一种减少pi胶丝残留的方法
阅读说明：本技术 一种减少pi胶丝残留的方法 (Method for reducing PI (polyimide) glue silk residue ) 是由 陈思颖 杨明 何嘉宾 刘光明 刘珍一 王大伟 杨惠 欧博文 于 2021-09-02 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种减少PI胶丝残留的方法,涉及半导体领域,解决了PI胶丝残留的问题,其技术方案要点是：步骤一,对产品片的非感光PI胶表面涂抹光刻胶,并采用光刻工艺进行曝光处理,再对曝光处理后的产品片进行烘烤处理；步骤二,将烘烤处理后的产品片进行冷板处理；步骤三,将冷板处理后的产品片进行显影处理；步骤四,将显影处理后的产品片进行硬烤处理；达到去除die边缘高台阶侧向腐蚀形成角落或者缝隙内的PI胶丝残留,以去除划片道及PAD层的胶丝残留。(The invention discloses a method for reducing PI (polyimide) glue silk residue, relates to the field of semiconductors, and solves the problem of PI glue silk residue, and the technical scheme is as follows: coating photoresist on the non-photosensitive PI glue surface of a product sheet, carrying out exposure treatment by adopting a photoetching process, and baking the exposed product sheet; step two, performing cold plate treatment on the baked product sheet; step three, developing the product sheet after cold plate treatment; step four, carrying out hard baking treatment on the developed product slice; and removing PI (polyimide) adhesive wire residues at corners or gaps formed by lateral etching of the high steps at the die edge to remove adhesive wire residues on the scribing channels and the PAD (PAD adhesive bonding) layer.)
技术领域
本发明涉及半导体领域，更具体地说，它涉及一种减少PI胶丝残留的方法。
背景技术
目前半导体产业产业中，对介质光刻后，划片道和PAD区出现大量胶丝残留，由于前一层金属层使用湿法刻蚀工艺，湿法刻蚀会产生侧向腐蚀，die边缘高台阶处被侧向腐蚀形成角落或者缝隙，在PAD层涂胶时容易隐藏的胶丝，这些胶丝无法被完全腐蚀掉而形成残留。这些残留胶丝会极大的影响外观和产品的电性参数。
传统的处理方法采用常常是在光刻工艺中增加曝光的功率，或者增加显影时间来处理。但是效果往往都不理想，甚至造成过曝光或者过显影的损害。
基于以上问题，需要对传统的工艺方法进行改进，从而解决划片道和PAD层出现胶丝残留的问题。
发明内容
本发明解决的技术问题是湿法刻蚀工艺会使得划片道的die边缘高台阶侧向腐蚀形成角落或者缝隙，这些PI胶丝在角落或者缝隙无法被完全腐蚀掉而形成残留，本发明的目的是提供一种减少PI胶丝残留的方法，达到去除die边缘高台阶侧向腐蚀形成角落或者缝隙内的PI胶丝残留，以去除划片道及PAD层的胶丝残留。
本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：
一种减少PI胶丝残留的方法，所述方法包括：
步骤一，对产品片的非感光PI胶表面涂抹光刻胶，并采用光刻工艺进行曝光处理，再对曝光处理后的产品片进行烘烤处理；
步骤二，将烘烤处理后的产品片进行冷板处理；
步骤三，将冷板处理后的产品片进行显影处理；
步骤四，将显影处理后的产品片进行硬烤处理。
针对现有技术中PI产品在做PI光刻时，湿法刻蚀工艺会使得划片道的die边缘高台阶侧向腐蚀形成角落或者缝隙，这些PI胶丝在角落或者缝隙无法被完全腐蚀掉而形成残留，导致划片道和PAD区出现大量胶丝残留，划片道胶丝虽不影响产品电性能参数，但外观质检不合格；PAD区胶丝残留对后面封装成品电性参数影响很大，需要在晶圆出厂前进行涂黑，影响产品良率。
基于此，本发明在产品片的非感光PI胶表面涂抹光刻胶，对产品片做曝光处理及烘烤处理，在对经过烘烤处理的产品片做冷板处理，均是采用的现有技术，在此不赘述；对冷板处理后的产品片进行显影处理，此处工艺处理中，通过在振荡显影环节预留光刻胶用以包裹die边缘高台阶，通过控制振荡显影的时间来使得光刻胶刚好可以包裹die边缘高台阶因湿法刻蚀工艺所形成的角落或者缝隙，避免die边缘高台阶在高速旋转时角落或者缝隙里的PI胶甩出来形成PI胶丝残留；最后在对经过显影后的产品片进行烘烤处理，也是现有技术，在此不赘述。
进一步的，所述步骤一中的烘烤的温度为115℃，烘烤的时间为60s。
进一步的，所述步骤二中的冷板处理的温度为23℃，冷板的时间为60s。
进一步的，所述步骤三的显影处理的步骤如下：将冷板处理后的产品片冲水处理，对冲水处理后的产品片进行甩干处理；
将显影液喷在已甩干表面水分的产品片上；
对喷显影液的产品片进行振荡显影处理；
对振荡显影处理后的产品片再次进行冲水及甩干处理。
进一步的，所述振荡显影环节预留光刻胶，光刻胶预留的量刚好包裹住die边缘高台阶。
进一步的，控制显影时间为75-79s使光刻胶预留的量刚好包裹住die边缘高台阶。
进一步的，采用负胶清洗剂去除刚好包裹住die边缘高台阶的预留光刻胶。
进一步的，所述步骤四中的硬烤的温度为110℃，硬烤的时间为60s。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明在振荡显影环节预留光刻胶，通过控制显影的时间来使光刻胶预留的量刚好包裹住die边缘高台阶，最后通过负胶清洗剂去除die边缘高台阶上预留的光刻胶，使得PI产品划片道上无PI胶丝残留，其影响面积由3％减少到0，并且在PAD区无PI胶丝残留。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：
图1为本发明实施例的方法流程图；
图2A-图2B为现有工艺方法下的产品照片；
图3为本发明提供的工艺方法所得出产品照片。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。
需说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接在另一个部件上或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。
需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
实施例一
如图1所示，本实施例提供一种减少PI胶丝残留的方法，方法包括：
步骤S1，对产品片的非感光PI胶表面涂抹光刻胶，并采用光刻工艺进行曝光处理，再对曝光处理后的产品片进行烘烤处理；
步骤S2，将烘烤处理后的产品片进行冷板处理；
步骤S3，将冷板处理后的产品片进行显影处理；
步骤S4，将显影处理后的产品片进行硬烤处理。
具体的，在步骤S3中，对冷板处理后的产品片进行显影处理，此处工艺处理中，通过在振荡显影环节预留光刻胶用以包裹die边缘高台阶，通过控制振荡显影的时间来使得光刻胶刚好可以包裹die边缘高台阶因湿法刻蚀工艺所形成的角落或者缝隙，避免die边缘高台阶在高速旋转时角落或者缝隙里的PI胶甩出来形成PI胶丝残留。
优选地，步骤S1中的烘烤的温度为115℃，烘烤的时间为60s。
对产品片进行烘烤处理用以减少产品片的驻波效应。
优选地，步骤S2中的冷板处理的温度为23℃，冷板的时间为60s。
优选地，步骤S3中的显影处理的步骤如下：将冷板处理后的产品片冲水处理，对冲水处理后的产品片进行甩干处理；
将显影液喷在已甩干表面水分的产品片上；
对喷显影液的产品片进行振荡显影处理；
对振荡显影处理后的产品片再次进行冲水及甩干处理。
优选地，振荡显影环节预留光刻胶，光刻胶预留的量刚好包裹住die边缘高台阶。
优选地，控制显影时间为75-79s使光刻胶预留的量刚好包裹住die边缘高台阶。
此处需要说明的是，显影的时间在75-79s这个范围内均可以使光刻胶的量刚好包裹住die边缘高台阶，如显影时间为77秒或76秒等，都能使光刻胶的量刚好包裹或覆盖die边缘高台阶。
优选地，采用负胶清洗剂去除刚好包裹住die边缘高台阶的预留光刻胶。
优选地，步骤S4中的硬烤的温度为110℃，硬烤的时间为60s。
实施二
本实施例二通过实施例一提供方法的基础上对产品片进行处理，如图2A、2B所示，为现有工艺流程下的图片，黑色边框框出的位置，按照传统的工艺流程，类似于此处位置的PI胶应该被显影掉，但此处die边缘高台阶且为湿法刻蚀，会形成角落或缝隙，易藏胶丝，导致胶丝显影异常。
如图3所示，为采用本发明的工艺流程得出的图片，可看出图片中没有像图2B中边框内的黑线，即通过将显影时间从130-138秒减少至75-79秒来实现，其中130-138秒为现有工艺所使用的显影时间，本发明通过控制显影时间为75-79秒来实现光刻胶的预留量刚好可以覆盖或包裹住因湿法刻蚀工艺使die边缘高台阶形成角落或缝隙，包裹后的产品片可避免后续高速旋转时角落里的PI胶甩出来形成胶丝，造成产品片的胶丝残留，最后再通过负胶清洗剂去除die边缘高台阶上包裹或覆盖的光刻胶。
综上所述，本发明所提供的方法可以使得划片道胶丝残留的影响面积由3％减少到0，并且PAD区无胶丝残留。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
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