阅读说明：本技术 具有带有ir反射层和含铪的高折射率氮化电介质层的低e涂层的涂覆制品 (The coating product of low E coating with the high refractive index nitridation dielectric layer with the reflecting layer IR and containing hafnium ) 是由 丁国文 丹尼尔·施魏格特 艾伯特·李 丹尼尔·李 斯科特·朱赫斯特 张圭桢 高拉夫·萨拉 于 2018-03-08 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种涂覆制品,其包括低发射率(低E)涂层,所述低发射率(低E)涂层具有材料诸如银、金等的至少一个红外(IR)反射层,和至少一个含铪(Hf)的高折射率氮化电介质层。在某些示例性实施方案中,含铪的高折射率氮化电介质层可为或包含HfSiAlN、HfZrSiAlN、HfSiN、HfAlN、和/或HfAlZrN中的一者或多者。高折射率层可以是具有高折射率(n)和/或低k值的透明电介质高折射率层。在示例性实施方案中,低E涂层可用于应用诸如单片或绝缘玻璃(IG)窗单元、车窗等中。(The invention discloses a kind of coating products, it includes low-launch-rate (low E) coating, there is low-launch-rate (low E) coating at least one infrared reflecting layer (IR) of material silver, gold etc. and at least one high refractive index containing hafnium (Hf) to nitrogenize dielectric layer.In certain exemplary implementation schemes, the high refractive index nitridation dielectric layer containing hafnium can be or comprising one or more of HfSiAlN, HfZrSiAlN, HfSiN, HfAlN, and/or HfAlZrN.High refractive index layer can be the transparent dielectric high refractive index layer with high refractive index (n) and/or low k-value.In an exemplary embodiment, low E coating can be used for using in monolithic or insulating glass (IG) window unit, vehicle window etc..)

具有带有IR反射层和含铪的高折射率氮化电介质层的低E涂 层的涂覆制品

本专利申请涉及包括低发射率(低E)涂层的涂覆制品，该低发射率(低E)涂层具有材料诸如银、金等的至少一个红外(IR)反射层，和至少一个含铪(Hf)的高折射率氮化电介质层。在某些示例性实施方案中，含铪的高折射率氮化电介质层可为或包含HfSiAlN、HfZrSiAlN、HfSiN、HfAlN、和/或HfAlZrN中的一者或多者。在优选的实施方案中，高折射率层可以是具有高折射率(n)和低k值的透明电介质高折射率层，并且可提供用于抗反射目的和/或可见光透射目的，和/或用于改善热稳定性。在某些示例性实施方案中，所述低E涂层可用于应用诸如单片或绝缘玻璃(IG)窗单元、车窗等中。

背景技术和

发明内容

涂覆制品在本领域中已知用于窗应用，诸如中空玻璃(IG)窗单元、车窗、单片窗和/或类似应用。

常规的低E涂层公开于例如但不限于美国专利6,576,349、9,212,417、9,297,197、7,390,572、7,153,579、和9,403,345中，这些专利的公开内容据此以引用方式并入本文。

某些低E涂层利用具有高折射率(n)的氧化钛(例如，TiO₂)的至少一个透明电介质层，以用于抗反射和/或着色目的。参见例如美国专利9,212,417、9,297,197、7,390,572、7,153,579、和9,403,345。虽然高折射率电介质材料诸如TiO₂是已知的并且用于低E涂层中，但这些材料不是热稳定的，并且在约650℃保持8分钟的回火过程后通常不是热稳定的，这是由于在刚沉积或后回火状态中膜结晶(或结晶度变化)，这继而可在膜叠堆中的相邻层上引起热应力或晶格应力。此类应力还可引起叠堆的物理特性或材料特性的变化，并因此影响Ag层，这导致低E叠堆性能劣化。此外，低E涂层中的TiO₂电介质层在低E涂层的溅射沉积期间具有非常低的沉积速率，从而导致与制造低E涂层相关的显著高的成本。

本发明的示例性实施方案通过提供用于低E涂层的高折射率(在550nm测量的高折射率值n)和低吸收(在400nm下测量的低k值)的含铪(Hf)的氮化电介质层来解决这些问题。与TiO₂电介质层不同，已发现本文的高折射率含铪电介质层是可热处理的，以便在热处理(HT)时基本上热稳定，并且可以比TiO₂高得多的溅射沉积速率溅射沉积。在某些示例性实施方案中，含铪的高折射率氮化电介质层可为或包含HfSiAlN、HfZrSiAlN、HfSiN、HfAlN、和/或HfAlZrN中的一者或多者。已发现，例如将Hf添加至ZrSiAlN允许其带隙的展宽，从而显著降低光学吸收(k)，同时具有高折射率(n)。在某些示例性实施方案中，将Hf添加至ZrSiN、SiN和SiAlN也是如此。还发现这些材料是热稳定的(例如，由于HT诸如在约650℃下的热回火，折射率n的变化可不大于0.1)。在某些示例性实施方案中，已发现使用含Hf的电介质层(而不是TiO₂电介质层)令人惊讶地导致涂覆制品的可见透射率增加。在某些示例性实施方案中，低E涂层可用于应用诸如单片或绝缘玻璃(IG)窗单元、车窗等中。虽然本文所讨论的含Hf的高折射率氮化电介质层优选用于低E涂层中，但本发明不受此限制，并且这些层可用于其它薄膜涂层中，诸如用于抗反射(AR)涂层中的高折射率层。

如本文所用，“热处理(Heat treatment)”(HT)和类似术语诸如“heat treating”和“heat treated”诸如热回火、热强化和/或热弯曲是指在至少580℃的温度下热处理玻璃基底及其上的涂层至少5分钟。一个示例性热处理是在约600℃-650℃的温度下热处理至少8分钟。

在本发明的一个示例性实施方案中，提供了涂覆制品，其包括由玻璃基底支撑的涂层，该涂层包括：玻璃基底上的第一电介质层；玻璃基底上的包含银的红外(IR)反射层，该红外(IR)反射层定位在至少第一电介质层上方；玻璃基底上的第二电介质层，该第二电介质层定位在至少IR反射层上方；并且其中第一电介质层和第二电介质层中的至少一者包含铪(Hf)的氮化物，包含0％-10％的氧(原子％)，在550nm下具有至少2.21的折射率(n)，并且还包含Zr、Si和Al中的至少一者。

在本发明的另一个示例性实施方案中，提供了涂覆制品，其包括由玻璃基底支撑的涂层，该涂层包括：玻璃基底上的第一电介质层；玻璃基底上的红外(IR)反射层，该红外(IR)反射层定位在至少第一电介质层上方；玻璃基底上的第二电介质层，该第二电介质层定位在至少IR反射层上方；玻璃基底上的第三电介质层，并且第三电介质层定位在至少第一电介质层和第二电介质层上方；并且其中第一电介质层和第二电介质层中的至少一者包含铪(Hf)的氮化物，并且还包含Zr、Si和Al中的至少一者。

附图说明

本专利或申请文件包含至少一个以彩色绘制的附图。带有彩色附图的本专利或专利申请公开的副本将在请求和支付所需费用后由专利局提供。

图1为根据本发明的示例性实施方案的涂覆制品的剖视图。

图2为根据本发明的另一示例性实施方案的涂覆制品的剖视图。

图3为根据本发明的另一示例性实施方案的涂覆制品的剖视图。

图4为百分比(％)与波长(nm)的关系图，其绘制了在涂覆态(AC)和后HT(HT)态两种状态下包括高折射率TiO₂层的层叠堆的透射率(T)％、玻璃侧反射率(G)％和膜侧反射率(F)％与波长(nm)的关系。

图5为示出根据本发明的一个优选实施方案的实施例1和比较例1(CE1)的涂覆制品的光学/热数据的图表。

图6为示出根据本发明的优选实施方案的实施例2和实施例3的涂覆制品的光学/热数据的图表。

图7为百分比(％)与波长(nm)的关系图，其绘制了实施例2的在涂覆态(AC)和后HT(HT)态两种状态下包括高折射率HfSiAlN层的层叠堆的透射率(T)％、玻璃侧反射率(G)％和膜侧反射率(F)％与波长(nm)的关系。

图8为百分比(％)与波长(nm)的关系图，其绘制了实施例3的在涂覆态(AC)和后HT(HT)态两种状态下包括高折射率HfSiAlN层的层叠堆的透射率(T)％、玻璃侧反射率(G)％和膜侧反射率(F)％与波长(nm)的关系。

图9为示出根据本发明的优选实施方案的实施例4和实施例5的涂覆制品的光学/热数据的图表。

图10为百分比(％)与波长(nm)的关系图，其绘制了实施例4的在涂覆态(AC)和后HT(HT)态两种状态下包括高折射率HfSiAlN层的层叠堆的透射率(T)％、玻璃侧反射率(G)％和膜侧反射率(F)％与波长(nm)的关系。

图11为百分比(％)与波长(nm)的关系图，其绘制了实施例5的在涂覆态(AC)和后HT(HT)态两种状态下包括高折射率HfAlN层的层叠堆的透射率(T)％、玻璃侧反射率(G)％和膜侧反射率(F)％与波长(nm)的关系。

具体实施方式

现在参考附图，其中相同的附图标号在若干视图中表示相同的部件。

本文中的涂覆制品可用于应用诸如单片窗、IG窗单元诸如住宅窗、庭院门、车窗和/或包括单个或多个基底(诸如玻璃基底)的任何其他合适的应用中。

常规的高折射率材料(诸如在可见光范围内具有低光吸收或不具有光吸收的TiO₂)通常用于窗应用中的低E涂层中。然而，TiO₂在热回火过程(诸如涉及在约650℃下HT持续8分钟)之后通常不是热稳定的，这是由于在刚沉积或后回火状态下膜结晶(或结晶度变化)，这继而可在膜叠堆中的相邻层上引起热应力或晶格应力。这种应力还可引起叠堆的物理特性或材料特性的变化，并因此影响基于Ag的IR反射层，这导致低E叠堆性能劣化。TiO₂层还具有非常低的溅射沉积速率。

图4示出了TiO₂不是热稳定的，因此从实际的观点来看不可热处理。图4为百分比(％)与波长(nm)的关系图，其绘制了在涂覆态(AC)和后HT态两种状态下包括高折射率氧化钛层的层叠堆的透射率(T)％、玻璃侧反射率(G)％和膜侧反射率(F)％与波长(nm)的关系。层叠堆为玻璃/TiO₂(27nm)/ZnO(4nm)/Ag(11nm)/NiTiNbO_x(2.4nm)/ZnSnO(10nm)/ZnO(4nm)/SiN(10nm)，其中ZnO层在该比较例2(CE2)叠堆中掺杂有Al。因此，AC曲线在HT之前，并且HT曲线在约650℃下热处理约八分钟之后。在图4中，在列出曲线之处的右侧，上三个为涂覆态(AC)，这是指在HT之前，并且下三个在热处理之后，并且因此被标记为“HT”。图4示出具有结晶TiO₂的层叠堆不是热稳定的，因此实际上不可热处理。具体地，图4的比较例2(CE2)示出透射率和反射光谱的IR范围的显著偏移，并且还发现发射率和雾度的增加。在图4中，在约1500nm至2400nm的波长区域中，存在由HT引起的从“AC T”(透射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT T”(透射率，HT之后)曲线的约6％的偏移；存在由HT引起的从“AC G”(玻璃侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT G”(玻璃侧反射率，HT之后)曲线的约12％-14％的偏移；并且存在由HT引起的从“AC F”(膜侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT F”(膜侧反射率，HT之后)曲线的约12％-13％的偏移。总体来讲，结合在一起，在HT时存在透射率和反射光谱的显著偏移，这表明缺乏热稳定性。

本发明的示例性实施方案通过提供用于低E涂层的高折射率(在550nm下测量的高折射率值n)和低吸收(在400nm下测量的低k值)的含铪(Hf)的氮化电介质层2(以及可能的层6)来解决这些问题。与TiO₂电介质层不同，已发现本文的高折射率含铪电介质层2(以及可能的层6)是可热处理的，以便在热处理(HT)时基本上热稳定，是无定形的或基本上无定形的，并且可以比TiO₂高得多的溅射沉积速率溅射沉积。在某些示例性实施方案中，含铪的高折射率氮化电介质层2(以及可能的层6)可为或包含HfSiAlN、HfZrSiAlN、HfSiN、HfAlN和/或HfAlZrN中的一者或多者(以各种化学计量计)。本文中其中Hf、Zr和/或N中的任一个被包括的化学表示是为了简单和理解的目的而提供的，并且不一定是化学计量的。例如，HfSiAlN并不意味着提供等量的Hf、Si、Al和N。相反，例如但不限于，HfSiAlN层可包括比Hf多的Si，比Al多的Si等。又如，SiN可为任何合适的化学计量，其中一个示例为Si₃N₄。

已发现，例如将Hf添加至SiAlN、SiN和ZrSiAlN允许其带隙的展宽，从而显著降低光学吸收(k)，同时具有高折射率(n)。还发现这些材料是热稳定的(例如，由于HT诸如在约650℃下的热回火，折射率n的变化可为低的)。在某些示例性实施方案中，低E涂层可用于应用诸如单片或绝缘玻璃(IG)窗单元、车窗等中。虽然本文所讨论的含Hf的高折射率氮化电介质层优选用于低E涂层中，但本发明不受此限制，并且这些层可用于其它薄膜涂层中，诸如用于抗反射(AR)涂层中的高折射率层。

ZrSiAlN表现出对于某些光学涂层应用而言可能过大的吸收系数k。在本发明的某些实施方案中，已发现向SiAlN、SiN和ZrSiAlN添加一定量的Hf允许其带隙的展宽，从而显著降低光学吸收，同时提供高折射率。这些氮化物在约400nm(3.1eV)波长下的消光系数k与它们的带隙相关。具有约400nm的波长的光子不能合理地吸收在带隙高于3.1eV的材料中，导致低吸收或不吸收。另一方面，约3.1eV或更低的带隙导致显著的光学吸收。带隙的宽度与金属元素和氮之间的电负性差相关。Hf表现出高的电负性差，值为1.16(N＝3.04)，这允许Hf在向SiAlN、SiN、和ZrSiAlN中添加时增加SiAlN、SiN、和ZrSiAlN的带隙并因此降低吸收，从而增加透射率。我们已发现，将Hf添加到这些氮化物中导致热稳定的高折射率氮化物，其具有较低的光学吸收并且因此具有较高的透射率，其能够经受热处理(HT)，诸如热回火。

在本发明的某些示例性实施方案中，为或包含HfSiAlN、HfZrSiAlN、HfSiN、HfAlN和/或HfAlZrN的含铪的高折射率氮化电介质层2(以及可能的层6)可具有至少2.21，更优选地至少2.25，甚至更优选地至少2.30的高折射率(n)(在550nm下)，以及不大于0.02，更优选地不大于0.015，甚至更优选地不大于0.010的低吸收系数(k)(在400nm下)。此外，根据本发明的示例性实施方案的涂覆制品是热稳定的，并且在650℃热处理持续8分钟之后实现不超过0.10，更优选地不超过0.04，并且最优选地不超过0.01的折射率(n)变化。在本发明的示例性实施方案中，可使用为或包含HfSiAlN、HfZrSiAlN、HfSiN、HfAlN和/或HfAlZrN的此类含铪的高折射率氮化电介质层来替代任何低E或AR涂层叠堆中的高折射率TiO₂或氧化铌(例如，Nb₂O₅)层，以实现本文所述的优点。

HfZrSiAlN层的一个示例金属含量相对于原子比率为如下：Hf∶Zr∶Si∶Al→31.3∶31.3∶6.7∶30.7。换句话讲，根据原子％，Hf占氮化层的金属含量的31.3％，Zr占氮化层的金属含量的3L3％，Si占氮化层的金属含量的6.7％，并且Al占氮化层的金属含量的30.7％。因此，该示例具有等量的Hf和Zr，以及介于低6.7Si含量与Hf和Zr含量中每一者之间的Al的量。在某些示例性实施方案中，当包含Hf和Zr两者时，组合的Hf和Zr的金属含量最多为层的金属含量的约45％-75％，更优选地为层的金属含量的50％-70％。在另一个示例性实施方案中，HfSiAlN层2和/或6的金属含量由62.6％Hf，6.7％Si和30.7％Al(原子％)组成。在本发明的某些示例性实施方案中，为或包含HfSiAlN、HfZrSiAlN、HfSiN、HfAlN和/或HfAlZrN中的一者或多者的含铪的高折射率氮化电介质层2和/或6的金属含量可包含以下中的一种或多种：(i)10％-75％Hf，更优选地20％-70％Hf，甚至更优选地20％-50％Hf，可能地25％-40％Hf(原子％)；(ii)0％-50％Zr，更优选地1％-40％Zr，甚至更优选地10％-40％Zr，并且最优选地20％-40％Zr(原子％)；

(iii)2％-50％Si，更优选地3％-20％Si，甚至更优选地4％-15％Si(原子％)；和/或(iv)0％-60％Al，更优选地1％-45％Al，甚至更优选地10％-40％Al，并且最优选地20％-40％Al(原子％)。需注意，Si在本文中被视为金属。在某些示例性实施方案中，包含Hf的层包含比Si多的Hf，诸如比Hf多至少10％的Si，更优选比Si多至少25％的Hf，并且最优选比Si多至少35％的Hf(以原子％计)。在某些示例性实施方案中，当层包含Hf的氮化物诸如HfSiAlN、HfZrSiAlN、HfSiN、HfAlN和/或HfAlZrN时，Hf具有层2和/或6中任何金属的最高原子％金属含量。

为或包含HfSiAlN、HfZrSiAlN、HfSiN、HfAlN和/或HfAlZrN中的一者或多者的含铪的高折射率氮化电介质层2和/或6的金属含量优选地不含或基本上不含Ti和/或Nb。包含Hf的氮化物的层2和/或6可包含0％-10％的Ti，更优选地0％-5％的Ti，并且最优选地0％-2％的Ti(原子％)。包含Hf的氮化物的层2和/或6可包含0％-10％的Nb，更优选地0％-5％的Nb，并且最优选地0％-2％的Nb。

虽然在本文所述的为或包含HfSiAlN、HfZrSiAlN、HfSiN、HfAlN和/或HfAlZrN的含铪的高折射率氮化电介质层2(以及可能的层6)中不优选氧，但这些层可包含少量的氧。例如，为或包含HfSiAlN、HfZrSiAlN、HfSiN、HfAlN和/或HfAlZrN的含铪的高折射率氮化电介质层2(以及可能的层6)可包含0％-10％的氧，更优选地0％-5％的氧，并且最优选地0％-2％的氧(原子％)。

在本发明的某些示例性实施方案中，为或包含HfAlZrN的含铪的高折射率氮化电介质层2和/或6的金属含量可包含比Hf多的Al。例如已发现，为或包含HfAlZrN的层能够实现显著较高的折射率，理想的低k值，以及对于少量Hf的热处理能力。例如，在某些示例性实施方案中，HfAlZrN或HfAlN层可包含至少两倍于Hf的Al，有时至少三倍于Hf的Al。无定形特性提供热稳定的材料。即使在650C的后热处理下，该材料仍保持无定形。在某些示例性实施方案中，存在比Hf和Zr中的每一者多的Al，例如至少两倍于Hf和Zr中的每一者的Al，并且该层可包含比Zr多的Hf，诸如至少两倍或三倍于Zr的Hf(原子百分比)。示例性层可具有以下材料比率：Al∶Hf∶Zr∶Si→1∶0.3∶0.06∶0.2(原子比率)，其中Si为任选的。此外，Al∶Hf∶Zr∶N材料具有比氧化钛高得多的溅射沉积速率，这是如本文所讨论的有利的。总之，层2和/或6的HfAlZrN具有优异的特性，诸如高折射率，低吸收和热稳定性，其中铝是可为其他金属元素含量的3倍以上的主导元素。

图1是根据本发明的示例性实施方案的涂覆制品的截面图。涂覆制品包括玻璃基底1(例如，约1.0mm至10.0mm厚、更优选地约1.0mm至6.0mm厚的透明、绿色、青铜色、或蓝绿色玻璃基底)，以及直接地或间接地设置在基底1上的多层涂层(或层系统)。根据图1实施方案的示例性低E涂层可包括：为或包含如本文所讨论的HfSiAlN、HfZrSiAlN、HfSiN、HfAlN和/或HfAlZrN的含铪的高折射率氮化电介质层2；含氧化锌和/或锡酸锌的接触层3(例如，ZnO_x，其中“x”可以为约1；或ZnAlO_x)；包含或为银、金等的IR(红外)反射层4；为或包含Ni和/或Cr的氧化物(例如，NiCrO_x)或其他合适材料的上接触层5；以及为或包含电介质层的电介质罩面层6，其可为中折射率层诸如氧化锌和/或锡酸锌，或者可为高折射率层诸如氧化钛(例如，TiO₂)、锆掺杂的氧化钛，或者为或包含本文所讨论的HfSiAlN、HfZrSiAlN、HfSiN、HfAlN和/或HfAlZrN的含铪的高折射率氮化电介质层；任选的中折射率层7，其为或包含氧化锌、氧化锡、氮化硅和/或锡酸锌或其它合适的材料；以及电介质层8，该电介质层为或包含氮化硅和/或氧氮化硅或其它合适的材料。氮化硅层(例如，层8)还可包含Al、氧等，并且基于氧化锌的层也可包含锡和/或铝。在本发明的某些示例性实施方案中，也可在涂层中提供其他层和/或材料，并且在某些示例实例中也可去除或分离某些层。例如，罩面层可包括氧化锆层或AlSiBO_x层(未示出)，其可直接设置在氮化硅层8上方并接触氮化硅层8。又如，可在玻璃基底1与高折射率层2之间设置另一个中等折射率层诸如氮化硅。又如，可提供两个基于银的IR反射层，其被包含例如氧化锡的电介质层叠堆间隔开，并且图1的罩面层和/或内涂层可用于其中。此外，在本发明的某些示例性实施方案中，上面讨论的一个或多个层可掺杂有其他材料。本发明不限于图1中所示的层叠堆，因为图1的叠堆仅出于举例的目的而提供，以便示出本文所讨论的包含Hf的高折射率层2(以及可能的层6)的示例性位置。

在单片情况下，涂覆制品仅包括一个基底诸如玻璃基底1(参见图1)。然而，例如本文的单片涂覆制品可用于诸如IG窗单元的装置中。通常，IG窗单元可包括两个或更多个间隔开的基底，其间限定有气隙。示例性IG窗单元例如在美国专利号5,770,321、5,800,933、6,524,714、6,541,084和US2003/0150711中示出和描述，其公开内容在此通过引用并入本文。例如，图1中所示的涂覆的玻璃基底可经由间隔件、密封剂等联接到另一个玻璃基底上，在IG窗单元中在它们之间限定间隙。在某些示例性实例中，涂层可设置在玻璃基底1的面向间隙的一例上，即，表面#2或表面#3。在其他示例实施方案中，IG窗单元可包括另外的玻璃片(例如，IG单元可包括三个间隔开的玻璃片而不是两个)。

透明电介质下部接触层3可为或可包含氧化锌(例如ZnO)、锡酸锌或其他合适的材料。在某些示例性实施方案中，氧化锌层3还可包含其他材料诸如Al(例如，以形成ZnAlO_x)或Sn。例如，在本发明的某些示例性实施方案中，氧化锌层3可掺杂有约1％至10％的Al(或B)，更优选地约1％至5％的Al(或B)，并且最优选地约2％至4％的Al(或B)。在层4中的银下方使用氧化锌3允许获得优异的银质量。氧化锌层3通常以结晶态沉积。在某些示例性实施方案中(例如，将在下文讨论)，可通过溅射陶瓷ZnO或金属可旋转磁控管溅射靶来形成包含氧化锌的层3。

红外(IR)反射层4优选地基本上或完全是金属和/或导电的，并且可包含银(Ag)、金或任何其他合适的IR反射材料或基本上由其组成。在某些示例性实施方案中，IR反射层4的银可掺杂有其他材料，诸如掺杂有Pd、Zn或Cu。IR反射层4有助于允许涂层具有低E和/或良好的太阳能控制特性，诸如低发射率、低薄层电阻等。然而，在本发明的某些实施方案中，IR反射层可略微氧化。在本发明的某些示例性实施方案中，可在包括本文所讨论的高折射率层的双或三银叠堆中，提供多个基于银的IR反射层4，其在低E涂层中被至少一个电介质层间隔开。

上部接触层5位于IR反射层4上方并且直接接触IR反射层，并且在某些示例性实施方案中可为或包含Ni和/或Cr的氧化物。在某些示例性实施方案中，上部接触层5可为或包含氧化镍(Ni)、氧化铬(chromium/chrome，Cr)、或氧化镍合金诸如氧化镍铬(NiCrO_x)、或其他合适的材料诸如NiCrMoO_x、NiCrMo、Ti、NiTiNbO_x、TiO_x、金属性NiCr等等。在本发明的不同实施方案中，接触层5可以是或可以不是氧化渐变的。氧化渐变是指层中的氧化程度沿层的厚度变化，使得例如接触层可为渐变的，以便与紧邻的IR反射层4相距进一步或更远/最远距离的接触层的一部分处氧化的程度相比，在与紧邻的IR反射层的接触界面处氧化的程度更低。在本发明的不同实施方案中，在整个IR反射层4上，接触层5可以是连续的，也可以不是连续的。

还可提供所示图1涂层下方或上方的其他层。因此，当层系统或涂层“在基底1上”或“由基底1支撑”(直接或间接)时，其他层可设置在其间。因此，例如，图1的涂层可被认为是“在基底1上”或“由基底1支撑”，即使其他层被设置在层2与基底1之间。此外，在某些实施方案中可移除所示涂层的某些层，而在本发明的其他实施方案中，可以在各个层之间添加其他层，或者各个层可与在分离段之间添加的其他层分开而不脱离本发明某些实施方案的整体精神。

虽然在本发明的不同实施方案中可使用各种厚度，但是图1实施方案中的玻璃基底1上的相应层的示例厚度和材料从玻璃基底向外可为如下(例如，在某些示例性情况下，氧化锌层和氮化硅层中的Al含量可为约1％至10％，更优选地约1％至5％)。厚度以埃为单位。

表1(示例材料/厚度；图1实施方案)

在本发明的某些示例性实施方案中，本文中的涂覆制品(例如，参见图1)在单片地测量时可具有表2中列出的以下低E(低发射率)、太阳能特性和/或光学特性。

表2：低E/太阳能特性(单片)

虽然结合上文图1的低E涂层示出和描述了含Hf的高折射率透明电介质层2(以及可能的层6)，但本发明不受此限制。本文所述的为或包含HfSiAlN、HfZrSiAlN、HfSiN、HfAlN和/或HfAlZrN的含铪的高折射率氮化电介质层2(以及可能的层6)可用作IR反射层上方或下方的任何合适的低E涂层中的高折射率层。可以在任何合适的低E涂层中提供为或包含HfSiAlN、HfZrSiAlN、HfSiN、HfAlN和/或HfAlZrN的一个或多个此类含铪的高折射率氮化电介质层。例如并且不限于此，本文所讨论的为或包含HfSiAlN、HfZrSiAlN、HfSiN、HfAlN和/或HfAlZrN的含铪的高折射率氮化电介质层可用于替代美国专利号9,212,417、9,297,197、7,390,572、7,153,579、9,365,450、和9,403,345中任一者中的任何低E涂层中的任何高折射率(例如，TiO_x或TiO₂)层，所有这些专利均以引用方式并入本文。

图2是根据本发明的另一示例性实施方案的涂覆制品的截面图。图2与如上讨论的图1类似，不同的是在图2实施方案中，在玻璃基底1与含Hf的高折射率层2之间提供为或包含材料诸如氮化硅或氧化锌的中等折射率(n)层23并且玻璃基底1和含Hf的高折射率层2与其直接接触，并且提供材料诸如SiO₂的低折射率层21代替层8。

图3是根据本发明的另一示例性实施方案的涂覆制品的截面图。图3类似于上文讨论的图1，不同的是在罩面层中提供了两个高折射率层2和6，并且图1的层7在图3实施方案中被省略。在图3中的罩面层中，层2为含Hf的高折射率层，其为或包含如本文讨论的HfSiAlN，HfZrSiAlN，HfSiN，HfAlN和/或HfAlZrN，并且层6为或包含氧化钛(例如，TiO₂)，其可为或可不为掺杂的。

根据本发明的某些示例性实施方案的实施例，以及下面讨论的两个比较例(CE)。

实施例1

实施例1和比较例(CE)1具有如下的相应层叠堆，其中层厚度以nm为单位。比较例(CE)1在下部电介质部分中使用TiO₂高折射率层，而实施例1用HfSiAlN层2替换CE1的TiO₂高折射率层。实施例1还用HfSiAlN层替换了CE1的罩面层中的大部分TiO₂。除了高折射率材料的变化之外，CE1和实施例1是相同的。

图5示出了实施例1和比较例1(CE 1)的涂覆制品的光学/热数据。图5中的“AC”代表涂覆态(即，在HT之前)。实施例1的性能优异。颜色几乎是中性的，并且可见透射率高并且法向发射率(E_n)低。令人惊讶的是，可以看出，实施例1中用HfSiAlN替换CE1的TiO₂导致可见透射率(T_vis)增加。具体地，实施例1具有78％的可见透射率，而CE1具有76.7％的较低可见透射率。因此，用HfSiAlN替换TiO₂是有利的，因为HfSiAlN不会显著地不利地影响颜色、发射率或透射率(并且甚至可提供如图5所示的可见透射率的增加)，可以比TiO₂快得多的方式沉积，并且在沉积时以及HT之后是无定形的或基本上无定形的，以便与TiO₂相比具有显著改善的热稳定性。

实施例2

实施例2为根据图1实施方案的根据一个优选的实施方案的玻璃基底上的低E涂层，用于与图4的比较例(CE)2进行比较。实施例2层叠堆类似于图4的CE2的层叠堆，不同的是在实施例2中用HfSiAlN层替代图4的CE2中的TiO₂层。实施例2的层叠堆为玻璃/HfSiAlN(27nm)/ZnO(4nm)/Ag(11nm)/NiTiNbO_x(2.4nm)/ZnSnO(10nm)/ZnO(4nm)/SiN(10nm)，其中ZnO层在实施例2和CE2叠堆两者中掺杂有Al。换句话讲，除了底层之外，实施例2和CE2的叠堆基本上相同。将实施例2中的HfSiAlN层溅射沉积在包含33sccm氩气和10sccm氮气的气氛中，折射率(n)为2.29(在550nm处)并且k值为0.022(在400nm处)。图6示出了实施例2(和实施例3)的在热处理之前和之后的光学/热数据。在图6中，“涂覆态”(AC)是指在HT之前，并且“HT”是指热处理之后，其中在实施例2(以及CE2和实施例3)中热处理在约650℃下持续约八分钟。需注意，由于图6中所示的热处理，法向发射率和薄层电阻的微小变化证明了热稳定性，其中实施例2甚至实现了由于HT而产生的发射率和薄层电阻的下降，这是特别期望的。相比之下，CE2实现了在HT时发射率的显著增加，因为氧化钛层在CE2中不是热稳定的。

图7示出了实施例2的在HT之前和之后的数据，并且应当与图4的CE2进行比较。在图4和图7中，在列出曲线之处的右侧，上三个为“涂覆态”(AC)，这是指在HT之前，并且下三个在热处理之后，并且因此被标记为“HT”。因此，AC曲线在HT之前，并且HT曲线在约650℃下热处理约八分钟之后。将图7的实施例2与图4中的比较例(CE2)进行比较，证实了由于使用HfSiAlN层2而引起的意想不到的显著差异。在图4的CE2中，在约1500nm至2400nm的波长区域中，存在由HT引起的从“AC T”(透射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT T”(透射率，HT之后)曲线的约6％的偏移；存在由HT引起的从“AC G”(玻璃侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT G”(玻璃侧反射率，HT之后)曲线的约12％-14％的偏移；并且存在由HT引起的从“AC F”(膜侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT F”(膜侧反射率，HT之后)曲线的约12％-13％的偏移。总体来讲，结合在一起，在HT时存在透射率和反射光谱的显著偏移，这表明对于图4的CE而言缺乏热稳定性。图4的比较例(CE2)示出透射率和反射光谱的IR范围的显著偏移，并且还发现发射率和雾度的增加。相比之下，在将CE2的氧化钛层替代为实施例2的HfSiAlN层时，图7示出，在约1500nm至2400nm的波长区域中，存在由HT引起的从“AC T”(透射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT T”(透射率，HT之后)曲线的小于2％的非常小的偏移；存在由HT引起的从“ACG”(玻璃侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT G”(玻璃侧反射率，HT之后)曲线的小于2％的非常小的偏移；并且存在由HT引起的从“AC F”(膜侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT F”(膜侧反射率，HT之后)曲线的小于3％或4％的非常小的偏移。图7中实施例2(与图4的CE2相比)的这些小得多的偏移表明涂层的热稳定性和热处理能力发生了意料不到的改善。因此，将图7与图4进行比较，可以看出，与CE2相比，实施例2在热稳定性和热处理能力(例如，热回火)方面令人惊奇地和出乎意料地得到改善。

实施例3

实施例3类似于实施例2，不同的是溅射气体比率的差异。实施例3为根据图1实施方案的根据一个优选的实施方案的玻璃基底上的低E涂层，用于与图4的比较例(CE)2进行比较。实施例3层叠堆类似于图4的CE2的层叠堆，不同的是在实施例3中用HfSiAlN层替代图4的CE2中的TiO₂层。实施例3的层叠堆为玻璃/HfSiAlN(27nm)/ZnO(4nm)/Ag(11nm)/NiTiNbO_x(2.4nm)/ZnSnO(10nm)/ZnO(4nm)/SiN(10nm)，其中ZnO层在实施例3和CE2叠堆中掺杂有Al。换句话讲，除了底层之外，实施例3和CE2的叠堆基本上相同。将实施例3中的HfSiAlN层溅射沉积在包含35sccm氩气和8sccm氮气(比实施例2低的氮气比率)的气氛中，折射率(n)为2.312(在550nm处)并且k值为0.015(在400nm处)。图6示出了实施例2至实施例3的在热处理之前和之后的光学/热数据。在图6中，“涂覆态”(AC)是指在HT之前，并且“HT”是指热处理之后，其中在实施例3(以及CE2和实施例2)中热处理在约650℃下持续约八分钟。需注意，由于图6中所示的热处理，法向发射率和薄层电阻的微小变化证明了热稳定性，其中实施例3甚至实现了由于HT而产生的发射率和薄层电阻的下降，这是特别期望的。相比之下，CE2实现了在HT时发射率的显著增加，因为氧化钛层在CE2中不是热稳定的。

图8示出了实施例3的在HT之前和之后的数据，并且应当与图4的CE2进行比较。在图4和图8中，在列出曲线之处的右侧，上三个为“涂覆态”(AC)，这是指在HT之前，并且下三个在热处理之后，并且因此被标记为“HT”。因此，AC曲线在HT之前，并且HT曲线在约650℃下热处理约八分钟之后。将图8的实施例3与图4中的比较例(CE2)进行比较，证实了由于使用HfSiAlN层2而引起的意想不到的显著差异。在图4的CE2中，在约1500nm至2400nm的波长区域中，存在由HT引起的从“AC T”(透射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT T”(透射率，HT之后)曲线的约6％的偏移；存在由HT引起的从“AC G”(玻璃侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT G”(玻璃侧反射率，HT之后)曲线的约12％-14％的偏移；并且存在由HT引起的从“AC F”(膜侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT F”(膜侧反射率，HT之后)曲线的约12％-13％的偏移。总体来讲，结合在一起，在HT时存在透射率和反射光谱的显著偏移，这表明对于图4的CE而言缺乏热稳定性。图4的比较例(CE2)示出透射率和反射光谱的IR范围的显著偏移，并且还发现发射率和雾度的增加。相比之下，在将CE2的氧化钛层替代为实施例3的HfSiAlN层时，图8示出，在约1500nm至2400nm的波长区域中，存在由HT引起的从“AC T”(透射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT T”(透射率，HT后)曲线的小于3％的非常小的偏移；存在由HT引起的从“ACG”(玻璃侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT G”(玻璃侧反射率，HT之后)曲线的小于3％的非常小的偏移；并且存在由HT引起的从“AC F”(膜侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT F”(膜侧反射率，HT之后)曲线的小于3％或4％的非常小的偏移。图8中实施例3(与图4的CE2相比)的这些小得多的偏移表明涂层的热稳定性和热处理能力发生了意料不到的改善。因此，将图8与图4进行比较，可以看出，与CE2相比，实施例3在热稳定性和热处理能力(例如，热回火)方面令人惊奇地和出乎意料地得到改善。

实施例4

实施例4为根据图1实施方案的根据一个优选的实施方案的玻璃基底上的低E涂层，用于与图4的比较例(CE)2进行比较。实施例4层叠堆类似于图4的CE2的层叠堆，不同的是在实施例4中用HfSiAlN层替代图4的CE2中的TiO₂层。实施例4的层叠堆为玻璃/HfSiAlN(27nm)/ZnO(4nm)/Ag(11nm)/NiTiNbO_x(2.4nm)/ZnSnO(10nm)/ZnO(4nm)/SiN(10nm)，其中ZnO层在实施例4和CE2叠堆两者中掺杂有Al。因此，除了底层之外，实施例4和CE2的叠堆基本上相同。将实施例4中的HfSiAlN层溅射沉积在包含37sccm氩气和6sccm氮气的气氛中，折射率(n)为2.24(在550nm处)并且k值为0.008(在400nm处)。图9示出了实施例4(和实施例5)的在热处理之前和之后的光学/热数据。在图9中，“涂覆态”(AC)是指在HT之前，并且“HT”是指热处理之后，其中在实施例4(以及CE2和实施例5)中热处理在约650℃下持续约八分钟。需注意，由于图9中所示的热处理，法向发射率和薄层电阻的微小变化证明了热稳定性，其中实施例4甚至实现了由于HT而产生的发射率和薄层电阻的下降，这是特别期望的。相比之下，CE2实现了在HT时发射率的显著增加，因为氧化钛层在CE2中不是热稳定的。

图10示出了实施例4的在HT之前和之后的数据，并且应当与图4的CE2进行比较。在图4和图10中，在列出曲线之处的右侧，上三个为“涂覆态”(AC)，这是指在HT之前，并且下三个在热处理之后，并且因此被标记为“HT”。因此，AC曲线在HT之前，并且HT曲线在约650℃下热处理约八分钟之后。将图10的实施例4与图4中的比较例(CE2)进行比较，证实了由于使用HfSiAlN层2而引起的意想不到的显著差异。在图4的CE2中，在约1500nm至2400nm的波长区域中，存在由HT引起的从“AC T”(透射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT T”(透射率，HT之后)曲线的约6％的偏移；存在由HT引起的从“AC G”(玻璃侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT G”(玻璃侧反射率，HT之后)曲线的约12％-14％的偏移；并且存在由HT引起的从“AC F”(膜侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT F”(膜侧反射率，HT之后)曲线的约12％-13％的偏移。总体来讲，结合在一起，在HT时存在透射率和反射光谱的显著偏移，这表明对于图4的CE2而言缺乏热稳定性。图4的比较例(CE2)示出透射率和反射光谱的IR范围的显著偏移，并且还发现发射率和雾度的增加。相比之下，在将CE2的氧化钛层替代为实施例4的HfSiAlN层时，图10示出，在约1500nm至2400nm的波长区域中，存在由HT引起的从“AC T”(透射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT T”(透射率，HT后)曲线的小于3％的非常小的偏移；存在由HT引起的从“ACG”(玻璃侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT G”(玻璃侧反射率，HT之后)曲线的小于3％的非常小的偏移；并且存在由HT引起的从“AC F”(膜侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT F”(膜侧反射率，HT后)曲线的小于3％的非常小的偏移。图10中实施例4(与图4的CE2相比)的这些小得多的偏移表明涂层的热稳定性和热处理能力发生了意料不到的改善。因此，将图10与图4进行比较，可以看出，与CE2相比，实施例4在热稳定性和热处理能力(例如，热回火)方面令人惊奇地和出乎意料地得到改善。

实施例5

实施例5为根据图1实施方案的根据一个优选的实施方案的玻璃基底上的低E涂层，用于与图4的比较例(CE)2进行比较。实施例5层叠堆类似于图4的CE2的层叠堆，不同的是在实施例5中用HfAlN层替代图4的CE2中的TiO₂层。实施例5的层叠堆为玻璃/HfAlN(27nm)/ZnO(4nm)/Ag(11nm)/NiTiNbO_x(2.4nm)/ZnSnO(10nm)/ZnO(4n m)/SiN(10nm)，其中ZnO层在实施例5和CE2叠堆两者中掺杂有Al。因此，除了底层之外，实施例5和CE2的叠堆基本上相同。将实施例5中的HfAlN层溅射沉积在包含28sccm氩气和15sccm氮气的气氛中，折射率(n)为2.25(在550nm处)并且k值为0.007(在400nm处)。图9示出了实施例5的在热处理之前和之后的光学/热数据。在图9中，“涂覆态”(AC)是指在HT之前，并且“HT”是指在热处理之后，其中在实施例5(以及CE2和实施例4)中热处理在约650℃下持续约八分钟。

图11示出了实施例5的在HT之前和之后的数据，并且应当与图4的CE2进行比较。在图4和图11中，在列出曲线之处的右侧，上三个为“涂覆态”(AC)，这是指在HT之前，并且下三个在热处理之后，并且因此被标记为“HT”。因此，AC曲线在HT之前，并且HT曲线在约650℃下热处理约八分钟之后。将图11的实施例5与图4中的比较例(CE2)进行比较，证实了由于使用实施例5的HfAlN层2而引起的意想不到的显著差异。在图4的CE2中，在约1500nm至2400nm的波长区域中，存在由HT引起的从“AC T”(透射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT T”(透射率，HT之后)曲线的约6％的偏移；存在由HT引起的从“AC G”(玻璃侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT G”(玻璃侧反射率，HT之后)曲线的约12％-14％的偏移；并且存在由HT引起的从“ACF”(膜侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT F”(膜侧反射率，HT之后)曲线的约12％-13％的偏移。总体来讲，结合在一起，在HT时存在透射率和反射光谱的显著偏移，这表明对于图4的CE2而言缺乏热稳定性。图4的比较例(CE2)示出透射率和反射光谱的IR范围的显著偏移，并且还发现发射率和雾度的增加。相比之下，在将CE2的氧化钛层替代为实施例5的HfAlN层时，图11示出，在约1500nm至2400nm的波长区域中，存在由HT引起的从“AC T”

(透射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT T”(透射率，HT后)曲线的小于3％的非常小的偏移；存在由HT引起的从“AC G”(玻璃侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT G”(玻璃侧反射率，HT后)曲线的小于4％的非常小的偏移；并且存在由HT引起的从“AC F”(膜侧反射率，HT之前涂覆态)曲线至“HT F”(膜侧反射率，HT之后)曲线的小于3％或4％的非常小的偏移。图11中实施例5(与图4的CE2相比)的这些小得多的偏移表明涂层的热稳定性和热处理能力发生了意料不到的改善。因此，将图11与图4进行比较，可以看出，与CE2相比，实施例5在热稳定性和热处理能力(例如，热回火)方面令人惊奇地和出乎意料地得到改善。

在本发明的一个示例性实施方案中，提供了涂覆制品，其包括由玻璃基底支撑的涂层，该涂层包括：玻璃基底上的第一电介质层；玻璃基底上的包含银的红外(IR)反射层，该红外(IR)反射层定位在至少第一电介质层上方；玻璃基底上的第二电介质层，该第二电介质层定位在至少IR反射层上方；并且其中第一电介质层和第二电介质层中的至少一者包含铪(Hf)的氮化物，包含0％-10％的氧(原子％)，在550nm下具有至少2.21的折射率(n)，并且还包含Zr、Si和Al中的至少一者。

在紧接前面段落的涂覆制品中，包含Hf的氮化物的层还可包含Si。

在前述两个段落中任一项所述的涂覆制品中，包含Hf的氮化物的层还可包含Si和Al。

在前述三个段落中任一项所述的涂覆制品中，包含Hf的氮化物的层还可包含Zr。

在前述四个段落中任一项所述的涂覆制品中，包含Hf的氮化物的层还可包含Zr和Si。

在前述五个段落中任一项所述的涂覆制品中，包含Hf的氮化物的层还可包含Zr、Si和Al。

在前述六个段落中任一项所述的涂覆制品中，包含Hf的氮化物的层可具有至少2.25的折射率，更优选地至少2.30的折射率(在550nm下)。

在前述七个段落中任一项所述的涂覆制品中，包含Hf的氮化物的层可具有不大于0.015的吸收系数(k)，更优选地不大于0.010的吸收系数(k)(在400nm下)。

在前述八个段落中任一项所述的涂覆制品中，由于在650℃热处理下热处理8分钟，涂覆制品在550nm下可经历不超过0.04的折射率(n)变化，更优选地由于在650℃热处理下热处理8分钟，涂覆制品在550nm下可经历不超过0.01的折射率(n)变化。

在前述九个段落中任一项所述的涂覆制品中，包含Hf的氮化物的层可包含0％-5％的氧，更优选地0％-2％的氧(原子％)。

在前述十个段落中任一项所述的涂覆制品中，涂层可以是低E涂层，并且具有不大于0.2，更优选地不大于0.10的法向发射率(E_n)。

在前述十一个段落中任一项所述的涂覆制品中，包含Hf的氮化物的层可以是无定形的或基本上无定形的。

在前述十二个段落中任一项所述的涂覆制品中，第一电介质层可包含铪(Hf)的氮化物，可包含0％-10％的氧(原子％)，在550nm下可具有至少2.21的折射率(n)，在400nm下可具有不大于0.02的吸收系数k，并且还可包含Zr、Si和Al中的至少一者，并且定位在至少玻璃基底与IR反射层之间。

在前述十三个段落中任一项所述的涂覆制品中，第二电介质层可包含铪(Hf)的氮化物，可包含0％-10％的氧(原子％)，在550nm下可具有至少2.21的折射率(n)，在400nm下可具有不大于0.02的吸收系数k，并且还可包含Zr、Si和Al中的至少一者，并且定位在玻璃基底上在至少IR反射层上方。

在前述十四个段落中任一项所述的涂覆制品中，涂层还可包括包含氮化硅的层，该包含氮化硅的层定位在包含Hf的氮化物的层上方并且直接接触该包含Hf的氮化物的层。

在前述十五个段落中任一项所述的涂覆制品中，涂层还可包括包含氮化硅的层，该包含氮化硅的层定位在至少玻璃基底与第一透明电介质层之间。

在前述十六个段落中任一项所述的涂覆制品中，涂层还可包括包含氧化锌的层，该包含氧化锌的层定位在IR反射层下方并且直接接触该IR反射层。

在前述十七个段落中任一项所述的涂覆制品中，涂层还可包括包含Ni和/或Cr的层，该包含Ni和/或Cr的层定位在IR反射层上方并且直接接触该IR反射层。

在前述十八个段落中任一项所述的涂覆制品中，涂层还可包括包含钛的氧化物的层，该包含钛的氧化物的层直接接触第二电介质层，并且其中第二电介质层：可包含铪(Hf)的氮化物，可包含0％-10％的氧(原子％)，在550nm下可具有至少2.21的折射率(n)，并且还可包含Zr、Si和Al中的至少一者。

在前述十九个段落中任一项所述的涂覆制品中，涂覆制品可被热回火。

在前述二十个段落中任一项所述的涂覆制品中，涂覆制品可具有至少50％的可见光透射率。

在前述二十一个段落中任一项所述的涂覆制品中，包含Hf的氮化物的层可具有包含10％-75％Hf，更优选地20％-70％Hf，更优选地25％-40％Hf(原子％)的金属含量。

在前述二十二个段落中任一项所述的涂覆制品中，包含Hf的氮化物的层可具有包含20％-70％Hf，1％-40％Zr，3％-20％Si和1％-45％Al(原子％)的金属含量。

在前述二十三个段落中任一项所述的涂覆制品中，包含Hf的氮化物的层可包含比Si多的Hf，并且比Al多的Hf(原子％)。

在前述二十四个段落中任一项所述的涂覆制品中，包含Hf的氮化物的层还可包含Zr，其中加在一起的Hf和Zr含量表示包含Hf的氮化物的层的金属含量的45％-75％(原子％)。

在前述二十五个段落中任一项所述的涂覆制品中，包含Hf的氮化物的层还可包含Zr，其中加在一起的Hf和Zr含量表示包含Hf的氮化物的层的金属含量的50％-70％(原子％)。

在前述二十六个段落中任一项所述的涂覆制品中，包含Hf的氮化物的层还包含Al并且还可包含Zr，并且可包含至少两倍于Hf的Al，更优选至少三倍于Hf的Al，并且可能包含至少两倍于Hf和Zr中的每一种的Al。

在前述二十七个段落中任一项所述的涂覆制品中，包含Hf的氮化物的层可以是不含Ti和/或Nb的或基本上不含Ti和/或Nb的。包含Hf的氮化物的层可包含0％-10％的Ti，更优选地0％-5％的Ti，并且最优选地0％-2％的Ti(原子％)。包含Hf的氮化物的层可包含0％-10％的Nb，更优选地0％-5％的Nb，并且最优选地0％-2％的Nb。

虽然已经结合目前被认为是最实用和优选的实施方案描述了本发明，但应当理解，本发明不限于所公开的实施方案，而是相反，旨在涵盖包括在所附权利要求的实质和范围内的各种修改和等同布置。