芴类化合物及其制备方法和有机电致发光器件

文档序号:1563682 发布日期:2020-01-24 浏览:26次 >En<

阅读说明:本技术 芴类化合物及其制备方法和有机电致发光器件 (Fluorene compound, preparation method thereof and organic electroluminescent device ) 是由 汪康 孙向南 王进政 刘昌� 金虎勇 李文军 马晓宇 于 2019-09-26 设计创作,主要内容包括:本发明涉及一种芴类化合物及其制备方法和有机电致发光器件,属于发光材料领域。所述芴类化合物,其结构式如下:&lt;Image he="509" wi="571" file="DDA0002216624240000011.GIF" imgContent="drawing" imgFormat="GIF" orientation="portrait" inline="no"&gt;&lt;/Image&gt;本发明提供的芴类化合物作为空穴传输层制备的有机电致发光器件表现出高的效率及长寿命。本发明提供的芴类化合物的制备方法,其原料易得、制法简单、产率高,适用于工业化生产。(The invention relates to a fluorene compound, a preparation method thereof and an organic electroluminescent device, belonging to the field of luminescent materials. The fluorene compound has the following structural formula: the fluorene compound provided by the invention is used as a cavityThe organic electroluminescent device prepared by the transmission layer has high efficiency and long service life. The preparation method of the fluorene compound provided by the invention has the advantages of easily available raw materials, simple preparation method and high yield, and is suitable for industrial production.)

芴类化合物及其制备方法和有机电致发光器件

技术领域

本发明涉及发光材料领域,具体涉及一种芴类化合物及其制备方法和有机电致发光器件。

背景技术

为了提高有机电致发光器件的亮度、效率和寿命,通常在器件中使用多层结构。这些多层结构包括发光层及各种辅助有机层,如空穴注入层、空穴传输层、电子传输层等。这些辅助有机层的作用是提高载流子(空穴和电子)在各层界面间的注入效率,平衡载流子在各层之间的传输,从而提高器件的亮度和效率。其中空穴传输层是用来增强器件的空穴传输能力,同时将电子阻挡在发光层内,从而提高电子与空穴的复合几率的。

基准的空穴传输层为了降低驱动电压而开发空穴移动度快的物质,为了提高空穴移动度开发了组装密度高HOMO价跟发光层HOMO价接近的物质,但空穴移动度快、物质一般呈现效率减少的倾向。空穴移动度比电子移动度快,会出现电子不均衡现象最终出现发光效率及寿命减少现象。

使用组装密度低的物质减少空穴移动度,因而调节发光层内的电子均衡情况会出现低的组装密度提高驱动电压,驱动电压提高增加电子加热而减少器件寿命情况发生,因此迫切要求组装密度高同时空穴俘获能力优秀的物质的开发。

发明内容

本发明的目的是为了提高显示器件的发光效率、稳定性及寿命,进而提供一种新型结构的芴类化合物及其制备方法和有机电致发光器件。

为了实现上述目的,本发明的技术方案具体如下:

本发明提供了一种芴类化合物,其结构式如下:

式中,Ar1和Ar2各自独立地为取代或未取代的烷基、取代或非取代的烷基氨基、取代或非取代的芳基氨基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的稠环芳基、或取代或未取代的杂芳基;

R1、R2、R3、R4各自独立地选自氢、或氢的同位素。

R5、R6、R7各自独立地选自氢、氢的同位素、卤素、氰基、羧基、硝基、羟基、磺酸基、磷酸基、硼烷基、取代或非取代的硅基、取代或非取代的烷基、取代或非取代的芳基、取代或非取代的杂芳基、取代或非取代的烷氧基、取代或非取代的烷基氨基、取代或非取代的芳基氨基、取代或非取代的芳氧基、或取代或非取代的芳硫基;

R5、R6、R7取代基的位置为在所在苯环的任意位置,R5、R6的个数为0~4,R7的个数为0~5,且R5、R6、R7不能同时为氢或者氢的同位素。

在上述技术方案中,优选Ar1和Ar2各自独立地为碳原子数为6-25的取代或未取代的苯基、或碳原子数为10-25的取代或未取代的稠环芳基。

在上述技术方案中,优选Ar1和Ar2各自独立地为碳原子数为6-18的取代或未取代的苯基、或碳原子数为10-14的取代或未取代的稠环芳基。

在上述技术方案中,优选Ar1和Ar2各自独立地为碳原子数为6-12的取代或未取代的苯基、或碳原子数为14的取代或未取代的稠环芳基。

在上述技术方案中,优选Ar1和Ar2各自独立地为萘基、菲基、苯基、甲基苯基、二甲基苯基、三联苯基、联苯基、对9-苯基-芴基-9-基苯基或9,9二苯基-9H-芴基。

在上述技术方案中,R5、R6、R7各自独立地优选自甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、苯基、联苯基、或萘基。

在上述技术方案中,所述芴类化合物为下述结构中的任意一个:

Figure BDA0002216624230000031

Figure BDA0002216624230000041

Figure BDA0002216624230000051

本发明还提供了一种芴类化合物的制备方法,包括以下步骤:

化合物C的合成

向反应容器里按顺序加入化合物B和四氢呋喃溶剂,在氮气气氛下使所述容器冷却到-78℃;接着将正丁基锂逐滴添加到混合物中;在-78℃下搅拌混合物30分钟后,将其在室温下搅拌3小时,并且冷却到-78℃;此后,将溶解于四氢呋喃中的化合物A逐滴添加到混合物中;添加后,使反应温度升温到室温,并且搅拌混合物16小时;反应结束以后将氯化铵水溶液添加到反应溶液中以完成反应,并且用乙酸乙酯萃取反应溶液,有机层用硫酸镁干燥以后的浓缩产品用柱色谱法纯化,得到化合物C;

目标化合物的合成

向反应容器里加入化合物C、化合物D、二氯甲烷,用氮气充分置换空气三次;将溶解于二氯甲烷中的三氟化硼***逐滴添加到混合物中,室温下反应;反应结束以后用二氯甲烷和水提取有机物,有机层用硫酸镁干燥以后的浓缩产品用柱色谱法纯化,得到目标化合物;其合成路线如下:

Figure BDA0002216624230000061

式中,Ar1、Ar2、R1~R7与上述范围相同;Hal为卤素,优选为溴;R8与R1~R4范围相同。

本发明还提供一种由本发明提供的芴类化合物制备的有机电致发光器件。

在上述技术方案中,所述芴类化合物是作为空穴传输层材料。

本发明的有益效果是:

本发明提供的芴类化合物作为空穴传输层制备的有机电致发光器件表现出高的效率及长寿命。

本发明提供的芴类化合物的制备方法,其原料易得、制法简单、产率高,适用于工业化生产。

具体实施方式

[合成例1]

化合物C-2的合成

Figure BDA0002216624230000071

在反应容器中将入溴苯(60mmol)和200mL四氢呋喃之后,在氮气氛围下使所述容器冷却到-78℃。接着将正丁基锂(2.5M,60mmol)缓慢逐滴添加到混合物中。在-78℃下搅拌混合物30分钟后,将其在室温下搅拌3小时,并且冷却到-78℃。此后,将溶解于200mL四氢呋喃中的化合物A-2(60mmol)缓慢逐滴添加到混合物中。添加后,使反应温度缓慢升温到室温,并且搅拌混合物16小时。接着将氯化铵水溶液添加到反应溶液中以完成反应,并且用乙酸乙酯萃取反应溶液。接着使用硫酸镁干燥经萃取的有机层,并且使用旋转式蒸发器去除溶剂。用柱色谱法纯化剩余物质获得化合物C-2(19.2g,78%,MW:410.22)。

将化合物C-2(45mmol)、中间体D-2(46mmol)和500mL二氯甲烷加入反应容器中之后,用氮气充分置换空气三次。将溶解于100mL二氯甲烷中的三氟化硼***(46mmol)缓慢逐滴添加到混合物中。在室温下搅拌混合物2小时后,用蒸馏水淬灭,并且用二氯甲烷萃取混合物。接着使用硫酸钠干燥萃取的有机层,并且使用旋转式蒸发器去除溶剂。用柱色谱法纯化剩余物质获得化合物2

(27.61g,86%,MW:713.42)。

[合成例2]

化合物23的合成

Figure BDA0002216624230000072

利用9-芴酮(60mmol),中间体B-23(60mmol),正丁基锂(2.5M,60mmol),四氢呋喃200mL按照合成例1中化合物C-2的合成方法得到化合物C-23(13.33g,74%,MW:300.10)。

利用化合物C-23(44mmol)、中间体D-23(45mmol)、溶解于100mL二氯甲烷中的三氟化硼***(45mmol)、二氯甲烷600mL按照和合成例中化合物2的合成方法得到化合物23(26.46g,85%,MW:707.39)。

[合成例3]

化合物28的合成

Figure BDA0002216624230000081

利用7-苯基-9-芴酮(60mmol),中间体B-28(60mmol),正丁基锂(2.5M,60mmol),四氢呋喃200mL按照合成例1中化合物C-2的合成方法得到化合物C-28(16.25g,72%,MW:376.10)。

利用化合物C-28(40mmol)、中间体D-28(42mmol)、溶解于100mL二氯甲烷中的三氟化硼***(42mmol)、二氯甲烷600mL按照和合成例中化合物2的合成方法得到化合物28(25.76g,81%,MW:795.21)。

[合成例4]

化合物50的合成

Figure BDA0002216624230000082

利用中间体A-50(60mmol),中间体B-50(60mmol),正丁基锂(2.5M,

60mmol),四氢呋喃200mL按照合成例1中化合物C-2的合成方法得到化合物C-50(24.5g 77%MW:530.20)。

利用化合物C-50(45mmol)、中间体D-50(46mmol)、溶解于100mL二氯甲烷中的三氟化硼***(46mmol)、二氯甲烷600mL按照和合成例中化合物2的合成方法得到化合物50(33.96g,83%,MW:909.25)。

[合成例5]

化合物56的合成

Figure BDA0002216624230000091

利用9-芴酮A-56(60mmol),体异丙苯B-56(60mmol),正丁基锂(2.5M,60mmol),四氢呋喃200mL按照合成例1中化合物C-2的合成方法得到化合物C-56(15.1g 80%MW:314.25)

利用化合物C-56(45mmol)、中间体D-56(46mmol)、溶解于100mL二氯甲烷中的三氟化硼***(46mmol)、二氯甲烷600mL按照和合成例中化合物2的合成方法得到化合物56(33.96g,83%,MW:909.25)。

[合成例6]

化合物61的合成

Figure BDA0002216624230000092

利用芴酮A-61(60mmol),体异丙苯B-61(60mmol),正丁基锂(2.5M,60mmol),四氢呋喃200mL按照合成例1中化合物C-2的合成方法得到化合物C-61(16.48g 77%MW:356.65)。

利用化合物C-61(45mmol)、中间体D-61(46mmol)、溶解于100mL二氯甲烷中的三氟化硼***(46mmol)、二氯甲烷600mL按照和合成例中化合物2的合成方法得到化合物61(31.2g,80%,MW:866.65)。

有机电致发光器件的制备及性能评价实例

[实施例1]:绿光有机电致发光器件(空穴传输层)

将本发明合成例合成的化合物作为空穴材料,采用通常方法制备有机电致发光器件。首先ITO(阳极)上面蒸镀N1-(萘-2-yl)-N4,N4-二(4-(萘-2-yl(苯基)氨基)苯基)-N1-苯基苯-1,4-二胺("2-TNATA")60nm厚度,紧接着蒸镀本发明合成的化合物2 60nm厚度、主体物质4,4'-N,N'-二咔唑-联苯("CBP")和掺杂物质三(2-苯基吡啶)合铱("Ir(ppy)3")按照90:10重量比混合蒸镀30nm厚度、蒸镀空穴阻挡层("BAlq")10nm厚度、蒸镀"Alq3"40nm厚度、蒸镀电子注入层LiF0.2nm厚度、蒸镀阴极Al 150nm厚度,形成有机电致发光器件。

[实施例2]-[实施例6]绿光有机电致发光器件(空穴传输层)

用表1记载的物质作为空穴传输材料替代实施例1中的化合物2以外,其他同实施例1同样的方法制备有机电致发光器件。

[比较例1]-[比较例3]

采用与实施例1的同样方法制备有机电致发光器件,其中[比较例1]中用比较化合物1替代化合物2、[比较例2]中用比较化合物2替代化合物2、[比较例3]中用比较化合物3替代化合物2。

Figure BDA0002216624230000111

本发明的实施例1-实施例6,比较例1-比较例3制备的有机电致发光器件加偏压以后用Photoresearch公司的PR-650测试电致发光特性(EL),在5000cd/m2基准亮度下,用Mcscience制备的寿命装备测试T95。测定结果是表1表示。

表1

Figure BDA0002216624230000112

由上述表1的结果能确认使用本发明提供的芴类化合物作为空穴材料的有机电致发光器件表现出高的效率及表示长寿命,特别是:本发明的芴类化合物适用在空穴层时候,跟比较化合物1(NPB)比能明显提高效率和寿命。

以上的说明是本发明的简单的说明而已,本发明的应用不限于上述举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明范围内加以改进或变换,所有这些改进和变换应属于本发明权利要求的保护范围。假如本发明实施例是为了说明本发明而已,发明内容范围不是限定在这个范围。本发明的保护范围是必须下面权利要求范围内解析,跟本发明同等范围的一切技术是包含在本发明的权利范围内。

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