阅读说明：本技术 一种防电磁骚扰的负离子发生电路及负离子发生器 (Anti-electromagnetic-disturbance negative ion generating circuit and negative ion generator ) 是由 李一峰 刘子宽 刘佳林 于 2019-11-13 设计创作，主要内容包括：本发明公开一种防电磁骚扰的负离子发生电路及负离子发生器。该负离子发生电路包括正极与市电火线相连的整流二极管D1、负极与市电零线相连的整流二极管D2、分别与整流二极管D1及整流二极管D2串接的电阻R6和电阻R5、高压变压器T1及与高压变压器T1的一次侧线圈的第一端相连的电容CX2以及与电容CX2并联的振荡电阻、连接在电阻R6与电阻R5之间的放电管DZ以及与放电管DZ反向并联的二极管D3,高压变压器T1的一次侧线圈的第二端与二极管D3的正极相连。本发明使用放电管代替可控硅,具有电磁骚扰较弱的特点,不仅符合EMI规范也简化了产品的整体结构并降低了产品的实现成本。(The invention discloses an electromagnetic disturbance prevention negative ion generating circuit and a negative ion generator. The negative ion generating circuit comprises a rectifying diode D1 with the anode connected with a live wire of a commercial power, a rectifying diode D2 with the cathode connected with a zero wire of the commercial power, a resistor R6 and a resistor R5 which are respectively connected with the rectifying diode D1 and the rectifying diode D2 in series, a high-voltage transformer T1, a capacitor CX2 connected with the first end of a primary side coil of the high-voltage transformer T1, an oscillating resistor connected with the capacitor CX2 in parallel, a discharge tube DZ connected between the resistor R6 and the resistor R5, and a diode D3 connected with the discharge tube DZ in inverse parallel, wherein the second end of the primary side coil of the high-voltage transformer T1 is connected with the anode of the diode D3. The invention uses the discharge tube to replace the controlled silicon, has the characteristic of weaker electromagnetic disturbance, not only accords with the EMI specification, but also simplifies the integral structure of the product and reduces the realization cost of the product.)

一种防电磁骚扰的负离子发生电路及负离子发生器

技术领域

本发明涉及负离子发生技术领域，尤其是涉及一种防电磁骚扰的负离子发生电路及负离子发生器。

背景技术

如图1所示是现有技术中其中一种负离子发生电路的电路示意图。市电经过二极管D1整流后给电容CX1充电，且市电经过分压电阻R1和R2分压后给电容C3充电，当电容C3充电至出发可控硅SCR导通时，电容CX1、高压变压器T1的一次侧线圈及可控硅SCR形成放电回路，由高压变压器T1的二次侧线圈感应升压至数千伏甚至上万伏左右的高压，在高压变压器T1的二次侧线圈的两端OUT1和OUT2分别接上一对具有一定距离的放电头，从而2个放电头在高压作用下使空气电离产生负离子和臭氧，负离子能使空气产生清新感人会感到精神饱满。

由于上述负离子发生电路是通过电容CX1的反复充放电从而让可控硅SCR反复触发导通与关断，控制可控硅SCR通断是采用了纯硬件的“斩波”方法，所产生的电磁骚扰较为严重，为此，现有技术采用多种方式结合来降低电磁骚扰以符合EMI规范要求：一是，如图2所示，将高压变压器T1作为一个高压电路包1放置在一个用于抑制电磁辐射干扰的电磁屏蔽罩2内，仅在电磁屏蔽罩2的其中一侧面开设一个通孔2用来给高压电路包1提供通气散热功能；二是，如图3所示，负离子发生电路以电路板的方式设置在在负离子发生器的外壳3内，在负离子发生器的外壳3的内侧壁贴设一层金属贴膜4，通过金属贴膜4降低负离子发生电路所产生的电磁辐射干扰。

综上而言，现有技术至少存在如下缺陷：负离子发生电路使用可控硅作为反复通断的开关元件，可控硅体积较大需要占用较大空间，可控硅成本高且可控硅的脚成型不便不利于机器自动化生产，关键是可控硅是利用纯硬件反复开关的控制方式难以满足EMI要求，需要在处理EMI方面通过设置电磁屏蔽罩甚至金属贴膜等方式来降低电磁骚扰，结构复杂且实现成本较高。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种防电磁骚扰的负离子发生电路及负离子发生器，负离子发生电路使用放电管来代替可控硅以简化电路结构，并能够取得较佳的防电磁骚扰性能。

本发明提出一种防电磁骚扰的负离子发生电路，包括：正极与市电火线相连的整流二极管D1、负极与市电零线相连的整流二极管D2、分别与整流二极管D1及整流二极管D2串接的电阻R6和电阻R5、高压变压器T1及与高压变压器T1的一次侧线圈的第一端相连的电容CX2以及与电容CX2并联的振荡电阻、连接在电阻R6与电阻R5之间的放电管DZ以及与放电管DZ反向并联的二极管D3，高压变压器T1的一次侧线圈的第二端与二极管D3的正极相连。

其中，振荡电阻包括串接的电阻R3和电阻R4。

其中，在高压变压器T1的一次侧线圈的第二端还设有电磁吸收电路。

其中，电磁吸收电路包括连接在高压变压器T1的一次侧线圈的第二端与地之间的电容CX3以及与电容CX3并联的电阻R7。

相应的，本发明公开一种负离子发生器，包括外壳、设在外壳内的电路板及一对放电单元，电路板上具有如上所述防电磁骚扰的负离子发生电路，而一对放电单元分别与高压变压器T1的二次侧线圈的第一端OUT1、第二端OUT2相连。

其中，在高压变压器T1的二次侧线圈的第一端OUT1串有一个反向整流二极管。

其中，两个放电单片之间以预设距离相对设置。

其中，放电单片为放电针或放电电极片。

其中，在电路板上且位于在负离子发生电路分布在电路板上的区域周缘设有环绕敷铜带，电容CX3通过环绕敷铜带与地电性相连。

其中，在环绕敷铜带上间隔设有多个向环绕敷铜带的两侧延伸出的敷铜尖端。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

本发明使用放电管取代现有技术的可控硅作为负离子发生电路中的控制开关，不仅简化了电路结构，还降低了可控硅利用纯硬件反复导通与截止动作所产生的电磁骚扰信号，使得负离子发生电路既不需要单独对高压变压器增加电磁屏蔽罩，也不需要对所使用产品的外壳内侧另行增加金属贴膜来阻隔电磁辐射骚扰，因电磁骚扰较弱不仅符合EMI规范也简化了产品的整体结构并降低了产品的实现成本。另外，放电管在电路板上安装固定，相比可控硅而言也便于生产加工，有利于降低加工成本高并提高生产效率。

附图说明

图1是现有技术中其中一种负离子发生电路的电路示意图。

图2是现有技术中高压包的安装结构示意图。

图3是现有技术中负离子发生器的外壳结构示意图。

图4是本发明公开的负离子发生电路的电路示意图。

图5是本发明公开的负离子发生器的电路板的示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本申请为达成预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本申请的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。

如图4所示，本发明公开一种防电磁骚扰的负离子发生电路，包括：正极与市电火线AC-L相连的整流二极管D1、负极与市电零线AC-N相连的整流二极管D2、分别与整流二极管D1及整流二极管D2串接的电阻R6和电阻R5、连接在电阻R6与电阻R5之间的放电管DZ、与放电管DZ反向并联的二极管D3、高压变压器T1及连接在二极管D3的负极与高压变压器T1的一次侧线圈的第一端之间的电容CX2以及与电容CX2并联的振荡电阻，其中，高压变压器T1的一次侧线圈的第二端与二极管D3的正极相连。

振荡电阻包括串接的电阻R3和电阻R4。通过电阻R3或/和电阻R4调节振荡电阻的阻值可以改变由振荡电阻与电容CX2构成的RC振荡器的振荡频率及振荡电压，进而改变触发放电管DZ导通的触发频率以及从高压变压器T1的二次侧线圈的输出电压。

在高压变压器T1的一次侧线圈的第二端还设有电磁吸收电路，该电磁吸收电路包括连接在高压变压器T1的一次侧线圈的第二端与地之间的电容CX3以及与电容CX3并联的电阻R7，由电容CX3和电阻R7形成RC振荡器。在高压变压器T1的一次侧线圈工作过程中产生的电磁骚扰由电磁吸收电路进行振荡消化，从而降低负离子发生电路对外产生的电磁骚扰。

本发明公开的负离子发生电路工作原理如下：（1）市电经过整流二极管D1整流及经过电阻R6限流后，给电容CX2充电，此时放电管DZ处于断开状态，电压经过高压变压器T1的一次侧线圈构成回路；（2）当电容CX2充电至达到大于放电管DZ导通电压时，电容CX2处于放电的状态，此时所叠加在放电管DZ两端的电压达到或高于导通电压，放电管DZ处于导通状态，电压不再经过高压变压器T1的一次侧线圈；（3）随着电容CX2放电时间，所叠加在放电管DZ两端的电压低于预设值时，放电管DZ再次处于断开状态，即不断重复上述第（1）和（2）。对应的，电压经过高压变压器T1的一次侧线圈时，高压变压器T1的二次侧线圈的两末端OUT1和OUT2之间感应产生高达数千伏甚至上万幅的电压。实际使用时，在高压变压器T1的二次侧线圈的第一端OUT1串接一个反向整流二极管（未画出）以将高压变压器T1二次侧线圈的电压整流成直流电压，然后在高压变压器T1的二次侧线圈的第一端OUT1、第二端OUT2各接一个放电单片，两个放电单片之间以预设距离相对设置，从而两个放电单片在高压直流电作用下将空气电流产生负离子和臭氧。其中，放电单片一般为放电针或放电电极片。

由于上述负离子发生电路不再使用可控硅作开关控制，相应产生的电磁骚扰信号大幅降低，不再需要将高压变压器T1用一个电磁屏蔽罩进行封装，也不需要在负离子发生器的外壳内侧壁贴设一层用于降低电磁辐射的金属贴膜，从而有利于简化产品的结构，降低产品的实现成本。如图5所示，具体来说，将上述负离子发生电路实施于负离子发生器时，负离子发生器包括外壳、设在外壳内的电路板4及一对放电单元，其中，电路板4上设有上述负离子发生电路，而一对放电单元分别与高压变压器T1的二次侧线圈的第一端OUT1、第二端OUT2相连即可。

为了进一步降低电路板上的上述负离子发生电路的电磁传导骚扰信号，在图5所示优选实施例中，在电路板4上且位于在负离子发生电路分布在电路板4上的区域周缘设有环绕敷铜带5，电容CX3通过环绕敷铜带5与地电性相连。并且，在环绕敷铜带5上间隔设有多个向环绕敷铜带5的两侧延伸出的敷铜尖端51，该敷铜尖端51能够起到进一步降低负离子发生电路所产生的电磁骚扰。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。