阅读说明：本技术 用于晶元的电镀加工方法、晶元及线路板 (For the electroplating processing method of wafer, wafer and wiring board ) 是由 龚越 史宏宇 李星 李艳国 于 2019-08-13 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种用于晶元的电镀加工方法、晶元及线路板,用于晶元的电镀加工方法,包括以下步骤：在治具上加工出电镀凹槽；将待加工的晶元料材固定于电镀凹槽；将治具置于电镀液、使晶元料材位于电镀液中；对治具进行通电,完成对晶元料材的电镀操作、并得到晶元成品；晶元采用前述的用于晶元的电镀加工方法进行电镀加工；线路板包括前述的晶元。在治具上开设电镀凹槽,以用于安装晶元料材,之后,将治具置于电镀液中,当治具通电后,电流通过治具首先到达电镀凹槽,槽状结构使电流在到达槽内的晶元料材时更加均匀,使到达晶元料材各部位的电流相对也更加均匀,电镀时,晶元料材各部位的镀铜也更加均衡,提升晶元成品的加工品质。(The invention discloses a kind of electroplating processing methods for the electroplating processing method of wafer, wafer and wiring board, for wafer, comprising the following steps: plating trenches are processed on jig；Wafer material material to be processed is fixed on plating trenches；Jig is placed in electroplate liquid, is located at wafer material material in electroplate liquid；It is powered to jig, completes the electroplating operations to wafer material material and obtains wafer finished product；Wafer carries out plating processing using the electroplating processing method for being previously described for wafer；Wiring board includes wafer above-mentioned.Plating trenches are opened up on jig, for installing wafer material material, later, jig is placed in electroplate liquid, after jig is powered, electric current arrives first at plating trenches by jig, groove-like structure is more uniform when making wafer material material of the electric current in arrival slot, keeps the electric current for reaching each position of wafer material material relatively also more uniform, when plating, the copper facing at each position of wafer material material is also more balanced, promotes the processing quality of wafer finished product.)

用于晶元的电镀加工方法、晶元及线路板

技术领域

本发明涉及线路板加工技术领域，特别是涉及一种用于晶元的电镀加工方法、晶元及线路板。

背景技术

晶元也称晶圆，是指在硅半导体集成电路进行制作时所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上加工制作出各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。

随着终端产品效能的不断精进，高阶智慧型装置已逐步采用28nm以下的先进制程。由于先进制程从28nm演进至10nm以下，导致晶元脚位间距也不断微缩，与之匹配的多层有机基板加工精度也有了更高的要求。因此，衍生出了一种再布线层技术，其需在晶元表面进行电镀铜加工。通常，将晶元置于治具上，治具被电镀设备夹持，以将电流通过夹持部位传输到治具上，从而对晶元进行电镀操作。然而，这种方式在电镀时，晶元不同部位的电流强度差异大，导致晶元电镀后的铜厚不均匀，严重影响晶元的加工品质。

发明内容

基于此，有必要提供一种用于晶元的电镀加工方法、晶元及线路板；该用于晶元的电镀加工方法电镀均匀；该晶元的电镀加工采用前述的用于晶元的电镀加工方法进行加工；该线路板包括前述的晶元。

其技术方案如下：

一方面，提供了一种用于晶元的电镀加工方法，包括以下步骤：

在治具上加工出电镀凹槽；

将待加工的晶元料材固定于电镀凹槽；

将治具置于电镀液、使晶元料材位于电镀液中；

对治具进行通电，完成对晶元料材的电镀操作、并得到晶元成品。

上述用于晶元的电镀加工方法，在治具上开设电镀凹槽，以用于安装晶元料材，之后，将治具置于电镀液中，当治具通电后，电流通过治具首先到达电镀凹槽，槽状结构使电流在到达槽内的晶元料材时更加均匀，从而使到达晶元料材各部位的电流相对也更加均匀，电镀时，晶元料材各部位的镀铜也更加均衡，使铜厚更加均匀，提升晶元成品的加工品质。

下面进一步对技术方案进行说明：

进一步地，将待加工的晶元料材固定于电镀凹槽的步骤包括：

将晶元料材置于电镀凹槽内、使晶元料材的边缘与电镀凹槽的环形槽壁呈预设间距设置；

利用可导电的固定件将晶元料材固定于电镀凹槽内。

进一步地，晶元料材的边缘与电镀凹槽的环形槽壁之间间距为1mm-3mm。

进一步地，固定件为可导电的胶带；或固定件为用于固定晶元料材的、可导电的夹具或卡环。

进一步地，治具设有导电部，将治具置于电镀液、使晶元料材位于电镀液中的步骤中，治具的导电部与电镀设备配合、以使治具能够通电、并使晶元料材位于电镀液中。

进一步地，导电部设有至少两个、并呈“一”字型排布于治具的一侧；

或导电部设有多个、并呈间距排布于电镀凹槽的外周。

进一步地，在将待加工的晶元料材固定于电镀凹槽的步骤之前，还包括以下步骤：

在治具上加工出导电部。

进一步地，导电部为夹持孔。

另一方面，还提供了一种晶元，晶元采用如上述任一个技术方案所述的用于晶元的电镀加工方法进行电镀加工。

上述晶元，采用前述的用于晶元的电镀加工方法进行电镀加工，晶元成品的加工品质更好。

另外，还提供了一种线路板，包括前述的晶元。

该线路板采用前述的晶元，由于晶元的加工品质更好，从而提升了线路板的整体品质。

附图说明

图1为实施例中用于晶元的电镀加工方法的流程图；

图2为图1实施例中所用到的治具整体结构俯视图；

图3为图2实施例的整体结构截面图。

附图标注说明：

100、治具；110、电镀凹槽；120、夹持孔；200、晶元料材。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的实施例进行详细说明：

需要说明的是，文中所称元件与另一个元件“固定”时，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是与另一个元件“连接”时，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参照图1至图3，一种用于晶元的电镀加工方法，包括以下步骤：

在治具100上加工出电镀凹槽110；

将待加工的晶元料材200固定于电镀凹槽110；

将治具100置于电镀液、使晶元料材200位于电镀液中；

对治具100进行通电，完成对晶元料材200的电镀操作、并得到晶元成品。

该用于晶元的电镀加工方法，在治具100上开设电镀凹槽110，以用于安装晶元料材200，之后，将治具100置于电镀液中，当治具100通电后，电流通过治具100首先到达电镀凹槽110，槽状结构使电流在到达槽内的晶元料材200时更加均匀，从而使到达晶元料材200各部位的电流相对也更加均匀，电镀时，晶元料材200各部位的镀铜也更加均衡，使铜厚更加均匀，提升晶元成品的加工品质。

该用于晶元的电镀加工方法能够应用于晶元的电镀铜加工中，以使晶元料材200的镀铜更加均匀，提升得到的晶元成品的铜厚均匀性。

常规的线路板电镀铜加工方法无法适用于晶元的电镀铜加工，主要问题是：

一、晶元材质较脆，使用电镀夹具固定容易破损，且电镀夹点尺寸大，易进入晶元图形区域，从而影响镀铜精度；

二、直接使用电镀夹点固定时，电镀加工过程中，电流通过夹点传导到晶元表面，容易出现电流分布不均的情况，如夹点附近的电流较强，而其他区域的电流较弱，从而导致电镀的铜厚不均匀。

本实施例中，电流进入治具100后，由于治具100导电(治具100可以有能够导电的金属材质制作而成)，从而使整个治具100均带电，而电流在到达晶元料材200之前，通过电镀凹槽110使电流在凹槽内达到相对平稳，从而能够相对均匀的到达晶元料材200的各个部位，以使电镀后的铜厚更加均匀。

进一步地，电镀凹槽110的形状与晶元料材200的形状对应设置，电镀凹槽110的深度与晶元料材200的厚度对应设置。

如图2和图3中，电镀凹槽110呈圆形设置，以与圆形的晶元料材200的形状对应；电镀凹槽110的深度与晶元料材200的厚度对应，以使晶元料材200在固定于电镀凹槽110之后，晶元料材200的上平面与治具100的上平面相当；另外，电镀凹槽110的槽底呈平面设置。

如图2所示，治具100呈方形设置，电镀凹槽110设于治具100的中部。

进一步地，将待加工的晶元料材200固定于电镀凹槽110的步骤包括：

将晶元料材200置于电镀凹槽110内、使所述晶元料材200的边缘与电镀凹槽110的环形槽壁呈预设间距设置；

利用可导电的固定件将晶元料材200固定于电镀凹槽110内。

将晶元料材200放置在电镀凹槽110内之后，利用可导电的固定件将晶元料材200固定在电镀凹槽110内，以避免晶元料材200在电镀过程中滑脱或移动，影响到电镀后的铜厚均匀性。

固定件可以是能够将晶元料材200固定在电镀凹槽110内的夹具或非夹具结构，本领域技术人员可根据需要进行选用，不再赘述。

进一步地，晶元料材200的边缘与电镀凹槽110的环形槽壁之间间距为1mm-3mm。

请参照图2和图3，晶元料材200的外环与电镀凹槽110的环形槽壁之间呈预设间距设置，以预先将晶元料材200放置于电镀凹槽110内，然后再利用固定件将晶元料材200固定在电镀凹槽110内。

电镀凹槽110的半径比晶元料材200的半径大1mm-3mm，如此设置，使放置更加便捷，且避免凹槽因加工精度等问题与晶元料材200的形状不对应导致损害晶元料材200的情况发生。

具体地，电镀凹槽110的半径比晶元料材200的半径大2mm。

进一步地，固定件为可导电的胶带。可导电的胶带固定简单方便，不仅能够满足固定的需要，而且成本低廉。

当然，固定件也可以是用于固定晶元料材200的、可导电的夹具或卡环。夹具或卡环均可用于固定晶元料材200，本领域技术人员可具体选用，以满足实际的需要，这里不再赘述。

进一步地，治具100设有导电部，将治具100置于电镀液、使晶元料材200位于电镀液中的步骤中，治具100的导电部与电镀设备配合、以使治具100能够通电、并使晶元料材200位于电镀液中。

导电部起到两方面的作用：一方面，与电镀设备配合、以进行导电，并将电流通过治具100引入到晶元料材200，进行电镀操作；另一方面，与电镀设备配合，以通过该导电部将整个治具100支撑于电镀液，不再赘述。

请参照图2，导电部设有至少两个、并呈“一”字型排布于治具100的一侧。

图2中，导电部设有四个、并呈一字排开设置。当导电部与电镀设备配合完毕后，电镀设备启动，电流通过四个导电部进入治具100，相比只有一个导电部的情况，进入治具100时治具100上的电流进入更加均匀，使得到达电镀凹槽110的电流也相对更进一步均匀，提升了后续电镀操作得到的铜厚均匀性。

当然，导电部也可以设有多个、并呈间距排布于电镀凹槽110的外周。该种情况下，电流由四周进入治具100，并在治具100上的电镀凹槽110的四周再进一步进入电镀凹槽110，使电镀凹槽110各部位的电流相比更加均匀，以使晶元料材200的电镀铜加工中电流在晶元料材200的各部位流入均匀，提升电镀后铜厚的均匀性。

进一步地，在将待加工的晶元料材200固定于电镀凹槽110的步骤之前，还包括以下步骤：

在治具100上加工出导电部。

具体地，导电部为夹持孔120。夹持孔120所在位置不仅起到将电镀设备的电流导入治具100的作用，还起到与电镀设备配合、以固定及支撑治具100的作用，不再赘述。

本实施例中的各步骤在具体实施时，可以根据实际的需要进行先后的调换或同步操作，只要能够实现对晶元的电镀操作即可，不再赘述。

本实施例还提供一种晶元，晶元采用如上述任一个实施例所述的用于晶元的电镀加工方法进行电镀加工。

该晶元，采用前述的用于晶元的电镀加工方法进行电镀加工，晶元成品的加工品质更好。

另外，本实施例还提供一种线路板，包括前述的晶元。该线路板采用前述的晶元，由于晶元的加工品质更好，从而提升了线路板的整体品质。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。