阅读说明：本技术 一种晶圆光刻设备 (Wafer lithography apparatus ) 是由 王斌 于 2019-08-26 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种晶圆光刻设备,其结构包括窗口、操作台、主体、喷头结构、显影槽、自动对准系统、框架减振系统等,主体上设有一个操作台,操作台的一侧安装有窗口,主体内部安装有喷头,喷头结构的底部设有显影槽,显影槽水平一侧设有自动对准系统,自动对准系统正下方安装有框架减振系统,框架减振系统和显影槽活动配合,喷头结构由桁架、固定支架、喷头、CUP板组成,桁架通过固定支架锁定喷头,喷头正对着CUP板,本发明通过喷头管的上窄下宽结构设计,喷头管外表面的杂质不会沾染停留,从而达到减少杂质的目的,且表面下滑的杂质会被拦截盘拦截,不会和喷头中出来的去离子水混合在一起,直接避免晶圆光刻的双环缺陷现象的产生。(The invention discloses a wafer photoetching device, which comprises a window, an operating platform, a main body, a spray head structure, a developing tank, an automatic alignment system, a frame vibration damping system and the like, wherein the main body is provided with the operating platform, one side of the operating platform is provided with the window, the main body is internally provided with the spray head, the bottom of the spray head structure is provided with the developing tank, the horizontal side of the developing tank is provided with the automatic alignment system, the frame vibration damping system is arranged right below the automatic alignment system and is movably matched with the developing tank, the spray head structure comprises a truss, a fixed bracket, the spray head and a CUP plate, the truss locks the spray head through the fixed bracket, and the spray head faces the CUP plate. The double-ring defect phenomenon of wafer photoetching is directly avoided.)

一种晶圆光刻设备

技术领域

本发明涉及晶圆光刻设备领域，尤其是涉及到一种晶圆光刻设备。

背景技术

集成电路技术是现今所有电子产品所需的基本技术，集成电路技术的承载物是集成电路板，集成电路板的最重要的零件是晶圆，晶圆制造的光刻程序，是最为关键，若光刻失败，晶圆废弃无法再使用，晶圆在光照作用下，借助光蚀剂把掩膜版上的图形转移至晶圆基片上后，需要晶圆在显影槽中进行显影工序，此时，喷涂的去离子水会沿着排液管流走时，当晶圆旋转时采用机械手控制的喷头上这些含有离子水反应物的杂质甩到CUP上时会造成反溅，一些反应物会被溅射到正在制程的晶圆，从而产生双环缺陷。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种晶圆光刻设备，其结构包括窗口、操作台、主体、喷头结构、显影槽、自动对准系统、框架减振系统等，所述主体上设有一个操作台，所述操作台的一侧安装有窗口，所述主体内部安装有喷头，所述喷头结构的底部设有显影槽，所述显影槽水平一侧设有自动对准系统，所述自动对准系统正下方安装有框架减振系统，所述框架减振系统和显影槽活动配合。

所述喷头结构由桁架、固定支架、喷头、CUP板组成，所述桁架通过固定支架锁定喷头，所述喷头正对着CUP板，所述CUP板位于喷头正下方。

作为本技术方案的进一步优化，所述喷头包括出料道、喷头管、拦截盘组成，所述喷头管内部空间为出料道，所述喷头管外表面底部设有拦截盘，所述拦截盘和喷头管固定焊接。

作为本技术方案的进一步优化，所述喷头管为内壁光滑的圆台结构。

作为本技术方案的进一步优化，所述喷头管底部设有出料板，所述出料板上设有两个以上的出料口，这些出料口成均匀等距分布，所述出料口为倒置的梯形结构。

作为本技术方案的进一步优化，所述拦截盘为开口和圆盘组成，所述圆盘为圆形环状结构，所述圆盘和喷头管外表面底部水平焊接，所述圆盘的边缘开有一个开口。

作为本技术方案的进一步优化，所述拦截盘的开口处安装有引导板，所述引导板和拦截盘活动卡合，所述引导板远离拦截盘的末端为三角尖，引导板的设计，让杂质引导出的更远，偏离喷头管，更进一步避免杂质和去离子水的混合。

作为本技术方案的进一步优化，所述引导板为倾斜状态，与水平的夹角为15-45度，在喷头喷涂的状态下，杂质的排出，在喷头上下倾斜移动过程中，引导板的倾斜角度越大，杂质更容易导出，保证圆盘上不会有残留物。

有益效果

本发明一种晶圆光刻设备与现有技术相比具有以下优点：

1.本发明通过喷头管的上窄下宽结构设计，喷头管外表面的杂质不会沾染停留，从而达到减少杂质的目的，且表面下滑的杂质会被拦截盘拦截，不会和喷头中出来的去离子水混合在一起，直接避免晶圆光刻的双环缺陷现象的产生。

2.本发明出料板的出料口上宽下窄的设计，去离子水从出料道喷射而出，流速增快，不易残留，杂质无法粘附，达到喷头管内部减少杂质的目的。

3.本发明通过拦截盘的开口设计，保证在喷头上下倾斜移动，圆盘上面的杂质会沿着开口排出，不会和从喷头排出的去离子水混合在一起，实现去离子水反溅也不会造成双环缺陷，更进一步的还安装有引导板，引导板将杂质排出的距离提高，增强分隔效果。

4.本发明引导板为倾斜15-45度的设计，保证在喷头上下倾斜移动，引导板倾斜角度会更大，引导板中心线慢慢垂直与CUP板，更容易把拦截盘中的杂质排出。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本发明一种晶圆光刻设备的立体结构示意图。

图2为本发明喷头结构的立体结构示意图。

图3为本发明喷头的剖面示意图。

图4为本发明拦截盘的立体结构示意图。

图5为本发明引导板安装后的喷头俯视示意图。

图中：窗口1、操作台2、主体3、桁架4、固定支架5、喷头6、CUP板7、出料道61、喷头管62、拦截盘63、出料板64、开口631、圆盘632、引导板b。

具体实施方式

为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式以及附图说明，进一步阐述本发明的优选实施方案。

实施例

请参阅图1-图5，本发明提供一种晶圆光刻设备，其结构包括窗口1、操作台2、主体3、喷头结构、显影槽、自动对准系统、框架减振系统等，所述主体3上设有一个操作台2，所述操作台2的一侧安装有窗口1，所述主体3内部安装有喷头，所述喷头结构的底部设有显影槽，所述显影槽水平一侧设有自动对准系统，所述自动对准系统正下方安装有框架减振系统，所述框架减振系统和显影槽活动配合。

所述喷头结构由桁架4、固定支架5、喷头6、CUP板7组成，所述桁架4通过固定支架5锁定喷头6，所述喷头6正对着CUP板7，所述CUP板7位于喷头6正下方。

所述喷头6包括出料道61、喷头管62、拦截盘63组成，所述喷头管62内部空间为出料道61，所述喷头管62外表面底部设有拦截盘63，所述拦截盘63和喷头管62固定焊接。

所述喷头管62为内壁光滑的圆台结构，上窄下宽的结构设计，喷头管62外表面的杂质不会沾染停留，从而达到减少杂质的目的。

所述喷头管62底部设有出料板64，所述出料板64上设有两个以上的出料口，这些出料口成均匀等距分布，所述出料口为倒置的梯形结构，在去离子水流动过程中，从宽至窄，流速增大，不易在出料道61残留去离子水形成杂质，从而达到喷头管62内部杂质减少的目的。

所述拦截盘63为开口631和圆盘632组成，所述圆盘632为圆形环状结构，所述圆盘632和喷头管62外表面底部水平焊接，所述圆盘632的边缘开有一个开口631，喷头6在移动过程中会因为振动外表面落下灰尘后，会被喷头6拦截，不会随着含有离子水反应物的杂质甩到CUP上时会造成反溅，而后在喷头6上下倾斜移动，圆盘632也随之倾斜，上面的杂质会沿着开口631排出，不会和从喷头6排出的去离子水混合在一起。

所述拦截盘63的开口631处安装有引导板b，所述引导板b和拦截盘63活动卡合，所述引导板b远离拦截盘63的末端为三角尖，引导板b的设计，让杂质引导出的更远，偏离喷头管62，更进一步避免杂质和去离子水的混合。

所述引导板b为倾斜状态，与水平的夹角为15-45度，在喷头6喷涂的状态下，杂质的排出，在喷头6上下倾斜移动过程中，引导板b的倾斜角度越大，杂质更容易导出，保证圆盘632上不会有残留物。

在使用时，喷涂的去离子水会沿着排液管流走至喷头管62，因为喷头管62内壁光滑和圆台结构设计，不易产生遗留，喷射时，出料板64的出料口上宽下窄的设计，去离子水从出料道61喷射而出，流量不变，出口直径逐渐变小，流速增快，不易残留，杂质无法粘附，达到喷头管62内部减少杂质的目的，避免下次喷射时，夹带杂质在CUP板7上反溅；

在喷头6上下移动过程中，首先，喷头管62的上窄下宽结构设计，喷头管62外表面的杂质不会沾染停留，表面杂质少，而表面下滑的杂质会被拦截盘63拦截，在喷射或移动时不会和喷头6中出来的去离子水混合，反溅的去离子水中无杂质就不会造成晶圆的双环现象，而后杂质会通过圆盘632的开口631全部排出；

可活动安装引导板b将杂质排排出的出口延伸，提高杂质和去离子水的分隔距离，增大分隔效果，更进一步的是，引导板b倾斜15-45度后，在喷头6上下倾斜移动，引导板b倾斜角度会更大，引导板b中心线逐渐与CUP板7垂直，更容易把拦截盘63中的杂质排出。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点，本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神或基本特征的前提下，不仅能够以其他的具体形式实现本发明，还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围，因此本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定，而不是上述说明限定。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。