阅读说明：本技术 新型的介质滤波器耦合结构 (Novel dielectric filter coupling structure ) 是由 徐华 于 2019-10-29 设计创作，主要内容包括：本发明公开一种新型的介质滤波器耦合结构,包括介质滤波器本体、第一盲孔和第二盲孔,所述第一盲孔和第二盲孔设置于介质滤波器本体的同侧,所述第一盲孔和第二盲孔与介质滤波器本体上的介质形成两个介质谐振器,所述两个介质谐振器之间设有一负耦合孔,所述负耦合孔与第一调试孔和第二调试孔的开口位于介质滤波器本体同一表面,所述负耦合孔一端贯穿介质滤波器本体,另一端为封闭端,所述负耦合孔内设有一凸台,所述凸台与介质滤波器本体为一体结构,所述负耦合孔内壁与凸台外壁设有连续的导电层。本发明可以在实现电容耦合的同时,实现了对于远端寄生通带频率的控制。(The invention discloses a novel dielectric filter coupling structure, which comprises a dielectric filter body, a first blind hole and a second blind hole, wherein the first blind hole and the second blind hole are arranged at the same side of the dielectric filter body, the first blind hole and the second blind hole and a medium on the dielectric filter body form two dielectric resonators, a negative coupling hole is arranged between the two dielectric resonators, the openings of the negative coupling hole, the first debugging hole and the second debugging hole are positioned on the same surface of the dielectric filter body, one end of the negative coupling hole penetrates through the dielectric filter body, the other end of the negative coupling hole is a closed end, a boss is arranged in the negative coupling hole, the boss and the dielectric filter body are of an integral structure, and continuous conducting layers are arranged on the inner wall of the negative coupling hole and the outer wall of the boss. The invention can realize the control of the frequency of the far-end parasitic passband while realizing the capacitive coupling.)

新型的介质滤波器耦合结构

技术领域

本发明涉及一种新型的介质滤波器耦合结构，属于通信技术领域。

背景技术

随着无线通信技术的日益发展，无线通信基站分布越来越密集，对基站的体积要求越来越小，其中射频前端滤波器模块在基站中的体积占比比较大，因此，对滤波器的体积需求也是越来越小。但是，在减小金属同轴腔滤波器的体积时发现：滤波器的体积越小，表面电流越大，损耗越大，功率承受能力越低，即功率容量越小。也就是说，随着金属同轴腔滤波器体积的减小，其性能指标变差。目前，有一种小型化滤波器，即实心介质滤波器，得到广泛应用，但在实心介质滤波器中实现电容耦合（或称负耦合）的结构较为复杂，工艺实现难度大，而且容易导致通带较近频率产生寄生通带，因此，如何提供一种结构简单、工艺难度低的介质滤波器成为本领域技术人员的研究方向。

发明内容

本发明的目的是提供一种新型的介质滤波器耦合结构，该新型的介质滤波器耦合结构可以在实现电容耦合的同时，实现了对于远端寄生通带频率的控制。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种新型的介质滤波器耦合结构，包括介质滤波器本体、第一盲孔和第二盲孔，所述第一盲孔和第二盲孔设置于介质滤波器本体的同侧，所述第一盲孔和第二盲孔与介质滤波器本体上的介质形成两个介质谐振器，所述两个介质谐振器之间设有一负耦合孔，所述负耦合孔与第一调试孔和第二调试孔的开口位于介质滤波器本体同一表面，所述负耦合孔一端贯穿介质滤波器本体，另一端为封闭端，所述负耦合孔内设有一凸台，所述凸台与介质滤波器本体为一体结构，所述负耦合孔内壁与凸台外壁设有连续的导电层。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述负耦合孔与凸台为同轴结构。

2. 上述方案中，所述介质滤波器本体表面设有导电层，与负耦合孔内壁的导电层相连接。

3. 上述方案中，所述第一盲孔和第二盲孔内壁设有导电层，与负耦合孔内壁的导电层相连接。

4. 上述方案中，所述负耦合孔的深度为第一盲孔深度的1.1~1.2倍。

5. 上述方案中，所述负耦合孔的内径大于第一盲孔和第二盲孔的内径。

6. 上述方案中，所述凸台直径约为负耦合孔的1/3~1/2。

由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：

1、本发明的介质滤波器耦合结构，其实现电容耦合的同时，实现了对于远端寄生通带频率的控制，可避免在通带低端产生谐波。

2、本发明的介质滤波器耦合结构，其两个介质谐振器之间设有一负耦合孔，所述负耦合孔与第一调试孔和第二调试孔的开口位于介质滤波器本体同一表面，所述负耦合孔一端贯穿介质滤波器本体，另一端为封闭端，所述负耦合孔内设有一凸台，所述凸台与介质滤波器本体为一体结构，所述负耦合孔内壁与凸台外壁设有连续的导电层，通过调整凸台的直径、高度来控制负耦合强弱。凸台直径约为负耦合孔的1/3~1/2，具体可根据工艺实现及所需耦合来决定，同样凸台高度约为耦合孔深的10%~100%，一般而言，内部凸台高度越高，直径越大能形成的加载电容更大，局部电场强度越强便可以实现两介质谐振器间更小的负耦合。

附图说明

附图1为本发明介质滤波器耦合结构结构示意图。

以上附图中：1、介质滤波器本体；2、第一盲孔；3、第二盲孔；4、负耦合孔；5、凸台。

具体实施方式

在本专利的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利的具体含义。

实施例1：一种新型的介质滤波器耦合结构，包括介质滤波器本体1、第一盲孔2和第二盲孔3，所述第一盲孔2和第二盲孔3设置于介质滤波器本体1的同侧，所述第一盲孔2和第二盲孔3与介质滤波器本体1上的介质形成两个介质谐振器，所述两个介质谐振器之间设有一负耦合孔4，所述负耦合孔4与第一调试孔2和第二调试孔3的开口位于介质滤波器本体1同一表面，所述负耦合孔4一端贯穿介质滤波器本体1，另一端为封闭端，所述负耦合孔4内设有一凸台5，所述凸台5与介质滤波器本体1为一体结构，所述负耦合孔4内壁与凸台5外壁设有连续的导电层。

上述负耦合孔4与凸台5为同轴结构。

上述介质滤波器本体1表面设有导电层，与负耦合孔4内壁的导电层相连接。

上述第一盲孔2和第二盲孔3内壁设有导电层，与负耦合孔4内壁的导电层相连接。

上述负耦合孔4的深度为第一盲孔2深度的1.1倍。

实施例2：一种新型的介质滤波器耦合结构，包括介质滤波器本体1、第一盲孔2和第二盲孔3，所述第一盲孔2和第二盲孔3设置于介质滤波器本体1的同侧，所述第一盲孔2和第二盲孔3与介质滤波器本体1上的介质形成两个介质谐振器，所述两个介质谐振器之间设有一负耦合孔4，所述负耦合孔4与第一调试孔2和第二调试孔3的开口位于介质滤波器本体1同一表面，所述负耦合孔4一端贯穿介质滤波器本体1，另一端为封闭端，所述负耦合孔4内设有一凸台5，所述凸台5与介质滤波器本体1为一体结构，所述负耦合孔4内壁与凸台5外壁设有连续的导电层。

上述介质滤波器本体1表面设有导电层，与负耦合孔4内壁的导电层相连接。

上述负耦合孔4的深度为第一盲孔2深度的1.2倍。

上述负耦合孔4的内径大于第一盲孔2和第二盲孔3的内径。

上述凸台直径约为负耦合孔的1/3~1/2。

采用上述新型的介质滤波器耦合结构时，其在实现电容耦合的同时，实现了对于远端寄生通带频率的控制。

上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。