阅读说明：本技术 一种斜齿图形光栅板的制作方法及光栅板 (Manufacturing method of helical tooth pattern grating plate and grating plate ) 是由 岳力挽 毛智彪 唐步高 顾大公 马潇 许从应 于 2019-09-11 设计创作，主要内容包括：本发明适用于光学全息成像技术领域,提供了一种斜齿图形光栅板的制作方法及光栅板,其中,方法包括：对衬底进行直角刻蚀形成凹槽；对所述凹槽的一侧进行斜角刻蚀形成第一斜角；在形成所述第一斜角的衬底上设置介质膜并进行刻蚀,形成凸起；对所述凸起的一侧进行斜角刻蚀形成第二斜角。本发明能够大大提高斜齿图形光栅板的生产效率,降低生产成本。(The invention is suitable for the technical field of optical holographic imaging, and provides a manufacturing method of a helical tooth pattern grating plate and the grating plate, wherein the method comprises the following steps: carrying out right-angle etching on the substrate to form a groove; performing bevel etching on one side of the groove to form a first bevel; arranging a dielectric film on the substrate with the first bevel angle and etching to form a protrusion; and performing bevel etching on one side of the protrusion to form a second bevel. The invention can greatly improve the production efficiency of the helical tooth pattern grating plate and reduce the production cost.)

一种斜齿图形光栅板的制作方法及光栅板

技术领域

本发明属于光学全息成像技术领域，尤其涉及一种斜齿图形光栅板的制作方法及光栅板。

背景技术

光栅板是具有空间周期性结构的精密光学元件。能够自由着色、无嗅无味无毒，具有刚性、绝缘、印刷性好等优点。通过利用光的衍射原理对复色光进行分解，实现被拍物体在相位以及振幅上的转换，人类的大脑会通过双眼的视觉差将不同角度的几幅画面进行加工处理，形成由深度的图像。广泛地应用于宾馆、酒店、商场、体育馆、机场候机楼、候车亭等户内广告灯箱及婚纱影楼、人物写真、装饰画类。

在现有技术中，在集成电路芯片制造上，通过浸没式光刻机光刻，将光刻胶进行曝光处理后结合刻蚀处理需要去除的部分，能制造出对称的齿型栅板，例如直角型、倒斜角型或者斜角型，对称型的光栅板在进行光学全息成像时，所成的像会受到对称图形的限制。可见，在现有技术中，存在对称型的光栅板在进行光学全息成像时成像效果差的问题。因此，为了提高成像效果，需要使用一种斜齿光栅板，而该光栅板目前的制造工艺方法，效率很低，成本也很高。

发明内容

本发明实施例提供一种斜齿图形光栅板的制作方法，旨在解决斜齿型光栅板在生产效率低、成本高的问题。

本发明实施例是这样实现的，提供一种斜齿图形光栅板的制作方法，包括步骤:

对衬底进行直角刻蚀形成凹槽；

对所述凹槽的一侧进行斜角刻蚀形成第一斜角；

在形成所述第一斜角的衬底上设置介质膜并进行刻蚀，形成凸起；

对所述凸起的一侧进行斜角刻蚀形成第二斜角。

更进一步地，对所述凹槽的一侧进行斜角刻蚀形成第一斜角的步骤具体包括：

将所述光掩膜板对应所述凹槽的位置向所述凹槽的第一侧偏离设置；

对形成在已刻蚀有所述凹槽的衬底上的光刻胶进行光刻，并对中间层进行刻蚀，使所述凹槽的第一侧直角区域露出、第二侧直角区域保留光刻胶的覆盖；

对所述凹槽的第一侧直角区域进行刻蚀形成所述第一斜角。

更进一步地，所述在形成所述第一斜角的衬底上设置介质膜并进行刻蚀，形成凸起的具体步骤包括：

在形成第一斜角的衬底上设置所述介质膜；

对所述介质膜进行研磨，去除衬底表层上的介质膜，保留沉积在所述凹槽内的介质膜，形成介质膜凹槽；

对形成所述介质膜凹槽的衬底进行选择性刻蚀，去除与所述介质膜凹槽处于同一水平面上的表层衬底，形成由介质膜构成的凸起。

更进一步地，对所述凸起的一侧进行斜角刻蚀形成第二斜角的步骤具体包括：

将所述光掩膜板对应所述凸起的位置向所述凸起的第一侧偏离设置；

对形成在已刻蚀有所述凸起的衬底上的光刻胶进行光刻，并对中间层进行刻蚀，使所述凸起的第一侧直角区域露出、第二侧斜角区域保留光刻胶的覆盖；

对所述凸起的第一侧直角区域进行刻蚀形成所述第二斜角。

更进一步地，对衬底进行直角刻蚀形成凹槽的步骤具体包括：

将所述光掩膜板设置在所述衬底正上方；

对形成在所述衬底上的光刻胶进行光刻，并对中间层进行刻蚀；

对所述衬底进行所述直角刻蚀形成凹槽。

更进一步地，在将所述光掩膜板对应所述凹槽的位置向所述凹槽的第一侧偏离设置的步骤之前，还包括步骤：

除去形成在已刻蚀有所述凹槽的衬底上的所述光刻胶及中间层；

对已形成所述凹槽的衬底旋涂光刻胶及中间层进行完整覆盖。

更进一步地，在形成第一斜角的衬底上设置介质膜的步骤之前，还包括步骤：

去除形成在已刻蚀有所述第一斜角的衬底上的光刻胶及中间层。

更进一步地，在将所述光掩膜板对应所述凸起的位置向所述凸起的第一侧偏离设置的步骤之前，还包括步骤：

对已形成所述凸起的衬底旋涂光刻胶及中间层进行完整覆盖。

更进一步地，在对所述凸起的第一侧直角区域进行刻蚀形成所述第二斜角的步骤之后，还包括步骤：

除去形成在已刻蚀有第二斜角的衬底上的所述光刻胶及中间层，形成具有斜齿状的非对称凸起的衬底。

本发明还提供一种光栅板，包括衬底，所述衬底上设置有斜齿状的非对称凸起。

本发明还提供一种光栅板，包括具体实施例中任一所述的斜齿图形光栅板的制作方法。

本发明所达到的有益效果：本发明由于对所述衬底先进行直角刻蚀，得到具有凹槽的衬底，再对所述凹槽的一侧进行所述斜角刻蚀、并在形成第一斜角后的衬底上设置介质膜后进行刻蚀，形成由所述介质膜构成的具有凸起结构的衬底，再通过对所述凸起进行斜角刻蚀形成第二斜角，所以可以得到具有所述第一斜角和所述第二斜角的衬底，也即是具有锯齿状的非对称凸起的衬底(光栅板)，通过两次斜角刻蚀降低了工艺难度，提高斜齿图形光栅板的生产效率，降低生产成本。

附图说明

图1是本申请实施例提供的一种斜齿图形光栅板的制作方法的具体实施例的流程图；

图2是图1中步骤102的一种具体实施例的流程图；

图3是图1中步骤103的一种具体实施例的流程图；

图4是图1中步骤104的一种具体实施例的流程图；

图5是图1中步骤101的一种具体实施例的流程图；

图6是本申请实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的具体实施例的流程图；

图7是本申请实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的具体实施例的流程图；

图8是本申请实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的具体实施例的流程图；

图9是本申请实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的具体实施例的流程图；

图10是本申请实施例提供的斜角刻蚀的具体实施例的结构示意图；

图11是本申请实施例提供的另一种斜角刻蚀具体实施例的结构示意图；

图12是本申请实施例提供的另一种斜角刻蚀具体实施例的结构示意图；

图13是本申请实施例提供的介质膜与衬底的具体实施例的结构示意图；

图14是本申请实施例提供的另一种介质膜与衬底具体实施例的结构示意图；

图15是本申请实施例提供的凸起的具体实施例的结构示意图；

图16是本申请实施例提供的另一种斜角刻蚀的具体实施例的结构示意图；

图17是本申请实施例提供的直角刻蚀具体实施例的结构示意图；

图18是本申请实施例提供的另一种直角刻蚀具体实施例的结构示意图；

图19是本申请实施例提供的另一种直角刻蚀具体实施例的结构示意图；

图20是本申请实施例提供的光栅板的具体实施例的结构示意图。

其中，1、衬底，2、凹槽，3、光掩膜板，4、第一斜角，5、介质膜，6、凸起，7、第二斜角，8、光刻胶，9、中间层。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

在现有技术中，在集成电路芯片制造上，通过浸没式光刻机光刻，将光刻胶进行曝光处理后结合刻蚀处理需要去除的部分，能制造出对称的齿型栅板，例如直角型、倒斜角型或者斜角型；而本发明申请通过光掩膜板的多次偏离设置，对凹槽进行直角刻蚀、斜角刻蚀后，形成具有斜角的凹槽的衬底，然后在该衬底上设置介质膜，进行选择性刻蚀形成由介质膜组成的凸起，并设置在衬底上，该凸起具有第一斜角及第二斜角，可以得到斜齿图形的非对称凸起的衬底，通过两次斜角刻蚀降低了工艺难度，提高斜齿图形光栅板的生产效率，降低生产成本。

实施例一

如图1所示，示出了根据本申请的斜齿图形光栅板的制作方法的一个实施例的流程图。上述的斜齿图形光栅板的制作方法，包括步骤：

步骤101，对衬底1进行直角刻蚀形成凹槽2。

具体的，可以将光掩膜板3设置在衬底1的正上方，两边与衬底1对齐设置。光掩膜板3底部可以是呈周期凹槽2形状，凹槽2内可以通过光刻机让紫外光照射光掩膜板3，对衬底1上层的保护层进行除去，光刻机可以是浸没式光刻机，沉浸式光刻机精度高。对衬底1表面进行直角刻蚀可以是通过干法刻蚀机进行，通过等离子体与没有保护层保护的区域的表面进行物理或者化学反应进一步在衬底1表面形成凹槽2。衬底1的材料可以是硅(Si)、二氧化硅(SiO₂)。凹槽2的形状可以是直角形状。其中，干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术，当气体以等离子体形式存在时，根据被刻蚀衬底材料，选择合适的气体，就可以更快地与衬底材料进行反应，实现刻蚀去除的目的。

步骤102，对凹槽2的一侧进行斜角刻蚀形成第一斜角4。

具体的，光掩膜板3可以是相对于凹槽2的位置向一侧偏置设置，对垂直方向上的材料进行曝光，其中，一侧可以是左侧也可以是右侧，根据需要进行设置。沉浸式光刻机让紫外线照射光掩膜板3，通过光掩膜板3的凹槽位对偏置的垂直方向的保护层进行除去，根据光掩膜板3偏置的那一侧，通过干法刻蚀机发出等离子体与没有保护层的那侧的衬底区域进行斜角刻蚀，形成第一斜角4，斜角刻蚀后的凹槽2开口处口径增大。这样，能够在衬底1上能够刻蚀出具有第一斜角4的凹槽2，并且光掩膜板3进行偏置，而不是重新选取，能够节约光掩膜板3的数量，从而降低成本。

步骤103，在形成第一斜角4的衬底1上设置介质膜5并进行刻蚀，形成凸起6。

其中，介质膜5可以有多种选择或者多种组合选择，例如：衬底材料为硅，介质膜5为二氧化硅、氮化硅或者多晶硅，又例如：衬底材料为二氧化硅，则介质为硅、氮化硅或者多晶硅。在形成了凹槽2的衬底1上沉积一层刻蚀介质膜5，可以通过物理气相沉积(PVD)或者化学气相沉积(CVD)进行，并且介质膜5与衬底材料对湿法刻蚀液具有不同的耐刻蚀性能。

具体的，对设置有介质膜5的衬底1进行刻蚀，可以是通过湿法刻蚀机进行湿法刻蚀，因为耐刻蚀性能不同，通过调整湿法刻蚀液的配方可以去除或者保留对应的材料，本实施例是通过调整不同的湿法刻蚀液配方，保留了沉积在形成了第一斜角4的凹槽2的介质膜5，去除了该介质膜5两侧的衬底材料，形成凸起6。

步骤104，对凸起6的一侧进行斜角刻蚀形成第二斜角7。

具体的，光掩膜板3可以是相对于凸起6的位置向凸起6的一侧偏置，对垂直方向上的材料进行曝光，其中，一侧可以是凸起6的直角边这一侧。沉浸式光刻机可以让紫外线照射光掩膜板3，对垂直方向的凸起6直角边侧的保护层进行除去，通过干法刻蚀机发出等离子体对去除保护层的一侧的介质膜区域进行斜角刻蚀，形成第二斜角，形成的第二斜边与第一斜边可以是平行且等长的两条边。这样，有利于获取到刻有锯齿图形的非对称凸起6的衬底，通过斜角刻蚀也降低了工艺难度。

本发明由于对衬底1先进行直角刻蚀，得到具有凹槽2的衬底，再对凹槽2的一侧进行斜角刻蚀、并在形成第一斜角4后的衬底1上设置介质膜5后进行刻蚀，形成由介质膜5构成的具有凸起6结构的衬底，再通过对凸起6进行斜角刻蚀形成第二斜角7，所以可以得到具有第一斜角4和第二斜角7的衬底1，也即是具有锯齿状的非对称凸起6的衬底，通过两次斜角刻蚀降低了工艺难度，提高斜齿图形光栅板的生产效率，降低生产成本。

实施例二

如图2所示，为本发明实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的实施例流程图。结合附图10-12所示的具体实施例结构示意图，在实施例一的基础上，上述步骤102具体包括：

步骤201，将光掩膜板3对应凹槽2的位置向凹槽2的第一侧偏离设置；

步骤202，对形成在已刻蚀有凹槽2的衬底1上的光刻胶8进行光刻，并对中间层9进行刻蚀，使凹槽2的第一侧直角区域露出、第二侧直角区域保留光刻胶8的覆盖；

步骤203，对凹槽2的第一侧直角区域进行刻蚀形成第一斜角4。

其中，可以由光刻胶8以及中间层9形成衬底1的保护层，通过旋涂工艺将光刻胶8和中间层9旋涂在衬底1的上表面，衬底1、置于衬底1上的中间层9、以及置于中间层9上的光刻胶8三者构成膜层结构，从下至上依次设置。光刻胶8可以是光敏材料，曝光后会被显影液洗掉；中间层9的材料可以是抗反射层、碳涂层或者硬掩膜层等，可以采用树脂、SiO₂、SiN等材料。通过设置成不同的材料，与衬底材料相比具有耐刻蚀能力上的区别，可将需要刻蚀的地方刻蚀出图形的同时，也不会影响其他材料。因此中间层9可以将上层光刻胶8形成的图形转移至衬底1。添加中间层9对于小尺寸的图形可以降低对沉底对曝光的反射，保证光刻工艺的分辨率。

具体的，向第一侧偏置设置，偏置的距离可以是凹槽2的一半宽度，当然，可以设置有容差范围，例如：偏差不超过凹槽2宽度的10％，凹槽2宽度为10mm，则偏置的距离为5mm±0.1mm。光掩膜板3上的图形在光刻时转移到光刻胶8上，当沉浸式光刻机将紫外光线照射到光掩膜板3上，透过光掩膜板3的凹槽部分的紫外线光将会对置于最上层的光刻胶8进行垂直方向上的曝光，曝光区的光刻胶8可以被后续的显影液洗掉，紧接着会对中间层9进行垂直方向上的干法刻蚀，光刻胶8上的图形会转移到中间层9，当中间层9打开后，凹槽2的第一侧的直角区域会暴露出来，等离子体进一步会对暴露出来的直角区域进行斜角刻蚀，最终形成具有第一斜角4的衬底1，也即是衬底1在有光刻胶8保护的垂直方向的区域被保留下来，无光刻胶8保护的区域被刻蚀出斜角光栅图，并且在已经完成了直角刻蚀的部分，不会受到斜角刻蚀的影响。

这样，通过将光掩膜板3相对于凹槽2的位置向第一侧偏置，可以减少对光掩膜板3的使用数量，节约成本；对垂直方向上的光刻胶8及中间层9进行光刻之后，使得凹槽2第一侧的直角区域露出，并对第一侧的直角区域进行斜角刻蚀，有利于在衬底1上得到具有第一斜角图形的凹槽2。

实施例三

如图3所示，为本发明实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的实施例流程图，结合附图13-15所示的具体实施例结构示意图，在实施例一至二的基础上，上述步骤103具体包括：

步骤301，在形成第一斜角4的衬底1上设置介质膜5；

步骤302，对介质膜5进行研磨，去除衬底1表层上的介质膜5，保留沉积在凹槽2内的介质膜5，形成介质膜凹槽；

步骤303，对形成介质膜凹槽的衬底1进行选择性刻蚀，去除与介质膜凹槽处于同一水平面上的表层衬底，形成由介质膜5构成的凸起6。

具体的，可以通过薄膜工艺手段中PVD或者CVD方法在衬底1上沉积一层刻蚀介质膜5，介质膜5与衬底1的耐刻蚀性能不同。介质膜5需要完全的覆盖在形成了第一斜角4的凹槽2的衬底1上，为了保留形成的第一斜角4的凹槽2内的介质膜5，可以对出了凹槽2内的介质膜5进行去除，去除的方式可以通过化学机械研磨，能够精准控制研磨厚度，将多余的介质膜5进行去除，让上表面保持平整，最终会形成由介质膜5填充的介质膜凹槽。通过调整对应的湿法刻蚀液的配方，通过湿法刻蚀机对形成介质膜凹槽的衬底1进行选择性刻蚀，该湿法刻蚀液可以与衬底材料发生反应进而对衬底1与介质膜凹槽在同一水平面的部分进行刻蚀去除，完整保留介质膜凹槽部分，形成一个凸起6，原来形成的第一斜角4在凸起6上相应变为倒斜角。

这样，通过调节湿法刻蚀液配方针对衬底1以及介质膜材料的耐刻蚀性能进行刻蚀，有利于保留所需要留下来的图形材料，得到在衬底1上具有倒斜角的光栅图形。

实施例四

如图4所示，为本发明实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的实施例流程图，结合附图16所示的具体实施例结构示意图，在实施例一至三的基础上，上述步骤104具体包括：

步骤401，将光掩膜板3对应凸起6的位置向凸起6的第一侧偏离设置；

步骤402，对形成在已刻蚀有凸起6的衬底1上的光刻胶8进行光刻，并对中间层9进行刻蚀，使凸起6的第一侧直角区域露出、第二侧斜角区域保留光刻胶8的覆盖；

步骤403，对凸起6的第一侧直角区域进行刻蚀形成第二斜角7。

具体的，上述将光掩膜板3可以是对应凸起6的位置向第一侧偏置，第一侧可以是右侧，也可以是左侧。偏置的距离可以是凸起6的一半宽度，最好是每次偏置设置的距离是相等的。当然，可以设置有容差范围，例如：偏差不超过凸起6宽度的10％，凸起6宽度为10mm，则偏置的距离为5mm±0.1mm。在对凹槽2完成斜角刻蚀形成第一斜角4后，沉浸式光刻机将紫外光线再次照射到光掩膜板3上，透过光掩膜板3，紫外光束将会对置于最上层的光刻胶8进行垂直方向上的曝光，曝光区的光刻胶8可以被后续的显影液洗掉，紧接着会对中间层9进行垂直方向上的干法刻蚀，光刻胶8上的图形会转移到中间层9，当中间层9打开后，凸起6的第一侧直角区域会露出，等离子体对第一侧直角区域的部分进行斜角刻蚀，最终形成具有得斜角的衬底1，中间层9图形将会转移第二斜角7的凹槽2上，也即是凸起6在有光刻胶8保护的垂直方向的区域被保留下来，无光刻胶8保护的区域被刻蚀出斜角光栅图形，并且在已经完成了直角刻蚀的部分，不会受到倒斜角刻蚀的影响。

这样，通过将光掩膜板3相对于凸起6的位置向第一侧偏置，可以节约光掩膜板3的使用数量，节约成本；让凸起6的第一侧直角区域露出有利于通过斜角刻蚀出第二斜角7，并将图形转移到形成第二斜角7处的衬底1上，最终得到具有锯齿图形的非对称衬底，可以降低工艺难度。

实施例五

如图5所示，为本发明实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的实施例流程图，结合附图17-19所示的具体实施例结构示意图，在实施例一的基础上，上述步骤101具体包括：

步骤501，将光掩膜板3设置在衬底1正上方；

步骤502，对形成在衬底1上的光刻胶8进行光刻，并对中间层9进行刻蚀；

步骤503，对衬底1进行直角刻蚀形成凹槽2。

其中，光刻胶8、中间层9与衬底1从上至下依次排列，可以等长不等厚，根据需要进行设置。光刻胶8、中间层9以及衬底1采用的刻蚀工艺不一样，所以达到的效果也不一样，可以是选择不同的刻蚀气体使得刻蚀工艺有选择性的对某一个材料具有较强的刻蚀力，并且不影响对其他材料，例如：在对光刻胶8及中间层9进行刻蚀，但是不会影响对衬底1的刻蚀。

具体的，光掩膜板3对光刻胶8进行光刻，被光束照射到的垂直方向的曝光区域，材料的极性会发生改变，后续可以被显影液洗掉，没有曝光的区域会被保留下来，进一步通过干法刻蚀机对中间层9进行干法刻蚀，保留需要刻蚀的区域，刻蚀出图形。中间层9完成图形刻蚀之后，进一步对衬底1进行直角刻蚀形成凹槽2，让中间层9已刻蚀的图形将会转移至凹槽2。

这样，通过先将光掩膜板3上的图形通过对光刻胶8进行光刻，进一步对中间层9进行刻蚀，最后对衬底1进行直角刻蚀，有利于将光掩膜板3上的图形转移光刻胶8上，然后光刻胶8再将图形转移到中间层9，中间层9再将图形转移至凹槽2上。

实施例六

如图6所示，为本发明实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的实施例流程图，在实施例一的基础上，在步骤201之前，具体还包括：

步骤601，除去形成在已刻蚀有凹槽2的衬底1上的光刻胶8及中间层9；

步骤602，对已形成凹槽2的衬底1旋涂光刻胶8及中间层9进行完整覆盖。

具体的，在对衬底1的凹槽2的第一侧直角区域进行斜角刻蚀之前，衬底1上的光刻胶8以及中间层9可以是重新通过旋涂工艺进行旋涂在衬底1凹槽2表面的。自旋涂之前，可以先使用光刻胶8剥离液去除在对衬底1进行直角刻蚀后残余的光刻胶8以及中间层9，剥离液可以是酸性或者碱性溶液。即对凹槽2第一侧直角区域进行斜角刻蚀与对衬底1进行直角刻蚀上层的光刻胶8及中间层9并非同一层。

这样，通过对凹槽2的第一侧直角区域进行斜角刻蚀之前重新旋涂光刻胶8以及中间层9，形成新的搭配，有利于形成尺寸更小、效果更好的光栅图形。

实施例七

如图7所示，为本发明实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的实施例流程图，在实施例一至二的基础上，在步骤301之前，具体还包括：

步骤701，去除形成在已刻蚀有第一斜角4的衬底1上的光刻胶8及中间层9。

具体的，在形成第一斜角4刻后，需要先用光刻胶8剥离液等对残余在衬底1上的光刻胶8以及中间层9进行去除，再对形成第一斜角4的衬底1沉积介质膜5。这样，每一次光刻胶8及中间层9都需要重新设置，有利于避免残留物对工艺造成影响，并且整体形成新的搭配，有利于形成尺寸更小、效果更好的光栅图形。

实施例八

如图8所示，为本发明实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的实施例流程图，在实施例一至三的基础上，在步骤401之前，具体还包括：

步骤801，对已形成凸起6的衬底1旋涂光刻胶8及中间层9进行完整覆盖。

具体的，在进行光掩膜板3向凸起6的第一侧偏离设置对凸起6的第一侧直角区域进行斜角刻蚀形成第二斜角7之前，已形成凸起6上的光刻胶8以及中间层9可以是重新通过旋涂工艺进行旋涂在衬底1表面的，并且覆盖凸起6。自旋涂之前，及对凸起6第一侧直角区域进行斜角刻蚀与对凹槽2第一侧直角区域进行斜角刻蚀的上层光刻胶8及中间层9非同一层。

这样，通过向凸起6第一侧偏离设置对凸起6的第一侧直角区域进行斜角刻蚀形成第二斜角7之前，重新旋涂光刻胶8以及中间层9，形成新的搭配，有利于形成尺寸更小、效果更好的光栅图形。

实施例九

如图9所示，为本发明实施例提供的另一种斜齿图形光栅板的制作方法的实施例流程图，在实施例一至四的基础上，在步骤403之后，具体还包括：

步骤901，除去形成在已刻蚀有第二斜角7的衬底1上的光刻胶及中间层9，形成具有斜齿状的非对称凸起6的衬底。

具体的，完成对衬底1的第一斜角4及第二斜角7刻蚀之后，通过光刻胶8剥离液将完成第一斜角刻蚀后残留的光刻胶8以及中间层9去除，得到一个完整的衬底，该衬底上具有斜齿状的非对称凸起6，该凸起6的两条斜边可以是相等且平行的，这样，有利于形成更好的成像效果，且生产成本低。

实施例十

参考附图20所示，为本发明提供的一种光栅板的具体实施例结构示意图，包括衬底1、衬底1上设置有斜齿状的非对称凸起6。

具体的，衬底1的材料可以采用硅或者二氧化硅等，将光掩膜板3的图形刻蚀到衬底1上，衬底1上设置有具有斜齿状的非对称凸起6，斜齿状的非对称凸起6可以有多个且等间距的排列设置在衬底1上，凸起6可以包括斜角以及与斜角平行的倒斜角，凸起6可以是一个平行四边形结构，有利于进行全息成像。

实施例十一

本发明还提供一种光栅板，包括实施例一至九任一斜齿图形光栅板的制作方法。

在该光栅板上能够实现上述实施例一至九的任一斜齿图形光栅板的制作方法的具体实施方式，并且能达到相同的有益效果，为避免重复，在此不再赘述。

本发明通过浸没式光刻机将紫外光束照射在光掩膜板3上，对光刻胶8进行光刻，再通过干法刻蚀对中间层9进行刻蚀后，光掩膜板3上的图形将会刻蚀到中间层9，再通过干法刻蚀对衬底1进行直角刻蚀得到凹槽2，凹槽2上刻蚀有中间层9转移的图形，再将光掩膜板3对应凹槽2的位置向凹槽2的第一侧进行偏置，节约光掩膜板3的数量，从而降低成本；偏置后进行斜角刻蚀形成第一斜角4，并且在形成第一斜角4的衬底1上沉积介质膜5，然后进行选择性的湿法刻蚀，形成凸起6，将光掩膜板3向凸起6的第一侧偏置进行刻蚀形成第二斜角7，最终会得到一个锯齿图形的非对称光栅板，两次刻蚀均采用斜角刻蚀能够降低工艺难度，提高斜齿图形光栅板的生产效率，降低生产成本。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、或者装置中还存在另外的相同要素。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。