具体实施方式

针对本发明，进行以下详细说明。

＜金属化膜＞

本发明的金属化膜1在膜101的一个或者两个面上具有金属膜301(图6、图7)。

＜电磁波屏蔽膜＞

电磁波屏蔽膜2在金属化膜1的一个金属膜301表面上具有粘接剂层601(图8、图9)。

＜金属膜＞

本发明中的金属膜为将1层或2层以上的以金属作为主成分的层(以下，称为金属层)层叠而成的金属层的集合体。所谓主成分，是指将层整体设为100原子％时，超过50原子％的物质。

本发明中的金属膜301的表面电阻优选为0.04Ω/□以下，更优选为0.02Ω/□以下。传送高频信号的情况下，对于屏蔽罩而言，需要为将信号线产生的噪声加以遮蔽，并且要求接地稳定性。如果屏蔽罩的电阻高，则除了噪声的遮蔽率下降，还产生由电阻引起的电压下降，在屏蔽罩中产生电位，成为信号线的传送衰减原因之一。金属膜的表面电阻越低越好，在1GHz以上的高频信号时，表面电阻值优选为0.04Ω/□以下，更优选为0.02Ω/□以下。电阻值越低越好，但作为下限，为10^-5Ω/□左右。

本发明中的金属层的主成分优选为选自由铜、银、及铝组成的组中的任一种金属。这里所谓的主成分，是指将层整体设为100原子％时，超过35原子％的物质。这是由于从这些金属层的屏蔽特性及信号衰减特性考虑，电阻越低越好。在性能方面也可以采用金，但在成本方面昂贵，不适合作为电磁波屏蔽膜来使用。如果考虑到成本和电阻，金属层的主成分优选为铜。从将表面电阻值设为0.04Ω/□以下的观点考虑，金属膜的膜厚优选为0.5μm以上。需要说明的是，只要表面电阻在规定的范围内，则也可以在一部分中包含氧化物、氮化物等。另外，为了防锈，也可以用溅射等蒸镀法在表层上形成1nm以上的镍或者钛的金属层。需要说明的是，本发明中，金属层优选包含主成分为选自由铜、银、及铝组成的组中的任一种金属的层，金属膜包含多个金属层的情况下，所有的各个金属层的主成分并非均必须为选自由铜、银、及铝组成的组中的任一种金属。

对于金属化膜1的根据JISK7129:2008的水蒸气透过率而言，在温度40℃、湿度90％RH的条件下优选为3.5g/(m²·天)以上，进一步优选为5.0g/(m²·天)以上。水蒸气透过率小于3.5g/(m²·天)的情况下，如果在回流焊工序中进行急剧的加热，包含水蒸气的挥发成分由金属膜遮蔽，因挥发成分急剧地气化而破坏层间密合的可能性变高。金属化膜1的水蒸气透过率如果为3.5g/(m²·天)以上，在回流焊时破坏层间密合的可能性变低，如果为5.0g/(m²·天)以上，则被破坏的可能性进一步变低。需要说明的是，作为水蒸气透过率的上限，为1,000g/(m²·天)左右。

作为制备将水蒸气透过率设为3.5g/(m²·天)以上的金属化膜1的方法，优选例示出真空蒸镀法。已知由溅射法形成的金属层及由真空蒸镀法形成的金属层的晶体结构依赖于成膜温度。一般而言，在将金属的熔点设为Tm、将成膜温度设为Td时，在Td＜0.7Tm时，所形成的金属层成为柱状晶体。由于铜的熔点为1083℃，因此如果成膜温度充分低于0.7Tm即758℃，则铜层成为柱状晶体结构。由于认为铜层的成膜温度与膜上的温度是大致相同的，因此可以确认，通过使铜层为柱状晶体，可以将膜上的温度维持得足够低，可以减少热损伤。针对晶体结构，可使用EBSD(Electron Backscattered Diffraction，电子背散射衍射)法来观测金属层的剖面积。需要说明的是，在金属层的成膜时膜不会因热而发生大的收缩、变形的情况下，金属层被充分冷却，晶体结构成为柱状晶体结构。在通常的真空蒸镀的情况下，如图1所示，蒸镀金属相对于作为基材的膜101沿垂直方向201入射，在膜101上形成金属膜301。已知此时金属层的晶体生长相对于膜101沿垂直方向401方向呈柱状生长，金属膜301成为柱状晶体。随着蒸镀的进行而膜厚变厚时，柱状晶体沿横向生长得较粗，邻接的柱状晶体致密地相接而生长，因此水蒸气等气体透过间隙消失，阻气性变高。

与此相对，有从斜方向对作为基材的膜进行蒸镀的如图2那样的称为倾斜蒸镀的方法。该方法的特征在于，如果将蒸镀金属相对于膜101以蒸镀方向为斜方向201入射，则金属在与蒸镀方向不同的方向401上生长为柱状晶体，柱状晶体不易沿横向生长，在柱状晶体间产生间隙。如果在金属层的柱状晶体之间存在间隙，则可以制备低密度时气体透过性良好的膜。另外，根据本方法，即使增大金属膜厚，柱状晶体也不会沿横向扩展，因此在金属膜中存在间隙，即使增大金属膜厚，也可维持气体透过性。但是，通常的倾斜蒸镀中，由于倾斜至60～80°来进行蒸镀，因此材料的利用效率下降，真空蒸镀的成膜速度显著下降。另外，由于晶体方位一致而存在间隙，因此还具有机械上易于变脆的特征。

本发明着眼于下述情况：作为在维持由该倾斜蒸镀而成膜的金属膜的气体透过性的同时不使成膜速度下降的方法，通过在作为基材的膜的表面形成凹凸，而在膜表面上部分倾斜蒸镀在任意方向上发生，能够在晶体间确保间隙。如图3所示，相对于作为在表面具有凹凸的基材的膜102，蒸镀金属沿垂直方向201入射，在膜102上形成金属膜301。此时，蒸镀方向因膜201的凹凸而相对于膜表面变斜，因此变为倾斜蒸镀，金属开始向与蒸镀入射方向不同的方向柱状生长。其中，由于蒸镀入射方向在膜位置上变为无规，因此柱状生长的方向朝向无规的方向，由于生长方向会与邻接的晶体接触，从而阻碍柱状生长、反复进行间断且短的柱状生长。作为倾斜蒸镀的特征的沿横向的生长小，因此在柱状晶体间产生间隙，能够制备气体透过性优异的金属膜。另外，与如图2所示的通常的倾斜蒸镀相比，晶体生长方位不一致，因此膜强度不会变脆。

膜的具有金属膜的一侧的表面的算术平均粗糙度Ra优选为0.4μm以上，十点平均粗糙度Rz优选为2.5μm以上。Ra、Rz是根据JISB0601:1994的参数。表面粗糙度Ra为0.4μm以上，Rz为2.5μm以上时，发现与倾斜蒸镀有相同的效果，可以生成气体透过率良好的金属膜。平均粗糙度测定的详细条件在实施例中进行后述，在株式会社小坂研究所制的高精度微细形状测定机Surfcorder ET4000A中，使用前端R2μm的触针，测定500μm×500μm的面积。

膜的具有金属膜的一侧的表面中的粗糙度曲线的均方根斜率RΔq优选为0.18以上。另外，具有金属膜的一侧的面中的粗糙度曲线的算术平均倾斜角RΔa优选为7.0°以上，更优选为8.0°以上。均方根斜率RΔq是根据JISB0601:2001的参数，表示基准长度中的局部斜率dZ/dX的均方根。这里所说的局部斜率是对表示截面粗糙度的粗糙度曲线Z(x)进行微分而得的值，微分基本上使用7点公式。另一方面，算术平均倾斜角RΔa是相对于粗糙度曲线的基准长度X求出的表面的凹凸所形成的线段的倾斜度的绝对值，将其平均而得的值。为了通过膜的表面凹凸得到与倾斜蒸镀同样的效果，优选凹凸的倾斜大，晶体的生长方向易于变斜。如果均方根斜率RΔq小于0.18，或算术平均倾斜角RΔa小于7.0°，则由凹凸引起的晶体生长方向的变化小，因此晶体易于沿相同方向生长，晶体大幅生长而变得致密，有时气体透过性下降。测定条件的详细情况在实施例中进行后述，利用Keyence Corporation的形状测定激光显微镜VK-9710(激光光源波长为408nm)，使用50倍的物镜进行测定，使用在正交的2个方向上对长度200μm的线粗糙度进行测定而得的平均值。

需要说明的是，针对膜表面的倾斜，优选用上述的激光显微镜测定而得到的均方根倾斜角也大。具有金属膜的一侧的面上的粗糙度曲线的均方根倾斜角优选为10.0°以上，更优选为12.0°以上。需要说明的是，所谓均方根倾斜角为相对于粗糙度曲线的基准长度X，求出表面的凹凸所形成的线段的倾斜度的均方，表示其值的平方根的数据。

图4为在膜表面的粗糙度Ra为0.066μm，Rz为0.958μm，平均斜率RΔq为0.02，RΔa为0.69°的PET膜上，以铜蒸镀形成2.0μm的厚度的金属膜(有2层1μm厚的金属层)时的剖面的图像质量图(Image Quality(IQ)Map)。图像质量图为将作为EBSD(ElectronBackscattered Diffraction)图案的鲜明度的指标的图像质量(IQ，Image Quality)值以灰度表示的图，暗的部位意味着由晶体粒界、表层变形的存在、或者表面污染引起的图案不鲜明。通过该图像质量图可以辨别晶体的尺寸。图4中，表面没有凹凸，是平坦的，因此可以辨别铜膜的晶体以柱状大幅生长。图5是在膜表面的粗糙度Ra为0.447μm，Rz为5.376μm，平均斜率RΔq为0.29，RΔa为8.07°的PET膜上通过铜蒸镀形成2.0μm的金属膜(有2层1μm厚的金属层)时的剖面的图像质量图(Image Quality(IQ)Map)。图5中，确认到PET膜表面的凹凸大，由此阻碍柱状生长的部分多。柱状晶体受阻碍的部分在晶体间存在间隙，推测气体透过性良好。

通过基于表面粗化的局部倾斜蒸镀来抑制柱状晶体的横向的生长和高度方向的生长，由此在晶体间产生空隙，可以生成气体透过性良好的金属膜，因此晶体粒径的尺寸是重要的。金属膜301的平均晶体粒径优选为50nm以上且200nm以下，更优选为50nm以上且180nm以下。平均晶体粒径小于50nm的情况下，晶体间的空隙变得过大，金属膜的表面电阻有时超出适当范围而上升。另一方面，如果平均晶体粒径超过200nm，则晶体间的空隙变小，气体透过性下降，有时无法确保金属化膜1的水蒸气透过率为3.5g/(m²·天)以上。需要说明的是，平均晶体粒径可以针对层叠体的金属膜剖面使用透过EBSD(ElectronBackscattered Diffraction)法来研究。

本发明的金属化膜1的金属膜301更优选电阻低，因此优选膜厚较大，但在通过真空蒸镀形成金属膜的情况下，如果增大膜厚，则蒸镀时施加于作为基材的膜的热量也变大，基材有可能产生热变形。因此，金属膜的膜厚优选为3.0μm以下。

金属膜301上的针孔等开口部会使膜的机械强度下降、使膜的电阻(表面电阻)提高，因此不优选。优选5μm以上尺寸的开口部小于10个/cm²，进一步优选小于1个/cm²。其中，在由真空蒸镀来制备表面电阻为0.04Ω/□以下的金属膜的情况下，在通常的真空蒸镀中以铜膜换算为0.5μm以上时，是足够厚的金属膜，针孔等开口部产生不多。只要不极端地污染膜表面，或没有特意在金属膜上形成开口部，则开口部几乎不会为10个/cm²以上。

需要说明的是，这里所说的开口部的个数是指在暗室中以民用的照相用背光作为光源，通过目视测定5μm以上的针孔的数量。测定以10cm²以上的面积进行，换算为每1cm²的数量。

优选金属膜表面的算术平均粗糙度Ra为0.5μm以上，十点平均粗糙度Rz为3.5μm以上。参数的定义、测定方法与上述的膜相同。Ra为0.5μm以上、Rz为3.5μm以上的情况下，由于表面的凹凸而表现出与倾斜蒸镀相同的效果，成为气体透过率良好的金属膜。如果Ra小于0.5μm，或Rz小于3.5μm，则在形成金属膜的工序中，膜的凹凸的效果不充分，有时晶体大幅生长而气体透过性降低。

金属膜的表面上的粗糙度曲线的均方根斜率RΔq为0.10以上，算术平均倾斜角RΔa优选为3.0°以上，更优选为7.0°以上。参数的定义、测定方法与上述的膜相同。RΔq为0.10以上，或RΔa为3.0°以上时，认为由于凹凸倾斜而使得金属膜的晶体尺寸变小、水蒸气透过性变高。另一方面，RΔq小于0.10，或RΔa小于3.0°的情况下，膜的凹凸倾斜的效果小，不会成为倾斜蒸镀那样的晶体生长，有时晶体尺寸变大而气体透过性下降。

需要说明的是，关于金属膜表面的倾斜，与上述膜同样，也是优选均方根倾斜角较大。金属膜的表面上的粗糙度曲线的均方根倾斜角优选为6.0°以上，更优选为10.0°以上。

＜膜＞

所谓本发明中使用的膜101，是将合成树脂等高分子成型为薄的膜状而成的物质。膜101可以使用例如聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜等聚酯膜、聚酰亚胺膜、聚苯硫醚膜、聚丙烯膜、聚醚醚酮膜。其中更优选使用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。这些膜可以单独使用，也可以使用复合赋予而成的膜。另外，也可以使用在膜表面涂布有树脂、粘合剂等而成的物质。

对于膜101的厚度而言，如果考虑气体透过性，则薄的较好，因此优选为10μm以下，更优选为6μm以下。但是，如果膜101过薄，则膜自身的强度变弱，在蒸镀、对印刷基板的贴合工序中会产生褶皱等而变得难以操作。因此，如图7所示，也可以在具有脱模层的载体膜501上形成膜101，在其上形成金属膜301而制备金属化膜1。作为载体膜501没有特别限定，更优选使用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。当载体膜的厚度为25μm以上且100μm以下时，操作容易，因此优选。

另外，作为膜101，也可使用在具有脱模层的载体膜上涂布树脂而形成的膜。作为树脂，可以使用热塑性树脂组合物、热固性树脂组合物、或活性能量线固化性组合物等。热塑性树脂组合物没有特别限定，可举出苯乙烯系树脂组合物、乙酸乙烯酯系树脂组合物、聚酯系树脂组合物、聚乙烯系树脂组合物、聚丙烯系树脂组合物、酰亚胺系树脂组合物、或丙烯酸系树脂组合物等。热固性树脂组合物没有特别限定，可以使用酚系树脂组合物、环氧系树脂组合物、在末端具有异氰酸酯基的氨基甲酸酯系树脂组合物、在末端具有异氰酸酯基的脲系树脂、在末端具有异氰酸酯基的氨基甲酸酯脲系树脂、三聚氰胺系树脂组合物、或醇酸系树脂组合物等。另外，作为活性能量线固化性组合物没有特别限定，例如可以使用分子中具有至少2个(甲基)丙烯酰氧基的聚合性化合物等。这些树脂可以单独使用，也可以并用2种以上。

另外，在这些当中，从提高耐回流焊性、防止电磁波屏蔽膜2与印刷布线板3的电连接下降的观点考虑，优选为将在末端具有异氰酸酯基的氨基甲酸酯脲系树脂或在末端具有异氰酸酯基的氨基甲酸酯脲系树脂与环氧系树脂并用而成的树脂。在末端具有异氰酸酯基的氨基甲酸酯系树脂或在末端具有异氰酸酯基的氨基甲酸酯脲系树脂优选具有1～30mgKOH/g的酸值，更优选具有3～20mgKOH/g的酸值。另外，也可以将酸值在1～30mgKOH/g的范围内、并且酸值不同的2种以上的氨基甲酸酯系树脂或氨基甲酸酯脲系树脂并用。酸值为1mgKOH/g以上时，电磁波屏蔽膜的耐回流焊性变得良好，酸值为30mgKOH/g以下时，电磁波屏蔽膜的耐弯曲性变得良好。需要说明的是，酸值根据JISK0070:1992进行测定。另外，在载体膜上涂布树脂而形成的膜101可以利用单独的材料形成，也可以由2种以上的材料形成。

在载体膜上涂布树脂而形成的膜101中，根据需要，可以包含固化促进剂、增粘剂、抗氧化剂、颜料、染料、增塑剂、紫外线吸收剂、消泡剂、流平剂、填充剂、阻燃剂、粘度调节剂、及防粘连剂等中的至少1种。

在载体膜上涂布树脂而形成的膜101也可以为材质或硬度或者弹性模量等物性不同的2层以上的层叠体。例如，如果是硬度低的外层与硬度高的内层的层叠体，由于外层具有缓冲效果，因此可以在将电磁波屏蔽膜2加热加压于印刷布线板3的工序中，缓和施加到金属膜301上的压力。因此，能够抑制由于设置在印刷布线板上的阶差而破坏金属膜301。

在载体膜上涂布树脂而形成的膜101的厚度没有特别限定，可根据需要进行适当设定，优选为1μm以上且20μm以下，更优选为1μm以上且10μm以下，进一步优选为4μm以上且6μm以下。如果在载体膜上涂布树脂而形成的膜101的厚度为1μm以上，则可充分保护粘接剂层601及金属膜301。另外，如果在载体膜上涂布树脂而形成的膜101的厚度为20μm以下，则可确保电磁波屏蔽膜2的弯曲性，变得易于在要求弯曲性的部件上应用1张电磁波屏蔽膜2。

由此，优选在膜的与金属膜相接触的一侧的面上包含选自由聚酯、聚酰亚胺、聚苯硫醚、聚丙烯、聚醚醚酮及环氧树脂组成的组中的至少1种树脂。针对膜101，如果考虑回流焊通过性，则需要耐热性优异，因此在这些当中，进一步优选使用聚酰亚胺、聚苯硫醚、聚醚醚酮、环氧树脂。

作为在膜表面上制备凹凸的方法没有特别限定，可采用：在膜上通过喷丸加工而形成凹凸的方法；将包含填料等大粒子的树脂薄薄地涂布，用粒子形成凹凸的方法；还有在膜成型时预先将粒子掺入的方法等。

喷丸加工是将研磨材料等微细的粒子吹喷到膜上而赋予微细凹凸的方法。研磨材料可以使用由硅砂、氧化铝、氧化锆、二氧化硅等形成的陶瓷珠及玻璃珠、干冰粒等已知的材料。吹喷研磨材料的方法没有特别限定，可以是通过离心力吹喷研磨材料的喷丸(离心式喷丸)、使用压缩空气的空气喷丸、形成浆料并进行高压喷雾的湿喷丸等。

在涂布包含粒子的树脂而形成凹凸的情况下，树脂的种类没有特别限定，但为了确保膜与树脂层的密合，优选以有机成分作为主体的树脂。作为树脂的种类，例如可举出聚酯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚酰胺树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂等。这些树脂可以单独使用，或者也可以使用2种以上的共聚物或者混合物。其中，从密合性、粒子分散性的观点考虑，优选聚酯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂或者甲基丙烯酸树脂。

用于形成凹凸的粒子的形状例如可举出星状、扁平状、菱形状、矩形状、针状、金平糖状、不定形状那样的非球形状、或球状(是指粒子的剖面形状被曲面包围的形状)等。另外，粒子可以是多孔质、无孔质、中空质，进而也可以将具有不同粒子形状的粒子混合。

粒子的材质可以是有机系化合物、无机系化合物中的任意，并没有特别限定，也可以混合不同材质的粒子而使用。作为粒子的材质，在有机系化合物的情况下，优选以高熔点的交联高分子成分作为主体的树脂，例如可举出聚酯树脂、苯并胍胺那样的聚酰胺系树脂粒子、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚酰胺树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、氟系树脂、有机硅树脂等。这些树脂可以单独，或者也可以使用制成2种以上的共聚物或者混合物的树脂。在无机系化合物的情况下，例如可举出碳酸钙、碳酸镁、碳酸锌、氧化钛、氧化锌、氧化铈、氧化镁、硫酸钡、硫化锌、磷酸钙、二氧化硅、氧化铝、云母、云母钛、滑石、粘土、高岭土、氟化锂、氟化钙，等等。

为了形成凹凸而涂布的树脂层的厚度没有特别制限，优选为0.05μm以上且5μm以下。厚度比0.05μm薄时，有时树脂层变得不均匀，或粒子脱落，厚度比5μm厚时，有时树脂层破裂，或损害膜自身的耐热性等特性。

＜锚固层＞

本发明的金属化膜1的膜101与金属膜301之间也可以具有锚固层。通过设置锚固层，可期待膜与金属膜的密合力提高。作为锚固层，优选在膜101上通过溅射法形成金属的锚固层。溅射法可使锚固层厚度变薄，在更为要求薄膜化的电磁波屏蔽膜用途中是最合适的。

作为锚固层，优选为包含选自由镍、钛、铜、及铬组成的组中的至少1种以上的金属层。在金属膜301为铜的情况下，锚固层也使用为相同的金属的铜时对金属膜301的影响较小，因此优选，但在膜101为聚酰亚胺等会使铜扩散的材料的情况下，无法确保密合力。在这样的情况下，通过从不易与膜101和金属膜301这两者反应的镍、钛、铬等中进行选择，能够使锚固层也具有作为缓冲层的作用。

锚固层的厚度优选为5nm以上且30nm以下，进一步更优选为10nm以上且20nm以下。如果厚度小于5nm，有时不能得到充分的密合力。另一方面，如果厚度超过30nm，通过溅射法形成的锚固层的平均晶体粒径变大，根据金属的种类，在其上通过真空蒸镀形成的金属膜301受到锚固层晶体粒径尺寸的影响，金属膜301的平均晶体粒径也变大，有时控制变得困难。在使锚固层也发挥作为不使膜101与金属膜301直接接触的缓冲层的作用的情况下，锚固层优选为10nm以上，为了减少金属膜301的晶体控制的影响，锚固层优选为20nm以下。

＜粘接剂层＞

本发明的电磁波屏蔽膜在本发明的金属化膜的一侧的金属膜的表面具有粘接剂层，对粘接剂层进行说明。粘接剂层601只要可以将电磁波屏蔽膜2固定到印刷布线板3，就没有特别限定，优选设为具有粘接性树脂组合物与导电性填料的导电性粘接剂层。

作为粘接性树脂组合物，没有特别限定，可以使用：苯乙烯系树脂组合物、乙酸乙烯酯系树脂组合物、聚酯系树脂组合物、聚乙烯系树脂组合物、聚丙烯系树脂组合物、酰亚胺系树脂组合物、酰胺系树脂组合物、或者丙烯酸系树脂组合物等热塑性树脂组合物，或酚系树脂组合物、环氧系树脂组合物、氨基甲酸酯系树脂组合物、三聚氰胺系树脂组合物、或者醇酸系树脂组合物等热固性树脂组合物等。它们可以单独使用，也可以并用2种以上。

粘接剂层601中，根据需要，也可以包含固化促进剂、增粘剂、抗氧化剂、颜料、染料、增塑剂、紫外线吸收剂、消泡剂、流平剂、填充剂、阻燃剂、及粘度调节剂等。

粘接剂层601的厚度没有特别限定，可以根据需要适当设定，优选为3μm以上且10μm以下，更优选为4μm以上且7μm以下。

作为导电性填料，没有特别限定，例如可以使用金属填料、金属被覆树脂填料、碳填料及它们的混合物。作为上述金属填料，有铜粉、银粉、镍粉、银被覆铜粉、金被覆铜粉、银被覆镍粉、金被覆镍粉，这些金属粉可以通过电解法、雾化法、还原法来制备。

另外，特别是为了易于使填料彼此接触，优选将导电性填料的平均粒径设为3μm以上且50μm以下。另外，作为导电性填料的形状，可举出球状、薄片状、数枝状、纤维状等。在这些当中，从连接电阻、成本的观点考虑，优选为选自由银粉、银被覆铜粉、铜粉组成的组中的至少1种。

通过使粘接剂层601含有导电性填料，能够使之成为各向异性导电性粘接剂层或各向同性导电性粘接剂层。

对于导电性填料的配合量而言，在为各向同性导电性粘接剂层的情况下，相对于粘接剂层601的整体量，可在超过39重量％且在400重量％以下的范围内进行添加。另外，在为各向异性导电性粘接剂层的情况下，相对于粘接剂层601的整体量，可在3重量％以上且39重量％以下的范围内进行添加。

(金属化膜的制造方法)

接下来，说明本发明的金属化膜1的制造方法的一个例子。本发明的金属化膜1的制造方法没有特别限定，例如可以例示出具有准备膜101的工序、根据需要在膜101上形成锚固层的工序和形成金属膜301的工序的制造方法。

＜准备膜的工序＞

在使用将合成树脂等高分子成型为薄的膜状的膜101的情况下，使形成金属膜301的一侧的表面粗化。粗化的方法没有特别限定，可以例示出对膜表面实施喷砂等而赋予凹凸的方法，和将包含填料等粒子的涂布材料被覆于表面而赋予凹凸的方法。

喷丸加工是将研磨材料等微细的粒子吹喷到膜而赋予微细凹凸的方法。研磨材料可以使用由硅砂、氧化铝、氧化锆、二氧化硅等形成的陶瓷珠及玻璃珠、干冰粒等已知的材料。吹喷研磨材料的方法没有特别限定，可以是通过离心力吹喷研磨材料的喷丸(离心式喷丸)、使用压缩空气的空气喷丸、形成浆料并进行高压喷雾的湿喷丸等。

在涂布包含粒子的树脂而形成凹凸的情况下，涂布方法没有特别限定，可使用凹版涂布、辊涂、模涂、旋转涂布、逆式涂布、棒式涂布、网式涂布、刮刀涂布、气刀式涂布及浸渍涂布等各种涂布方法。

使用在载体膜上涂布树脂而形成的膜101时，制备树脂用组合物。该树脂用组合物可在树脂组合物中适量添加溶剂及其他配合剂来制备。溶剂例如可为甲苯、丙酮、甲乙酮、甲醇、乙醇、丙醇及二甲基甲酰胺等。作为其他配合剂，可添加交联剂、聚合用催化剂、固化促进剂及着色剂等。另外，为了形成表面凹凸，也可添加二氧化硅等粒子。其他配合剂根据需要添加即可。

接下来，在载体膜501的一面上涂布所制备的树脂用组合物。作为在载体膜501的一面上涂布树脂用组合物的方法，没有特别限定，可应用唇式涂布、逗点涂布、凹版涂布、狭缝式涂布等已知的技术。

载体膜501没有特别限定，例如可由聚烯烃系、聚酯系、聚酰亚胺系、聚苯硫醚系等材料形成。需要说明的是，也可以在载体膜501与涂布树脂而形成的膜101之间，设置脱模剂层。

而且，在载体膜501上涂布树脂后，进行加热干燥而除去溶剂，由此形成涂布树脂而形成的膜101。需要说明的是，载体膜501可从涂布树脂而形成的膜101剥离，载体膜501的剥离优选在将电磁波屏蔽膜2贴附于印刷布线板3后进行。这样，可通过支撑基材来保护电磁波屏蔽膜2。

在涂布树脂而形成的膜101的情况下，也使表面粗化。粗化的方法没有特别限定，可例示出对膜表面实施喷砂等而赋予凹凸的方法(与上述相同)、将包含填料等粒子的涂布材料被覆于表面而赋予凹凸的方法(与上述相同)。

＜锚固层形成工序＞

接下来，在膜101的表面形成锚固层的情况下，具体而言，在间歇式真空蒸镀装置(ULVAC制EBH-800)内设置膜，使用50mm×550mm尺寸的金属靶，在氩气气氛中将真空到达度调节到5×10^-1Pa以下，以成为规定的金属膜厚的时间连续施加DC电源，由此形成锚固层。需要说明的是，对于在溅射后实施的形成金属膜301的真空蒸镀，可以连续进行处理，在溅射与蒸镀之间在不与大气接触的情况下进行处理。

＜形成金属膜的工序＞

接下来，在膜101的表面或者锚固层的表面形成金属膜301。更具体而言，可以在间歇式真空蒸镀装置(ULVAC制EBH-800)内设置膜，在蒸镀舟上载置成为目标厚度的量的金属后进行抽真空，直到真空到达度变到9.0×10^-3Pa以下，之后对蒸发舟进行加热而实施真空蒸镀。需要说明的是，在形成锚固层的情况下，对于锚固层形成与金属膜形成而言，可以连续地进行处理而在溅射与蒸镀之间不与大气接触。

一般而言，在膜101的一面形成金属膜301，根据需要也可以在膜101的两面形成金属膜。其中，在两面形成金属膜301的情况下，需要使膜101的两面粗化。

(电磁波屏蔽膜的制造方法)

接下来，对本发明的电磁波屏蔽膜2的制造方法的一个例子进行说明。本发明的电磁波屏蔽膜在本发明的金属化膜的一个金属膜表面上具有粘接剂层，但这样的本发明的电磁波屏蔽膜2的制造方法没有特别限定。例如，可例示在本发明的金属化膜1的一个金属膜301的表面涂布粘接剂层用组合物后，将粘接剂组合用组合物固化而形成粘接剂层601的制造方法。

＜粘接剂层形成工序＞

在本发明的金属化膜1的金属膜301的表面涂布粘接剂层用组合物，在形成粘接剂层601的情况下，粘接剂层用组合物包含树脂组合物和溶剂。树脂组合物没有特别限定，可以为苯乙烯系树脂组合物、乙酸乙烯酯系树脂组合物、聚酯系树脂组合物、聚乙烯系树脂组合物、聚丙烯系树脂组合物、酰亚胺系树脂组合物、酰胺系树脂组合物、或者丙烯酸系树脂组合物等热塑性树脂组合物，或酚系树脂组合物、环氧系树脂组合物、氨基甲酸酯系树脂组合物、三聚氰胺系树脂组合物、或者醇酸系树脂组合物等热固性树脂组合物等。这些可以单独使用，也可以并用2种以上。

溶剂可以使用例如甲苯、丙酮、甲乙酮、甲醇、乙醇、丙醇及二甲基甲酰胺等。另外，根据需要，也可以在粘接剂层用组合物中包含固化促进剂、增粘剂、抗氧化剂、颜料、染料、增塑剂、紫外线吸收剂、消泡剂、流平剂、填充剂、阻燃剂、及粘度调节剂等中的至少1种。粘接剂层用组合物中的树脂组合物的比率根据粘接剂层601的厚度、涂布方法、液粘度等进行适当设定即可。

作为在金属化膜1的金属膜301的表面涂布粘接剂层用组合物的方法，没有特别限定，可使用唇式涂布、逗点涂布、凹版涂布、或狭缝式涂布等。

而且，在本发明的金属化膜1的金属膜301的表面上涂布粘接剂层用组合物后，进行加热干燥而除去溶剂，由此形成粘接剂层601。需要说明的是，根据需要，也可以在粘接剂层601的表面贴合脱模膜。

(屏蔽印刷布线板)

本实施方式的电磁波屏蔽膜2例如可以用于图10所示的屏蔽印刷布线板4。该屏蔽印刷布线板4具备印刷布线板3和电磁波屏蔽膜2。

印刷布线板3具有：基底层702、形成于基底层702上的印刷电路(接地电路)801、在基底层702上与印刷电路801邻接设置的绝缘性粘接剂层901、以及形成有用于露出印刷电路801的一部分的开口部并以覆盖绝缘性粘接剂层901的方式设置的绝缘性的覆盖膜701。需要说明的是，由绝缘性粘接剂层901和覆盖膜701构成印刷布线板3的绝缘层。

基底层702、绝缘性粘接剂层901及覆盖膜701没有特别限定，例如可以为树脂膜等，例如可以由聚丙烯、交联聚乙烯、聚酯、聚苯并咪唑、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、或聚苯硫醚等树脂形成。印刷电路801例如可以为在基底层702上形成的铜布线图案等。

需要说明的是，电磁波屏蔽膜2以粘接剂层601处于覆盖膜701一侧而粘接于印刷电路板3。

接下来，对屏蔽印刷布线板4的制造方法进行说明。在印刷布线板3上载置电磁波屏蔽膜2，用压制机加热并加压。由于加热而变软的粘接剂层601的一部分由于加压而流入在覆盖膜701上形成的开口部。由此，金属膜301与印刷布线板3的接地电路801经由导电性粘接剂而连接，金属膜301与接地电路801连接。

实施例

以下，基于实施例对本发明进行说明。需要说明的是，本发明并不限定于这些实施例，可基于本发明的主旨对这些实施例进行变形、改变，并非将它们从发明范围中排除。

(磁控溅射)

在间歇式真空蒸镀装置(ULVAC制EBH-800)内设置膜，使用50mm×550mm尺寸的镍靶，在氩气气氛中将真空到达度调节为5×10-¹Pa以下，连续施加DC电源一定时间，直到成为规定的金属膜厚。

需要说明的是，针对在溅射后实施的真空蒸镀连续地进行处理，在溅射和蒸镀之间不与大气接触。

(真空蒸镀)

在间歇式真空蒸镀装置(ULVAC制EBH-800)内设置膜，在蒸镀舟上载置成为目标厚度的量的铜后进行抽真空，直到真空到达度达到9.0×10-³Pa以下，之后对蒸发舟进行加热而实施真空蒸镀。

(表面粗糙度的测定)

对于表面粗糙度而言，使用株式会社小坂研究所制的微细形状测定机SurfcorderET4000A，将样品固定在附带的日式鱼糕状(日文：かまぼこ状)的玻璃板上，触针使用前端R2μm的触针。另外，数据的解析使用了三维表面粗糙度解析系统i-Face model TDA31。数据随机测定3处并进行采集，取它们的平均值作为Ra、Rz各自的值。

测定条件：X测定长度500μm、间距1μm

Y测定长度500μm、间距5μm

测定速度0.1mm/秒。

(表面倾斜的测定)

表面倾斜使用Keyence Corporation制的激光显微镜VK-9700进行测定，使用形状解析装置VK-H1A1进行分析。测定随机进行3处，将它们的平均值作为RΔq、RΔa的值。

测定条件：物镜50倍，变焦1倍

分析条件：自动去噪：噪声检测区域通常

倾斜度修正：面倾斜度修正(自动)

线粗糙度解析解析长度200μm

高度平滑化：算术平均±2。

对于线粗糙度的轮廓(profile)而言，在拍摄的图像中，在水平方向与垂直方向的各自的中央处采集200μm长的剖面数据，将2个值的平均值作为该图像中的RΔq、RΔa。

(表面电阻的测定)

利用4端子法测定表面电阻。将测定的样品切成100mm□，针对所切出的膜中央部的位置反复测定3次，将3次的平均值作为表面电阻的测定值。测定中使用简易型低电阻率计(Mitsubishi Chemical Analytech Co.,Ltd.制Loresta EP MCP-T360 ASP探针)，单位表示为Ω/□。

(平均晶体粒径测定方法)

金属膜的平均晶体粒径使用EBSD算出。首先，薄薄地切出层叠体的金属膜剖面，获取其衍射图案。在得到的衍射图案中，将指定的方位角差5°以内的测定点连续地存在2处以上的情况作为同一粒子来识别出晶体粒子，针对该各个晶粒，算出其等效圆直径(相同面积的圆的直径)。将如此得到的晶体粒径按照下式进行平均，将得到的值作为平均晶体粒径。式中，N表示粒子的总数，d_i表示各个粒子的粒径(等效圆直径)。

[数学式1]

需要说明的是，获取衍射图案的条件如下所述。

使用装置：

热场发射型扫描电子显微镜(TFE-SEM)JSM-6500F(日本电子社制)

OIM方位解析装置DigiViewIV慢扫描CCD照相机

OIM Data Collection ver.7.x

OIM Analysis ver.7.x

分析条件：加速电压15kV

照射电流15nA

样品倾斜-30deg(透过EBSD法)

表面测定倍率5,000倍

测定视野区域3×20μm

间隔20nm/步。

(开口部个数的测量)

开口部的个数为在暗室中以民用的照相用背光作为光源，通过目视测定为5μm以上的针孔的数量。测定针对10cm²以上的面积进行，换算成每1cm²的数量。

(铜层的厚度测定)

金属层的厚度通过荧光X射线膜厚计(SSI·Nanotechnology制，SFT9400)进行测定。

(锚固层的厚度)

用透过率计测定在透明PET膜上成膜的溅射金属层的透过率，从得到的值根据Lambert-Beer定律算出膜厚

[数学式2]

I＝I₀e^(-az)＝I₀e^(-4πk2/λ)

此处I₀为薄膜通过前的光量，I为薄膜通过后的光量，α为吸光系数，Z为膜厚，k为消光系数，λ为波长。将I/I₀作为透过率，就波长555nm时的消光系数而言，钛采用2.56，镍采用3.2588的值，作为锚固层的溅射金属层的膜厚。

(水蒸气透过率)

水蒸气透过率根据JISK7129:2008(红外线)方法进行测定。在温度40℃、湿度90％RH的条件下使用美国莫康(MOCON)公司制的水蒸气透过率测定装置(机器类型名，PERMATRAN(注册商标)W3/31)进行测定。对2片试验片各进行2次测定，将合计4个测定值的平均值作为水蒸气透过率的值。

(回流焊通过性)

在使用具有耐热性的膜的情况下，按以下要领评价所制备的屏蔽印刷布线板的耐回流焊性。作为回流焊的条件，设想无铅焊料，设定屏蔽印刷布线板中的屏蔽膜在265℃下暴露1秒钟的温度轮廓。

然后，将屏蔽印刷布线板在上述轮廓的温度条件下暴露3次后，目视确认层间密合是否被破坏而发生鼓起。未发生鼓起的情况设为○，发生鼓起的情况设为×。

(电场屏蔽性、磁场屏蔽性的评价)

用KEC法对金属化膜单体进行近电场、近磁场屏蔽性能的测定。测定机器使用微波·毫米波段评价系统(Agilent公司制E5071CENA，网络分析器(9kHz～4.5GHz))，测定1GHz时的电场屏蔽性(近电场屏蔽性能)和磁场屏蔽性(近磁场屏蔽性能)。

(实施例1)

＜金属化膜的制造＞

针对厚度为50μm的双轴取向聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东丽(株)制的“Lumirror(注册商标)”型：S10)的一面，使用平均粒径200μm的硅砂作为研磨材料，以对距离为1m远处的膜进行喷丸的方式进行喷丸处理后，进行水洗而得到经表面粗化的膜。表面粗化后的膜表面粗糙度为Ra 0.87μm、Rz 7.96μm，凹凸的倾斜为RΔq0.56、RΔa 15.5°。

接下来，在形成了表面凹凸的表面上用磁控溅射法将镍蒸镀至5nm的厚度。条件为使用DC电源，溅射功率设为3.0kw。之后，通过真空蒸镀法将铜真空蒸镀至2.0μm的厚度。如此制成的金属化膜的铜的金属膜的平均晶体粒径为74nm，表面电阻为0.0198Ω/□，针孔(开口部个数)为0.4个/cm²。金属膜的表面粗糙度为Ra 1.05μm、Rz 8.15μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.70、RΔa 16.3°。另外，金属化膜的水蒸气透过率为6.68g/(m²·天)，在1GHz条件下的电场屏蔽性为80dB，在1GHz条件下的磁场屏蔽性为60dB。

(实施例2)

＜金属化膜的制造＞

在厚度为50μm的双轴取向聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东丽(株)制的“Lumirror(注册商标)”型：S10)上涂布包含粒子的树脂而准备经表面粗化的膜。包含粒子的树脂使用在DIC株式会社制的丙烯酸树脂“Acrydic(注册商标)”WFL-908中分散有树脂重量比为15重量％的量的Nippon Shokubai Co.,Ltd.制二氧化硅球状微粒子“Seahostar”KE-P30(平均粒径为0.3μm)的树脂。用迈耶棒(Mayerbar)涂布丙烯酸树脂，于120℃干燥1分钟来形成厚度0.5μm的层，得到表面凹凸膜。得到的表面粗化膜的表面粗糙度为Ra0.51μm、Rz 3.36μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.21、RΔa 7.3°。

接下来，在用磁控溅射法在膜表面将镍蒸镀至5nm的厚度。条件为使用DC电源，溅射功率设为3.0kw。之后，通过真空蒸镀法将铜真空蒸镀至1.0μm的厚度。如此制成的金属化膜的铜的金属膜的平均晶体粒径为102nm，金属膜的表面电阻为0.0280Ω/□，针孔(开口部个数)为0.5个/cm²。金属膜的表面粗糙度为Ra 0.57μm、Rz4.92μm，凹凸的倾斜为RΔq0.13、RΔa 4.6°。另外，金属化膜的水蒸气透过率为3.54g/(m²·天)，1GHz条件下的电场屏蔽性为65dB，1GHz条件下的磁场屏蔽性为51dB。

(实施例3)

＜金属化膜的制造＞

除了通过真空蒸镀法将铜真空蒸镀至0.7μm的厚度以外，全部用与实施例2相同的条件得到金属化膜。如此制成的金属化膜的铜的金属膜的平均晶体粒径为106nm，表面电阻为0.0384Ω/□，针孔(开口部个数)为0.6个/cm²。金属膜的表面粗糙度为Ra 0.54μm、Rz4.28μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.18、RΔa 6.1°。另外，金属化膜的水蒸气透过率为3.76g/(m²·天)，1GHz条件下的电场屏蔽性为60dB，在1GHz条件下的磁场屏蔽性为49dB。

(实施例4)

＜金属化膜的制造＞

将厚度为60μm且在表面实施了脱模处理的PET膜作为支撑基材，在其上涂布由双酚A型环氧系树脂(三菱化学(株)制，jER1256)及甲乙酮形成的组合物(固体成分量为30质量％)，通过加热干燥，制备具有5μm厚度的环氧系树脂膜。与实施例1同样地对环氧系树脂膜表面进行喷丸及水洗而将表面粗化。表面粗化后的膜表面粗糙度为Ra 0.46μm、Rz 2.57μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.49、RΔa 13.4°。

接下来，在间歇式真空蒸镀装置(ULVAC制EBH-800)内设置上述的膜，在氩气气氛中，将真空到达度调节到5×10^-1Pa以下，利用磁控溅射法(DC电源功率：3.0kW)，形成5nm的厚度的镍作为锚固层。

接下来，在蒸镀舟上载置铜后进行抽真空直到真空到达度达到9.0×10^-3Pa以下，之后，对蒸发舟进行加热，由真空蒸镀形成2.0μm的铜金属膜。需要说明的是，在锚固层的形成和金属膜的形成中，连续地进行处理，在溅射和蒸镀之间不与大气接触。如此制备的金属化膜的铜的金属膜的平均晶体粒径为115nm，表面电阻为0.0144Ω/□，针孔(开口部个数)为0.4个/cm²。金属膜的表面粗糙度为Ra 0.64μm、Rz 3.61μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.53、RΔa 14.7°。另外，金属化膜的水蒸气透过率为10.96g/(m²·天)，在1GHz条件下的电场屏蔽性为80dB，在1GHz条件下的磁场屏蔽性为61dB。

由于本发明为具有耐回流焊性的环氧系树脂膜，因此追加了以下的评价。

＜电磁波屏蔽膜的制造＞

在金属化膜的金属膜的表面，涂布由环氧系树脂和平均粒径为3μm的粒径的球状的银被覆铜粉(配合量为50重量％)形成的粘接剂，形成具有5μm的厚度的粘接剂层。

＜屏蔽印刷布线板的制备＞

将所制备的电磁波屏蔽膜与印刷布线板以电磁波屏蔽膜的粘接剂层与印刷布线板相对的方式重叠，使用压制机在170℃、3.0MPa的条件下加热加压1分钟后，在相同的温度及压力下加热加压3分钟，制备屏蔽印刷布线板。

需要说明的是，印刷布线板具有：相互保持间隔而平行地延伸的2条铜箔图案和覆盖铜箔图案并且由聚酰亚胺形成的绝缘层(厚度：25μm)，在绝缘层上设置有露出各铜箔图案的开口部(直径：1mm)。另外，以利用电磁波屏蔽膜将该开口部完全覆盖的方式，使电磁波屏蔽膜的粘接剂层与印刷布线板重叠。得到屏蔽印刷布线板后，将实施了脱模处理的PET膜剥离。该屏蔽印刷布线板的回流焊通过性为○。

(实施例5)

＜金属化膜的制造＞

将厚度为60μm且在表面实施了脱模处理的PET膜作为支撑基材，在其上层压厚度5μm的PEEK膜。与实施例1同样地对得到的带有支撑基材的PEEK膜表面进行喷丸及水洗从而将表面粗化。表面粗化后的膜表面粗糙度为Ra 0.43μm、Rz 2.51μm，凹凸的倾斜为RΔq0.47、RΔa 12.6°。

接下来，在粗化的PEEK膜的表面形成锚固层。在间歇式真空蒸镀装置(ULVAC制EBH-800)内设置上述的膜，在氩气气氛中，将真空到达度调节到5×10^-1Pa以下，利用磁控溅射法(DC电源功率：3.0kW)，形成5nm厚度的钛作为锚固层。

接下来，在蒸镀舟上载置铜后进行抽真空，直到真空到达度变到9.0×10^-3Pa以下，之后，加热蒸发舟，由真空蒸镀形成1.0μm的金属膜。需要说明的是，在锚固层的形成和金属膜的形成中，连续地进行处理，在溅射与蒸镀之间不与大气接触。如此制备的金属化膜的铜的金属膜的平均晶体粒径为128nm，表面电阻为0.0279Ω/□，针孔(开口部个数)为0.5个/cm²。金属膜的表面粗糙度为Ra 0.57μm、Rz 3.59μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.50、RΔa 13.5°。另外，金属化膜的水蒸气透过率为9.77g/(m²·天)，1GHz条件下的电场屏蔽性为65dB，在1GHz条件下的磁场屏蔽性为50dB。

由于本发明为具有耐回流焊性PEEK膜，因此与实施例4同样地追加以下的评价。

＜电磁波屏蔽膜的制造＞＜屏蔽印刷布线板的制作＞

电磁波屏蔽膜的制造和屏蔽印刷布线板的制备采用与实施例4相同的方法，得到屏蔽印刷布线板。该屏蔽印刷布线板的回流焊通过性为○。

(实施例6)

＜金属化膜的制造＞

与实施例1同样地对厚度50μm的双轴取向聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东丽(株)制“Lumirror(注册商标)”型：S10)的一面进行喷丸及水洗而将表面粗化。表面粗化后的膜表面粗糙度为Ra 0.87μm、Rz 7.96μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.56、RΔa 15.5°。

接下来，在膜的表面形成金属膜。在间歇式真空蒸镀装置(ULVAC制EBH-800)内设置上述膜，在蒸镀舟上载置铝后，进行抽真空直到真空到达度变到9.0×10^-3Pa以下，之后，加热蒸发舟，由真空蒸镀形成2.0μm的金属膜。如此制备的金属化膜的铝的金属膜的平均晶体粒径为91nm，表面电阻为0.0379Ω/□，针孔(开口部个数)为0.5个/cm²。金属膜的表面粗糙度为Ra 1.1μm、Rz 8.3μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.72、RΔa 16.5°。另外，金属化膜的水蒸气透过率为7.23g/(m²·天)，在1GHz条件下的电场屏蔽性为60dB，在1GHz条件下的磁场屏蔽性为50dB。

(实施例7)

与实施例1同样地对厚度为37.5μm的聚酰亚胺膜(Du Pont-toray Co.,Ltd.制的“Kapton(注册商标)”型：150EN-A)的一面进行喷丸及水洗而将表面粗化。表面粗化后的膜表面粗糙度为Ra 0.71μm、Rz 7.39μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.48、RΔa 13.7°。

接下来，在粗化的聚酰亚胺膜的表面形成锚固层。在间歇式真空蒸镀装置(ULVAC制EBH-800)内设置上述膜，在氩气气氛中，将真空到达度调节到5×10^-1Pa以下，利用磁控溅射法(DC电源功率：3.0kW)，形成5nm厚度的镍作为锚固层。

接下来，在蒸镀舟上载置铜后进行抽真空，直到真空到达度变到9.0×10^-3Pa以下，之后，加热蒸发舟，由真空蒸镀形成2.0μm的金属膜。需要说明的是，在锚固层的形成和金属膜的形成中，连续地进行处理，在溅射与蒸镀之间不与大气接触。如此制备的金属化膜的铜的金属膜的平均晶体粒径为101nm，表面电阻为0.0159Ω/□，针孔(开口部个数)为0.4个/cm²。金属膜的表面粗糙度为Ra 0.77μm、Rz 7.69μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.54、RΔa 14.8°。另外，金属化膜的水蒸气透过率为8.92g/(m²·天)，在1GHz条件下的电场屏蔽性为80dB，在1GHz条件下的磁场屏蔽性为60dB。

由于本发明为具有耐回流焊性的聚酰亚胺膜，因此与实施例4同样地追加以下的评价。

＜电磁波屏蔽膜的制造＞＜屏蔽印刷布线板的制作＞

电磁波屏蔽膜的制造和屏蔽印刷布线板的制备采用与实施例4相同的方法，得到屏蔽印刷布线板。该屏蔽印刷布线板的回流焊通过性为○。

(实施例8)

与实施例1同样地对厚度37.5μm的聚酰亚胺膜(Du Pont-toray Co.,Ltd.制，“Kapton(注册商标)”型：150EN-A)的一面进行喷丸及水洗而将表面粗化。表面粗化后的膜表面粗糙度为Ra 0.71μm、Rz 7.39μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.48、RΔa 13.7°。

接下来，在粗化的聚酰亚胺膜的表面形成锚固层。在间歇式真空蒸镀装置(ULVAC制EBH-800)内设置上述膜，在氩气气氛中，将真空到达度调节到5×10^-1Pa以下，利用磁控溅射法(DC电源功率：3.0kW)，形成5nm的厚度的镍作为锚固层。

接下来，在蒸镀舟上载置铜后进行抽真空，直到真空到达度达到9.0×10^-3Pa以下，之后，加热蒸发舟，由真空蒸镀形成1.0μm的金属膜。需要说明的是，在锚固层的形成和金属膜的形成中，连续地进行处理，在溅射与蒸镀之间不与大气接触。如此制备的金属化膜的铜的金属膜的平均晶体粒径为96nm，表面电阻为0.0301Ω/□，针孔(开口部个数)为0.5个/cm²。金属膜的表面粗糙度为Ra 0.73μm、Rz 7.52μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.51、RΔa 14.2°。另外，金属化膜的水蒸气透过率为10.33g/(m²·天)，在1GHz条件下的电场屏蔽性为65dB，在1GHz条件下的磁场屏蔽性为51dB。

由于本发明为具有耐回流焊性的聚酰亚胺膜，因此与实施例4同样地追加以下的评价。

＜电磁波屏蔽膜的制造＞＜屏蔽印刷布线板的制作＞

电磁波屏蔽膜的制造和屏蔽印刷布线板的制备采用与实施例4相同的方法，得到屏蔽印刷布线板。该屏蔽印刷布线板的回流焊通过性为○。

(实施例9)

与实施例1同样地对厚度37.5μm的聚酰亚胺膜(Du Pont-toray Co.,Ltd.制，“Kapton(注册商标)”型：150EN-A)的一面进行喷丸及水洗而将表面粗化。表面粗化后的膜表面粗糙度为Ra 0.71μm、Rz 7.39μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.48、RΔa 13.7°。

接下来，在膜的表面形成金属膜。在间歇式真空蒸镀装置(ULVAC制EBH-800)内设置上述膜，在蒸镀舟上载置铝后，进行抽真空，直到真空到达度变到9.0×10^-3Pa以下，之后，加热蒸发舟，由真空蒸镀形成2.0μm的金属膜。如此制备的金属化膜的铝的金属膜的平均晶体粒径为94nm，表面电阻为0.0363Ω/□，针孔(开口部个数)为0.5个/cm²。金属膜的表面粗糙度为Ra 0.91μm、Rz 8.16μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.67、RΔa 14.9°。另外，金属化膜的水蒸气透过率为9.61g/(m²·天)，在1GHz条件下的电场屏蔽性为60dB，在1GHz条件下的磁场屏蔽性为50dB。

由于本发明为具有耐回流焊性的聚酰亚胺膜，因此与实施例4同样地追加以下的评价。

＜电磁波屏蔽膜的制造＞＜屏蔽印刷布线板的制作＞

电磁波屏蔽膜的制造和屏蔽印刷布线板的制备采用与实施例4相同的方法，得到屏蔽印刷布线板。该屏蔽印刷布线板的回流焊通过性为○。

(比较例1)

＜金属化膜的制造＞

对于膜表面而言，除了不进行利用喷丸的粗化以外，全部用与实施例1相同的条件得到金属化膜。金属层叠前的膜的表面粗糙度为Ra 0.03μm、Rz 0.83μm，凹凸的倾斜为RΔq0.02、RΔa 0.69°。在该膜表面形成金属膜而得到的金属化膜的、铜的金属膜的平均晶体粒径为263nm，表面电阻为0.0102Ω/□，针孔(开口部个数)为0.1个/cm²。金属膜的表面粗糙度为Ra 0.06μm、Rz 0.52μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.01、RΔa 0.41°。另外，金属化膜的水蒸气透过率为0.06g/(m²·天)，在1GHz条件下的电场屏蔽性为86dB，在1GHz条件下的磁场屏蔽性为64dB。

(比较例2)

＜金属化膜的制造＞

除了以铜的蒸镀形成1.5μm的金属膜以外，全部用与比较例1相同的条件得到金属化膜。金属层叠前的膜的表面粗糙度为Ra0.03μm、Rz 0.83μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.02、RΔa 0.69°。在该膜表面形成金属膜而得到的金属化膜的、铜的金属膜的平均晶体粒径为231nm，表面电阻为0.0133Ω/□，针孔(开口部个数)为0.1个/cm²。金属膜的表面粗糙度为Ra 0.04μm、Rz 0.62μm，凹凸的倾斜为RΔq0.02、RΔa 0.52°。另外，金属化膜的水蒸气透过率为2.06g/(m²·天)，在1GHz条件下的电场屏蔽性为81dB，在1GHz条件下的磁场屏蔽性为60dB。

(比较例3)

＜金属化膜的制造＞

除了以铜的蒸镀形成0.5μm的金属膜以外，全部用与比较例1相同的条件得到金属化膜。金属层叠前的表面粗糙度为Ra 0.03μm、Rz 0.83μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.02、RΔa0.69°。在该膜表面形成金属膜而得到的金属化膜的铜的金属膜的平均晶体粒径为227nm，表面电阻为0.0389Ω/□，针孔(开口部个数)为0.5个/cm²。金属膜的表面粗糙度为Ra 0.04μm、Rz 0.76μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.02、RΔa0.59°。另外，金属化膜的水蒸气透过率为2.93g/(m²·天)，在1GHz条件下的电场屏蔽性为60dB，在1GHz条件下的磁场屏蔽性为50dB。

(比较例4)

＜金属化膜的制造＞

除了膜表面不进行利用喷丸的粗化以外，全部用与实施例4相同的条件得到金属化膜。金属层叠前的环氧系树脂膜表面的表面粗糙度为Ra 0.282μm、Rz 2.02μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.02、RΔa 0.63°。在该环氧系树脂膜表面形成金属膜而得到的金属化膜的、铜的金属膜的平均晶体粒径为214nm，表面电阻为0.0122Ω/□，针孔(开口部个数)为0.1个/cm²。金属膜的表面粗糙度为Ra 0.31μm、Rz 1.78μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.01、RΔa 0.39°。另外，金属化膜的水蒸气透过率为1.22g/(m²·天)，在1GHz条件下的电场屏蔽性为86dB，在1GHz条件下的磁场屏蔽性为63dB。

由于本发明为具有耐回流焊性的环氧系树脂膜，因此与实施例4同样地追加以下的评价。

＜电磁波屏蔽膜的制造＞＜屏蔽印刷布线板的制备＞

电磁波屏蔽膜的制造和屏蔽印刷布线板的制备采用与实施例4相同的方法，得到屏蔽印刷布线板。该屏蔽印刷布线板的回流焊通过性为×。

(比较例5)

＜金属化膜的制造＞

对于膜表面而言，除了不进行利用喷丸的粗化以外，全部用与实施例6相同的条件得到金属化膜。金属层叠前的膜的表面粗糙度为Ra 0.03μm、Rz 0.83μm，凹凸的倾斜为RΔq0.02、RΔa 0.69°。在该膜表面形成金属膜而得到的金属化膜的、铝的金属膜的平均晶体粒径为272nm，表面电阻为0.0371Ω/□，针孔(开口部个数)为0.1个/cm²。金属膜的表面粗糙度为Ra 0.05μm、Rz 0.61μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.01、RΔa 0.56°。另外，金属化膜的水蒸气透过率为0.03g/(m²·天)，在1GHz条件下的电场屏蔽性为60dB，在1GHz条件下的磁场屏蔽性为50dB。

(比较例6)

＜金属化膜的制造＞

对于膜表面而言，除了不进行利用喷丸的粗化以外，全部用与实施例7相同的条件得到金属化膜。金属层叠前的聚酰亚胺膜表面的表面粗糙度为Ra 0.028μm、Rz 0.303μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.02、RΔa 0.63°。在该聚酰亚胺膜表面形成金属膜而得到的金属化膜的、铜的金属膜的平均晶体粒径为268nm，表面电阻为0.0101Ω/□，针孔(开口部个数)为0.1个/cm²。金属膜的表面粗糙度为Ra 0.03μm、Rz 0.29μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.02、RΔa0.54°。另外，金属化膜的水蒸气透过率为0.31g/(m²·天)，在1GHz条件下的电场屏蔽性为86dB，在1GHz条件下的磁场屏蔽性为64dB。

由于本发明为具有耐回流焊性的聚酰亚胺膜，因此与实施例4同样地追加以下的评价。

＜电磁波屏蔽膜的制造＞＜屏蔽印刷布线板的制备＞

电磁波屏蔽膜的制造和屏蔽印刷布线板的制备采用与实施例4相同的方法，得到屏蔽印刷布线板。该屏蔽印刷布线板的回流焊通过性为×。

(比较例7)

＜金属化膜的制造＞

对于膜表面而言，除了不进行利用喷丸的粗化以外，全部用与实施例9相同的条件得到金属化膜。金属层叠前的聚酰亚胺膜表面的表面粗糙度为Ra 0.028μm、Rz 0.303μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.02、RΔa 0.63°。在该聚酰亚胺膜表面形成金属膜而得到的金属化膜的、铝的金属膜的平均晶体粒径为264nm，表面电阻为0.0369Ω/□，针孔(开口部个数)为0.1个/cm²。金属膜的表面粗糙度为Ra 0.04μm、Rz 0.40μm，凹凸的倾斜为RΔq 0.01、RΔa0.68°。另外，金属化膜的水蒸气透过率为0.35g/(m²·天)，在1GHz条件下的电场屏蔽性为60dB，在1GHz条件下的磁场屏蔽性为50dB。

由于本发明为具有耐回流焊性的聚酰亚胺膜，因此与实施例4同样地追加以下的评价。

＜电磁波屏蔽膜的制造＞＜屏蔽印刷布线板的制备＞

电磁波屏蔽膜的制造和屏蔽印刷布线板的制备采用与实施例4相同的方法，得到屏蔽印刷布线板。该屏蔽印刷布线板的回流焊通过性为×。

[表1-1]

[表1-2]

附图标记说明

1 金属化膜

2 电磁波屏蔽膜

3 柔性印刷布线板(印刷布线板)

4 屏蔽印刷布线板

101、102 膜

201 蒸镀方向

301 金属膜

401 蒸镀膜生长方向

501 载体膜

601 粘接剂层

701 覆盖膜

702 基底层

801 印刷电路(接地电路)

901 绝缘性粘接剂层