜4的外缘附近，能够修整与透光部11的边界中的修正膜4的边缘形状。用于其的手段例如可以使用激光轰击(Laser Zap)。由此，即使在修正膜4的形成过程中在侧面产生了倾斜的情况下，能够对更靠近与透明基板1垂直的侧面等的膜的边缘形状进行修整，能够使在边界部分产生的相移效果更有利地发挥功能。
＜光掩模修正方法的第2实施方式＞
接着，参照图2，对本发明的光掩模修正方法的第2实施方式进行说明。
图2针对在具有在透明基板1上分别对半透光膜2和遮光膜3进行图案化而形成的转印用图案10′的光掩模中产生缺陷的情况，示出其修正方法。
即，在本第2实施方式中作为修正的对象的转印用图案10′具有透明基板1露出的透光部、在透明基板1上至少形成有遮光膜3的遮光部13、以及在透明基板1上形成有具有相移作用的半透光膜2的半透光部12。图2的(a)中仅示出遮光部13以及半透光部12的部分，省略了透光部的图示。也可以在遮光膜3的表层形成有防反射层。
在本第2实施方式中，半透光部12与遮光部13相邻，在半透光部12与遮光部13所排列的方向上夹持地配置。在图2的(a)中，半透光部12与透光部不相邻。
在此，半透光部12由具有与上述第1实施方式的情况同样的透射率Tm(％)和相移量φm(度)的相移膜构成。遮光部13是实质上不透射曝光光的膜，优选为OD(OpticalDensity：光密度)≥3。
图2的(b)示出在图2的(a)所示的光掩模的半透光部12中产生了白色缺陷20的情况。
图2的(c)示出去除位于白色缺陷20的周边的半透光膜2和遮光膜3而使透明基板1露出，对用于形成修正膜4的区域(以下，也称为修正用区域)21的形状进行修整的工序(预处理工序)。膜去除的方式可以应用基于激光的蒸腾作用(Laser Zap)等。
图2的(d)示出在修正用区域21中在露出的透明基板1的表面形成与第1实施方式的情况同样的第1膜4a的工序。进而，图2的(e)示出在所形成的第1膜4a上层叠有第2膜4b。
第1膜4a、第2膜4b的光学物性、组成以及成膜条件可以应用与第1实施方式同样的条件。因此，所形成的二层结构的修正膜4也是与第1实施方式的情况同样的。
在本第2实施方式中，修正用区域21与遮光部13或半透光部12相邻。进而，在此，示出了修正用区域21被遮光部13和/或半透光部12包围的示例。在此，以形成修正用区域21的外缘的半透光膜2和/或遮光膜3的边缘与第1膜4a或者第2膜4b的边缘彼此不重叠的方式形成修正膜。这是由于如果第1膜4a和/或第2膜4b与残留的半透光膜2的边缘重叠，则该重叠部分的透射率比正常的半透光膜2降低，会产生如所设计那样的图案未被转印的不良状况。
进而，这是由于考虑到当第1膜4a和/或第2膜4b与残留的遮光部13的边缘重叠时，在遮光膜3的边缘部分，对遮光膜3的成分(例如Cr)照射能量，从而使得不需要的膜生长开始，导致附近的半透光部(包括修正后的)12的透射率产生变化的情况。
因此，优选进行调整边缘位置以使第1膜4a和/或第2膜4b的边缘与在透明基板1上残留的半透光膜2、遮光膜3的边缘不产生重叠这样的修正工序。或者，如图2的(c)、(d)所示，优选应用第1膜4a和/或第2膜4b的边缘与在透明基板1上残留的半透光膜2、遮光膜3的边缘稍微分隔这样的修正工序。
优选第1膜4a和/或第2膜4b的边缘与半透光膜2、遮光膜3的边缘的分隔距离为1μm以下。例如，分隔距离可以设为0.1μm～1μm。由于该分隔距离小于对光掩模进行曝光的曝光装置的分辨率限制，因此基本上不会发生分隔部被转印到被转印体上的情况。
另外，在本第2实施方式中，在图2的(c)中的预处理工序中，由于对遮光部13进行相关的膜去除，因此在修正膜4的形成完成的图2的(e)的时刻，修正半透光部(也将在半透光部的一部分或者全部形成有修正膜的半透光部称为修正半透光部)12a的形状与正常的图案的形状不同。具体来说，修正半透光部12a的宽度(CD)大于正常的图案中的半透光部12的宽度(CD)。
由此，在图2的(f)中进行用于使其成为所设计的CD的后期工序。
即，在图2的(f)中，在其边缘周边形成遮光性的补充膜5，以使修正半透光部12a成为正确的CD。对于补充膜5的形成方法，例如可以使用聚焦离子束法(FocusedIon BeamDeposition：聚焦离子束沉积)，或者也可以使用激光CVD法。
补充膜5的成膜方法可以与正常的图案中的遮光膜3的成膜方法不同，由此成分或成分比不同，即，与遮光膜3的组成不同。补充膜5例如为以碳为主成分的膜。
优选在光学性上补充膜5实质上不透射曝光光，OD(Optical Density：光密度)为3以上。
在图2的(f)中，形成补充膜5以使修正半透光部12a的CD与修正前的正常的半透光部12相同。但是，在修正半透光部12a的透射率相对于目标值具有过量或不足的情况下，以对其进行接近目标值的微调整为目的，能够使修正半透光部12a的CD大于正常的半透光部12，或者小于正常的半透光部12。
即，在修正膜4的形成工序结束之后、后期工序之前，检查修正膜4的光学性能，在该结果的基础上，也可以对在后期工序中进行的补充膜5的形成的尺寸进行加减。在该情况下，所形成的修正半透光部12a与正常的半透光部12相比，CD局部地变小，或者局部地变大。
通过应用以上所说明的过程的光掩模修正方法，从而与上述的第1实施方式的情况同样地，能够针对在具有规定的透射率且具有相移作用的半透光膜2中产生的缺陷进行精密的修正。
＜光掩模修正方法的第3实施方式＞
接着，参照图3，对本发明的光掩模修正方法的第3实施方式进行说明。
图3针对在具有在透明基板1上对半透光膜2和遮光膜3分别进行图案化而形成的转印用图案10′的光掩模产生了缺陷的情况，进一步示出其它的修正方法。
在本第3实施方式中作为修正的对象的转印用图案10′具有透明基板1露出的透光部、在透明基板1上至少形成有遮光膜3的遮光部13、以及在透明基板1上形成有具有相移作用的半透光膜2的半透光部12。图3的(a)中仅示出遮光部13和半透光部12的部分，省略了透光部的图示。在遮光膜3的表层可以形成有防反射层。
在本第3实施方式中，半透光部12与遮光部13相邻，不与透光部相邻。
在此，半透光部12由具有与上述的第1实施方式的情况同样的透射率Tm(％)和相移量φm(度)的相移膜构成。遮光部13为实质上不透射曝光光的膜，优选为OD≥3。
图3的(b)示出在图3的(a)所示的光掩模的半透光部12中产生白色缺陷20的情况。
图3的(c)示出去除与产生了白色缺陷20的半透光部12相连的区域的所有半透光膜2而使透明基板1露出，对修正用区域22的形状进行修整的预处理工序。另外，在此，在去除半透光膜2的同时，也去除相邻的遮光膜3的一部分。膜去除的手段可以应用基于激光的蒸腾作用(Laser Zap)等。
图3的(d)示出在修正用区域22中，在露出后的透明基板1的表面形成与第1实施方式的情况同样的第1膜4a作为相位调整膜的工序。进而，图3的(e)示出在所形成的第1膜4a上层叠第2膜4b作为透射调整膜。
第1膜4a、第2膜4b的光学物性、组成以及成膜条件可以应用与第1实施方式同样的情况。因此，所形成的二层结构的修正膜4也与第1实施方式的情况同样。
在本第3实施方式中，由于去除了所有与产生了缺陷的半透光膜连续的半透光膜2，因此在修正后的光掩模中，修正膜与正常的半透光膜不相邻。因此，不会产生修正膜与正常的半透光膜的边界中的两膜的分隔或重叠。当尺寸变大时，会产生分隔或重叠被转印到被转印体上的风险，但在本第3实施方式中，不存在这种风险，这一点是有利的。
另外，在本第3实施方式中，在图3的(c)中的预处理工序中，进行与遮光部13相关的膜去除，因此在修正膜4的形成完成的图3的(e)的时刻，修正半透光部12a的尺寸与正常的图案的尺寸不同。具体来说，修正半透光部12a的宽度(CD)大于正常的图案中的半透光部12的宽度(CD)。
由此，在图3的(f)中进行用于使其成为所设计的那样的CD的后期工序。该点与第2实施方式的情况是同样的。
在后期工序中形成的遮光性的补充膜5的成分、光学特性也可以与第2实施方式同样。此外，可以根据需要通过补充膜5的形成尺寸来调整修正半透光部12a的透射率这一点也可以与第2实施方式同样。
通过应用以上所说明的过程的光掩模修正方法，从而与上述的第1实施方式的情况同样地，能够对具有规定的透射率且具有相移作用的半透光膜2中产生的缺陷进行精密的修正。
＜光掩模的制造方法＞
另外，本发明包含包括上述的光掩模修正方法的光掩模的制造方法。
本发明的光掩模的制造方法可以通过以下的工序进行。
首先，准备在透明基板上包含具有相移作用的半透光膜、形成有必需的光学膜的光掩模坯体。在此所谓的光掩模坯体包括已经具备一部分膜图案的光掩模中间体。并且，通过激光描绘装置等对在该光掩模坯体上形成的抗蚀剂膜(正型、或者负型)描绘期望的图案并显象，而形成抗蚀剂图案。进而，将该抗蚀剂图案作为掩模，对上述光学膜进行蚀刻，从而形成转印用图案。蚀刻可以应用干蚀刻、湿蚀刻中的任意蚀刻，但作为显示装置用，湿蚀刻是有利的，因此多用湿蚀刻。
进行形成有转印用图案的光掩模(或者进而实施成膜或图案形成的光掩模中间体)的缺陷检查。在发现了白色缺陷、或者黑色缺陷的情况下，应用上述本发明的光掩模修正方法，进行光掩模的修正。
经过以上的过程，即使在利用相移作用的转印用图案中产生缺陷，也能够进行精密的修正，同时制造光掩模。
＜光掩模＞
此外，本发明包括实施了上述的光掩模修正方法的光掩模。
该光掩模具有包括对在透明基板上形成的半透光膜进行图案化而形成的半透光部的转印用图案。并且，该光掩模还包括局部地形成有包括与上述半透光膜不同的材料的修正膜的修正半透光部。针对在半透光部产生的缺陷形成修正膜，从而得到该光掩模。
该光掩模的半透光部具有对于曝光光的代表波长的光的透射率Tm(％)(其中，Tm＞25)和相移量φm(度)(其中，160≤φm≤200)，
所述修正膜具有按照任意的顺序层叠包括Cr和O的第1膜以及包括Cr、C和O的第2膜而得到的层叠膜，
所述第1膜不包含C，或者包含含量小于所述第2膜的含量的C，
所述第2膜包含含量小于所述第1膜的含量的O。
即，该光掩模具有正常的半透光部、以及实施了修正的修正半透光部。
此外，所述转印用图案还可以包括实质上不透射曝光光的遮光部。
在该情况下，遮光部是在透明基板上至少形成遮光膜而形成的，也可以是在遮光膜的上层侧、或者下层侧形成有半透光膜的层叠结构。
修正膜所具有的第1膜、第2膜的层叠顺序、第1膜、第2膜各自的光学物性或组成、层叠而形成的修正膜的光学物性或组成等如与上述的光掩模修正方法相关联地记载的那样。
如果为上述这种结构的光掩模，由于形成了对具有规定的透射率且具有规定的相移作用的半透光膜2所产生的缺陷进行了精密的修正的修正半透光部，因此对实现利用相移效果的高分辨率化是非常有用的。
另外，作为正常的半透光膜的材料，例示了含有铬(Cr)的材料，或者含有过渡金属和Si(硅)的材料。例如，列举Cr或者Cr化合物(优选为CrO、CrC、CrN、CrON等)、或者包含Z(锆)、Nb(铌)、Hf(铪)、Ta(钽)、Mo(钼)、Ti(钛)中的至少一方和Si的材料，或者也可以使用由包括这些材料的氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物或者氮氧化碳化物的材料构成的材料。更具体来说，可以列举氮化硅钼(MoSiN)、硅化钼氮氧化物(MoSiON)、硅化钼氧化物(MoSiN)、氮氧化硅(SiON)、氧化钛氮化物(TiON)等。
此外，遮光膜的材料例如可以是Cr或者其化合物(氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、或者氮氧化碳化物)，或者也可以是包含Mo、W(钨)、Ta、Ti的金属的硅化物、或者该硅化物的上述化合物。优选遮光膜的材料为能够进行湿蚀刻的材料。优选遮光膜的材料为对于半透光膜的材料具有蚀刻选择性的材料。即，优选遮光膜对于半透光膜的蚀刻剂具有耐受性，此外优选半透光膜对于遮光膜的蚀刻剂具有耐受性。
对本发明的光掩模的用途没有特别限制。
对于本发明，作为利用相移作用的光掩模，优选利用于包括微小的图案宽度(CD)的显示装置制造用光掩模。本发明有利地利用于例如在被转印体上具有存在3μm以下(针对更加高精细的显示器件为1.0～2.5μm，进而为1.0～2.0μm)的CD(直径)的孔图案等的相移掩模，且使用具有相移作用的半透光膜的情况。或者，本发明可以应用于具有上述CD(线宽度、或者空间宽度)的线和空间图案。特别是作为被本发明设为对象的使用高透射相移膜的光掩模，为了有利于孤立图案的分辨率，列举了应用了半透光膜的光掩模。在此，在多个图案以具有规定的规则性的方式排列、将相互产生光学性的影响的图案设为密集图案时，将其以外的图案设为孤立图案。
＜显示装置用器件的制造方法＞
本发明包括使用了上述结构的光掩模的显示装置用器件的制造方法。该制造方法包括利用曝光装置对上述光掩模的转印用图案进行曝光，从而转印到被转印体上的工序。曝光装置可以是投影方式，也可以是接近方式。对基于相移作用的、对微小图案进行精密地分辨的高精细器件的制造来说，前者更有利。
作为使用投影方式来进行曝光时的光学条件，优选光学系统的NA(NumericalAperture：数值孔径)为0.08～0.15，优选曝光光源包含i线。当然，也可以是使用了包括i线～g线的波长域的曝光。
根据本发明的显示装置用器件的制造方法，由于将修正膜设为2层结构来进行针对半透光部的缺陷的修正，从而能够实施修正以使得具有难以实现的与高透射率的相移膜几乎相同的光学物性。即，能够针对具有高透射率且具有相移作用的半透光膜所产生的缺陷进行精密的修正。在此，构成修正膜的第1膜、第2膜均可以通过激光CVD法形成，因此不需要使用多种方式的修正装置，这一点特别是在尺寸大的显示装置制造用光掩模的修正中非常有利。
＜变形例＞
本发明所涉及的光掩模修正方法、光掩模的制造方法、光掩模、以及显示装置用器件的制造方法只要不丧失上述的作用效果，不限于上述的实施方式中所公开的方面。
例如，如上所述，本发明应用于在显示装置用器件的制造中使用的光掩模且非常有用，但对光掩模的用途没有特别限定，也可以应用于半导体装置制造用光掩模。
进而，应用于本发明的光掩模在相移膜或遮光膜的一部分中，或者除了相移膜、遮光膜以外，还可以具有其它的光学膜或功能膜。