具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

下面结合附图，对公开实施例提供的显示基板、显示装置的具体实施方式进行详细地说明。

图1为本公开实施例的一种显示面板的平面示意图；如图1所示，显示面板包括衬底基板401，以及形成在衬底基板401上多个像素单元0，每个像素单元0中均设置有一个像素驱动电路和一个OLED器件。该像素驱动电路可以包括7T1C(即七个晶体管和一个电容)结构，例如包括驱动晶体管、数据写入晶体管、存储电容、阈值补偿晶体管、第一复位晶体管、第二复位晶体管、第一发光控制晶体管以及第二发光控制晶体管。图2为本公开实施例的一种柔性显示面板的电路结构示意图；参照图2，数据写入晶体管T4源极301的与驱动晶体管T3的源极301电连接，数据写入晶体管T4的漏极304被配置为与数据线Vd电连接以接收数据信号，数据写入晶体管T4的栅极303被配置为与第一扫描信号线Ga1电连接以接收扫描信号；存储电容Cst的第一极板CC1与第一电源电压端VDD电连接，存储电容Cst的第二极板CC2与驱动晶体管T3的栅极303电连接；阈值补偿晶体管T2的源极301与驱动晶体管T3的漏极304电连接，阈值补偿晶体管T2的漏极304与驱动晶体管T3的栅极303电连接，阈值补偿晶体管T2的栅极303被配置为与第二扫描信号线Ga2电连接以接收补偿控制信号；第一复位晶体管T1的源极301被配置为与第一复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号，第一复位晶体管T1的漏极304与驱动晶体管T3的栅极303电连接，第一复位晶体管T1的栅极303被配置为与第一复位控制信号线Rst1电连接以接收第一子复位控制信号；第二复位晶体管T7的源极301被配置为与第一复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号，第二复位晶体管T7的漏极304与发光器件1的第一电极101电连接，第二复位晶体管T7的栅极303被配置为与第二复位控制信号线Rst2电连接以接收第二子复位控制信号；第一发光控制晶体管T5的源极301与第一电源电压端VDD电连接，第一发光控制晶体管T5的漏极304与驱动晶体管T3的源极301电连接，第一发光控制晶体管T5的栅极303被配置为与第一发光控制信号线EM1电连接以接收第一发光控制信号；第二发光控制晶体管T6的源极301与驱动晶体管T3的漏极304电连接，第二发光控制晶体管T6的漏极304与发光器件1的第一电极101电连接，第二发光控制晶体管T6的栅极303被配置为与第二发光控制信号线EM2电连接以接收第二发光控制信号；发光器件1的第二电极103与第二电源电压端VSS电连接。

图3为本公开实施例的发光器件1位置处的截面结构；如图3所示，驱动电路层可形成在衬底基板401上。举例而言，如图3所示，该驱动电路层可形成在缓冲层402上。其中，此驱动电路层可包括位于显示器件1和过渡区10c的层间介质层406，此层间介质层406采用无机材料制作而成，例如：氧化硅、氮化硅等无机材料，以达到阻水氧和阻隔碱性离子的效果。

如图3所示，薄膜晶体管3可为顶栅型，此薄膜晶体管3可包括有源层104、第一栅极绝缘层501、栅极303、第二栅极绝缘层502、层间介质层403、源极301、漏极304。具体地，有源层302可形成在缓冲层402上，第一栅极绝缘层501覆盖缓冲层402及有源层302，栅极303形成在第一栅极绝缘层501背离有源层302的一侧，第二栅极绝缘层502覆盖栅极303和第一栅极绝缘层501，层间介质层406覆盖第二栅极绝缘层502，源极301和漏极304形成在层间介质层406背离衬底基板401的一侧并分别位于栅极303的相对两侧，该源极301和漏极304可分别通过过孔(例如：金属过孔)与有源层302的相对两侧接触。应当理解的是，此薄膜晶体管3也可为底栅型。

如图3所示，电容结构可包括第一极板130和第二极板131，此第一极板130与栅极303同层设置，第二极板131位于第二栅极绝缘层502与层间介质层406之间，并与第一极板130相对设置。

如图3所示，显示器件位于显示区，该显示器件可包括依次形成在层间介质层406上的第一电极101和像素限定层404，应当理解的是，该显示器件还可包括发光层102和第二电极103。

详细说明，在薄膜晶体管3为顶栅型时，在制作显示器件之前还可制作平坦层403，此平坦层403可为单层结构，也可为多层结构；此平坦层403通常采用有机材料制作而成，例如：光刻胶、丙烯酸基聚合物、硅基聚合物等材料；如图3所示，此平坦层403形成在层间介质层103与第一电极101之间。其中，第一电极101可通过金属过孔与漏极304电性连接，该第一电极101可为阳极，此阳极可为ITO(氧化铟锡)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等材料制作而成；像素限定层404可覆盖平坦层403，此像素限定层404可为有机材料制作而成，例如：光刻胶等有机材料，且像素限定层404可具有露出第一电极101的像素开口；发光层102位于像素开口内并形成在第一电极101上，该发光层102可包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料，可以为荧光发光材料或磷光发光材料，可以发红光、绿光、蓝光，或可以发白光等；并且，根据实际不同需要，在不同的示例中，发光层102还可以进一步包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层等功能层；第二电极103覆盖发光层102，且该第二电极103的极性与第一电极101的极性相反；此第二电极103可为阴极，此阴极可为锂(Li)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)等金属材料制作而成。

需要说明的是，如图3所示，第一电极101、发光层102和第二电极103可构成一个发光器件1。其中，此显示器件包括多个阵列排布的发光器件1。此外，还需说明的是，各发光器件1的第一电极101相互独立，各发光器件1的第二电极103整面连接；即第二电极103为设置在显示基板上的整面结构，为用于多个显示器件的公共电极。

第一方面，本公开实施例提供一种显示基板，其包括：衬底基板401，设置在衬底基板401上的多个发光器件1、像素限定层404、封装层2和反射层6；像素限定层404具有多个容纳部；多个发光器件1中的每个包括依次设置在衬底基板401上且叠层设置的第一电极101层、发光层102和第二电极103层；发光器件1的第一电极101层位于像素限定层404靠近衬底基板401的一侧；一个容纳部的位置与一个第一电极101对应设置，且一个容纳部内设置有一个发光器件1的发光层102；封装层2位于发光器件1的第二电极103背离衬底基板401的一侧；反射层6设置在封装层2背离衬底基板401的一侧，且具有多个第一开口，一个第一开口在衬底基板401上的正投影位于一个容纳部在衬底基板401上的正投影内；特别的是，本公开实施例中的显示基板还包括吸光材料层；吸光材料层0位于发射层靠近衬底基板401的一侧，且与发光器件1的第二电极103所在层存在一定的间距；其中，吸光材料层0具有多个第二开口，一个第二开口在衬底基板401上的正投影位于一个容纳部在衬底基板401上的正投影内；一个第一开口在衬底基板401上的正投影位于一个第二开口在衬底基板401上的正投影内。

由于在本公开实施例的显示基板中增设了吸光材料层0，因此可以通过吸光材料吸收发射层所反射的光线，从而避免相邻发光器件1的所发出的光出现串扰的问题。

在一些示例中，本公开实施例中的封装层2包括依次堆叠设置在第二电极103层背离衬底基板401一侧的第一无机封装层201、有机封装层202、第二无机封装层203。第一无机封装层201和第二无机封装层203采用沉积方式形成，有机封装层202采用喷墨打印的方式形成。

在一些示例中，本公开实施例中的封装层2具有反射光线的特性，当发光层102发出的光线照射到封装层2时，会发生光线在显示基板内部的反射现象，造成屏幕混色问题。

在一些示例中，本公开实施例中的吸光材料层0设置于以下任一位置：第一无机封装层201与有机封装层202之间；有机封装层202与第二无机封装层203之间；第二无机封装层203与反射层6之间。后面内容会根据附图对这三种情况进行具体说明，故在此不再详细解释。

在一些示例中，该显示基板可应用于镜面显示中，其中的反射层6为镜面反射层6，镜面反射层6包括设置在背离衬底基板401一侧的镜面层601。具体的，当显示基板中的反射层6为镜面反射层6时，以下结合具体示例进行说明。

第一种示例：图4为一种OLED镜面显示基板的结构图；如图1所示，OLED镜面显示基板包括衬底基板401和吸光材料层0，衬底基板401上设置有缓冲层402，缓冲层402背离衬底基板401一侧设置有多个薄膜晶体管3，薄膜晶体管3包括依次设置在缓冲层402背离衬底基板401一侧的有源层302、栅极303、栅极303绝缘层5、源极301、漏极304。栅极303绝缘层5包括第一栅极绝缘层501、第一栅极绝缘层502。第二栅极绝缘层502背离衬底基板401一侧设置有平坦层403，平坦层403背离衬底基板401一侧设置有像素限定层404，像素限定层404具有多个容纳部。衬底基板401上还设置有多个发光器件1，多个发光器件1设置在平坦层403背离衬底基板401一侧，每个发光器件1包含依次堆叠在所述像素限定层404背离衬底基板401一侧的第一电极101、发光层102和第二电极103；一个容纳部的位置与一个发光器件1的第一电极101对应设置，且一个容纳部内设置有一个发光器件1的发光层102。第二电极103背离衬底基板401一侧设置有封装层2。封装层2包括依次堆叠设置在第二电极103层背离衬底基板401一侧的第一无机封装层201、有机封装层202、第二无机封装层203。第二无机封装层203背离衬底基板401一侧设置有反射层6，反射层6具有多个第一开口，一个所述第一开口在所述衬底基板401上的正投影位于一个所述容纳部在所述衬底基板401上的正投影内。反射层6包括设置在第二无机封装层203背离衬底基板401一侧的镜面层601。吸光材料层0具有多个第二开口，一个第二开口在衬底基板401上的正投影位于一个容纳部在衬底基板401上的正投影内。吸光材料层0设置在第一无机封装层201与有机封装层202之间。在一些示例中，吸光材料层0的厚度为1μm-2μm，第二开口的宽度与第一开口的宽度差不小于1μm，且不大于5μm。例如，吸光材料层0的厚度为1μm，第二开口的宽度与第一开口的宽度差为1μm。

设置于第一无机封装层201与有机封装层202之间的吸光材料层0能够吸收发光层102发出的光线照射到封装层2和反射层6后产生的反射光线，避免相邻发光器件1的所发出的光线出现串扰的现象，从而消除了混色问题，提高显示对比度，增加显示颜色纯度。将吸光材料层0的厚度设为1μm-2μm能够在使反射层6保持平整的同时具有较强的吸光性；将第一开口的宽度与第二开口的宽度差设为不小于1μm，且不大于5μm，第一开口与第二开口不会影响发光层102发出的光线正常通过。

第二种示例：图5为一种OLED镜面显示基板的结构图；除吸光材料层0的设置位置与第一种示例的吸光材料的设置位置不同，该OLED镜面显示基板结构与第一种示例提供的OLED镜面显示基板结构完全相同。如图5所示，吸光材料层0设置在有机封装层202与第二无机封装层203之间。在一些示例中，吸光材料层0的厚度为1μm-2μm，第二开口的宽度与第一开口的宽度差不小于1μm，且不大于3μm。例如，吸光材料层0的厚度为1μm，第二开口的宽度与第一开口的宽度差为1μm。

设置于有机封装层2022与第二无机封装层2032之间的吸光材料层0能够吸收发光层102发出的光线照射到封装层2和反射层6后产生的反射光线，避免相邻发光器件1的所发出的光线出现串扰的现象，从而消除了混色问题，提高显示对比度，增加显示颜色纯度。将吸光材料层0的厚度设为1μm-2μm能够在使反射层6保持平整的同时具有较强的吸光性；将第一开口的宽度与第二开口的宽度差设为不小于1μm，且不大于3μm，第一开口与第二开口不会影响发光层102发出的光线正常通过。

第三种示例：图6为一种OLED镜面显示基板的结构图；除吸光材料层0的设置位置与第一种示例的吸光材料的设置位置不同，该OLED镜面显示基板结构与第一种示例提供的OLED镜面显示基板结构完全相同。如图6所示，吸光材料层0设置在第二无机封装层203与反射层6之间。在一些示例中吸光材料层0的厚度为1μm-2μm，第二开口的宽度与第一开口的宽度差不小于1μm且第二开口与第一开口的宽度比不小于1。例如，吸光材料层0的厚度为1μm，第二开口的宽度与第一开口的宽度差为1μm且第二开口与第一开口的宽度比为1.1

设置于第二无机封装层203与反射层6之间的吸光材料层0能够吸收发光层102发出的光线照射到封装层2和反射层6后产生的反射光线，避免相邻发光器件1的所发出的光线出现串扰的现象，从而消除了混色问题，提高显示对比度，增加显示颜色纯度。将吸光材料层0的厚度设为1μm-2μm能够在反射层6保持平整的同时具有较强的吸光性；将第一开口的宽度与第二开口的宽度差设为不小于1μm，且第二开口与第一开口的宽度比不小于1，第一开口与第二开口不会影响发光层102发出的光线正常通过。

无论上述的任一示例，本公开实施例的上述的显示基板还可以包括触控层，触控层设置在反射层6背离衬底基板401一侧，从而实现具有触控功能的显示基板。

在一些示例中，本公开实施例的反射层6包括触控信号线602，在触控信号线602所在层背离所述衬底基板401的一侧设置有触控层。触控信号线602具有反射光线的特性，当发光层102发出的光线照射到触控信号线602时，会发生光线在显示基板内部的反射现象，造成混色问题。针对反射层6包括触控信号线602不包括镜面层601时出现的光线在显示基板内部反射问题，本公开实施例中的显示基板的具体结构可以包括如下示例。

第一种示例：图7为一种显示基板的结构图；如图7所示，显示基板包括衬底基板401和吸光材料层0，衬底基板401上设置有缓冲层402，缓冲层402背离衬底基板401一侧设置有多个薄膜晶体管3，薄膜晶体管3包括依次设置在缓冲层402背离衬底基板401一侧的有源层302、栅极303、栅极303绝缘层5、源极301、漏极304。栅极303绝缘层5包括第一栅极绝缘层501、第一栅极绝缘层502。第二栅极3绝缘层502背离衬底基板401一侧设置有平坦层403，平坦层403背离衬底基板401一侧设置有像素限定层404，像素限定层404具有多个容纳部。衬底基板401上还设置有多个发光器件1，多个发光器件1设置在平坦层403背离衬底基板401一侧，每个发光器件1包含依次堆叠在所述像素限定层404背离衬底基板401一侧的第一电极101、发光层102和第二电极103；一个容纳部的位置与一个发光器件1的第一电极101对应设置，且一个容纳部内设置有一个发光器件1的发光层102。第二电极103背离衬底基板401一侧设置有封装层2。封装层2包括依次堆叠设置在第二电极103层背离衬底基板401一侧的第一无机封装层201、有机封装层202、第二无机封装层203。第二无机封装层203背离衬底基板401一侧设置有反射层6，反射层6具有多个第一开口，一个所述第一开口在所述衬底基板401上的正投影位于一个所述容纳部在所述衬底基板401上的正投影内。反射层6包括触控信号线602。反射层6背离衬底基板401一侧设置有触控层。吸光材料层0具有多个第二开口，一个第二开口在衬底基板401上的正投影位于一个容纳部在衬底基板401上的正投影内。在一些示例中，吸光材料层0设置在第一无机封装层201与有机封装层202之间，相邻第二开口之间的距离不小于2μm，第二开口的宽度应与容纳部的宽度差不小于2*(像素限定层404的厚度+第一无机封装层201的厚度)*tan40°μm。例如，当像素限定层404的厚度为1um、第一无机封装层201的厚度为1um，相邻第二开口之间的距离为2μm，第二开口的宽度与容纳部的宽度差为3.36μm。

设置于第一无机封装层201与有机封装层202之间的吸光材料层0能够吸收发光层102发出的光线照射到封装层2和反射层6后产生的反射光线，避免相邻发光器件1的所发出的光线出现串扰的现象，从而消除了混色问题，提高显示对比度，增加显示颜色纯度。将相邻第二开口之间的距离设为不小于2μm，第二开口的宽度应与容纳部的宽度差设为不小于2*(像素限定层404的厚度+第一无机封装层201的厚度)*tan40°μm，能够使吸光材料层0的宽度足够覆盖反射光线经过区域，第一开口与第二开口不会影响发光层102发出的光线正常通过。

第二种示例：图8为一种显示基板的结构图；除吸光材料层0的设置位置与第一种示例的吸光材料的设置位置不同，该显示基板结构与第一种示例提供的显示基板结构完全相同。如图8所示，在一些示例中，吸光材料层0设置在有机封装层202与第二无机封装层203之间，相邻两个第二开口之间的距离不小于2μm，第二开口的宽度应与容纳部的宽度差不小于2*(像素限定层404的厚度+第一无机封装层201的厚度+有机封装层202的厚度)*tan40°μm。例如，当像素限定层404的厚度为1um、第一无机封装层201的厚度为1um、有机封装层厚度为8um，相邻第二开口之间的距离为2μm，第二开口的宽度与容纳部的宽度差为8.4μm。

设置于有机封装层202与第二无机封装层203之间的吸光材料层0能够吸收发光层102发出的光线照射到封装层2和反射层6后产生的反射光线，避免相邻发光器件1的所发出的光线出现串扰的现象，从而消除了混色问题，提高显示对比度，增加显示颜色纯度。将相邻第二开口之间的距离设为不小于2μm，第二开口的宽度应与容纳部的宽度差设为不小于2*(像素限定层404的厚度+第一无机封装层201的厚度+有机封装层202的厚度)*tan40°μm，能够使吸光材料层0的宽度足够覆盖反射光线经过区域，第一开口与第二开口不会影响发光层102发出的光线正常通过。

第三种示例：图9为一种显示基板的结构图；除吸光材料层0的设置位置与第一种示例的吸光材料的设置位置不同，该显示基板结构与第一种示例提供的显示基板结构完全相同。如图9所示，在一些示例中，吸光材料层0设置在第二无机封装层203与反射层6之间，相邻两个第二开口之间的距离不小于2μm，第二开口的宽度应与容纳部的宽度差不小于2*(像素限定层404的厚度+第一无机封装层201的厚度+有机封装层202的厚度+第二无机封装层203的厚度)*tan40°μm。例如，当像素限定层404的厚度为1um、第一无机封装层201的厚度为1um、有机封装层厚度为8um、第二无机封装层203厚度为1um，相邻第二开口之间的距离为2μm，第二开口的宽度与容纳部的宽度差为9.23μm。

设置于第二无机封装层203与反射层6之间的吸光材料层0能够吸收发光层102发出的光线照射到封装层2和反射层6后产生的反射光线，避免相邻发光器件1的所发出的光线出现串扰的现象，从而消除了混色问题，提高显示对比度，增加显示颜色纯度。将相邻第二开口之间的距离设为不小于2μm，第二开口的宽度应与容纳部的宽度差设为不小于2*(像素限定层404的厚度+第一无机封装层201的厚度+有机封装层202的厚度+第二无机封装层203)*tan40°μm，能够使吸光材料层0的宽度足够覆盖反射光线经过区域，第一开口与第二开口不会影响发光层102发出的光线正常通过。

在一些示例中，本公开实施例中的显示基板还包括设置在触控层背离衬底基板401一侧彩色滤光层8；彩色滤光层8包括多个彩色滤光片和设置在相邻设置的彩色滤光片之间的黑矩阵；一个彩色滤光片与一个发光器件1对应设置；黑矩阵在衬底基板401上的正投影覆盖触控信号线602在衬底基板401上的正投影。各黑矩阵连接为一体结构形成黑矩阵层801；黑矩阵层801由黑矩阵限定出多个第三开口，一个第二开口在衬底基板401上的正投影位于一个第三开口在衬底基板401的正投影内。

需要说明的是，第三开口边缘具有反射光线的特性，当发光层102发出的光照射到第三开口时，会发生光线在触控基板内部的反射现象，造成混色问题。

针对触控基板包括彩色滤光层8时，本公开实施例中的显示基板的具体结构可以包括如下示例。

第一种示例：图10为一种含彩膜的显示基板的结构图，如图10所示，显示基板包括衬底基板401和吸光材料层0，衬底基板401上设置有缓冲层402，缓冲层402背离衬底基板401一侧设置有多个薄膜晶体管3，薄膜晶体管3包括依次设置在缓冲层402背离衬底基板401一侧的有源层302、栅极303、栅极303绝缘层5、源极301、漏极304。栅极303绝缘层5包括第一栅极绝缘层501、第一栅极绝缘层502。第二栅极绝缘层502背离衬底基板401一侧设置有平坦层403，平坦层403背离衬底基板401一侧设置有像素限定层404，像素限定层404具有多个容纳部。衬底基板401上还设置有多个发光器件1，多个发光器件1设置在平坦层403背离衬底基板401一侧，每个发光器件1包含依次堆叠在所述像素限定层404背离衬底基板401一侧的第一电极101、发光层102和第二电极103；一个容纳部的位置与一个发光器件1的第一电极101对应设置，且一个容纳部内设置有一个发光器件1的发光层102。第二电极103背离衬底基板401一侧设置有封装层2。封装层2包括依次堆叠设置在第二电极103层背离衬底基板401一侧的第一无机封装层201、有机封装层202、第二无机封装层203。第二无机封装层203背离衬底基板401一侧设置有反射层6，反射层6具有多个第一开口，一个所述第一开口在所述衬底基板401上的正投影位于一个所述容纳部在所述衬底基板401上的正投影内。反射层6包括触控信号线602。反射层6背离衬底基板401一侧设置有触控层，触控层背离衬底基板401一侧设置有彩色滤光层8。吸光材料层0具有多个第二开口，一个第二开口在衬底基板401上的正投影位于一个容纳部在衬底基板401上的正投影内。在一些示例中，吸光材料层0设置在第一无机封装层201与有机封装层202之间，第二开口的宽度应与容纳部的宽度差不小于2*(像素限定层404的厚度+第一无机封装层201的厚度)*tan40°μm。第三开口的宽度应与第二开口的宽度差不小于1μm。例如，当像素限定层404的厚度为1um、第一无机封装层201的厚度为1um，第二开口的宽度应与容纳部的宽度差为3.35μm，第三开口的宽度与第二开口的宽度差为1μm。

设置于第一无机封装层201与反射层6之间的吸光材料层0能够吸收发光层102发出的光线照射到封装层2、反射层6和第三开口边缘后产生的反射光线，避免相邻发光器件1的所发出的光线出现串扰的现象，从而消除了混色问题，提高显示对比度，增加显示颜色纯度。第二开口的宽度应与容纳部的宽度差设置为不小于2*(像素限定层404的厚度+第一无机封装层201的厚度)*tan40°μm。第三开口的宽度应与第二开口的宽度差设置为不小于1μm，能够使吸光材料层0的宽度足够覆盖反射光线经过区域，第一开口、第二开口和第三开口不会影响发光层102发出的光线正常通过。

第二种示例：图11为一种含彩膜的显示基板的结构图，除吸光材料层0的设置位置与第一种示例的吸光材料的设置位置不同。如图11所示，在一些示例中，吸光材料层0设置在有机封装层202与第二无机封装层203之间，第二开口的宽度应与容纳部的宽度差不小于2*(像素限定层404的厚度+第一无机封装层201的厚度+有机封装层202的厚度)*tan40°μm。第三开口的宽度应与第二开口的宽度差不小于1μm。例如，当像素限定层404的厚度为1um、第一无机封装层201的厚度为1um、有机封装层厚度为8um，第二开口的宽度应与容纳部的宽度差为8.4μm，第三开口的宽度与第二开口的宽度差为1μm。

设置于第一无机封装层201与反射层6之间的吸光材料层0能够吸收发光层102发出的光线照射到封装层2、反射层6和第三开口边缘后产生的反射光线，避免相邻发光器件1的所发出的光线出现串扰的现象，从而消除了混色问题，提高显示对比度，增加显示颜色纯度。第二开口的宽度应与容纳部的宽度差设置为不小于2*(像素限定层404的厚度+第一无机封装层201的厚度+有机封装的厚度)*tan40°μm。第三开口的宽度应与第二开口的宽度差设置为不小于1μm，能够使吸光材料层0的宽度足够覆盖反射光线经过区域，第一开口、第二开口和第三开口不会影响发光层102发出的光线正常通过。

在一些示例中，本公开实施例中的平坦层403用以平坦化薄膜晶体管3，平坦层403上设置有多个过孔。

在一些示例中，本公开实施例中的多个发光器件1包括第一电极101、发光层102和第二电极103。第一电极101通过平坦层403中的过孔连接到薄膜晶体管3的源极301。

在一些示例中，本公开实施例中的源极301和阴极均具有三层金属层结构，例如钛/铝/钛、钼/铝/钼、钛/铜/钛或者钼/铜/钼等三层金属层结构。

在一些示例中，本公开实施例中的源极301和漏极304采用钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛和铜中的至少一种材料形成，其中，钼、钼铌合金、铝钕合金或钛仅有较弱的氧化性，铝较不容易被氧化，铜则最容易被氧化。从电阻率的角度考虑，进一步优选栅极3033、源极301和漏极304均采用铜形成。

在一些示例中，本公开实施例中的第一无机封装层201和第二无机封装层203可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机材料形成，有机封装层202可以采用聚酰亚胺(PI)、环氧树脂等有机材料形成。由此，第一无机封装层201，有机封装层202以及第二无机封装层203形成为复合封装层2，该复合封装层2可以对衬底基板401上的多个发光器件1的功能结构形成多重保护，具有更好的封装效果。

在一些示例中，本公开实施例中的发光器件1的第一电极101靠近衬底基板401的一侧还设置有传感器。

在一些示例中，本公开实施例中的传感器应用于指纹识别、屏下摄像头、红外探头等领域。在一些示例中，本公开实施例中的显示基板还包括设置在触控层背离显示基板一侧的其他模组层405，其他模组层405包括但不限于盖板、导电光学胶涂层。

第二方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的显示基板。该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。