阅读说明：本技术 用于向处理腔室中的电极提供预失真的rf偏置电压信号的分段式rf功率系统和方法 (Segmented RF power system and method for providing a pre-distorted RF bias voltage signal to electrodes in a process chamber ) 是由 凯·卢 亚伦·瑞多姆斯基 于 2018-04-20 设计创作，主要内容包括：提供了一种射频功率系统,其包括偏置模块、开关、匹配网络、以及控制模块。偏置模块被配置为分别生成直流DC偏置电压。开关被配置为(i)从偏置模块接收电流,以及(ii)控制来自偏置模块的电流的流动以生成射频偏置电压信号。匹配网络被配置为(i)接收射频偏置电压信号,以及(ii)基于射频偏置电压信号,将射频输出电压信号的至少一部分提供给处理腔室中的基板支撑件的电极。控制模块被连接到开关,并被配置为基于射频输出电压信号控制开关的状态,以成形射频偏置电压信号的波形。(A radio frequency power system is provided that includes a bias module, a switch, a matching network, and a control module. The bias modules are configured to generate direct current DC bias voltages, respectively. The switch is configured to (i) receive a current from the bias module, and (ii) control a flow of the current from the bias module to generate a radio frequency bias voltage signal. The matching network is configured to (i) receive an rf bias voltage signal, and (ii) provide at least a portion of the rf output voltage signal to an electrode of a substrate support in the process chamber based on the rf bias voltage signal. The control module is connected to the switch and configured to control a state of the switch based on the radio frequency output voltage signal to shape a waveform of the radio frequency bias voltage signal.)

用于向处理腔室中的电极提供预失真的RF偏置电压信号的分 段式RF功率系统和方法

技术领域

本公开涉及用于处理腔室的射频偏置电势控制系统。

背景技术

这里提供的背景描述的目的是为了总体上呈现本公开的内容。在此背景技术部分中所描述的范围内，目前署名的发明人的工作，以及在申请时可能无法以其它方式视为现有技术的描述的方面，均未明确或隐含地被认为是反对本公开的现有技术。

等离子蚀刻经常被用在半导体制造中。在等离子体蚀刻中，离子被电场加速以蚀刻基板上的裸露表面。基于RF功率系统的射频(RF)生成器生成的RF功率信号生成电场。必须精确控制RF生成器生成的RF功率信号，以有效执行等离子体蚀刻。

RF功率系统可以包括RF生成器、匹配网络和负载(例如，等离子体腔室)。RF生成器生成RF功率信号，该RF功率信号在匹配网络处被接收。匹配网络将匹配网络的输入阻抗与RF生成器和匹配网络之间的传输线的特征阻抗匹配。该阻抗匹配有助于最大化被转发到匹配网络的功率(“正向功率”)，并且最小化从匹配网络反射回RF生成器的功率(“反向功率”)。当匹配网络的输入阻抗与传输线的特征阻抗匹配时，正向功率可以被最大化，反向功率可以被最小化。

在RF电源或供电领域中，通常存在两种将RF信号施加到负载的方法。比较传统的第一种方法是将连续波信号施加到负载。在连续波模式下，连续波信号通常是正弦波，其由电源连续输出到负载。在连续波方法中，RF信号采用正弦输出，并且正弦波的幅度和/或频率可以被改变，以改变施加到负载的输出功率。

将RF信号施加到负载的第二种方法包括对RF信号施加脉冲，而不是将连续波信号施加到负载。在脉冲操作模式中，RF正弦信号由调制信号调制，以便为调制后的正弦信号定义包络。在常规的脉冲调制方案中，RF正弦信号通常以恒定的频率和幅度被输出。通过改变调制信号而不是改变正弦RF信号来改变传递给负载的功率。

在典型的RF电源配置中，通过使用传感器确定施加到负载的输出功率，该传感器测量正向功率和反射功率或施加到负载的RF信号的电压和电流。在典型的控制回路中分析这两组信号中的任何一组。该分析通常确定功率值，该功率值用于调整RF电源的输出，以改变施加到负载的功率。在负载是等离子体腔室的RF功率传输系统中，负载阻抗的变化导致施加到负载的功率发生相应的变化，因为施加的功率部分地取决于负载的阻抗。

在等离子体系统中，通常以两种配置之一输送功率。在第一配置中，功率被电容性地耦合到等离子体腔室。这样的系统被称为电容耦合等离子体(CCP)系统。在第二配置中，功率被电感性地耦合到等离子体腔室。这样的系统通常被称为电感耦合等离子体(ICP)系统。等离子体输送系统通常包括偏置功率和被施加到一个或多个电极的源功率。源功率通常被用于生成等离子体，而偏置功率通常被用于将等离子体调谐到相对于偏置RF功率水平的能量水平。根据各种设计考虑，偏置和源可以共享相同的电极或可以使用单独的电极。

当RF功率输送系统以等离子体腔室的形式驱动负载时，由功率生成的、被输送到等离子体腔室的电场会在腔室内生成离子能量。由于粒子的漂移/扩散效应以及外部施加的电场，离子能量分布不均匀。离子能量的一种特征度量是离子能量分布函数(IEDF)。基板表面处的离子能量分布函数(IEDF)可以通过RF波形进行控制。改变由频率和相位关联的多个RF信号可以是为系统控制IEDF的一种方式，在该系统中，多个RF功率信号被施加到负载。该多个RF功率信号之间的频率被锁定，并且该多个RF信号之间的相对相位也被锁定。此类系统的示例可以参考转让给本发明的受让人的第7,602,127号美国专利、第8,110,991号美国专利、以及第8,395,322号美国专利，并且通过引用将其并入本申请中。

RF等离子体处理系统包括用于等离子体生成和控制的组件。一种这样的部件被称为等离子体腔室或反应器。诸如用于薄膜制造的RF等离子体处理系统中使用的典型的等离子体腔室或反应器使用双频系统。双频系统的一个频率(源)控制等离子体的生成，双频系统的另一个频率(偏置)控制离子能量。双频系统的示例包括在上述第7,602,127号美国专利、第8,110,991号美国专利、以及第8,395,322号美国专利中描述的系统。上面引用的专利中描述的双频系统包括闭环控制系统，用于控制RF电源的工作，以控制离子密度及其相应的IEDF。

存在用于控制等离子体偏置电势并由此控制相应的IEDF的多种方法。这些方法包括：传统的低频正弦波偏置、无谐波锁定多正弦波偏置、谐波锁定多正弦波偏置、以及用于创建单调或自定义IEDF的成形偏置。这些方法中的每一种都有相关的缺点和/或局限性。例如，低频正弦波偏置方法表现出双峰IEDF(即，在RF偏置电压信号的周期内主要是两个非零离子能级或绝对电压电势)。用于控制蚀刻轮廓和/或蚀刻选择性的单调IEDF(即，在RF偏置电压信号的周期内主要是单个非零离子能量级或绝对电压电势)优于双峰IEDF。

作为另一示例，谐波控制的多正弦波偏置方法可以在高功率实施方式中被实现，但是包括大型昂贵发电机的使用，当在低偏置RF频率下工作时，这些发电机难以彼此分离。谐波控制的多正弦波偏置方法会遇到瞬时高电压峰值或零点，由于瞬时等离子体鞘层电压的变化，这些峰值或零点会影响瞬时离子能级。

成形偏置方法可受功率限制，并且还包括大型昂贵的发电机。一种成形偏置方法包括宽带放大器。很难将非线性等离子体阻抗与宽带放大器的源阻抗适当地匹配。另外，宽带放大器通常功率效率低且昂贵。

另一成形偏置方法包括开关模式电源和用于生成偏置电势的电流源的使用。该方法包括脉冲宽度调制和正弦波调制，并且由于在半桥配置中使用晶体管以及晶体管的相应击穿电压而受到功率和电压的限制。在任何时候，只有一个晶体管导通。对于高功率应用，例如高纵横比(HAR)等离子蚀刻工艺，也很难扩展这种方法。

尽管上述系统在一定程度上能够实现对等离子体工艺的控制，但对较小部件的不断增长的需求和增加的产量要求持续改进上述方法。

发明内容

提供了一种射频功率系统，其包括偏置模块、开关、匹配网络、以及控制模块。所述偏置模块被配置为分别生成直流DC偏置电压。所述开关被配置为(i)从所述偏置模块接收电流，以及(ii)控制来自所述偏置模块的所述电流的流动以生成射频偏置电压信号。所述匹配网络被配置为(i)接收所述射频偏置电压信号，以及(ii)基于所述射频偏置电压信号，将射频输出电压信号的至少一部分提供给处理腔室中的基板支撑件的电极。所述控制模块被连接到所述开关，并被配置为基于所述射频输出电压信号控制所述开关的状态，以成形所述射频偏置电压信号的波形。

在其它特征中，提供了一种操作射频功率系统的方法。该方法包括：通过偏置模块生成DC偏置电压；在开关处从所述偏置模块接收电流；通过所述开关控制来自所述偏置模块的所述电流的流动以生成射频偏置电压信号；在第一匹配网络处接收所述射频偏置电压信号；基于所述射频偏置电压信号，将射频输出电压信号的至少一部分提供给处理腔室中的基板支撑件的电极；以及基于所述射频输出电压信号控制所述开关的状态，以成形所述射频偏置电压信号的波形。

在其它特征中，提供了一种射频功率系统，其用于向处理腔室的基板支撑件中的电极提供射频功率。该射频功率系统包括处理器和存储器。所述存储器存储指令，所述指令由所述处理器可执行并且被配置为：用信号通知偏置模块生成直流偏置电压；基于所述直流偏置电压，控制开关的状态以产生射频偏置电压信号；接收反馈信号，所述反馈信号包括基于所述射频偏置电压经由匹配网络生成的射频输出信号的一部分，其中，所述反馈信号指示所述电极处的射频电压，以及根据所述反馈信号控制所述开关的所述状态，以提供预定的离子能量分布功能。

根据详细描述、权利要求书和附图，本公开的其它应用领域将变得显而易见。详细描述和特定示例仅旨在用于说明的目的，并不旨在限制本公开的范围。

附图说明

通过详细描述和附图，将更加全面地理解本公开，其中：

图1是RF功率系统的示例的示意性功能框图；

图2是示出了偏置电压信号、复合源和偏置电压信号、以及基板支撑件的电极处的电势的示例的图；

图3是根据本公开实施例的包括变压器的RF功率系统的示例的示意性功能框图；

图4是示出根据本公开实施例的组合包络电压信号和对应的偏置RF电压信号的示例的图；

图5是根据本公开实施例的不具有变压器的RF功率系统的另一示例的示意性功能框图；

图6是根据本公开实施例的示例控制模块的功能框图；以及

图7示出了根据本公开实施例的RF电压生成方法。

在附图中，附图标记可以被重复使用以标识相似和/或相同的元件。

具体实施方式

用于设置例如处理腔室的基板支撑件(例如，静电吸盘)中的电极的电压电势的RF电压生成系统可以包括源生成器和偏置生成器。在图1中示出了包括源生成器12和偏置生成器14的RF功率系统10的示例。源生成器生成预定频率(例如，10-100兆赫兹(MHz))的源RF电压信号。偏置生成器生成预定频率(例如，100-2000千赫兹(kHz))的偏置RF电压信号。源生成器和偏置生成器具有各自的匹配网络(例如，匹配电路16和18)。对于偏置生成器，匹配网络可以是与DC阻断电容器串联的简单低通滤波器。匹配网络的输出被组合以提供复合电压信号，该复合电压信号被提供给基板支撑件中的电极。在图1的示例中，匹配网络16和18的输出被提供给处理腔室22中的基板支撑件20(例如，静电吸盘或其它基板支撑件)中的电极19。基板支撑件支撑基板(或晶片)24。基板支撑件可以具有电容(例如，静电电容C_ESC或其它电容)。源RF信号主要生成等离子体，并且偏置RF信号提供高负鞘层电压以加速处理腔室中等离子体中的离子。离子被导向设置在基板支撑件上的基板以执行蚀刻工艺和/或在基板中生成例如高纵横比的特征。

本文阐述的示例包括提供控制IEDF的高功率和成形等离子体鞘层电压波形的RF电压生成系统。RF电压生成系统在提供单调IEDF的同时生成平滑的周期性的且高负的等离子体鞘层电压。为了在等离子体鞘层处提供平滑的周期性的且高负的偏置RF电压，对源生成器和偏置生成器的输出电压进行预失真处理以解决RF传输系统的等离子体耦合和寄生成分。图2示出了预失真的偏置电压信号V_RFBias 30、复合源和偏置电压信号V_composite 32、以及鞘层电压信号V_RFSheath 34的示例。来自源生成器的高频源信号的电压幅值往往比来自偏置生成器的低频偏置信号小得多，因此信号32和34被描绘成粗线，以表示源信号的相对低的电压幅值。偏置电压信号30的峰—峰电压为例如10,000V。与鞘层电压信号34相关联的功率为例如25-30千瓦(kW)。鞘层电压信号34表示位于基板支撑件的电容与等离子体之间的点处的电压电势。

图3示出了RF功率系统100，其包括偏置生成器101、源生成器104、以及匹配网络108和110。偏置生成器101包括控制模块102、偏置模块106、二极管D_1-N、变压器T和开关SW。源生成器104生成具有电压V_RFSOURCE和预定频率(例如，60MHz或其它频率)的源RF电压信号，该信号被提供给匹配网络108。此处所述的“电压”是指一个或多个电压。诸如V_RFSOURCE之类的特定电压可能会随时间变化，因此电压V_RFSOURCE的参考电压会有所变化。偏置模块106用作直流(DC)电源，并以预定的DC电压生成相应的DC电压信号。因此，偏置模块106可以被称为偏置生成器。在一个实施例中，一个偏置模块106保持导通状态，而一个或多个其它偏置模块106通过控制模块102在导通和关断状态之间转换。一个或多个其它偏置模块106的导通和关断时间由控制模块102确定。偏置模块106的输出分别经过二极管D₁-D_N，其中N是大于或等于2的整数。偏置模块106的输出被连接到变压器T的主绕组的输入。在一个实施例中，偏置模块106用作并联的电池，从而从偏置模块106输出的最高DC电压被提供到主绕组的输入。换句话说，具有最高DC电压的偏置模块106之一的输出被提供给主绕组的输入。偏置模块106可以包括相应的DC电源。

变压器T包括主绕组和副绕组。主绕组的输出被连接到开关(例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET))的端子。开关SW由控制模块102控制。控制模块102可以以线性模式或开关模式操作开关SW。在线性模式期间，开关SW作为可变电阻***作，并且被用于实现线性稳压器。控制模块102和开关SW用作高速RF电压调节器。在线性模式期间从控制模块102提供给开关SW的栅极的电压在开关SW的非饱和区域内。在开关模式期间，控制模块102向开关SW的栅极提供电压，以在饱和区域内操作开关SW。在开关模式期间，开关SW在导通(ON)和关断(OFF)状态之间转换。

在开关SW处于部分导通状态或完全导通状态时，电流从偏置模块106流经二极管_1-N、直流阻断电容器C_B1、变压器T的主绕组，并且然后流经开关SW到参考(或接地)端子111。直流阻断电容器C_B1防止变压器T的饱和。流经主绕组的电流使电流通过变压器T的副绕组。副绕组的第一端被连接到参考端子111，并且第二端被连接到匹配网络110。在匹配网络110的输入和参考端子111之间生成具有电压V_RFBIAS的RF偏置电压信号。变压器T是升压变压器，并且因此将组合包络电压V_ENVELOPE的电压幅值升至RF偏置电压V_RFBIAS的幅值。

提供匹配网络108和110作为示例，可以将不同类型和/或配置的匹配网络并入图3的RF功率系统100中。匹配网络108包括可变电容器C_S1、C_S2和电感器L_S。匹配网络110包括低通滤波器和串联的直流阻断电容器C_B2。电容器C_S2和C_B2阻断与处理腔室112中的等离子体关联的DC电压，该电压可在匹配网络108和110的输出处被接收。

匹配网络108和110的输出被彼此连接并与基板支撑件116的电极114连接，并提供具有电压V_RFOUT的RF输出电压信号。基板支撑件116在处理腔室112中支撑基板118。匹配网络108和110的输出还被连接到检测器120。检测器120有效地过滤具有电压V_RFSOURCE的RF电压信号并提供具有与电压V_RFBIAS相关联的电压V_RFBiasSense的检测电压信号。检测器120和相应的连接提供用于反馈控制的反馈回路。RF输出电压信号和检测电压信号可被称为在反馈回路中被提供的反馈信号。在一个实施例中，检测器120包括低通滤波器或带通滤波器，并且允许具有电压V_RFBIAS的RF偏置电压信号的一个或多个频率的预定范围内的频率的通过和检测。在一个实施例中，检测器120被实现为低通滤波器或带通滤波器。在一个实施例中，具有电压V_RFBIAS的RF偏置电压信号的频率是400kHz，并且滤波器允许以400kHz为中心的频带通过。在另一个实施例中，RF偏置电压信号的频率是100kHz-2MHz。

控制模块102除了接收电压V_RFBiasSense之外，还可以接收脉冲同步信号SYNC。控制模块102基于电压V_RFBiasSense和脉冲同步信号SYNC控制偏置模块106。例如，一个或多个偏置模块的导通时段的定时和持续时间可以基于电压V_RFBiasSense和脉冲同步信号SYNC。控制模块102可以基于电压V_RFBiasSense和脉冲同步信号SYNC控制开关SW的频率和/或占空比，并且由此控制具有电压V_RFBias的RF偏置电压信号的频率和/或占空比。对DC偏置电压和开关SW的参数的控制允许RF偏置电压信号的精确成形，并且由此允许RF电压输出信号和在电极114处接收的结果电压信号的精确成形。

RF功率系统100还可包括存储器130。存储器130可用于存储设定的、预定的和/或检测电压和/或其它操作参数。在每个周期，电压可以包括V_ENVELOPE、V_RFBIAS、V_RFOUT、V_RFBiasSense等。周期可以指V_RFBias和/或V_RFOUT的周期。参数可包括电压V_RFSource和与开关SW相关联的参数。开关参数可包括频率、占空比、导通时间、关断时间等。

具有电压V_ENVELOPE、V_RFBIAS的电压信号的示例在图4中示出。图4示出了具有电压V_ENVELOPE的组合包络电压信号150和具有电压V_RFBIAS的相应的RF偏置电压信号152。在电压信号150和152之间示出阴影(或十字线区域)154，其表示通过图3的线性模式操作开关SW耗散的能量。偏置模块106的输出提供包络信号150，该包络信号150提供电压高于相应的RF偏置电压信号152的外部包络。电压信号150和152可以处于低频(例如，100kHz-2MHz)。

在一个实施例中，每个偏置模块106的输出提供组合包络电压信号150的步进电压。在图4的示例中，组合包络电压信号150包括两个步进(或电压等级)156和158；每个偏置模块对应一个。由于两个或更多个偏置模块可以被包括在RF功率系统100中，所以组合包络电压信号150可以包括任意数量的步进。偏置模块和相应的步进越多，组合包络电压信号150与相应的RF偏置电压信号152就越匹配，并且耗散的能量就越少。通过提供多个DC电压步进/等级，RF功率系统100提供定制形状的RF偏置电压信号152。由于RF功率系统100提供多个偏置电压步进，RF功率系统100可被称为“逐段”或“分段”RF功率系统。对于以下描述的其它RF电源系统也是如此。尽管RF功率系统100被示为是电容耦合的RF系统，但是本文阐述的示例可适用于其它类型的RF功率系统，例如，电感耦合的RF系统。而且，尽管匹配网络108和110的输出示为被连接到相同的电极114，但是匹配网络108的输出可被提供给与匹配网络110的输出不同的电极。匹配网络108和110之一所连接的电极之一可以位于基板支撑件的外部。例如，电极之一可以被连接到喷头。对于以下描述的它他RF电源系统也是如此。

图5示出了分段RF功率系统200，其包括偏置生成器201、源生成器204以及匹配网络208和210。偏置生成器201包括控制模块202、偏置模块206、二极管D_1-N和开关SW。偏置生成器201不包括变压器。当不需要二极管D_1-N与匹配网络208之间的电压升压时，可以使用RF功率系统200。控制模块202、源生成器204、偏置模块206、二极管D_1-N、开关SW以及匹配网络208和210的操作类似于图3中的控制模块102、源生成器104、偏置模块106、二极管D_1-N、开关SW以及匹配网络108和110。

源生成器204生成具有电压V_RFSOURCE和预定频率的源RF电压信号。源RF电压信号被提供给匹配网络208。偏置模块206用作DC电源，并以预定的DC电压生成相应的偏置DC电压信号。因此，偏置模块206可以被称为偏置生成器。偏置模块206的输出分别通过二极管D₁-D_N。偏置模块206的输出被连接到开关SW的输入端子。在一个实施例中，偏置模块206用作通过二极管D₁-D_N并联连接的电池，使得从偏置模块206输出的最高DC电压被提供给开关SW的输入。换句话说，一个具有最高DC电压的偏置模块206的输出被提供给开关SW的输入。

开关可以是MOSFET或其它合适的开关。开关SW由控制模块202控制。控制模块202可以以线性模式或开关模式操作开关SW。在线性模式期间，开关SW作为可变电阻***作，并被用于实现线性稳压器。在线性模式期间从控制模块202提供给开关SW的栅极的电压在开关SW的非饱和区域内。在开关模式期间，控制模块202向开关SW的栅极提供电压以在饱和区域内操作开关SW。在开关模式期间，开关SW在导通(ON)和关断(OFF)状态之间转换。

在开关SW处于部分导通状态或完全导通状态时，电流通过开关SW到达匹配网络210。RF输出电压V_RFBIAS被生成并被提供给匹配网络210的输入。组合包络电压V_ENVELOPE的电压幅值可以等于电压V_RFBIAS的幅值减去开关SW两端的压降，该压降在开关SW处于完全导通状态时可以忽略不计。

提供匹配网络208和210作为示例，可以将不同类型和/或配置的匹配网络并入图5的RF功率系统200中。匹配网络208包括可变电容器C_S1、C_S2和电感器L_S。匹配网络210包括低通滤波器和直流阻断电容器C_B2。电容器C_S2和C_B2阻断与处理腔室212中的等离子体关联的DC电压，该电压可在匹配网络208和210的输出处被接收。

匹配网络208和210的输出被彼此连接并与基板支撑件216的电极214连接，并提供具有电压V_RFOUT的RF输出电压信号。基板支撑件216在处理腔室212中支撑基板218。匹配网络208和210的输出还被连接到检测器220。检测器120有效地过滤具有电压V_RFSOURCE的RF电压信号并提供具有与电压V_RFBIAS相关联的电压V_RFBiasSense的检测电压信号。检测器220和相应的连接提供用于反馈控制的反馈回路。在一个实施例中，检测器220的操作类似于图3的滤波器120，包括低通滤波器或带通滤波器，并且允许具有电压V_RFBIAS的RF偏置电压信号的一个或多个频率的预定范围内的频率的通过。在一个实施例中，检测器220被实现为低通滤波器或带通滤波器。在一个实施例中，RF偏置电压信号的频率是400kHz，并且滤波器允许以400kHz为中心的频带的通过和检测。在另一个实施例中，RF偏置电压信号的频率是100kHz-2MHz。

控制模块202除了接收电压V_RFBiasSense之外，还可以接收脉冲同步信号SYNC。控制模块202基于电压V_RFBiasSense和脉冲同步信号SYNC控制偏置模块206。例如，一个或多个偏置模块的导通时段的定时和持续时间可以基于电压V_RFBiasSense和脉冲同步信号SYNC。控制模块202可以基于电压V_RFBiasSense和脉冲同步信号SYNC控制开关SW的频率和/或占空比，并且由此控制具有电压V_RFBias的RF偏置电压信号的频率和/或占空比。

图6示出了控制模块250。图3和图5中的控制模块102和202可以被实现为控制模块250。控制模块250可以包括模式模块252、鞘层电压模块254、偏置电压模块256、DC电压模块258、开关模块260、预测模块262、当前状态模块264、比较模块266和收敛模块268。在一个示例实施例中，控制模块250包括处理器，该处理器执行与模块252、254、256、258、260、262、264、266、268相关的代码。模块250、252、254、256、258、260、262、264、266、268的操作结合图7的方法在下面进行描述。

对于图1、图3、图5和图6的控制模块的进一步定义的结构，可以参考以下提供的图7的方法和以下提供的术语“模块”的定义。可以使用多种方法操作本文公开的系统，图7示出了示例性的RF电压生成方法。尽管主要参照图3至图6的实施方式描述以下操作，这些操作可被容易地修改以应用于本公开的其它实施方式。这些操作可以被迭代地执行。尽管以下操作被示出并且被主要描述为顺序地执行，但是在执行一个或多个其它操作的同时可以执行一个或多个以下操作。

该方法可以从300处开始。在302处，控制模块250和/或模式模块252可以为V_RFBias、V_RFOUT和/或等离子体鞘层电压选择RF电压模式。控制模块250可以选择RF电压模式以提供预定的IEDF(例如，单调IEDF)。因此，控制模块250可以被称为IEDF控制器。可以为在例如蚀刻、清洁和/或其它基板处理操作期间遵循的配方和/或蚀刻图案选择该RF电压模式。

在304处，基于所选的RF电压模式并且针对当前周期，控制模块250和/或鞘层电压模块254可以确定或选择一个或多个等离子体鞘层电压和/或指示鞘层电压的电压，例如V_RFOUT的一个或多个RF输出电压。在306处，基于所确定或选择的一个或多个等离子体鞘层电压和/或指示鞘层电压的电压，控制模块250和/或偏置电压模块256可以为V_RFBias确定一个或多个电压。

在308处，控制模块250可以基于电压V_RFBias和/或其它参数确定。DC电压模块258可以确定一些参数，例如偏置模块(例如，偏置模块106、206)的DC偏置电压。开关模块260可以确定其它参数，例如开关参数。预测模块262还可以确定其它参数，例如V_RFBiasSense的预测电压。预测电压可以基于V_RFBiasSense的先前电压以及相应的确定和/或选择的电压和参数。该信息可以存储在存储器(例如，存储器130、230之一)中。在一个实施例中，该信息以表格形式存储，将预测电压与其它参数相关联。

在310处，控制模块250和/或DC电压模块258控制偏置模块以生成DC偏置电压，从而定义要遵循的外部RF偏置电压包络。在一个实施例中，一个偏置模块保持导通状态。对于该实施例，控制模块250和/或DC电压模块258可以激活一个或多个其它偏置模块，这取决于在当前周期中提供的相应步骤。在一个周期内激活的偏置模块的数量可以取决于所生成的RF电压波形的复杂程度。在当前周期内被激活的偏置模块可以以顺序的方式被激活。当一个或多个偏置模块被激活时，一个或多个其它偏置模块可以被停用。在执行操作312的同时可以执行操作310。

在312处，控制模块250和/或开关模块260控制开关SW的状态以提供具有电压V_RFBias的RF偏置电压信号。这可以包括在一个或多个状态下控制提供给开关的栅极的电压、开关的导通时间、开关的关断时间和/或持续时间。RF偏置电压信号经由匹配网络被提供给基板支撑件的电极。

在314处，滤波器(例如，滤波器120、220之一)接收具有电压V_RFOUT的RF电压输出信号和/或具有指示等离子体鞘层电压的电压的其它检测电压信号。在一个实施例中，电极处的电压被检测到并被提供给滤波器。在316处，滤波器对接收到的电压信号进行滤波以提供具有电压V_RFBiasSense的检测电压信号。在控制模块处接收电压V_RFBiasSense。

在318处，控制模块250和/或当前状态模块264可以在存储器中存储电压V_RFBiasSense和相应的RF输出电压V_RFOUT、DC偏置电压以及开关参数。在320处，控制模块250和/或比较模块266将检测电压V_RFBiasSense与预测电压V_RFBiasSense进行比较以确定当前周期的差值。在322处，控制模块250和/或比较模块266可以将差值存储在存储器中。

在324处，基于(i)当前周期的差值，(ii)前一个或多个周期的差值，以及(iii)根据前一个或多个周期的结果进行的调整，控制模块250和/或收敛模块268为下一周期调整一个或多个DC偏置电压和/或开关的参数。调整DC偏置电压可以包括调整其它参数，例如，偏置模块的导通和关断状态下的导通时间、关断时间和/或持续时间。在326处，控制模块250和/或收敛模块268可以存储在操作324期间调整的调整后的DC偏置电压和/或其它参数。基于电压、参数和/或先前周期的调整而进行的调整提供了一种收敛于所选RF电压模式的波形的前馈方法。来自先前周期的误差用于提高收敛速度。在接收滤波器的输出并进行所述调整时控制模块250和/或收敛模块268用作高速调节器。

在328处，控制模块250可确定是否针对当前选择的RF电压模式生成另一个RF电压周期。如果要生成另一个RF电压周期，则执行操作310，否则可以执行操作330。在330处，控制模块250可确定是否选择另一个RF电压模式。如果要选择另一个RF电压模式，则可以执行操作302，否则该方法可以在332处结束。

上述操作旨在作为说明性示例；这些操作根据应用可以在重叠时间段内或以不同顺序被顺序地执行、同步执行、同时执行、连续执行。另外，根据事件的实现方式和/或顺序，可以不执行或跳过任何操作。

与诸如先前针对正弦波偏置、多正弦波偏置和宽带放大器/成形偏置方法所述的RF功率系统等传统的RF功率系统相比，本文所公开的RF功率系统包括更少的硬件组件。这降低了相关的运营成本并提高了可靠性。所公开的RF功率系统还提供了比多正弦波和宽带放大器/成形偏置方法更高的工作效率。由于使用多个DC偏置模块，可以减少浪费的热量，从而可为90％的效率。所公开的RF功率系统适用于高压(例如，大于或等于-10,000V)应用，并提供用于高纵横比(HAR)蚀刻的单调IEDF。HAR蚀刻用于制造3D NAND闪存设备、高密度动态随机存取存储器(DRAM)设备以及其它存储设备，例如相变随机存取存储器(PCRAM)。在一个实施例中，RF功率系统可被实现为精确地控制低离子能量过程，诸如原子层蚀刻和原子层沉积过程。这些过程被用于半导体逻辑处理和多图案光刻工艺中。

上述描述本质上仅是说明性的，且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以多种形式实现。因此，尽管本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应受到如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求书后，其它修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，可以以不同的顺序(或同时)执行方法内的一个或多个步骤。此外，尽管将以上实施例中的每一个描述为具有某些特征，但是本公开的任何实施例描述的任何一个或多个特征也可以被实现和/或组合在任何其它实施例的特征中，即使该组合没有被明确地描述。换句话说，所描述的实施例不是互相排斥的，并且一个或多个实施例彼此之间的置换仍在本公开的范围内。

尽管本文可以使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、组件、回路、电路和/或模块，但是这些元件、组件、回路、电路和/或模块不应受这些术语的限制。这些术语仅可用于将一个元素、组件、回路、电路或模块与另一元素、组件、回路、电路或模块进行区分。除非上下文明确指出，否则本文中使用的诸如“第一”、“第二”和其它数字术语之类的术语并不暗示顺序或次序。因此，在不脱离本文公开的示例性实施方式的教导的情况下，以下讨论的第一元件、组件、回路、电路或模块可以被称为第二元件、组件、回路、电路或模块。

使用各种术语描述元件之间(例如，模块、电路元件、半导体层等之间)的空间和功能关系，包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧邻”、“上方”、“上”、“下”和“布置”。除非明确描述为“直接”，否则在以上公开内容中描述第一元件和第二元件之间的关系时，若第一元件和第二元件之间不存在其它中间元件，该关系可以为直接关系，但是该关系也可以是在第一元件和第二元件之间(空间上或功能上)存在一个或多个中间元件的间接关系。如本文所使用的，短语A、B和C中的至少一个应被解释为使用非排他性逻辑或(OR)表示逻辑(AOR B OR C)，并且不应被解释为表示“A中的至少一个、B中的至少一个和C中的至少一个。”

在附图中，如箭头所示，箭头的方向通常说明该图示感兴趣的信息(例如数据或指令)流。例如，当元件A和元件B交换各种信息、但从元件A传输到元件B的信息与图示有关时，箭头可从元件A指向元件B。此单向箭头并不意味着没有其它信息被从元件B传输到元件A。此外，对于从元件A发送到元件B的信息，元件B可以将对该信息的请求或接收确认发送到元件A。

在包括下面的定义的本申请中，术语“模块”或术语“控制器”可以用术语“电路”代替。术语“模块”可以指代，作为一部分或包括：专用集成电路(ASIC)；数字、模拟或混合模拟/数字离散电路；数字、模拟或混合模拟/数字集成电路；组合逻辑电路；现场可编程门阵列(FPGA)；执行代码的处理器电路(共享、专用或组)；存储处理器电路执行的代码的存储器电路(共享、专用或组)；提供上述功能的其它合适的硬件组件；或上述某些或全部的组合，例如在片上系统中。

该模块可以包括一个或多个接口电路。在一些示例中，接口电路可以包括连接到局域网(LAN)、互联网、广域网(WAN)或其组合的有线或无线接口。本公开的任何给定模块的功能可以分布在经由接口电路连接的多个模块中。例如，多个模块可以允许负载平衡。在另一个示例中，服务器(也被称为远程或云)模块可以代表客户端模块完成某些功能。

如以上所使用的，术语代码可以包括软件、固件和/或微代码，并且可以指代程序、例程、功能、类、数据结构和/或对象。术语共享处理器电路包括执行多个模块中的部分或全部代码的单个处理器电路。术语组处理器电路包括处理器电路，该处理器电路与附加处理器电路组合执行来自一个或多个模块的部分或全部代码。对多个处理器电路的引用包括离散管芯上的多个处理器电路、单个管芯上的多个处理器电路、单个处理器电路的多个核、单个处理器电路的多个线程或上述的组合。术语共享存储器电路包括单个存储器电路，该存储器电路存储来自多个模块的部分或全部代码。术语组存储器电路包括一种存储器电路，该存储器电路与其它存储器组合存储来自一个或多个模块的部分或全部代码。

术语存储器电路是术语计算机可读介质的子集。如本文中所使用的，术语计算机可读介质不包括通过介质(例如在载波上)传播的瞬时电信号或电磁信号；因此，术语计算机可读介质可以被认为是有形的和非暂时性的。非暂时性的有形计算机可读介质的非限制性示例是非易失性存储器电路(例如闪存电路、可擦除可编程只读存储器电路或掩码只读存储器电路)、易失性存储器电路(例如静态随机存取存储器电路或动态随机存取存储器电路)、磁存储介质(例如模拟或数字磁带或硬盘驱动器)和光存储介质(例如CD、DVD或蓝光光盘)。

本申请中描述的装置和方法可以被专用计算机部分地或完全地实现，该专用计算机通过将通用计算机配置为执行计算机程序中体现的一个或多个特定功能而创建。上述功能块、流程图组件和其它元素用作软件规范，其可以通过技术人员或程序员的例行工作被转换为计算机程序。

计算机程序包括处理器可执行指令，处理器可执行指令存储在至少一个非暂时性的有形计算机可读介质上。计算机程序还可以包括或依赖于所存储的数据。计算机程序可以包括与专用计算机的硬件交互的基本输入/输出系统(BIOS)、与专用计算机的特定设备交互的设备驱动程序、一个或多个操作系统、用户应用程序、后台服务、后台应用程序等。

计算机程序可以包括：(i)待解析的描述性文本，例如HTML(超文本标记语言)、XML(可扩展标记语言)或JSON(JavaScript Object Notation)(ii)汇编代码，(iii)由编译器从源代码生成的目标代码，(iv)由解释器执行的源代码，(v)由即时编译器编译和执行的源代码，等等。仅作为示例，可使用以下语言的语法编写源代码：C、C++、C#、Objective-C、Swift、Haskell、Go、SQL、R、Lisp、

Fortran、Perl、Pascal、Curl、OCaml、

HTML5(超文本标记语言第5版)、Ada、ASP(活动服务器页面)、PHP(PHP：超文本预处理器)、Scala、Eiffel、Smalltalk、Erlang、Ruby、

Lua、MATLAB、SIMULINK和

权利要求中描述的所有元件均不旨在成为35U.S.C.§112(f)含义内的装置加功能元件，除非使用短语“针对……的手段”明确表述一个元件，或者在方法权利要求中使用短语“针对……的操作”或“针对……的步骤”的情况下。