阅读说明：本技术 一种芯片生产用离子注入设备 (Ion implantation equipment for chip production ) 是由 冯聪 于 2019-10-03 设计创作，主要内容包括：本发明涉及芯片生产技术领域,且公开了一种芯片生产用离子注入设备,包括壳体,所述壳体内部下端固定安装有支撑架,支撑架的上端固定安装有固定壳,固定壳内部的下端固定安装有固定块,固定块上表面的凸出处滑动连接有活动柱,所述固定壳的内部固定安装有刻度板,刻度板的正面滑动搭接有活动杆。通过离子发生器、固定板、密封球、喷射壳、喷射头与固定横杆的配合使用,可以有效的将离子发生器内的离子均匀的分布在喷射壳内部的两端,具备可将离子均匀的打在半导体上的优点,保证了半导体上的离子尽可能的均匀分布一直,避免了传统喷射工艺中,喷出的来的离子在半导体上,呈中间多,四周少的情况。(The invention relates to the technical field of chip production, and discloses ion implantation equipment for chip production, which comprises a shell, wherein a support frame is fixedly arranged at the lower end inside the shell, a fixed shell is fixedly arranged at the upper end of the support frame, a fixed block is fixedly arranged at the lower end inside the fixed shell, a protruding part on the upper surface of the fixed block is connected with a movable column in a sliding manner, a scale plate is fixedly arranged inside the fixed shell, and a movable rod is lapped on the front surface of the scale plate in a sliding manner. Through ion generator, fixed plate, ball sealer, spraying shell, injector head and fixed horizontal pole's cooperation use, can be effectual the even distribution of ion in the ion generator at the inside both ends of spraying shell, possess can be with the even advantage of beating on the semiconductor of ion, guaranteed that the ion evenly distributed as far as on the semiconductor is always, avoided traditional spraying technology in, the ion that the spun came is many in the middle on the semiconductor, the less condition all around.)

一种芯片生产用离子注入设备

技术领域

本发明涉及芯片生产技术领域，具体为一种芯片生产用离子注入设备。

背景技术

现代的半导体制造工艺中制造一个完整的半导体器件一般要用到许多步的离子注入，离子注入的最主要工艺参数是杂质种类,注入能量和掺杂剂量。杂质种类是指选择何种原子注入硅基体,一般杂质种类可以分为N型和P型两类,N型主要包括磷,砷,锑等,而P型则主要包括硼,铟等，注入能量决定了杂质原子注入硅晶体的深度,高能量注入得深，而低能量注入得浅。掺杂剂量是指杂质原子注入的浓度,其决定了掺杂层导电的强弱，通常半导体器件的设计者需要根据具体的目标器件特性为每一步离子注入优化以上这些工艺参数。

目前的芯片离子注入设备在使用时，离子的喷射头大部分只有一个，这样就会导致通过喷射头喷出的来的离子在半导体上，呈中间多，四周少的情况，使得离子打在半导体上不均匀分布，从而影响半导体在制成芯片后的品质，导致芯片需要重新制作或者再次回炉加工，浪费了较多的加工时间，以及人力与物力的消耗，给人们带来了较多的不便。

为解决上述问题，发明者提出了芯片生产用离子注入设备，具备可将离子均匀的打在半导体上的优点，保证了半导体上的离子尽可能的均匀分布一直，避免了传统喷射工艺中，喷出的来的离子在半导体上，呈中间多，四周少的情况。

发明内容

本发明为实现技术目的采用如下技术方案：一种芯片生产用离子注入设备，包括：壳体，所述壳体内部下端固定安装有支撑架，支撑架的上端固定安装有固定壳，固定壳内部的下端固定安装有固定块，固定块上表面的凸出处滑动连接有活动柱，所述固定壳的内部固定安装有刻度板，刻度板的正面滑动搭接有活动杆，活动杆的两端固定安装有两个相对称的卡球，所述活动杆的上端固定安装有离子发生器，离子发生器的上端贯穿并延伸至固定壳的外部固定安装有固定板，固定板的两端通过密封球螺纹连接有喷射壳，喷射壳的两端固定安装有喷射头，所述喷射壳内腔的中部固定安装有固定横杆，所述支撑架的内壁固定安装有两个相对称的喷气管。

进一步的，所述固定板、密封球、喷射壳与喷射头共同组成了离子枪头。

进一步的，所述固定横杆位于离子发生器的正上方，且固定横杆的直径小于离子发生器的直径，主要是为了将通过离子发生器喷射出来的离子给分为两半。

进一步的，所述喷气管位于壳体的内壁呈向下倾斜三十至四十五度，且喷气管内填充氮气，主要是为了如果喷射头喷出的离子速度过快，打入半导体内部容易使离子位于半导体内部的位置不均一，导致影响半导体质量受到影响，往喷气管内充氮气是因为利用氮气的惰性特点，不会与喷射出的离子发生反应。

进一步的，所述壳体的上端活动安装有上盖，上盖的下端活动安装有半导体，半导***于离子发生器的正上方。

进一步的，所述固定横杆的直径与喷射壳中部的内直径相适配，主要是为了保证喷射壳内部两端的离子均等。

进一步的，所述喷射头位于喷射壳上呈倾斜向固定横杆的一端倾斜，主要是为了均匀的将离子喷射在半导体上。

进一步的，所述活动杆下端的背面固定安装有固定条，刻度板的正面开有与活动杆相适配的滑道，主要是为了帮助活动杆调整角度用的。

本发明具备以下有益效果：

1、该芯片生产用离子注入设备，通过离子发生器、固定板、密封球、喷射壳、喷射头与固定横杆的配合使用，可以有效的将离子发生器内的离子均匀的分布在喷射壳内部的两端，具备可将离子均匀的打在半导体上的优点，保证了半导体上的离子尽可能的均匀分布一直，避免了传统喷射工艺中，喷出的来的离子在半导体上，呈中间多，四周少的情况。

2、该芯片生产用离子注入设备，通过固定块、活动柱、刻度板、活动杆与卡球的配合使用，可以有效的在装置运转，发生震动时，可以有效的通过活动杆将离子发生器进行固定，通过刻度板与互动杆的配合使用主要是为了通过活动杆带动喷射壳，改变喷射的角度，以便实现不同半导体会喷射角度的要求。

附图说明

图1为本发明结构示意图。

图2为本发明固定壳结构正面剖切放大示意图。

图3为本发明固定杆、固定板与喷射壳剖切结构示意图。

图中：1壳体、2支撑架、3固定壳、4固定块、5活动柱、6刻度板、7活动杆、8卡球、9离子发生器、10固定板、11密封球、12喷射壳、13喷射头、14固定横杆、15喷气管。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1-3，一种芯片生产用离子注入设备，包括：壳体1。

如图1所示：壳体1内部下端固定安装有支撑架2，壳体1的上端活动安装有上盖，上盖的下端活动安装有半导体，半导***于离子发生器9的正上方，支撑架2的上端固定安装有固定壳3。

如图2所示：固定壳3内部的下端固定安装有固定块4，固定块4上表面的凸出处滑动连接有活动柱5，固定壳3的内部固定安装有刻度板6，刻度板6的正面滑动搭接有活动杆7，活动杆7下端的背面固定安装有固定条，刻度板6的正面开有与活动杆7相适配的滑道，主要是为了帮助活动杆7调整角度用的，活动杆7的两端固定安装有两个相对称的卡球8，活动杆7的上端固定安装有离子发生器9。

其中，通过固定块4、活动柱5、刻度板6、活动杆7与卡球8的配合使用，可以有效的在装置运转，发生震动时，可以有效的通过活动杆7将离子发生器进行固定，通过刻度板9与互动杆7的配合使用主要是为了通过活动杆7带动喷射壳12，改变喷射的角度，以便实现不同半导体会喷射角度的要求。

如图3所示：离子发生器9的上端贯穿并延伸至固定壳3的外部固定安装有固定板10，固定板10、密封球11、喷射壳12与喷射头13共同组成了离子枪头，固定板10的两端通过密封球11螺纹连接有喷射壳12，喷射壳12的两端固定安装有喷射头13，喷射头13位于喷射壳12上呈倾斜向固定横杆14的一端倾斜，主要是为了均匀的将离子喷射在半导体上，喷射壳12内腔的中部固定安装有固定横杆14，固定横杆14的直径与喷射壳12中部的内直径相适配，主要是为了保证喷射壳12内部两端的离子均等，固定横杆14位于离子发生器9的正上方，且固定横杆14的直径小于离子发生器9的直径，主要是为了将通过离子发生器9喷射出来的离子给分为两半，支撑架2的内壁固定安装有两个相对称的喷气管15，喷气管15位于壳体1的内壁呈向下倾斜三十至四十五度，且喷气管15内填充氮气，如果免喷射头13喷出的离子速度过快，打入半导体内部容易使离子位于半导体内部的位置不均一，就会导致影响半导体质量受到影响，往喷气管15内充氮气是利用氮气的惰性特点，不会与喷射出的离子发生反应，进而提高半导体的质量。

其中，通过离子发生器9、固定板10、密封球11、喷射壳12、喷射头13与固定横杆14的配合使用，可以有效的将离子发生器9内的离子均匀的分布在喷射壳12内部的两端，具备可将离子均匀的打在半导体上的优点，保证了半导体上的离子尽可能的均匀分布一直，避免了传统喷射工艺中，喷出的来的离子在半导体上，呈中间多，四周少的情况。

在使用时，通过刻度板6调整活动杆7达到所需要的角度，之后启动离子发生器9，将离子经过喷射壳12内的固定横杆14，离子将分为两部分，一部分在喷射壳12的左端一部分在喷射壳12的右端，通过喷射头13往外喷射出去，由于喷射头13是倾斜的，所以喷射头13喷射的中间部分最厚，四周最薄，为了均匀离子的分布，所以喷射头13喷出离子交叉的部分重叠，从而使离子分布均匀，与此同时，若活动杆7在刻度板6上不稳定，左右摇晃时，活动杆7的下端与固定块4上的凸块左右相接触时，电路接通，两个活动柱5逐渐向中间靠拢，逐渐卡在卡球8上，帮助活动杆7在刻度板6上的固定。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。