具体实施方式

下文中将结合附图对本公开实施例进行详细说明。在不冲突的情况下，本公开实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。

本公开中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，并不表示任何顺序、数量或者重要性。

在本公开中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在公开中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本公开中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本公开中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

本公开实施例提供一种显示基板，所述显示基板包括基底、设置在所述基底上的显示结构层和设置在所述显示结构层远离所述基底一侧的至少一个导出结构，所述显示结构层包括多个像素开口区域和围绕所述多个像素开口区域的非像素开口区域，

所述导出结构包括位于所述至少一个像素开口区域远离所述基底一侧的第一导出结构和位于所述非像素开口区域远离所述基底一侧的第二导出结构，所述第一导出结构在所述基底的正投影与所述至少一个像素开口区域在所述基底的正投影至少部分重叠，所述第二导出结构在所述基底的正投影和所述非像素开口区域在所述基底的正投影至少部分重叠，所述导出结构被配置为，将入射至所述第一导出结构的至少部分光线传导至所述第二导出结构，并从所述显示结构层的非像素开口区域靠近所述基底一侧出射。

所述显示基板包括多个子像素，每个子像素包括一个像素开口区域。以有机发光显示基板为例，像素开口区域即像素定义层限定的用于容纳发光材料的区域。

本实施例提供的显示基板，可以将外界入射的光线通过导出结构从像素开口区域传导至非像素开口区域，从而可以将光线传导到位于基底远离显示结构层一侧的传感器，比如图像传感器、光线传感器等。本实施例提供的方案，像素开口区域的光线可以传导到非像素开口区域再到达传感器，避免必须透明才能将外界光线传输至传感器，为同一区域实现显示和成像提供支持，提高屏占比，实现全面屏。

在一示例性实施例中，所述显示基板可以是有机发光二极管(Organic LightEmitting Diode，简称OLED)，量子点发光二极管(Quantum-dot Light Emitting Diodes，简称QLED)，或者，可以是迷你发光二极管(MiniLED)，微发光二极管(MicroLED)显示基板等。

在一示例性实施例中，所述显示结构层可以包括：驱动结构层、发光结构层和封装层。所述驱动结构层可以包括多个薄膜晶体管，所述发光结构层可以包括阳极、像素定义层、发光层和阴极。所述封装层可以包括三层封装结构，两个无机封装层，以及位于两个无机封装层之间的有机封装层。

在一示例性实施例中，所述第一导出结构在所述基底的正投影包含至少一个所述像素开口区域的正投影。

在一示例性实施例中，所述导出结构包括依次设置在所述显示结构层远离所述基底一侧的光波导膜层和光输出光学结构，所述光波导膜层包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述第一导出结构包括位于所述第一区域的所述光波导膜层，所述第二导出结构包括位于所述第二区域的所述光波导膜层和所述光输出光学结构，所述光输出光学结构在所述基底的正投影与位于所述第一区域的所述光波导膜层在所述基底的正投影不重叠。

随着全面屏技术的发展，屏下摄像头技术即把摄像头放置在显示屏的下方，同时摄像头区域的显示屏仍然可以显示，此为真正意义上的全面屏显示技术。图2为本公开实施例提供的显示基板平面示意图。如图2所示，在平行于所述基底的平面上，本公开实施例提供显示基板包括显示区域50，所述显示区域包括屏下摄像头(Under Display Camera，UDC)区域51。图2中仅示出了一个屏下摄像头区域，但本公开实施不限于此，可以设置一个或多个屏下摄像头区域。显示基板外可以设置图像传感器，在平行于所述基底的平面上，所述屏下摄像头区域的正投影与图像传感器的正投影存在交叠。屏下摄像头区域可以设置一个或多个所述导出结构。本实施例提供的方案，通过设置导出结构，实现在同一区域内进行成像和显示，提高屏占比。

在一示例性实施例中，所述显示区域50还可以包括其他传感器区域(比如红外传感器区域等)，传感器区域可以设置一个或多个所述导出结构。在显示区域的非传感器区域，可以不设置所述导出结构。

图3为一示例性实施例提供的显示基板截面示意图。如图3所示，本实施例提供的显示基板包括多个像素开口区域A1，在垂直于所述基底10的方向，所述显示基板可以包括：依次设置的基底10、显示结构层100和导出结构200，所述显示结构层100可以包括设置在所述基底10上的扇出电极11、设置在所述扇出电极11远离所述基底10一侧的缓冲层12，设置在所述缓冲层12远离所述基底10一侧的有源层13，设置在所述有源层13远离所述基底10一侧的第一绝缘层14，设置在所述第一绝缘层14远离基底10一侧的第一栅电极15和连接电极16，所述连接电极16通过过孔连接所述扇出电极11，设置在所述第一栅电极15和连接电极16远离所述基底10一侧的第二绝缘层17，设置在所述第二绝缘层17远离所述基底10一侧的电容电极18，设置在所述电容电极18远离所述基底一侧的第三绝缘层19，设置在所述第三绝缘层19远离所述基底一侧的源电极20和漏电极21，所述源电极20通过过孔电连接所述有源层13和所述连接电极16，所述漏电极21通过过孔电连接所述有源层13，设置在所述源电极20和漏电极21远离所述基底一侧的第四绝缘层22，设置在所述第四绝缘层22远离所述基底一侧的阳极23，所述阳极23通过过孔电连接所述漏电极21，设置在所述阳极23远离所述基底10一侧的像素定义层24，设置在所述像素定义层24远离所述基底10一侧的有机发光层25，设置在所述有机发光层25远离所述基底10一侧的阴极26，依次设置在所述阴极26远离所述基底10一侧的第一封装层27、第二封装层28和第三封装层29。所述导出结构200可以包括依次设置在所述第三封装层29远离所述基底10一侧的光波导膜层30和光输出光学结构31。所述像素定义层24限定出暴露阳极23的像素开口区域。所述光波导膜层30包括第一区域B1和围绕所述第一区域B1的第二区域B2，在平行于所述基底10的平面上，所述光输出光学结构31的正投影可以与位于所述第一区域B1的所述光波导膜层30在所述基底的正投影不重叠。所述光波导膜层30被配置为将从所述光波导膜层30远离所述基底10一侧入射至所述第一区域B1的至少部分光线传导至所述光输出光学结构31，所述光输出光学结构31被配置为将从所述光波导膜层30入射的至少部分光线反射至所述显示结构层的非像素开口区域，从所述显示结构层100的非像素开口区域靠近基底10一侧出射。所述第一导出结构包括位于所述第一区域B1所述光波导膜层30，所述第二导出结构包括位于所述第二区域B2的所述光波导膜层30和光输出光学结构31。

如图4所示，外界光入射到光波导膜层30的第一区域B1，在第一区域B1多次反射后进入光输出光学结构31，光输出光学结构31对来自光波导膜层30的光线进行反射，通过显示结构层100的非像素开口区域进入到图像传感器300，从而可以在同一区域实现成像和显示。一定角度范围内入射至所述光波导膜层30的光线在光波导膜层30的第二区域内可以进行全反射，直至进入到光输出光学结构31，被光输出光学结构31反射至显示结构层的非像素开口区域。

在一示例性实施例中，在平行于所述基底10的平面上，所述第一区域B1的正投影包含至少一个所述像素开口区域。本实施例提供的方案，导出结构可以将入射到所述第一区域B1所包含的像素开口区域的外界光导出至非像素开口区域。

在一示例性实施例中，在平行于所述基底10的平面上，所述光输出光学结构31的正投影可以位于所述多个像素开口区域的正投影外。光输出光学结构31位于像素开口区域的正投影外，可以避免光输出光学结构31反射出的光线被显示结构层100的像素开口区域的膜层遮挡，提高反射光线的强度。

在一示例性实施例中，在平行于所述基底10的平面上，所述光输出光学结构31的正投影可以为环形，所述第一导出结构的正投影与所述环形的内环内的区域存在交叠。比如，所述环形的内环内的区域可以包含所述第一导出结构的正投影。所述环形可以为闭合环形。所述环形可以是圆环，方环，或者，不规则环，等等。环形的光输出光学结构可以尽可能收集光线，提高导出的光线强度。本实施例提供的方案，光输出光学结构31对环内的像素开口区域的光线进行收集，传导到非像素开口区域。本公开实施例不限于此，光输出光学结构31的正投影可以不是环形。

在一示例性实施例中，所述光输出光学结构31的正投影构成的环形内可以包括一个或多个像素开口区域。即UDC区域中，可以一个子像素对应一个导出结构，或者，多个子像素对应一个导出结构。如图5所示，显示结构层可以包括红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B，所述光输出光学结构31的正投影构成的环形内可以包括一个红色子像素R的像素开口区域，或者，可以包括两个绿色子像素G的像素开口区域，或者，可以包括一个蓝色子像素B的像素开口区域。如图6所示，所述光输出光学结构31的正投影构成的环形内可以包括一个红色子像素R和两个绿色子像素G，或者，可以包括一个红色子像素R、四个绿色子像素G和一个蓝色子像素B，等等。此处仅为示例，所述光输出光学结构31的正投影构成的环形内可以包括更多像素开口区域。入射到环形内的光线被光波导膜层30传导到光输出光学结构31，再反射到传感器。

在一示例性实施例中，所述光波导膜层30的第一区域B1的折射率可以大于与所述光波导膜层30相邻且位于所述光波导膜层30靠近基底10一侧的膜层的折射率。本实施例中，与光波导膜层30相邻且位于靠近基底一侧的膜层为第三封装层29，则所述光波导膜层30的第一区域B1的的折射率可以大于第三封装层29的折射率。本实施例提供的方案，在光线的入射角大于一定角度时，光线在光波导膜层30发生全反射，从而将光线限制在光波导膜层30内，多次全反射后进入到光输出光学结构31。

在一示例性实施例中，所述光输出光学结构31的折射率可以大于等于所述光波导膜层30的的第二区域B2的折射率。本实施例提供的方案，可以避免从光波导膜层30进入光输出光学结构31的光线发生全反射，增加进入光输出光学结构31的光线。光线在输出光学结构31可以通过全反射反射到显示结构层。

在一示例性实施例中，所述光波导膜层30的第一区域B1的折射率和所述第二区域B2的折射率可以相同或不同。所述第一区域B1和第二区域B2的折射率相同时，可以避免光线从第一区域B1进入到第二区域B2时发生折射。

在一示例性实施例中，存在多个导出结构200时，所述多个导出结构200的光波导膜层30可以连续，或者，彼此分离。即，多个导出结构200的光波导膜层30可以是一个连续的膜层，覆盖UDC区域，或者，每个导出结构200单独设置一个光波导膜层30，如图5所示，或者，可以多个导出结构200的光波导膜层30连续，多个导出结构200的光波导膜层30彼此分离，等等。

在一示例性实施例中，所述光输出光学结构31可以包括但不限于反射镜阵列、棱镜阵列、透镜阵列、反射光栅至少之一。所述棱镜可以是三角棱镜。所述透镜可以凸透镜或者凹透镜。如图3所示，所述光输出光学结构包括多个三角棱镜构成的棱镜阵列。

在一示例性实施例中，所述光波导膜层30的材料可以为无机材料，比如为氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNx)等，或者，可以为有机材料，比如可以是聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)

在一示例性实施例中，所述光输出光学结构31可以但不限于使用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)或氮氧化硅SiOxNx等制备。

在一示例性实施例中，第三封装层29和光波导膜层30之间可以设置其他膜层。

在一示例性实施例中，所述导出结构远离所述基底一侧可以设置其他膜层，比如，可以设置触控结构层等。此时，光波导膜层30在第一区域B1的折射率大于与光波导膜层30相邻且与位于所述光波导膜层30远离所述基底10一侧的膜层的折射率。

在一示例性实施例中，所述基底10可以是柔性基底或刚性基底，所述柔性基底比如可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料。

在一示例性实施例中，所述扇出电极11和阳极23可以是透明电极，可以采用氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等制备。

在一示例性实施例中，缓冲层12、第一绝缘层14、第二绝缘层17、第三绝缘层19可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNx)等制备，可以是单层，也可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。第四绝缘层22可以采用有机材料制备。

在一示例性实施例中，连接电极16、栅电极15、电容电极18、源电极20和漏电极21可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者是多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。阴极26可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。

在一示例性实施例中，所述第一封装层27、第三封装层29可以采用无机材料制备，比如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNx)等，所述第二封装层28可以采用有机材料制备，比如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)等。

在一示例性实施例中，所述像素定义层24可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等制备。

图3所示的显示结构层结构仅为示例，本公开实施例不限于此，显示结构层可以是其他结构。

下面通过本实施例显示基板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光和显影，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。在本实施例的描述中，需要理解的是，“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺或光刻工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺或光刻工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺或光刻工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。其中，待检测元件以Micro LED为例。

本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：

在基底上形成显示结构层；所述显示结构层包括多个像素开口区域和围绕所述多个像素开口区域的非像素开口区域；

在所述显示结构层上形成至少一个导出结构，所述导出结构包括位于所述至少一个像素开口区域远离所述基底一侧的第一导出结构和位于所述非像素开口区域远离所述基底一侧的第二导出结构，所述第一导出结构在所述基底的正投影与所述至少一个像素开口区域在所述基底的正投影至少部分重叠，所述第二导出结构在所述基底的正投影和所述非像素开口区域在所述基底的正投影至少部分重叠，所述导出结构被配置为，将入射至所述第一导出结构的至少部分光线传导至所述第二导出结构，并从所述显示结构层的非像素开口区域靠近所述基底一侧出射。

在一示例性实施例中，所述在基底上形成显示结构层可以包括：

在基底上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成扇出电极11；

在形成前述图案的基底上沉积缓冲层薄膜，通过构图工艺形成缓冲层12；

在形成前述图案的基底上沉积有源层薄膜，通过构图工艺形成有源层13图案；

在形成前述图案的基底上，依次沉积第一绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层13的第一绝缘层14、设置在第一绝缘层14上的第一栅电极15和连接电极16，连接电极16通过过孔连接扇出电极11；

依次沉积第二绝缘薄膜和第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅电极15的第二绝缘层17以及设置在第二绝缘层17上的电容电极18图案；

沉积第三绝缘薄膜，通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图，形成开设有过孔的第三绝缘层19图案；

沉积第四金属薄膜，通过构图工艺对第四金属薄膜进行构图，形成源电极20和漏电极21；

涂覆第四绝缘薄膜，通过掩膜曝光显影的光刻工艺形成覆盖源电极20和漏电极21的第四绝缘层22图案，第四绝缘层22开设有过孔，暴露出漏电极21。随后沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成阳极23图案，阳极23通过过孔与漏电极21连接；

在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过光刻工艺形成像素定义层24图案；

在形成前述图案的基底上依次蒸镀有机发光材料及阴极金属，形成有机发光层25和阴极26图案；

在形成前述图案的基底上，沉积第一无机薄膜，形成第一封装层27图案；采用喷墨打印方式形成第二封装层28图案；沉积第二无机薄膜，形成第三封装层29图案，如图7所示。

在一示例性实施例中，在所述显示结构层上形成至少一个导出结构包括：

将导出结构贴合至所述显示结构层上；

或者，

在形成有显示结构层的基底上涂覆光波导膜层薄膜，通过掩膜、曝光和显影工艺形成光波导膜层30图案；或者，在形成有显示结构层的基底上沉积光波导膜层薄膜，通过构图工艺形成光波导膜层30图案；所述光波导膜层薄膜可以是有机材料，比如PI，PET等，或者可以为无机材料，比如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNx)等。

在形成前述图案的基底上，沉积光输出光学结构薄膜，通过构图工艺对光输出光学结构薄膜进行构图，形成光输出光学结构31图案。所述光输出光学结构薄膜可以是无机材料，比如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNx)等。图8为光输出光学结构31的扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)图。如图8所示，所述光输出光学结构31可以是棱镜阵列。

在一示例性实施例中，所述光输出光学结构31可以使用压印方式制备。

本公开实施例提供一种显示装置，包括上述任一实施例所述的显示基板。

在一示例性实施例中，所述显示装置还包括设置于所述基底远离所述显示结构层一侧的传感器，所述传感器的正投影与所述导出结构的正投影存在交叠，且所述导出结构被配置为，将入射至所述第一导出结构的至少部分光线传导至所述第二导出结构，并从所述显示结构层的非像素开口区域靠近所述基底一侧出射至所述传感器。

在一示例性实施例中，所述传感器包括但不限于以下至少之一：图像传感器、光线传感器等。

所述显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。