阅读说明：本技术 显示面板和显示装置 (Display panel and display device ) 是由 近间义雅 西村淳 平田义晴 于 2019-06-03 设计创作，主要内容包括：一种显示面板和显示装置,抑制具有氧化物半导体膜的晶体管的电特性的变化。在液晶面板(10)中,在阵列基板(30)的非显示区域(NAA)中形成为单片的行控制电路部(GDM电路)(82)具备具有氧化物半导体膜(33)而构成的非显示区域用TFT(70)。构成为,在形成于CF基板(20)的非显示区域(NAA)的包括遮光膜(22)的周边遮光部(22B)中,在俯视时与非显示区域用TFT(70)的至少第1沟道部(74)重叠的位置设置开口部(22H),通过了开口部(22H)的光能照射到非显示区域用TFT(70)并被吸收。(A display panel and a display device in which variation in electrical characteristics of a transistor having an oxide semiconductor film is suppressed. In a liquid crystal panel (10), a row control circuit section (GDM circuit) (82) formed monolithically in a non-display region (NAA) of an array substrate (30) is provided with a non-display region TFT (70) having an oxide semiconductor film (33). In a peripheral light-shielding part (22B) including a light-shielding film (22) formed in a non-display area (NAA) of a CF substrate (20), an opening (22H) is provided at a position overlapping at least a 1 st channel part (74) of a non-display area TFT (70) in a plan view, and light energy passing through the opening (22H) is irradiated to the non-display area TFT (70) and absorbed.)

显示面板和显示装置

技术领域

由本说明书公开的技术涉及显示面板和显示装置。

背景技术

已知通过在相对配置的一对基板之间密封电光物质并对该电光物质供应电信号来显示图像的显示面板。在这种显示面板中，作为用于对电光物质供应电信号并控制各像素的动作的开关元件，使用了许多TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)。作为该TFT的活性层，提出了使用氧化物半导体膜来代替非晶硅等的硅半导体膜。

氧化物半导体膜与硅半导体膜相比，电子迁移率高，均匀性优异，但电特性会随着电压的施加等的电应力而改变。当电特性改变，TFT的阈值上升，不再对电光物质适当地供应电信号时，就会成为发生点亮故障等不良情况的原因。因此，例如在下述专利文献1中提出了如下驱动方法：为了抑制TFT使用时的电应力对电特性的影响，在TFT的非驱动时对栅极端子、源极端子之间赋予电应力。

然而，在现有的显示面板中，通常，在显示图像的显示区域中配置在显示图像的各像素之间的遮光膜是位于与栅极配线和源极配线在俯视时重叠的位置，并覆盖配置在各配线的交叉部的显示区域用TFT的表侧。另外，在不显示图像的非显示区域有时也配设非显示区域用TFT，但包含非显示区域用TFT的配设部分的非显示区域为了抑制漏光并提高显示图像的对比度，而通常被遮光膜覆盖。例如，在下述专利文献2中公开了在显示区域的遮光膜形成有开口部的液晶面板，但该开口部意图在于使光通过具有波长选择性的膜而照射到设置于各图像元素的传感二极管，而不是使光照射到TFT的结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2009-42664号公报

专利文献2：特许第4946424号公报

发明内容

发明要解决的问题

根据上述专利文献1，TFT的电特性的变化虽然得到抑制，但需要施加原本是驱动所不需要的电压等而对TFT赋予电应力。另外，在包含上述专利文献2的液晶面板在内的现有的显示面板中，在俯视时与TFT的配设部分重叠的位置配置有遮光膜，设为了光难以照射到TFT的构成。本发明的发明人着眼于电特性由于TFT吸收光而改变(向负方向的偏移量增加)这一点，经过认真研究发现，在以规定的方法驱动的TFT中，通过设为光照射到TFT的构成，能抑制电特性的变化，从而实现了本发明。

本技术是基于如上所述的情况而完成的，目的在于抑制具有氧化物半导体膜而构成的TFT的电特性的变化。

用于解决问题的方案

(1)本说明书所公开的技术的一个实施方式是一种显示面板，能显示图像，具备：

第1基板；

第2基板，其与上述第1基板相对配置；

电光物质，其密封在上述第1基板与上述第2基板之间；

晶体管，其设置在上述第1基板上，对上述电光物质供应电信号，并且具有氧化物半导体膜作为活性层；以及

遮光膜，其设置在上述第2基板上，阻断可见光的透射，并且在俯视时与上述晶体管重叠的位置具有开口部。

在以氧化物半导体膜为活性层的晶体管中，电特性不仅因电应力而改变，还因光吸收而改变。根据上述构成，通过设为在遮光膜形成开口部而使光照射到TFT的结构，对于被赋予使电特性向与因光吸收而引起的变化相反的方向变化那样的电应力的晶体管，能使其吸收光，消除由电应力引起的变化，抑制整体上的电特性的变化。其结果是，能够得到晶体管的性能稳定、减少了显示不良等的发生的显示面板。

此外，上述的电光物质是指透射率、亮度这样的光学特性因电信号(电流信号或电压信号)的供应而发生变化的物质，例如包含液晶、有机EL等。

(2)另外，本说明书所公开的技术的一个实施方式是一种显示面板，在上述(1)的构成的基础上，

上述晶体管具有：

第1栅极电极部，其至少一部分在俯视时与上述氧化物半导体膜重叠；

第1源极电极部，其至少一部分层叠在上述氧化物半导体膜上，并且连接到上述氧化物半导体膜；以及

第1漏极电极部，其至少一部分层叠在上述氧化物半导体膜上，并与上述第1源极电极部之间空开间隔，且连接到上述氧化物半导体膜，

上述晶体管是第1晶体管，其被进行如下控制：上述第1栅极电极部被周期性地交替施加第1电压和比上述第1电压高的第2电压，上述第1电压与第1电压施加时间之积以及上述第2电压与第2电压施加时间之积的每单位周期的和为正值。

(3)另外，本说明书所公开的技术的一个实施方式是一种显示面板，在上述(2)的构成的基础上，

上述遮光膜的上述开口部形成在俯视时至少与第1沟道部重叠的位置，上述第1沟道部形成在上述氧化物半导体膜的与上述第1源极电极部的连接部分和上述氧化物半导体膜的与上述第1漏极电极部的连接部分之间。

(4)另外，本说明书所公开的技术的一个实施方式是一种显示面板，在上述(1)至上述(3)中的任意一项所述的构成的基础上，

在上述第2基板中，在与上述遮光膜的上述开口部重叠的位置设置有选择性地使规定波长的可见光透射过的彩色滤光片。

(5)另外，本说明书所公开的技术的一个实施方式是一种显示面板，在上述(1)至上述(4)中的任意一项所述的构成的基础上，

上述显示面板被划分为：显示区域，其能根据电信号来显示图像；以及非显示区域，其不显示图像，

上述晶体管配置在上述第1基板的上述非显示区域，

在上述第2基板的上述非显示区域配置有上述遮光膜。

(6)另外，本说明书所公开的技术的一个实施方式是一种显示面板，在上述(1)至上述(5)中的任意一项所述的构成的基础上，

还具有设置在上述第1基板上的第2晶体管，

上述第2晶体管具有：

氧化物半导体膜；

第2栅极电极部，其至少一部分在俯视时与上述氧化物半导体膜重叠；

第2源极电极部，其至少一部分层叠在上述氧化物半导体膜上，并且连接到上述氧化物半导体膜；以及

第2漏极电极部，其至少一部分层叠在上述氧化物半导体膜上，并与上述第2源极电极部之间空开间隔，且连接到上述氧化物半导体膜，

上述第2晶体管被进行如下控制：上述第2栅极电极部被周期性地交替施加第3电压和比上述第3电压高的第4电压，上述第3电压与第3电压施加时间之积以及上述第4电压与第4电压施加时间之积的每单位周期的和为负值，

上述遮光膜形成为覆盖俯视时与上述第2晶体管重叠的位置。

(7)另外，本说明书所公开的技术的一个实施方式是一种显示面板，在上述(6)所述的构成的基础上，

上述显示面板被划分为：显示区域，其能根据电信号来显示图像；以及非显示区域，其不显示图像，

上述第2晶体管配置在上述第1基板的上述显示区域。

(8)另外，本说明书所公开的技术的一个实施方式是一种显示装置，具备上述(1)至上述(7)中的任意一项所述的构成的显示面板。

发明效果

根据本技术，通过抑制晶体管的电特性的变化，能够得到使显示面板的工作稳定、减少了显示不良等的发生的显示面板和显示装置。

附图说明

图1是示出实施方式1的液晶显示装置的液晶面板与安装部件的连接构成的概略的俯视示意图。

图2是示出液晶面板的显示区域中的截面构成的概略的截面示意图。

图3是示出液晶面板的非显示区域用TFT附近的截面构成的概略的截面示意图。

图4是示出构成液晶面板的阵列基板的配线构成的概略的俯视示意图。

图5A是表示由电应力引起的TFT的电特性的变化的概要的坐标图(不存在光吸收的情况)。

图5B是表示由电应力引起的TFT的电特性的变化的概要的坐标图(存在光吸收的情况)。

图6是表示用于确保由必要电流值I₀的电压的电应力引起的变化的概要的坐标图(单点划线：不存在光吸收的情况；双点划线：存在光吸收的情况)。

图7是示出实施方式2的液晶面板的非显示区域的截面构成的截面示意图。

附图标记说明

1…液晶显示装置(显示装置的一个例子)，10、210…液晶面板(显示面板的一个例子)，20、220…CF基板(相对基板；第2基板的一个例子)，21、221…彩色滤光片，22、222…遮光膜(黑矩阵)，22A…像素间遮光部，22B、222B…周边遮光部，22H、222H…开口部，30、230…阵列基板(有源矩阵基板；第1基板的一个例子)，33…氧化物半导体膜，40…液晶层(电光物质的一个例子)，58…栅极配线(行控制线、扫描线)，59…源极配线(列控制线、数据线、配线)，60…显示区域用TFT(第2晶体管的一个例子)，61…第2栅极电极部，62…第2源极电极部，63…第2漏极电极部，64…第2沟道部，70…非显示区域用TFT(第1晶体管的一个例子)，71…第1栅极电极部，72…第1源极电极部，73…第1漏极电极部，74…第1沟道部，80…驱动电路，81…列控制电路部(源极驱动器驱动电路部)，82…行控制电路部(栅极驱动器驱动电路部)，AA…显示区域(有源区域)，NAA…非显示区域(非有源区域)。

具体实施方式

＜实施方式1＞

根据图1至图6来说明实施方式1。在本实施方式1中，例示了液晶显示装置(显示装置的一个例子)1。此外，在各附图的一部分示出了X轴、Y轴以及Z轴，以各轴向在各图中为同一方向的方式进行描绘。另外，将图2、图3等的上侧设为表侧(将该图下侧设为里侧)，对于多个相同构件，有时会对一个构件标注附图标记，对其它构件省略附图标记。

对液晶显示装置1的概略构成进行说明。

如图1所示，液晶显示装置1具备液晶面板(显示面板的一个例子)10，在液晶面板10的背面侧装配有照射用于显示的照明光的背光源单元(照明装置)。

虽然省略了背光源单元的图示，但其具有对液晶面板10发出例如白色的光的光源(例如LED等)、通过对来自光源的光赋予光学作用而将其转换为面状光的光学构件等。此外，也可以设为如下构成：在液晶面板10的表侧例如配置未图示的框状构件(外框)，夹住并保持液晶面板10的外周部分(后述的非显示区域NAA)。

对液晶面板10进行说明。

如图1所示，液晶面板10整体上呈纵长的方形(矩形)，其长边方向与Y轴方向一致，短边方向与X轴方向一致。液晶面板10被划分为：显示区域(有源区域)AA，其为方形，能显示图像，配置在偏靠液晶面板10的长边方向上的一个端部侧(图1所示的上侧)的位置；以及非显示区域(非有源区域)NAA，其呈包围显示区域AA的边框状(方形框状)，不显示图像。此外，在图1中，比后述的CF基板20小的框状的单点划线表示显示区域AA的外形，该单点划线的外侧的区域为非显示区域NAA。

如图1和图2所示，液晶面板10将一对基板20、30贴合而成，配置在表侧的基板被设为CF基板(相对基板；第2基板的一个例子)20，配置在里侧(背面侧)的基板被设为阵列基板(有源矩阵基板；第1基板的一个例子)30。此外，在液晶面板10中，图像被显示为能从表侧的面、即CF基板20的外侧的板面视觉识别。如图1所示，阵列基板30的短边的长度尺寸与CF基板20大体相等，而长边的长度尺寸形成得比CF基板20大，在构成一个(图1所示的上侧)短边的侧缘对齐的状态下与CF基板20贴合。因此，阵列基板30的包含另一个(图1所示的下侧)短边的侧缘部从CF基板20的下侧的侧缘伸出，存在在规定范围内不与CF基板20重叠的基板非重叠区域。此外，如图1所示，前述的显示区域AA被划定在基板重叠区域的中央部，基板重叠区域的外周端部和基板非重叠区域这两者的整个区域被设为非显示区域NAA。

如图1所示，在液晶面板10的基板非重叠区域安装有用于供应驱动液晶面板10的各种电信号的各种电子部件。在本实施方式1中，连接有：驱动器(面板驱动部)51，其驱动液晶面板10；控制电路基板(外部的信号供应源)52，其从外部向驱动器51供应各种输入信号；以及柔性基板(外部连接部件)53，其将液晶面板10与外部的控制电路基板52电连接。此外，驱动器51包括在内部具有后述的驱动电路80的LSI芯片，通过基于从作为信号供应源的控制电路基板52供应的信号而进行工作，从而，对从控制电路基板52供应的输入信号进行处理并生成输出信号，将该输出信号输出到液晶面板10的显示区域AA。

如图2等所示，在彼此配置为相对状的一对基板20、30之间夹设有包含作为电光物质的液晶分子的液晶层40，被后述的密封部45(参照图1等)密封。构成本实施方式1的液晶层40的液晶材料例如使用负型的向列型液晶材料，在两基板20、30间没有被赋予电场的初始状态(不通电状态)下，液晶分子相对于形成在各基板20、30的表面的后述的各取向膜28、38大体垂直取向。即，在本实施方式1中，例示了以所谓的VA模式进行动作的液晶面板10。

如图1所示，密封部45以沿着作为非显示区域NAA的基板重叠区域的外周端部的整周延伸的形式设置在两基板20、30之间，整体上在俯视时呈方形的框状(无端环状)。通过该密封部45在两基板20、30的外周端部保持液晶层40的厚度量的间隙(单元间隙)。

接着，参照图2至图4来说明设置于阵列基板30和CF基板20的结构。此外，在各图中，将各种结构物简化，并且省略一部分图示。特别是，在作为液晶面板10的显示区域AA中的概略截面图的图2中，省略了许多结构物，但图2中省略的结构的一部分被表示在作为液晶面板10的非显示区域NAA中的部分放大截面图的图3中。

如图2等所示，CF基板20和阵列基板30分别具备包括无碱玻璃、石英玻璃等的透明的玻璃基板GS，在各自的玻璃基板GS上通过已知的光刻法等层叠有多个膜。在两基板20、30的最外侧的面分别贴附有偏振板29、39。

如图2所示，在显示区域AA中的两基板20、30的最靠液晶层40侧，分别形成有用于使构成液晶层40的液晶材料(液晶分子LC)取向的取向膜28、38。取向膜28、38例如均包括聚酰亚胺，例如被设为通过被照射特定的波长区域的光(例如紫外线等)而能使液晶分子沿着该光的照射方向取向的光取向膜。本实施方式1的液晶面板10如已叙述的那样以所谓的VA模式进行动作，取向膜28、38使用使液晶分子的长轴相对于基板在法线方向上进行取向的垂直取向膜。取向膜28、38分别沿着各基板20、30的至少显示区域AA的大致整个区域形成为满面状。

首先，对设置于阵列基板30的结构进行说明。

如图3等所示，在本实施方式1的阵列基板30的内面侧(液晶层40侧、与CF基板20的相对面侧)，从下层(玻璃基板GS)侧起按顺序层叠形成有第1金属膜(栅极金属膜)31、栅极绝缘膜32、氧化物半导体膜33、第2金属膜(源极金属膜)34、层间绝缘膜(未图示)、有机绝缘膜35以及透明电极膜36(参照图2)等膜。此外，形成在阵列基板30内的膜不限于这些，也可以除了上述的膜以外还适当地层叠配置有其它层间绝缘膜、保护膜等，或者是适当地层叠配置有其它层间绝缘膜、保护膜等来代替上述的膜。

上述的膜中的图2所示的透明电极膜36仅形成在阵列基板30的显示区域AA，未形成在非显示区域NAA。另外，图3所示的包含栅极绝缘膜32、有机绝缘膜35在内的各绝缘膜形成为沿着阵列基板30的大致整个面的满面状的图案(在一部分具有开口)。并且，第1金属膜31、氧化物半导体膜33以及第2金属膜34以规定的图案形成在阵列基板30的显示区域AA和非显示区域NAA双方。

第1金属膜31和第2金属膜34例如能够由包括从铜、钛、铝、钼、钨等当中选择的1种金属材料的单层膜形成，或是由包括不同种类的金属材料的层叠膜、合金形成。第1金属膜31构成后述的栅极配线58、或是显示区域用TFT60的第2栅极电极部61、非显示区域用TFT70的第1栅极电极部71等。另外，第2金属膜34隔着栅极绝缘膜32配置在第1金属膜31的上层侧，构成后述的源极配线59、或是显示区域用TFT60的第2源极电极部62和第2漏极电极部63、以及非显示区域用TFT70的第1源极电极部72和第1漏极电极部73等。

栅极绝缘膜32至少层叠在第1金属膜31的上层侧。栅极绝缘膜32和层间绝缘膜例如被设为包括氮化硅(SiN_X)、氧化硅(SiO₂)。

氧化物半导体膜33层叠在栅极绝缘膜32的上层侧，例如被设为包括作为一种氧化物半导体的包含铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的氧化物薄膜。作为氧化物半导体膜33的包含铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的氧化物薄膜被设为非晶质或结晶质，具有高的电子迁移率。氧化物半导体膜33构成后述的显示区域用TFT60的第2沟道部64、或是非显示区域用TFT70的第1沟道部74等。

有机绝缘膜35例如包括作为有机材料的丙烯酸系树脂(例如聚甲基丙烯酸甲酯树脂(PMMA))，作为平坦化膜发挥功能。

透明电极膜36层叠在有机绝缘膜35的上层侧，例如包括ITO(Indium Tin Oxide；铟锡氧化物)或ZnO(Zinc Oxide；氧化锌)这样的透明电极材料。透明电极膜36构成后述的像素电极55。

如图2所示，在阵列基板30的显示区域AA的内面侧，通过上述的各种膜，以矩阵状排列设置有多个作为开关元件的显示区域用TFT(第2晶体管的一个例子)60和多个像素电极55，并且，如图4所示，以包围显示区域用TFT60和像素电极55的方式配设有呈格子状的源极配线(列控制线、数据线、配线)59和栅极配线(行控制线、扫描线)58。换言之，在呈格子状的源极配线59和栅极配线58的交叉部，多个显示区域用TFT60和多个像素电极55沿着列方向(Y轴方向)和行方向(X轴方向)排列设置成行列状(矩阵状)。

如图4所示，栅极配线58包括已叙述的第1金属膜31，沿着X轴方向延伸，且多条栅极配线58在Y轴方向上空开间隔地排列配置。源极配线59包括第2金属膜34，沿着Y轴方向延伸，且多条源极配线59在X轴方向上空开间隔地排列配置。此外，也能在阵列基板30上设置与栅极配线58并行并且横穿像素电极55的电容配线(未图示)。

显示区域用TFT60是以已叙述的氧化物半导体膜33为活性层的已知的构成，例如能够设为具有与图3所示的非显示区域用TFT70同样的构成部位的TFT。在本实施方式1中，使用具有与非显示区域用TFT70同样的构成部位的TFT作为显示区域用TFT60，因此，在图3的非显示区域用TFT70的各构成部位一并标注并示出关于显示区域用TFT60的构成部位的附图标记。显示区域用TFT60具有：第2栅极电极部61，其包括第1金属膜31；氧化物半导体膜33，其隔着栅极绝缘膜32配置在第2栅极电极部61的上层侧并且其至少一部分在俯视时与第2栅极电极部61重叠；第2源极电极部62，其至少一部分层叠在氧化物半导体膜33上，并且连接到氧化物半导体膜33；以及第2漏极电极部63，其至少一部分层叠在氧化物半导体膜33上，并与第2源极电极部62之间空开间隔，且连接到氧化物半导体膜33。在氧化物半导体膜33中，与第2源极电极部62的连接部分和与第2漏极电极部63的连接部分之间的部分被设为第2沟道部64。此外，显示区域用TFT60的各构成部位的尺寸形状、配置不限于图3所示的构成，能够适当地进行调整。

虽然在图2中省略了图示，但显示区域用TFT60除了连接到栅极配线58和源极配线59以外，在设置于有机绝缘膜35等的接触孔中还连接到像素电极55。显示区域用TFT60基于传送到栅极配线58的扫描信号而被驱动，经由显示区域用TFT60的第2沟道部64传送到源极配线59的图像信号被供应到像素电极55，从而，像素电极55被充电至规定的电位。

如图4所示，在阵列基板30的非显示区域NAA的表面侧，在与显示区域AA的短边部相邻的位置设置有列控制电路部(源极驱动器驱动电路部)81，而在与显示区域AA的长边部相邻的位置设置有行控制电路部(栅极驱动器驱动电路部)82。列控制电路部81和行控制电路部82能进行用于将来自搭载于驱动器51的驱动电路80的输出信号供应给显示区域用TFT60的控制。列控制电路部81和行控制电路部82以氧化物半导体膜33、或第1金属膜31、第2金属膜34等为基底，在阵列基板30上形成为单片。如图4所示，这些列控制电路部81和行控制电路部82在非显示区域NAA中配置在比密封部45靠中央侧，也就是靠显示区域AA侧。此外，在图1中用虚线示出了密封部45，而在图4中是用双点划线图示出了密封部45。在阵列基板30的制造工序中对显示区域用TFT60等进行图案化时，使用已知的光刻法，同时将列控制电路部81和行控制电路部82图案化到阵列基板30上。

如图4所示，列控制电路部81配置在与显示区域AA中的该图下侧的短边部相邻的位置，换言之，在Y轴方向上配置在显示区域AA与驱动器51之间的位置，形成在沿着X轴方向延伸的横长的大致方形的范围内。该列控制电路部81具有开关电路(RGB开关电路)，该开关电路连接到配置在显示区域AA的源极配线59，并且将来自驱动器51的输出信号中包含的图像信号分配给各源极配线59。具体来说，在阵列基板30的显示区域AA中，多条源极配线59在X轴方向上并列配置，并且分别连接到构成R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)的各个颜色的显示像素的各显示区域用TFT60，而列控制电路部81通过开关电路将来自驱动器51的图像信号分配并供应给R、G、B的各源极配线59。另外，列控制电路部81也能具备电平移位电路、ESD保护电路等附属电路。

另一方面，如图4所示，行控制电路部82配置在与显示区域AA中的该图左侧的长边部相邻的位置，形成在沿着Y轴方向延伸的纵长的大致方形的范围内。行控制电路部82具有扫描电路，该扫描电路连接到配置于显示区域AA的栅极配线58，并且将来自驱动器51的输出信号中包含的扫描信号在规定的定时供应给各栅极配线58来依次扫描各栅极配线58。具体来说，在阵列基板30的显示区域AA中，多条栅极配线58在Y轴方向上并列配置，而行控制电路部82通过扫描电路在显示区域AA中按照从图4所示的上端位置的栅极配线58到下端位置的栅极配线58的顺序依次供应来自驱动器51的控制信号(扫描信号)，从而进行栅极配线58的扫描。此外，列控制电路部81和行控制电路部82通过形成在阵列基板30上的未图示的连接配线而连接到驱动器51。

行控制电路部82所具备的扫描电路包含缓冲电路，该缓冲电路连接到栅极配线58，并且将扫描信号放大而输出到栅极配线58。另外，行控制电路部82也能具备电平移位电路、ESD保护电路等附属电路。行控制电路部82所具备的这些各电路具备如图3所示那样的非显示区域用TFT(第1晶体管的一个例子)70。非显示区域用TFT70配置在阵列基板30的板面中的非显示区域NAA，并且能够在阵列基板30的制造工序中与显示区域用TFT60同时形成。非显示区域用TFT70例如用于在扫描电路中进行的信号处理的最终阶段输出扫描信号，非显示区域用TFT70处理的电流量大于显示区域用TFT60处理的电流量。

如图3所示，非显示区域用TFT70具有与已叙述的显示区域用TFT60同样的各构成部位。即，具有：第1栅极电极部71，其包括第1金属膜31；氧化物半导体膜33，其隔着栅极绝缘膜32配置在第1栅极电极部71的上层侧并且其至少一部分在俯视时与第1栅极电极部71重叠；第1源极电极部72，其至少一部分层叠在氧化物半导体膜33上，并且连接到氧化物半导体膜33；以及第1漏极电极部73，其至少一部分层叠在氧化物半导体膜33上，并与第1源极电极部72之间空开间隔，且连接到氧化物半导体膜33。在氧化物半导体膜33中，与第1源极电极部72的连接部分和与第1漏极电极部73的连接部分之间的部分被设为第1沟道部74。包括氧化物半导体膜33的该第1沟道部74沿着X轴方向延伸，并且架设于第1源极电极部72与第1漏极电极部73，使得电荷能在两电极部72、73之间移动。第1源极电极部72与第1漏极电极部73在第1沟道部74的延伸方向(X轴方向)上空开规定的间隔且配置为相对状。此外，非显示区域用TFT70的各构成部位的尺寸形状、配置与显示区域用TFT60同样地，不限于图3所示的构成，能够适当地进行调整。

如上所述，非显示区域用TFT70和显示区域用TFT60均被设为反交错(InvertedStagger)型，具有氧化物半导体膜33作为活性层，在配置在最下层的栅极电极部71、61的上层侧隔着栅极绝缘膜32层叠有沟道部74、64。此外，由于将非显示区域用TFT70的各构成部位设为了与显示区域用TFT60的各构成部位同样的配置构成，从而，在实现成品率的提高等这一点上是优选的。

接下来，对设置于CF基板20的结构进行说明。

如图2所示，在CF基板20的显示区域AA的内面侧(液晶层40侧、与阵列基板30的相对面侧)，设置有呈现红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)这3个颜色的彩色滤光片21。例如相互不同颜色的彩色滤光片21沿着X轴方向排列多个，并且呈现相同颜色的彩色滤光片21沿着Y轴方向排列多个，从而整体上排列成矩阵状，分别配置为与已叙述的阵列基板30侧的各像素电极55在俯视时重叠。在本实施方式1的液晶面板10中，由沿着X轴方向排列的R、G、B的彩色滤光片21与和各彩色滤光片21相对的3个像素电极55的组构成了作为显示单位的1个像素部。并且，在相邻的21之间形成有包括阻断可见光的透射的遮光膜(黑矩阵)22的大致格子状的像素间遮光部22A。像素间遮光部22A的功能是防止光在相邻的像素部间来往而确保灰度级的独立性，特别是沿着Y轴方向延伸的部分防止了呈现不同颜色的像素部间的混色。像素间遮光部22A配置为与已叙述的栅极配线58和源极配线59在俯视时重叠，且其也覆盖位于配线58、59的交叉部的显示区域用TFT60的表侧。此外，遮光膜22沿着跨越显示区域AA和非显示区域NAA的范围设置，在显示区域AA中形成与栅极配线和源极配线重叠的格子状的像素间遮光部22A，而在非显示区域NAA中大体配置为满面状，形成了后述的周边遮光部22B。遮光膜22也可以使用金属材料，但从抑制外部光的多重反射的观点来看，优选设为包括树脂材料。

如图2所示，在彩色滤光片21和像素间遮光部22A的表面(液晶层40侧的面)设置有相对电极25。相对电极25沿着CF基板20的内面的大致整个区域形成为满面状。相对电极25与已叙述的像素电极55同样地，例如能够设为包括ITO(Indium Tin Oxide)或ZnO(ZincOxide)这样的透明电极材料。相对电极25始终保持为恒定的基准电位，因此，当随着各显示区域用TFT60被驱动，而电位被供应给连接到各显示区域用TFT60的各像素电极55时，会在相对电极25与各像素电极55之间产生电位差。并且，基于在相对电极25与各像素电极55之间产生的电位差，液晶层40中包含的液晶分子的取向状态会发生变化，透射光的偏振状态也随之发生变化，得以按每个像素部单独控制液晶面板10的透射光量，并且显示规定的彩色图像。此外，也可以在相对电极25的表面设置有用于保持一对基板20、30间的间隔即液晶层40的厚度(单元间隙)的间隔物。

如图3所示，在CF基板20的非显示区域NAA的内面侧设置有包括遮光膜22的周边遮光部22B。此外，在周边遮光部22B的表面(液晶层40侧的面)也配置有已叙述的相对电极25。

在此，如图3所示，在本实施方式1的周边遮光部22B形成有开口部22H。优选开口部22H形成为包含俯视时与非显示区域用TFT70重叠的位置，详细来说是形成为包含至少与第1沟道部74重叠的位置。本实施方式1的液晶面板10通过像这样在周边遮光部22B形成有开口部22H，从而构成为来自液晶面板10的表面侧的可见光能通过开口部22H到达阵列基板30侧，照射到构成非显示区域用TFT70的氧化物半导体膜33并被吸收。

接着，对如上所述构成的液晶面板10中的显示区域用TFT60和非显示区域用TFT70的工作进行说明。

从作为信号供应源的控制电路基板52经由柔性基板53等供应到驱动器51的输入信号在驱动器51内的驱动电路80中被处理后，作为输出信号朝向列控制电路部81和行控制电路部82输出。该输出信号中的扫描信号在行控制电路部82的扫描电路中被放大后在规定的定时供应到各栅极配线58，依次扫描各栅极配线58。从而，显示区域用TFT60的第2栅极电极部61被周期性地施加规定的栅极电压。这时，配置在行控制电路部82的扫描电路中包含的缓冲电路或电平移位电路、ESD保护电路等当中的非显示区域用TFT70的第1栅极电极部71也被周期性地施加规定的栅极电压。另一方面，从驱动器51输出的输出信号中的图像信号通过列控制电路部81的开关电路被分配给各源极配线59，再传递给第2源极电极部62。

在此，与显示区域用TFT60和非显示区域用TFT70的作用相应地，施加到各栅极电极部61、71的各栅极电压的大小(施加电压)和定时(电压施加时间)被控制为不同。

具体来说，通常，多个显示区域用TFT60的栅极电压维持为比较低的且为负电压的第3电压，各第2栅极电极部61以几千～几万分之1秒的程度的时间比例，依次被施加较高的第4电压。例如，能够将第3电压设为－10V，将第4电压设为+20V，并控制为以每60,000秒的单位周期中为1秒的时间比例对维持为－10V的第2栅极电极部施加+20V。在这种显示区域用TFT60中，第3电压与第3电压施加时间之积以及上述第4电压与第4电压施加时间之积这两者的每单位周期的和为负值((－10V×59,999/60,000)+(+20V×1/60,000)＝(－599,990V+20V)/60,000＝－599,970V/60,000)。

另一方面，具有将来自驱动器51的输出信号放大的功能的非显示区域用TFT70的栅极电压被控制为，与显示区域用TFT60的栅极电压相比，以更大的时间比例被施加更高的电压。例如，能够将比较低的第1电压设为0V，将比较高的第2电压设为+30V，并控制为以相等的时间比例交替施加第1电压与第2电压。在这种非显示区域用TFT70中，第1电压与第1电压施加时间之积以及上述第2电压与第2电压施加时间之积这两者的每单位周期的和为正值((0V×1/2)+(+30V×1/2)＝+15V)。

接着，验证电应力和光吸收对TFT的电特性的影响。

在如本实施方式1的两个TFT60、70那样将氧化物半导体膜用作活性层的TFT中，由于栅极电极部被施加电压，从而，其电特性转变，随着被周期性地持续给予电应力，从而，整体上电特性发生移动。以下，参照图5A、图5B以及图6，使用具有氧化物半导体膜作为活性层的验证用TFT来验证以如上所述的方法对非显示区域用TFT70施加栅极电压的情况下的、光吸收对电特性的变化带来的影响。此外，图5A和图5B虽然均表示的是验证用TFT的电流电压特性的变化的概要，但图5A示出了验证用TFT不吸收光的情况下的电特性，图5B示出了验证用TFT吸收光的情况下的电特性。另外，图6绘制出了在以规定的周期对验证用TFT的栅极电极部交替地持续施加第1电压和第2电压时不再能够确保足够大小的漏极电流Id(必要电流值I₀)的电压(即，在将该TFT用于液晶面板的驱动的情况下可能会产生点亮故障的电压)的变化的图。在图6中，单点划线示出了验证用TFT不吸收光的情况下的电压，双点划线示出了验证用TFT吸收光的情况下的电压。

首先，参照图5A来说明不存在光吸收的情况下的电特性的变化。

在栅极电极部被施加第1电压(0V)的初始状态下，验证用TFT的电特性由图5A的实线A₀表示。在将进行正常控制所需的漏极电流Id的值设为必要电流值I₀时，用于确保必要电流值I₀所需的必要电压V₀由该图的电压a₀表示。

当在规定的定时对栅极电极部施加了第2电压(+30V)时，验证用TFT的电特性在图5A中从A₀向正方向偏移一定量而由单点划线B₀₁表示。如该图所示，将该状态下的必要电压V₀设为电压b₀₁。

进而，当在规定的定时对栅极电极部的施加电压返回到第1电压(0V)时，验证用TFT的电特性在图5A中从B₀₁向负方向偏移一定量而由虚线A₀₁表示。这时，在以非显示区域用TFT70那样的方法被施加栅极电压的TFT中，已知从B₀₁到A₀₁的向负方向的偏移量比从A₀到B₀₁的向正方向的偏移量小，A₀₁被表示在A₀的正侧。若将该状态下的必要电压V₀设为电压a₀₁，则如该图所示，电压a₀₁是比初始状态下的电压a₀大的值。即，|b₀₁－a₀|＞|b₀₁－a₀₁|成立。

同样地，当继续对栅极电极部周期性地交替施加第1电压和第2电压时，验证用TFT的电特性如A₀→B₀₁→A₀₁→B₀₂→A₀₂→…那样整体上向正方向移动。伴随于此，必要电压V₀也在第1电压施加时如a₀→a₀₁→a₀₂→…那样向正方向移动，在第2电压施加时如b₀₁→b₀₂→…那样向正方向移动。

接下来，在与不存在光吸收的上述情况进行比较的同时，参照图5B来说明存在光吸收的情况下的电特性的变化。此外，图5B中的验证用TFT的构成和电压施加方法、条件除了有无光吸收以外与图5A的情况相同。

从栅极电极部被施加第1电压(0V)且电特性由实线A₀表示的初始状态起，当在规定的定时对栅极电极部施加了第2电压(+30V)时，验证用TFT的电特性在图5B中向正侧偏移一定量而由单点划线B₁表示。在此，在如验证用TFT那样以氧化物半导体膜为活性层而构成的TFT中，即使吸收光，向正方向的偏移量也不会变。因此，B₁与不存在光吸收的情况下的B₀₁一致，若将该状态下的必要电压V₀设为电压b₁，则电压b₁与图5A中的电压b₀₁相等。

进而，当在规定的定时对栅极电极部的施加电压返回到第1电压(0V)时，验证用TFT的电特性在图5B中从B₁向负方向偏移一定量而由虚线A₁表示。将该状态下的必要电压V₀设为电压a₁。在此，在以氧化物半导体膜为活性层而构成的TFT中，已知由于吸收光而电特性向负方向的偏移量会增加。图5B示出了如下情形：存在光吸收的情况下的向负方向的偏移量虽然比向正方向的偏移量小，但比不存在光吸收的图5A的情况下的向负方向的偏移量大得多。即，比较图5B与图5A明显可见，图5B中的从B₁到A₁的向负方向的偏移量比图5A中的从B₀₁到A₀₁的向负方向的偏移量大，与向正方向的偏移量之间的差非常小。因此，|b₁－a₀|＝|b₀₁－a₀|＞|b₁－a₁|＞＞|b₀₁－a₀₁|，|a₁－a₀|＜＜|a₀₁－a₀|成立。

当继续对栅极电极部周期性地交替施加第1电压和第2电压时，验证用TFT的电特性如A₀→B₁→A₁→B₂→A₂→…那样整体上向正方向移动，但其移动量与图5A的情况相比非常小。其结果是，第1电压施加时和第2电压施加时的各状态下的必要电压V₀的变化也非常小。

接下来，参照图6，重新比较不存在光吸收的情况(单点划线)与存在光吸收的情况(双点划线)下的电特性的变化。如对图5A和图5B进行说明的那样，在对验证用TFT周期性地施加规定的栅极电压的情况下，电特性改变而逐渐向正方向移动，但即使是在赋予同样的电应力(栅极电压的周期性施加)的情况下，在存在光吸收的情况下，与不存在光吸收的情况相比，电特性的移动也会受到抑制，移动量变小。如图6那样，当将在TFT中不再能够确保必要电流值I₀的电压相对于栅极电压施加时间(电应力赋予时间)进行绘制时，虽然会描绘出向右上升的直线(或曲线)，但在存在光吸收的情况(双点划线)下，与不存在光吸收的情况(单点划线)相比，其倾斜变缓。图6是示意性地示出变化的概要的图，但例如在为了点亮像素而施加30V的电压的构成的液晶面板中，在不存在光吸收的情况下，在持续施加了约10,000小时的栅极电压的时间点，有可能不再能够确保必要电流值I₀而发生点亮故障。相对于此，发现在存在光吸收的情况下，能够确保必要电流值I₀达到约1,000,000小时，能长期间地使TFT稳定地发挥功能，抑制液晶面板中的显示不良的发生。

另一方面，在使用具有氧化物半导体膜作为活性层的TFT，以如上所述的方法对显示区域用TFT60施加栅极电压的情况下，在周期性施加二值性的栅极电压的过程中，电特性的向负方向的偏移量比向正方向的偏移量大。因此，即使是在不存在光吸收的情况下，通过周期性地持续施加栅极电压，电特性也会整体上向负方向移动。在存在光吸收的情况下，如上所述，向负方向的偏移量变大，因此，电特性整体上向负方向的移动被放大，TFT的驱动进一步变得不稳定。

如以上记载的那样，本实施方式1的液晶面板(显示面板的一个例子)10是能显示图像的液晶面板10，具备：

阵列基板(第1基板的一个例子)30；

CF基板(第2基板的一个例子)20，其与阵列基板30相对配置；

液晶层(电光物质的一个例子)40，其密封在阵列基板与CF基板之间；

非显示区域用TFT70(晶体管的一个例子)，其设置在阵列基板30上，对液晶层40供应电信号，具有氧化物半导体膜33作为活性层；以及

周边遮光部22B，其设置在CF基板20上，包括阻断可见光的透射的遮光膜22，在俯视时与非显示区域用TFT70重叠的位置具有开口部22H。

在以氧化物半导体膜33为活性层的TFT中，电特性不仅因电应力而改变，还因光吸收而改变。根据上述本实施方式1的构成，对于被施加使电特性向与因光吸收而引起的变化相反的方向变化那样的栅极电压(被赋予电应力)的非显示区域用TFT70，在遮光膜22形成开口部22H并照射光，能消除由电应力引起的变化，抑制整体上的电特性的变化。其结果是，能够得到非显示区域用TFT70的性能稳定且减少了显示不良等的发生的液晶面板10。

在上述本实施方式1的液晶面板10中，

非显示区域用TFT(第1晶体管的一个例子)70具有：

第1栅极电极部71，其至少一部分在俯视时与氧化物半导体膜33重叠；

第1源极电极部72，其至少一部分层叠在氧化物半导体膜33上，并且连接到氧化物半导体膜33；以及

第1漏极电极部73，其至少一部分层叠在氧化物半导体膜33上，并与第1源极电极部72之间空开间隔，且连接到氧化物半导体膜33，

非显示区域用TFT70被进行如下控制：第1栅极电极部71被周期性地交替施加第1电压(0V)和比第1电压高的第2电压(+30V)，第1电压与第1电压施加时间之积以及第2电压与第2电压施加时间之积的每单位周期的和为正值。

在如上述那样被控制的非显示区域用TFT70中，在第2电压施加时电特性向正方向偏移，在第1电压施加时向负方向偏移，但负方向的偏移量比正方向的偏移量小。因此，由于交替施加到第1栅极电极部71的栅极电压(电应力)，电特性总体上向正方向移动。已知，当这种非显示区域用TFT70吸收光时，与不吸收光的情况相比，向负方向的偏移量大。根据上述本实施方式1的构成，使通过了形成在遮光膜22的开口部22H的光被非显示区域用TFT70吸收，使向负方向的偏移量增加，从而，能够抑制电特性整体上的向正方向的变化。

在上述本实施方式1的液晶面板10中，

遮光膜22的开口部22H形成在俯视时至少与第1沟道部74重叠的位置，第1沟道部74形成在氧化物半导体膜33的与第1源极电极部72的连接部分和氧化物半导体膜33的与第1漏极电极部73的连接部分之间。

通过使光照射到构成非显示区域用TFT70的氧化物半导体膜33并被吸收，从而，能得到如上所述的因光吸收而引起的电特性的抑制效果。根据上述本实施方式1的构成，通过抑制形成在遮光膜22的开口部22H的面积，并且对非显示区域用TFT70中的包括氧化物半导体膜33的第1沟道部74照射光，从而，能够有效地抑制电特性的变化。

在上述本实施方式1的液晶面板10中，

液晶面板10被划分为：显示区域AA，其能根据电信号来显示图像；以及非显示区域NAA，其不显示图像，

非显示区域用TFT70配置在阵列基板30的非显示区域NAA，

在CF基板20的非显示区域NAA配置有包括遮光膜22的周边遮光部22B。

在例如以单片配置于非显示区域NAA的行控制电路部82(栅极驱动器单片电路、GDM电路)的非显示区域用TFT70中，通常进行对第1栅极电极部71分别施加相等时间的0V和+30V的栅极电压等的、使电特性向正方向变化那样的控制。并且，通常，由于非显示区域NAA被周边遮光部22B覆盖，因此，光很少照射到配置在非显示区域NAA的非显示区域用TFT70。本技术在抑制这种非显示区域用TFT70的电特性的变化时特别有用。

在上述本实施方式1的液晶面板10中，

还具有设置在阵列基板30上的显示区域用TFT(第2晶体管的一个例子)60，

显示区域用TFT60具有：

氧化物半导体膜33；

第2栅极电极部61，其至少一部分在俯视时与氧化物半导体膜33重叠；

第2源极电极部62，其至少一部分层叠在氧化物半导体膜33上，并且连接到氧化物半导体膜33；以及

第2漏极电极部63，其至少一部分层叠在氧化物半导体膜33上，并与第2源极电极部62之间空开间隔，且连接到氧化物半导体膜33，

显示区域用TFT60被进行如下控制：第2栅极电极部61被周期性地交替施加第3电压(－10V)和比第3电压高的第4电压(+20V)，第3电压与第3电压施加时间之积以及第4电压与第4电压施加时间之积的每单位周期的和为负值，

遮光膜22形成为覆盖俯视时与显示区域用TFT60重叠的位置。

在如上述本实施方式1那样被控制的显示区域用TFT60中，在第4电压施加时电特性向正方向偏移，在第3电压施加时向负方向偏移，但负方向的偏移量比正方向的偏移量大。因此，由于交替施加到第2栅极电极部61的栅极电压(电应力)，电特性总体上向负方向移动。当这种显示区域用TFT60吸收光时，与不吸收光的情况相比，向负方向的偏移量变大，电特性的变化被放大。根据上述本实施方式1的构成，通过使光照射到被控制为电特性向正方向变化的非显示区域用TFT70，另一方面，使被控制为电特性向负方向变化的显示区域用TFT60被遮光膜22覆盖而照射不到光，从而，两个TFT60、70的电特性的变化受到抑制，显示不良的发生进一步减少。

在上述本实施方式1的液晶面板10中，

液晶面板10被划分为：显示区域AA，其能根据电信号来显示图像；以及非显示区域NAA，其不显示图像，

显示区域用TFT60配置在阵列基板30的显示区域AA。

在例如配置于显示区域AA的各像素的TFT中，通常进行以几万分之1秒的程度的比例对被施加－10V的栅极电极部施加+20V等的、使电特性整体上向负方向变化那样的控制。在这种显示区域用TFT60中，通过设为被遮光膜22覆盖而使光照射不到，能够抑制电特性的变化被放大。

上述本实施方式1的液晶面板10，

具备密封在阵列基板30与CF基板20之间的液晶层40，

通过对液晶层40供应电信号而显示图像。

根据上述本实施方式1的构成，能够使广泛使用的各种液晶面板10的工作稳定，减少显示不良的发生。

上述本实施方式1的液晶显示装置(显示装置的一个例子)1具备上述记载的液晶面板10。

根据上述本实施方式1的构成，能够得到例如液晶面板10、有机EL面板等显示面板的显示不良的发生得以减少且显示质量、可靠性优异的液晶显示装置1。

＜实施方式2＞

根据图7来说明实施方式2。

本实施方式2的液晶面板210与实施方式1的液晶面板10的不同之处在于，在设置于CF基板220的周边遮光部222B的开口部222H内设置有彩色滤光片221。以下，对于与上述实施方式1同样的结构、作用以及效果，省略重复的说明，对设置于本实施方式2的液晶面板210的阵列基板230和CF基板220的结构进行说明。

在本实施方式2中，例示了液晶面板210，在液晶面板210中，在CF基板220未设置有相对电极，而是在阵列基板230的显示区域AA内的像素电极的上层侧(液晶层40侧)设置有未图示的共用电极的构成，即，液晶面板210不是以实施方式1的液晶面板10那样的VA模式，而使以IPS模式例如FFS模式进行动作。此外，能够将设置在阵列基板230的显示区域AA内的各结构物设为已知的构成，由于不会对本技术的应用有影响，因此，省略图示和详细说明。在阵列基板230的非显示区域NAA，如图7所示，配置有与实施方式1同样的非显示区域用TFT70，也省略对此的说明。

如图7所示，在本实施方式2的CF基板220的内面侧设置有覆膜223。覆膜223与在实施方式1中已叙述的有机绝缘膜35同样地，例如能够由丙烯酸系树脂(例如PMMA等)等有机材料形成，发挥使在其下层侧产生的台阶平坦化的功能。覆膜223在CF基板20的内面沿着跨越显示区域AA和非显示区域NAA的大致整个区域大体形成为满面状，在未图示的显示区域AA内层叠于彩色滤光片和像素间遮光部的上层侧(液晶层40侧)。

在本实施方式2的周边遮光部222B形成有与实施方式1的周边遮光部22B的开口部22H同样的开口部222H。优选开口部222H形成为包含俯视时与非显示区域用TFT70重叠的位置，至少包含与第1沟道部74重叠的位置。并且，在本实施方式2中，如图7所示，周边彩色滤光片221B埋设在开口部222H内。周边彩色滤光片221B能够设为与设置在显示区域AA内的彩色滤光片同样的构成，但优选配置短波长区域的光透射率高的彩色滤光片，例如配设呈现蓝色(B)的周边彩色滤光片221B。并且，在周边彩色滤光片221B和周边遮光部222B的上层侧(液晶层40侧)层叠形成有已叙述的覆膜223。

上述本实施方式2的液晶面板210，

在CF基板20中，在与遮光膜222的开口部222H重叠的位置设置有选择性地使规定波长的可见光透射过的彩色滤光片221。

当在遮光膜222设置有开口部222H时，会有能从液晶面板10的外部通过开口部222H看到非显示区域用TFT70等内部结构这样不可取的情况。根据上述构成，由于彩色滤光片221的存在，液晶面板210的内部结构难以从外部被视觉识别。此外，在实施方式1中已进行过验证的具有氧化物半导体膜的TFT中的、因光吸收而引起的电特性的负偏移量增加在接受了400nm～800nm的可见光区域的光时被确认到，特别是，400nm～500nm的短波长区域的光是有效的。因此，优选彩色滤光片221例如设为更多地使可见光的短波长区域的光透射过的蓝色的彩色滤光片。

＜其它实施方式＞

本技术不限于根据上述描述和附图而说明的实施方式，例如以下的实施方式也包含在该技术范围内。

(1)上述实施方式所记载的TFT的控制方法是一个例子，施加电压的大小和电压施加时间能在满足权利要求所记载的条件的范围内适当进行变更。在上述实施方式中，记载了非显示区域用TFT70配置在行控制电路部82的情况，但不限于此。只要是以氧化物半导体为活性层的TFT即可，本技术能应用于用于供应各种电信号的元件。

(2)在上述实施方式中，例示了非显示区域NAA配置成包围显示区域AA的框状的液晶面板，但不限于此。本技术例如也能应用于非显示区域NAA配置在显示区域AA的内侧区域的构成的显示面板。另外，配置非显示区域用TFT的行控制电路部、列控制电路部的配置、构成也能适当进行变更。

(3)作为显示面板的一个例子的液晶面板的动作模式没有特别限定，本技术能应用于以各种模式进行动作的液晶面板。而且，显示面板不限于上述各实施方式所记载的透射型的液晶面板，也能应用于反射型的液晶面板或其它种类的显示面板(有机EL面板、PDP(等离子体显示器面板)、EPD(电泳显示器面板)、MEMS(Micro Electro MechanicalSystems；微电子机械系统)显示面板等)等。