阅读说明：本技术 发声装置及电子设备 ([db:专利名称-en]) 是由 王亚南 赵荣秀 邵明辉 任广龙 于 2019-08-26 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种发声装置,包括振动组件,振动组件包括：音圈,以及与所述音圈连接在一起并支撑所述音圈的支撑结构；振膜,所述振膜的一端通过第一锥盆与所述支撑结构连接固定；罩体,所述罩体与所述支撑结构靠近所述振膜的一端连接；还包括加强部,所述加强部的一端与所述第一锥盆连接固定,另一端与所述罩体结合。本发明发声装置可以有效改善FR高频响应。本发明还公开一种应用该发声装置的电子设备,该电子设备的高频声学性能更好。([db:摘要-en])

发声装置及电子设备

技术领域

本发明涉及一种发声装置，以及应用该发声装置的电子设备。

背景技术

扬声器作为一种电声转化器件，其构成了众多消费类电子终端的基本发声单元，例如近年来不断兴起的智能音响等电子产品，在不断追求智能化的同时，对声学性能的要求也越来越高。

现有的扬声器结构，其振动组件通常包括振膜1’、锥盆2’、罩体3’、音圈4’及音圈支撑结构(音圈骨架)5’等，其中，锥盆2’往往采用单个锥盆的设计，在这种情况下，通常是锥盆2’与支撑结构5’连接，罩体3’与支撑结构5’或者锥盆2’连接。但这种结构设计会导致振动组件的结构强度较弱，容易出现振膜折环与锥盆的反谐振、罩体与音圈支撑结构的谐振，其频率响应范围小，高频截止频率低，严重影响扬声器的声学性能。因此，有必要对现有技术的扬声器及其电子产品做进一步改进，以解决上述问题。

发明内容

本专利所要解决的技术问题是通过设置加强部，使其与罩体、锥盆等连接在一起，抑制上述的反谐振与谐振，改善FR高频响应。本发明提供的具体技术方案是：

一种发声装置，包括振动组件，所述振动组件包括：

音圈，以及与所述音圈连接在一起并支撑所述音圈的支撑结构；

振膜，所述振膜的一端通过第一锥盆与所述支撑结构连接固定；

罩体，所述罩体与所述支撑结构靠近所述振膜的一端连接；

其中，还包括加强部，所述加强部的一端与所述第一锥盆连接固定，另一端与所述罩体结合。

优选的，所述加强部为第二锥盆。

优选的，所述支撑结构包括用以与所述音圈连接固定的第一固定区域，以及用以与所属第一锥盆、所述罩体连接固定的第二固定区域，在所述第二固定区域位置处，所述第一锥盆、所述第二锥盆、所述罩体与所述支撑结构共同形成三角形结构。

优选的，所述支撑结构呈两端开口的筒形，所述罩体与所述第二锥盆固定在所述支撑结构的第一端，并且所述罩体覆盖所述支撑结构的第一端开口；所述第一锥盆固定在所述支撑结构的第一端和第二端之间的位置。

优选的，所述第二锥盆与所述罩体一体成型；或者，所述第二锥盆与所述罩体为分别单独成型的结构。

优选的，所述支撑结构为环形的筒状结构，所述支撑结构上设置有透气孔；所述音圈结合在所述支撑结构的外侧面上。

优选的，所述支撑结构设置有两个，分别设置在所述音圈的内侧和外侧，所述第一锥盆连接固定在位于外侧的所述支撑结构的外侧面上。

优选的，还包括磁路组件，所述磁路组件包括U铁、设置在所述U铁内的磁铁以及结合在所述磁铁的上表面的导磁板。

优选的，还包括磁路组件，所述磁路组件包括T铁、套设在所述T铁的芯柱外侧的磁铁和导磁板。

优选的，所述导磁板的上表面设置有副磁铁。

优选的，所述第一锥盆与所述支撑结构通过涂胶粘结在一起，在所述支撑结构的外侧面与所述第一锥盆的内侧面之间形成环形的第一涂胶区；

所述罩体与所述支撑结构通过涂胶粘结在一起；所述罩体与所述支撑结构相结合的位置处设置有环形翻边，在所述支撑结构的外侧面与所述翻边的内侧面之间形成环形的第二涂胶区。

优选的，所述振膜包括折环，所述折环上设置有与所述第一锥盆连接固定的结合部，所述结合部与所述第二锥盆分别结合在所述第一锥盆的两侧。

优选的，所述第一锥盆为纸、铝或者树脂材料中的任意一种；所述第二锥盆为纸、铝或者树脂材料中的任意一种；所述第一锥盆、所述第二锥盆的材质相同或不同。

优选的，所述第二锥盆整体呈锥形环状结构，在所述第二锥盆的两端开口处分别设置有用以与所述第一锥盆、所述罩体粘结固定的第一连接部和第二连接部。

本发明所提供的发声装置，在现有扬声器结构的基础上，另外设置有加强部，该加强部的一端与第一锥盆连接固定，另一端则与罩体结合在一起，一方面，从结构设计上，加强部可以提高振动组件整体的结构强度，进一步地，可以对应到该加强部对声学性能的改善，即当振动组件整体的结构强度得到提高时，振膜与第一锥盆之间的反谐振以及振膜与音圈支撑结构之间的谐振现象可以得到明显改善，提升高频截止频率，从而改善FR高频响应。

本发明所提供的发声装置，其加强部优选设计为第二锥盆，此时，通过在振动组件中设置有两个锥盆来实现对振动组件整体强度的提高，并且第一锥盆、加强部、罩体与音圈的支撑结构能够共同在局部形成三角形结构，除上述对声学性能的优化以外，其结构整体的稳定性也有所提升。

根据本发明的另一构思，还提供一种电子设备，所述电子设备包括上述的发声装置。

优选的，所述电子设备为音箱或者音响。

本发明的电子设备，其高频处的声学性能更好。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1为现有技术发声装置振动组件的剖面示意图；

图2为本发明实施例发声装置振动组件的剖面示意图；

图3为图2中A部分的放大示意图；

图4为本发明实施例与现有技术发声装置的FR仿真曲线对比图。

附图标记说明：

1、振膜，1’、振膜，2、第一锥盆，2’、锥盆，3、罩体、31、翻边，3’、罩体，4、音圈，4’、音圈，5、支撑结构，51、第一固定区域，52、第二固定区域，53、透气孔，5’、支撑结构，6、第二锥盆，61、第一连接部，62、第二连接部，S1、第一涂胶区，S2、第二涂胶区。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

根据本发明的一个方面，本发明提供一种发声装置，包括振动组件，振动组件包括：音圈，以及与音圈连接在一起并支撑音圈的支撑结构；振膜，振膜的一端通过第一锥盆与支撑结构连接固定；罩体，罩体与支撑结构靠近振膜的一端连接；还包括加强部，加强部的一端与第一锥盆连接固定，另一端与罩体结合。

下面结合附图进一步阐述本发明。

实施例：

例如图2和图3所示，本实施方式的发声装置，其振动组件具体包括振膜1、第一锥盆2、罩体3、音圈4以及支撑结构5，其中，就各部件之间的连接关系而言，音圈4与支撑结构5连接在一起，支撑结构5可以支撑音圈4，并且音圈4可以通过支撑结构5与第一锥盆2连接，第一锥盆2连接振膜1的一端，即振膜1实际是通过第一锥盆2与支撑结构5连接固定的。罩体3与支撑结构5的靠近振膜1的一端连接。

在本实施方式中，加强部被设置为第二锥盆6，第二锥盆6的一端与第一锥盆2连接固定，另一端则与罩体3结合在一起。为了能更大限度的发挥第二锥盆6对高频FR的改善效果，实施时，可以将第二锥盆6的一端结合在第一锥盆2的外边缘位置，将另一端结合在罩体3的与支撑结构5相结合的位置。

显然，在本实施方式中，发声装置的振动组件具体包括了两部分锥盆结构，即第一锥盆2和第二锥盆6，相比于现有技术中的单锥盆而言，第二锥盆6的设置能够有效提高振动组件的整体结构强度，抑制振膜1与第一锥盆2之间的反谐振以及振膜1与音圈支撑结构5之间的谐振，提升高频截止频率，对FR高频响应有明显改善。

具体的，请参照图4，图4示出了现有技术单锥盆结构与本实施方式双锥盆结构时的FR曲线，其横轴代表的是频率/Hz，纵轴代表响度/dB其中，实线对应的是现有技术结构下的FR曲线，虚线对应的是本实施方式结构下的FR曲线，通过对比可知，中频谷后移约2kHz，高频截止频率也由9.5kHz提升至13.5kHz，FR在10.5k-19kHz大幅提升，整个FR高频变的更加平坦，因此，本实施方式发声装置的FR明显优于现有技术发声装置的响应。

另外，结合图2、图3可以看到，由于第一锥盆2、罩体3均与支撑结构5连接，而第二锥盆6一端连接第一锥盆2，另一端连接罩体3，因此第一锥盆2、罩体3、支撑结构5以及第二锥盆6共同在局部形成了三角形结构。具体而言，如果定义支撑结构5的用以与音圈4连接固定的为第一固定区域51，定义用以与第一锥盆2、罩体3连接固定的为第二固定区域51，那么显然此处所述的三角形结构具体是形成在第二固定区域52的位置处。

具体地，在本实施方式中，支撑结构5为环形的筒状结构，且两端设置为开口，音圈4结合在支撑结构5的外侧面上，并且位于支撑结构5的下部区域，罩体3、第二锥盆6固定在支撑结构的第一端(上部端面)，而第一锥盆2则固定在第一端和第二端(即下部端面)之间的位置，当然，第一锥盆2同时是位于第二固定区域52内的。其中，罩体3需要覆盖住支撑结构5的第一端开口，从而防止外界的灰尘等杂物进入发声装置的内部，该部分作用与现有技术中的罩体相同，在此不再赘述。

此外，考虑到减重及散热的需求，支撑结构5的侧壁上可以设置若干个透气孔53，透气孔53可以围绕筒形支撑结构5的侧壁周向均匀排列，也可以非均匀排列，具体设置方式不限。

上述各个部件在具体装配时，第一锥盆2与支撑结构5可以通过涂胶粘结在一起，为了保证二者之间结合的强度，可以在支撑结构5的外侧面与第一锥盆2的内侧面之间形成环形的第一涂胶区S1，在该涂胶区内能够容纳足够的胶体，既能保证二者连接的稳定性，又能够避免产生过多的溢胶影响产品的外观和性能。

同样的，罩体3与支撑结构5也可以通过涂胶粘结在一起，其中，罩体3通常设置为圆顶形，本实施例中具体为下凹的圆顶形结构，为了便于涂胶，并且提高与支撑结构5结合的牢固程度，罩体3与支撑结构5的第一端相结合的位置设置为平面，并且基于该平面延伸设置有向下倾斜的环形翻边结构，罩体与所述支撑结构相结合的位置处设置有环形翻边31，这样有利于在支撑结构5的外侧面与翻边31的内侧面之间形成环形的第二涂胶区S2，并且能够使得胶体容纳于罩体3的整体结构的内侧，防止胶体外溢。

在本实施方式中，第一锥盆2与第二锥盆6都涉及为锥形的环状结构，且均被设置为两端开口，为了更好的与第一锥盆2、罩体3连接固定，在第二锥盆6的两端开口处可以分别设置第一连接部61和第二连接部62，其中，第一连接部61用以与第一锥盆2结合，第一连接部61可以基于第二锥盆6的主体部分向外侧倾斜一定角度，例如图2中所示出的与第一锥盆2的主体大致平行，这样在第一连接部61与第一锥盆2相结合的区域涂布胶体使二者连接固定。第二连接部62用以与罩体3结合，第二连接部62同样也可以是基于第二锥盆6的底端位置水平延伸出的平面结构(当然也可以是倾斜一定角度等其他形式)，该部分与罩体3的平面部分之间可以通过涂胶紧密结合在一起。当然，以上只是基于本实施方式的图例对部件之间的结合方式进行说明，便于理解，并不用于限定本发明，上述各部件之间的连接方式、连接部/结合部的具体形状设计等等均不受上述内容的限制。

对振膜1而言，其包括折环，折环通常可以设置为具有环形的弧形凸起结构，折环的内、外侧分别设置有用于以第一锥盆2、发声装置的支架(未示出)连接固定的结合部，具体的，可以是在折环的内侧沿与第一锥盆2的主体平行的方向延伸设置的延伸段，该延伸段和第一锥盆2紧密连接在一起；或者，振膜1与第一锥盆2可以是一体成型的结构。由于第二锥盆6也需要同时与第一锥盆2连接，因此上述的结合部与第二锥盆6可以分别结合在第一锥盆2的两侧。

需要说明的是，本实施方式中，第二锥盆6与罩体3是分别单独成型的结构，但在其他一些实施方式中，也可以使二者一体成型，即可以自罩体3上向靠近第一锥盆2的顶端的方向延伸而成。另外，第一锥盆2与第二锥盆6的选材均可以为纸、铝或者树脂材料(例如PP)中的任意一种，当然也不排除是任意几种的组合。第一锥盆2、第二锥盆6的材质可以相同，也可以不同，可以根据需要进行灵活选择。

进一步的，本实施方式中示出的支撑结构5为一个筒形结构，其还可以设置两个，即音圈4的内侧与外侧分别设置一个筒形的支撑结构5，这样将音圈4包裹在中间，此时，第一锥盆2连接在位于外侧的支撑结构的外侧面上。当然，当采取这种设计方式时，发声装置的电连接实现方式也可以改变，例如可以通过定心支片上设置导线/导电片，在外侧的支撑结构上设置锡箔片等，使得导线/导电片与锡箔片接触。

公知的是，发声装置的正常工作还要依赖于磁路的驱动作用。本实施方式中，磁路组件可以采用内磁路结构，即包括U铁、设置在U铁内的磁铁以及结合在磁铁的上表面的导磁板；也可以采用外磁路结构，即包括T铁、套设在T铁的芯柱外侧的磁铁和导磁板，当然，为了优化磁力线分布，提高磁感应强度，还可以在导磁板的上表面继续设置副磁铁。当然，本发明是针对发声装置的振动组件提出的改进，并不限定驱动部分的具体结构和实现形式等。

根据本发明的另一个方面，还提供一种电子设备，该电子设备中应用上述的发声装置，通过前述分析可知，电子设备的声学性能，尤其是高频处的声学性能会更好。这里所说的电子设备，可以是音响或者音箱，例如智能音响等电子终端，但也并不局限于应用在这两种电子设备，本领域技术人员应当理解，只要是能够将本发明的发声装置作为一个发声单元而应用的电子设备都可以考虑在内。

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。