具体实施方式

现在参考附图描述各种实施例，其中相同的附图标记自始至终用于指代相同的元素。在以下描述中，出于解释的目的，阐述了很多具体细节以促进对一个或多个实施例的透彻理解。然而，在一些或所有情况下很明显，以下描述的任何实施例可以在不采用以下描述的特定设计细节的情况下实践。

首先参考图1，示出了根据本发明的实施例的一个方面的示例性EUV辐射源(例如，激光产生等离子体EUV辐射源10)的示意图。如图所示，EUV辐射源10可以包括脉冲或连续激光源22，脉冲或连续激光源22可以例如是脉冲气体放电CO₂激光源，脉冲气体放电CO₂激光源产生波长通常低于20μm(例如，在约10.6μm或约0.5μm或更小的范围内)的辐射束12。脉冲气体放电CO₂激光源可以具有以高功率和高脉冲重复率操作的DC或RF激励。

EUV辐射源10还包括用于以微滴或连续液体流的形式传送源材料的目标传送系统24。在该示例中，源材料是液体，但也可以是固体或气体。源材料可以由锡或锡化合物制成，但也可以使用其他材料。在所描绘的系统中，源材料传送系统24将源材料的微滴14引入真空室26的内部的照射区域28，在照射区域28中，源材料可以被照射以产生等离子体。应当注意，如本文中使用的，照射区域是其中可能发生源材料照射的区域，并且即使在实际没有发生照射时也是照射区域。EUV光源还可以包括将在下面结合图2更详细地解释的光束聚焦和转向系统32。

在所示系统中，组件被布置为使得微滴14基本水平行进。从激光源22朝向照射区域28的方向(即，光束12的标称传播方向)可以作为Z轴。微滴14从源材料传送系统24到照射区域28所采取的路径可以作为X轴。图1的视图因此垂直于XZ平面。此外，虽然描绘了其中微滴14基本水平行进的系统，但本领域普通技术人员将理解，可以使用其他布置，在该其他布置中，微滴垂直行进或相对于重力以在90度(水平)至0度(垂直)(包括性的)之间的某个角度行进。

EUV辐射源10还可以包括EUV光源控制器系统60，该EUV光源控制器系统60还可以包括激光发射控制系统65以及光束转向系统32。EUV辐射源10还可以包括检测器，诸如微滴位置检测系统，微滴位置检测系统可以包括一个或多个微滴成像器70，微滴成像器70生成指示微滴的绝对或相对位置(例如，相对于照射区域28)的输出，并且将该输出提供给目标位置检测反馈系统62.

微滴位置检测反馈系统62可以使用微滴成像器70的输出来计算微滴位置和轨迹，由此可以计算微滴位置误差。微滴位置误差可以逐微滴计算，或平均计算，或以其他方式计算。然后，微滴位置误差可以作为输入被提供给光源控制器60。作为响应，光源控制器60可以生成控制信号，诸如激光位置、方向或定时校正信号，并且将该控制信号提供给激光束转向系统32。激光束转向系统32可以使用控制信号来改变腔室26内激光束焦斑的位置和/或聚焦功率。激光束转向系统32还可以使用控制信号来改变光束12和微滴14的相互作用的几何形状。例如，可以使光束12偏离中心或以不同于直接迎面的入射角撞击微滴14。

如图1所示，源材料传送系统24可以包括源材料传送控制系统90。源材料传送控制系统90可以响应于由系统控制器60提供的信号(例如，上述微滴位置误差或根据微滴位置误差导出的某个量)而进行操作，以调节源材料通过照射区域28的路径。这可以例如通过重新定位源材料传送机构92释放微滴14的位置来实现。微滴释放位置例如可以通过倾斜目标传送机构92或通过移动目标传送机构92来重新定位。源材料传送机构92延伸到腔室26中并且优选地从外部来被提供源材料并且连接到气体源以将源材料在压力下放置在源材料传送机构92中。

继续图1，辐射源10还可以包括一个或多个光学元件。在以下讨论中，收集器30用作这种光学元件的示例，但该讨论也适用于其他光学元件。收集器30可以是垂直入射反射器，例如，实现为多层反射镜(MLM)，例如使用钼和硅的交替层，其中在每个界面处沉积有附加薄阻挡层(例如，B4C、ZrC、Si3N4或C)以有效阻止热诱导的层间扩散。也可以使用其他衬底材料，诸如铝(Al)或硅(Si)。收集器30可以是长椭圆体的形式，具有中心孔以允许激光辐射12穿过并且到达照射区域28。收集器30可以是例如椭圆体的形状，椭圆体的第一焦点位于照射区域28，第二焦点位于所谓的中间点40(也称为中间焦点40)处，其中EUV辐射可以从EUV辐射源10输出并且被输入到例如集成电路光刻扫描仪或步进器50，该集成电路光刻扫描仪或步进器50使用辐射例如以已知方式使用掩模版或掩模54处理硅晶片工件52。掩模54可以是透射式的或反射式的。对于EUV应用，掩模54通常是反射式的。然后，硅晶片工件52以已知方式被另外处理以获取集成电路器件。

继续图2，可以看出，光束转向系统32可以包括一个或多个转向镜32a、32b和32c。尽管示出了三个反射镜，但是应当理解，可以采用多于三个或少至一个转向镜来转向光束。此外，虽然示出了反射镜，但应当理解，可以使用其他光学器件，诸如棱镜，并且一个或多个转向光学器件可以定位在腔室26内部。参见例如2009年10月6日授权的题为“LaserProduced Plasma EUV Light Source”的美国专利第7,598,509号，其全部内容由此通过引用并入本文。对于所示的实施例，每个转向镜32a、32b和32c可以安装在相应的倾斜致动器36a、36b和36c上，该致动器可以独立地在两个维度中的一个或两个上移动转向镜32a、32b和32c中的每个。

图3A是根据实施例的一个方面的EUV脉冲系统100的非按比例示意图。EUV脉冲系统被布置为能够向源材料的微滴14(图1)提供脉冲。EUV脉冲系统100包括能够产生脉冲106的辐射源102等特征。脉冲106传播到腔室26(图1)中，在腔室26中，脉冲106撞击源材料的微滴108。

在所示示例中，源材料(例如，图1所示的微滴14)最初是由目标传送机构92(图1)释放的微滴流中的微滴108的形式。如果源材料已经经受一个或多个脉冲，则它可能不再是微滴形式。为了清楚起见，在经受任何脉冲之前的源材料在本文中被称为微滴，并且在经受任何脉冲之后的源材料在本文中被称为目标。根据实施例的一个方面，脉冲106是第一脉冲，该第一脉冲通过例如改变源材料的几何分布来预先调节源材料，例如从微滴108到已调节目标形式110(诸如圆盘、云等)。然后，该已调节目标形式110被第二脉冲112撞击，该第二脉冲112进一步调节源材料以通过稍后的脉冲进行相位转换。

此外，术语“预脉冲”有时用于描述具有调节目标材料的主要目的的脉冲，并且术语“主脉冲”有时用于描述具有从源材料产生等离子体的主要目的的最终脉冲。然而，在某些应用中，脉冲的目的可能不会如此独立和不同。因此，本文中为了清楚起见，将简单地参考通过它们的相对顺序进行区分的脉冲。

图3A的系统还包括用于引导光束的光学元件，包括分束器114。分束器布置被配置为将相同光束/脉冲发送到两个位置。脉冲106的一部分将撞击微滴108。拆分脉冲106的另一部分将沿包括反射镜116的路径行进，并且不会撞击源材料。一旦已修改微滴(即，目标110)到达所示位置，第二脉冲112被激发。脉冲106的一部分将沿包括反射镜116的路径行进，并且将撞击目标110。拆分脉冲112的另一部分将不会撞击源材料。分束器114可以是50/50分束器，即，将光束拆分成能量相等的两个光束，或者可以将光束拆分成不等能量的两个光束，即，比例为A/B，其中A不等于B，实际上是A/B分束器，这取决于希望施加到微滴的能量是否会因微滴位置和条件而不同。这可以避免需要通过改变脉冲宽度或瞬时功率来使脉冲能量不同。对于两个脉冲，分束器的能量输入可以相同，但两个输出将具有不同能量。如果需要两个以上的脉冲，这种布置也可以扩展到多个分束器。

图3B是根据实施例的另一方面的EUV脉冲系统100的非按比例示意图。如上所述，EUV脉冲系统被布置为能够向源材料(例如，向图1所示的微滴14)提供脉冲。EUV脉冲系统100包括能够产生脉冲106的辐射源102等特征。脉冲106传播到腔室26(图1)中，在腔室26中，脉冲106撞击源材料的微滴108。图3B的系统还包括用于引导光束的光学元件，包括光偏转器模块120。该光偏转器模块120布置在来自辐射源102的激光辐射的光路上并且可以偏转辐射使得其行进到多个位置。在所示的布置中，光偏转器模块120被布置为具有第一状态和第二状态，在第一状态下，光偏转器模块120偏转第一脉冲106使得第一脉冲106撞击微滴108，在第二状态下，光偏转器模块120偏转第二脉冲112偏转使得第二脉冲112撞击由第一脉冲106和微滴108的相互作用产生的目标110。光偏转器模块120可以是例如电光偏转器或声光偏转器。如图所示，光偏转器模块120在控制单元60的控制下操作，辐射源102也是如此。这种布置具有不浪费脉冲能量的优点，但它更复杂。

结合辐射源102使用光偏转器模块允许相同辐射源沿相同光路产生两个脉冲。因此，这以最小附加复杂性或成本提供了允许多个脉冲的灵活性。

如上所述，光偏转器模块120可以是例如电光偏转器或声光偏转器。例如，有关这样的设备的详细信息可以在G.R.B.E.中的Romer等人的“Electro-optic and acousto-optic laser beam scanners”(Physics Procedia 56(2014年)的29-39页)中找到。对于某些应用和类型的光偏转器，可能需要使用附加光学元件，例如，以针对第一脉冲相对于第二脉冲的光路提供不同焦距长度或提供不同光束宽度。

光偏转器模块120还可以被配置为用于控制积分脉冲能量或脉冲宽度或这两者的致动器。在这种布置中，由辐射源102发出的脉冲将具有相同积分脉冲能量和宽度。光偏转器模块120然后将不仅偏转脉冲而且控制脉冲的特性。例如，光偏转器模块120可以衰减脉冲以控制积分脉冲能量。光偏转器模块120可以替代地或另外地调节脉冲以控制脉冲宽度。这种控制对于连续脉冲可以不同，使得光偏转器模块120可以接收最初具有特定积分脉冲能量和宽度的第一脉冲并且改变这些参数中的一个或两个，然后光偏转器模块120可以接收最初具有与第一脉冲相同的积分脉冲能量和宽度的第二脉冲，并且以不同于第一脉冲的方式改变这些参数中的一个或两个。对于本领域普通技术人员来说，同样很清楚的是，具有这些能力的光偏转器也可以与能够逐脉冲修改脉冲参数的辐射源结合使用，以提供对参数的两级控制。

根据实施例的一方面，辐射源102被配置为近红外(约1微米波长)激光器，即，发射具有在约0.75μm至约1.4μm范围内的波长的辐射。这可以是被配置为发射波长在该范围内的辐射的CO₂激光器，或者是如此配置的并且能够在约1ns至约50ns内发射具有足够高能量(例如，在约1mJ至约100mJ的范围内)的脉冲的任何其他类型的激光器。其他激光器的示例包括使用其他材料的激光器(诸如Nd:YAG激光器)以及其他形式的激光器(诸如薄盘激光器和光纤激光器)。然而，应当理解，可以使用其他波长。辐射源102也可以被配置为使得第一脉冲106和第二脉冲112具有不同功率水平、形状等。

图4是示出根据实施例的一个方面的向源材料提供多个脉冲的方法的流程图。在步骤S100中，使用源S发射第一脉冲。在步骤S110中，使用分束器拆分第一脉冲。在步骤S120，用第一脉冲的一部分撞击源材料。在步骤S130中，利用源S发射第二脉冲。在步骤S140中，拆分第二脉冲。在步骤S150中，用第二脉冲的一部分撞击源材料。

参考图5的流程图，公开了根据实施例的一个方面的使用单个辐射源来传送两个连续脉冲的方法。再次，应当理解，在该方法中使用的光偏转器处于第一状态，在该第一状态下，在上述步骤之前，光偏转器将朝向微滴的位置偏转输入脉冲。在步骤S200中，操作辐射源S以发射第一脉冲。在步骤S210中，用第一脉冲撞击目标，源材料的未调节微滴。在步骤S220中，将光偏转器切换到第二状态，在该第二状态下，光偏转器将朝向已调节源材料的位置偏转输入脉冲。在步骤S230中，操作辐射源S以发射第二脉冲。在步骤S240中，第二预脉冲撞击已调节形式以进一步调节它以用于稍后的使用主脉冲的相位转变。同样，这个序列的某些方面是任意的。该示例中的显著特征是，使用一个辐射源来生成第一脉冲和第二脉冲并且光偏转器在第一脉冲与第二脉冲之间的偏转状态之间切换。

作为示例，第一脉冲可以照射小微滴(约30微米)，小微滴将微滴的形状修改为直径约500微米的圆盘形状。当圆盘从原始微滴位置行进约300微米时，第二脉冲照射圆盘，脉冲之间的延迟约为3微秒。

因此，通过提供本文中公开的系统，可以优化和简化两个或更多个激光脉冲的光学传送，并且可以改变脉冲的尺寸、形状、焦点位置和方向。使用一个激光器而不是两个激光器可以使系统更紧凑、更容易集成，并且实现成本更低。

本公开是在说明特定功能的实现及其关系的功能构建块的帮助下做出的。为便于描述，本文中已任意定义了这些功能构建块的边界。只要适当地执行指定的功能及其关系，就可以定义替代边界。例如，控制模块功能可以在几个系统之间划分或者至少部分由整体控制系统执行。

以上描述包括一个或多个实施例的示例。当然，不可能为了描述上述实施例的目的而描述组件或方法的每一种可想到的组合，但是本领域普通技术人员可以认识到，各种实施例的很多其他组合和排列是可能的。因此，所描述的实施例旨在包括落入所附权利要求的精神和范围内的所有这样的改变、修改和变化。此外，就术语“包括(includes)”在具体实施方式或权利要求中使用的程度而言，该术语旨在以类似于术语“包括(comprising)”的方式是包括性的，如“包括(comprising)”在权利要求中用作过渡词时解释的。此外，尽管所描述的方面和/或实施例的元素可以以单数形式描述或要求保护，但除非明确声明限制为单数，否则可以预期复数形式。此外，除非另有说明，否则任何方面和/或实施例的全部或一部分可以与任何其他方面和/或实施例的全部或一部分一起使用。

本发明的其他方面在以下编号的条款中阐述。

1.一种装置包括：

辐射源，被配置为沿单个轴在第一时间处和在第二时间处生成用于调节源材料的第一脉冲并和第二脉冲；以及

光学元件，被布置为接收所述第一脉冲和所述第二脉冲，并且被配置为在所述第一时间处将所述第一脉冲传送到一定量的源材料、并且在第二时间处将所述第二脉冲传送到所述一定量的源材料。

2.根据条款1所述的装置，其中所述光学元件包括分束器。

3.根据条款2所述的装置，其中所述分束器是50/50分束器。

4.根据条款2所述的装置，其中所述分束器是A/B分束器，其中A不等于B。

5.根据条款1所述的装置，其中所述光学元件包括光偏转器，所述光偏转器被布置为接收所述第一脉冲和所述第二脉冲，并且被配置为具有第一状态和第二状态，在所述第一状态下，所述光偏转器在所述第一时间处将所述第一脉冲偏转到所述一定量的源材料，在所述第二状态下，所述光偏转器在所述第二时间处将所述第二脉冲偏转到所述一定量的源材料。

6.根据条款5所述的装置，其中所述光偏转器包括电光偏转器。

7.根据条款5所述的装置，其中所述光偏转器包括声光偏转器。

8.根据条款5、6或7中任一项所述的装置，其中所述光偏转器还被配置为改变所述第一脉冲和所述第二脉冲中的至少一者的参数。

9.根据条款8所述的装置，其中所述光偏转器还被配置为将所述第一脉冲的参数改变为第一值、并且将所述第二脉冲的所述参数改变为不同于所述第一值的第二值。

10.根据条款8或9所述的装置，其中所述参数是积分脉冲能量。

11.根据条款8或9所述的装置，其中所述参数是脉冲宽度。

12.根据条款1-11中任一项所述的装置，其中所述辐射源包括被配置为发射近红外辐射的单个激光器。

13.根据条款1-12中任一项所述的装置，其中所述辐射源包括单个激光器，所述单个激光器被配置为发射具有在约0.5μm至约1.4μm范围内的波长的辐射。

14.根据条款1-12中任一项所述的装置，其中所述辐射源被配置为使得所述第一脉冲的脉冲特性具有第一值，并且所述第二脉冲的所述脉冲特性具有不同于所述第一值的第二值。

15.根据条款14所述的装置，其中所述脉冲特性是脉冲宽度。

16.根据条款14所述的装置，其中所述脉冲特性是积分脉冲能量。

17.根据条款14所述的装置，其中所述第一脉冲具有第一积分脉冲能量和第一宽度，并且所述第二脉冲具有第二积分脉冲能量和第二宽度。

18.一种装置，包括：

辐射源，被配置为沿单个轴生成用于调节源材料的第一脉冲和第二脉冲；以及

光学元件，被布置为接收所述第一脉冲和所述第二脉冲并且被配置为在第一时间处沿第一光路将所述第一脉冲传送到一定量的源材料并且在第二时间处沿第二光路将所述第二脉冲传送到所述一定量的源材料。

19.根据条款18所述的装置，其中所述光学元件包括分束器。

20.根据条款19所述的装置，其中所述分束器是以下中的一项或多项：50/50分束器或A/B分束器，其中A不等于B。

21.根据条款18所述的装置，其中所述光学元件被布置为使得所述第一光路和所述第二光路与移动的源材料的不同位置相交。

22.根据条款19所述的装置，其中所述光学元件包括光偏转器，所述光偏转器被布置为接收所述第一脉冲和所述第二脉冲并且被配置为具有第一偏转状态和第二偏转状态，在所述第一偏转状态下，所述光偏转器在所述第一时间处将所述第一脉冲沿所述第一光路偏转到所述一定量的源材料，在所述第二偏转状态下，所述光偏转器在所述第二时间处将所述第二脉冲沿所述第二光路偏转到所述一定量的源材料。

23.根据条款22所述的装置，其中所述光偏转器包括电光偏转器。

24.根据条款22所述的装置，其中所述光偏转器包括声光偏转器。

25.根据条款22、23或24中的任一项所述的装置，其中所述光偏转器还被配置为改变所述第一脉冲和所述第二脉冲中的至少一者的参数。

26.根据条款25所述的装置，其中所述光偏转器还被配置为将所述第一脉冲的参数改变为第一值、并且将所述第二脉冲的所述参数改变为不同于所述第一值的第二值。

27.根据条款25或26所述的装置，其中所述参数是积分脉冲能量。

28.根据条款25或26所述的装置，其中所述参数是脉冲宽度。

29.根据条款18-28中任一项所述的装置，其中所述第一光路包括具有第一焦距长度的第一光学器件，并且所述第二光路包括具有不同于所述第一焦距长度的第二焦距长度的第二光学器件。

30.根据条款18-28中任一项所述的装置，其中所述辐射源包括被配置为发射近红外辐射的单个激光器。

31.根据条款18-28中任一项所述的装置，其中所述辐射源包括单个激光器，所述单个激光器被配置为发射具有在约0.5μm至约1.4μm范围内的波长的辐射。

32.根据条款18-28中任一项所述的装置，其中所述辐射源被配置为使得所述第一脉冲的脉冲特性具有第一值、并且所述第二脉冲的所述脉冲特性具有不同于所述第一值的第二值。

33.根据条款32所述的装置，其中所述脉冲特性是脉冲宽度。

34.根据条款32所述的装置，其中所述脉冲特性是积分脉冲能量。

35.根据条款18所述的装置，其中所述第一脉冲具有第一积分脉冲能量和第一宽度，并且所述第二脉冲具有第二积分脉冲能量和第二宽度。

36.一种向一定量的源材料施加多个脉冲的方法，所述方法包括以下步骤：

使用辐射源沿第一路径生成第一脉冲；

当所述一定量的源材料处于第一位置时，引导所述第一脉冲照射所述一定量的源材料；

使用所述辐射源沿所述第一路径生成第二脉冲；以及

当所述一定量的源材料处于第二位置时，引导所述第二脉冲照射所述一定量的源材料。

37.根据条款36所述的方法，其中引导所述第一脉冲的步骤和引导所述第二脉冲的步骤使用分束器来执行。

38.根据条款36所述的方法，其中所述分束器是50/50分束器。

39.根据条款38所述的方法，其中所述分束器是A/B分束器，其中A不等于B。

40.根据条款36所述的方法，其中引导所述第一脉冲的步骤和引导所述第二脉冲的步骤使用光偏转器来执行。

41.根据条款36所述的方法，其中引导所述第一脉冲的步骤和引导所述第二脉冲的步骤使用电光偏转器来执行。

42.根据条款36所述的方法，其中引导所述第一脉冲的步骤和引导所述第二脉冲的步骤使用声光偏转器来执行。

43.根据条款36-42中任一项所述的方法，其中引导所述第一脉冲的步骤包括改变所述第一脉冲的参数。

44.根据条款36-43中任一项所述的方法，其中引导所述第二脉冲的步骤包括改变所述第二脉冲的参数。

45.根据条款36-44中任一项所述的方法，其中引导所述第一脉冲的步骤包括将所述第一脉冲的参数改变为第一值，并且引导所述第二脉冲的步骤包括将所述第二脉冲的所述参数改变为不同于所述第一值的第二值。

46.根据条款43、44或45中任一项所述的方法，其中所述参数是积分脉冲能量。

47.根据条款43、44或45中任一项所述的方法，其中所述参数是脉冲宽度。

48.根据条款36-48中任一项所述的方法，其中所述第二位置是在所述一定量的源材料被所述第一脉冲撞击之后所述源材料已经行进到的位置。

49.根据条款36-48中任一项所述的方法，其中使用所述辐射源的步骤包括使用被配置为发射近红外辐射的单个激光器。

50.根据条款36-48中任一项所述的方法，其中使用所述辐射源的步骤包括使用单个激光器，所述单个激光器被配置为发射具有在约0.5μm至约1.4μm的范围内的波长的辐射。

51.根据条款36-48中任一项所述的方法，其中所述第一脉冲的脉冲特性具有第一值并且所述第二脉冲的所述脉冲特性具有不同于所述第一值的第二值。

52.根据条款51所述的方法，其中所述脉冲特性是脉冲宽度。

53.根据条款51所述的方法，其中所述脉冲特性是积分脉冲能量。

54.根据条款51所述的方法，其中所述第一脉冲具有第一积分脉冲能量和第一宽度，并且所述第二脉冲具有第二积分脉冲能量和第二宽度。

55.一种向一定量的源材料施加多个脉冲的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)使用辐射源沿第一路径生成脉冲；

(b)引导所述脉冲照射所述一定量的源材料，所述源材料处于运动中并且因此穿过多个位置；以及

(c)重复步骤(a)和(b)以在预定数目的所述多个位置处照射所述源材料。