具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

本发明的一个方面，如图1所示，提供一种半导体器件的封装方法S100，方法S100包括：

S110、提供熔扩装片后的半导体器件，所述半导体器件包括载片台、设置在所述载片台上的芯片以及夹设在所述芯片的背面和所述载片台之间的合金粘结层。

示例性的，一并结合图2和图3，提供熔扩装片后的半导体器件200，半导体器件200包括载片台210、设置在载片台210上的芯片220以及夹设在芯片220的背面和载片台210之间的合金粘结层230。半导体器件200还可以包括引脚240，以使半导体器件200能够通过引脚240与外围电路电连接。

S120、将所述半导体器件在高温真空回流条件下，通过辅助压力夹具对所述芯片的正面持续施加预设的辅助压力，直至回流结束，在温度下降至预设温度后解除所述辅助压力，以排出所述合金粘结层中的空洞。

示例性的，一并结合图2至图4，将半导体器件200在高温真空回流条件下，通过辅助压力夹具100对芯片220的正面持续施加预设的辅助压力，直至回流结束，在温度下降至预设温度后解除辅助压力，以排出合金粘结层230中的空洞231。

本实施例的半导体器件的封装方法，在高温真空回流条件下，通过使用辅助压力夹具，能够在真空、高温、机械压力的综合作用下，有效排出合金粘结层中的空洞，从而降低空洞发生的风险，加强芯片与载片台的结合，提高半导体器件的导电性能和导热性能，提升熔扩产品的封装良率。

示例性的，一并结合图2至图8，辅助压力夹具100包括底座110以及设置在底座110上的上盖120，上盖120朝向底座110的一侧设置有下压接触块130，对芯片220的正面持续施加预设的辅助压力，包括：将半导体器件200置于底座110上。将设置有下压接触块130的上盖120压在底座110上，使得下压接触块130与芯片220的正面抵接，以在上盖120的重量作用下对芯片220的正面持续施加辅助压力。

本实施例的半导体器件的封装方法，通过使用包括底座和设置有下压接触块的上盖，并在上盖的重量作用下对芯片的正面持续施加辅助压力，可以在真空、高温、机械压力的综合作用下，更有效地排出合金粘结层中的空洞，进一步降低空洞发生的风险，加强芯片与载片台的结合，提高半导体器件的导电性能和导热性能，提升熔扩产品的封装良率。

示例性的，一并结合图4和图7，辅助压力夹具100还包括限位固定座140，限位固定座140设置在底座110和上盖120之间，限位固定座140设置有限位通孔(图中并未标出)，限位通孔与芯片220相对应。将设置有下压接触块130的上盖120压在底座110上，使得下压接触块130与芯片220的正面抵接，包括：将下压接触块130穿过限位通孔至与芯片220的正面抵接。

本实施例的半导体器件的封装方法，通过辅助压力夹具中的限位固定座，能够在使用辅助压力夹具的过程中对下压接触块进行固定和限位，防止下压接触块发生位移，进一步提高排出合金粘结层空洞的效率，降低空洞发生的风险，加强芯片与载片台的结合，提高半导体器件的导电性能和导热性能，提升熔扩产品的封装良率。

示例性的，一并结合图2和图4，通过辅助压力夹具100对芯片220的正面持续施加预设的辅助压力，还包括：根据不同的半导体器件200，设计不同重量的上盖120，以对不同的半导体器件200的芯片220的正面施加不同的辅助压力。

本实施例的半导体器件的封装方法，针对不同的半导体器件分别设计不同重量的上盖，可以通过对不同的半导体器件的芯片的正面施加不同的辅助压力，进一步提高排出合金粘结层空洞的效率，降低空洞发生的风险，加强芯片与载片台的结合，提高半导体器件的导电性能和导热性能，提升熔扩产品的封装良率。

示例性的，所述预设温度的范围为75℃～85℃。例如，预设温度可以是75℃、76℃、77℃、78℃或者79℃，也可以是80℃，还可以是81℃、82℃、83℃、84℃或者85℃等等，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，本实施例对此并不限制。

本实施例的半导体器件的封装方法，在高温真空回流结束后，温度下降至75℃～85℃时解除辅助压力，能够进一步提高排出合金粘结层空洞的效率，降低空洞发生的风险，加强芯片与载片台的结合，提高半导体器件的导电性能和导热性能，提升熔扩产品的封装良率。

下面结合图2至图7详细说明上述过程。

将熔扩装片后的半导体器件200置于底座110上。再将设置有下压接触块130的上盖120压在底座110上，下压接触块130在上盖120的重量作用下对芯片220的正面持续施加预设的辅助机械压力。将辅助压力夹具100及半导体器件200放入真空回流设备的上料架上，使辅助压力夹具100及半导体器件200被自动送入真空回流炉中，在高温真空回流条件下，芯片220与载片台210之间的合金粘结层230在高温的作用下逐渐熔化，在机械压力和真空的共同作用下，合金粘结层230中的空洞231逐渐被有效排出，回流结束后，辅助压力夹具100及半导体器件200被缓慢送出至真空回流设备的下料架，在温度下降至80℃左右后，解除辅助机械压力，从辅助压力夹具100中取出半导体器件200，从而完成合金粘结层中空洞的排出工作。

本发明的另一个方面，如图4所示，提供一种半导体器件封装用辅助压力夹具100。一并结合图2和图3，半导体器件为熔扩装片后的半导体器件200，该半导体器件200包括载片台210、设置在载片台210上的芯片220以及夹设在芯片220的背面和载片台210之间的合金粘结层230。辅助压力夹具100可以采用前文记载的制备方法制作形成，具体可以参考前文相关记载，在此不作赘述。辅助压力夹具100包括底座110和上盖120。

示例性的，一并结合图2和图4，底座110用于承载半导体器件200。上盖120设置在底座110上，上盖120可以由金属材料制成，以提高其导热性能。上盖120朝向底座110的一侧设置有下压接触块130，下压接触块130能够与芯片220的正面抵接。

本实施例的半导体器件封装用辅助压力夹具，通过承载半导体器件的底座以及设置在底座上侧并设置有下压接触块的上盖，能够为半导体器件提供辅助的机械压力，从而在高温真空回流条件下，通过使用本实施例的辅助压力夹具，能够利用真空、高温、机械压力的综合作用，有效排出合金粘结层中的空洞，降低空洞发生的风险，加强芯片与载片台的结合，提高半导体器件的导电性能和导热性能，提升熔扩产品的封装良率。

需要说明的是，一并结合图4至图6，当半导体器件200中的引脚240高于载片台210时，底座110可以在承载引脚240的对应位置处设置预设高度的凸块，以使引脚240以及载片台210均能贴合底座110。

示例性的，如图4所示，辅助压力夹具100还包括限位固定座140。限位固定座140可以由金属材料制成，以提高其导热性能。限位固定座140设置在底座110和上盖120之间，限位固定座140设置有供下压接触块130穿过的限位通孔(图中并未标出)，限位通孔与芯片220相对应。

本实施例的半导体器件封装用辅助压力夹具，通过在底座和上盖之间设置限位固定座，能够利用该限位固定座在使用辅助压力夹具的过程中对下压接触块进行固定和限位，防止下压接触块发生位移，从而进一步提高排出合金粘结层空洞的效率，降低空洞发生的风险，加强芯片与载片台的结合，提高半导体器件的导电性能和导热性能，提升熔扩产品的封装良率。

示例性的，一并结合图4，下压接触块140可以为弹性下压接触块。通过将下压接触块设置为弹性下压接触块，可以在下压接触块与芯片的正面抵接时，对芯片提供一定的保护，从而防止对芯片造成不必要的损害。

本发明的另一个方面，提供一种半导体器件封装系统。一并结合图4，封装系统包括前文所记载的辅助压力夹具100，辅助压力夹具100的具体结构可以参考前文相关记载，在此不作赘述。如图8所示，封装系统还包括加热块310，底座110设置在加热块310上。

本实施例的半导体器件封装系统，可以在高温真空回流条件下，通过真空、高温、机械压力的综合作用，有效排出合金粘结层中的空洞，降低空洞发生的风险，加强芯片与载片台的结合，提高半导体器件的导电性能和导热性能，提升熔扩产品的封装良率。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。