具体实施方式

以下结合附图1－3，进一步说明本发明的一种防吸合平板式MEMS振镜的具体实施方式。本发明的一种防吸合平板式MEMS振镜不限于以下实施例的描述。

实施例一：

参见图1，一种防吸合平板式MEMS振镜，包括上极板1和下极板2，上极板1的上表面设有镜面3，上极板1的一侧连接有悬臂4，悬臂4与下极板2之间设有阳极键合用微晶玻璃5，上极板1和下极板2之间设有至少一个防吸合支撑构件6。

上极板1和下极板2采用本征硅晶片，通过离子注入或热扩散等方式使其表层成为导电层，导电层深度为几微米至几十微米。也可直接通过两块已经掺杂的硅晶片实现。

参见图1，本实施例的一种结构中，防吸合支撑构件6为悬梁结构，防吸合支撑构件6与阳极键合用微晶玻璃5一体成型。阳极键合用微晶玻璃5为LAS系统微晶玻璃或聚二甲基硅氧烷微晶玻璃。阳极键合用微晶玻璃5要求为绝缘体，也可以是陶瓷等其他满足可与硅阳极键合并绝缘性良好的材料。

参见图1，首先将支撑柱7置于上极板1和下极板2之间，然后采用阳极键合方式实现悬臂及阳极键合用微晶玻璃的键合，再阳极键合下极板。也可以先键合下极板后键合悬臂。在阳极键合时，支撑柱7的两端分别抵在上极板1和下极板2上。支撑柱起到支撑作用，在阳极键合过程中使悬臂加镜面结构和/或下极板结构不变形，要求在阳极键合过程中，支撑柱不和下极板和/或悬臂加镜面结构发生物理化学反应，不发生粘合，在阳极键合工艺完成后，可直接将键合结构垂直放置(顺时针旋转90度)，通过重力作用，使支撑柱自然脱落。

防吸合支撑构件6介于镜面和下极板之间，可与阳极键合用微晶玻璃5一体制备，其作用是防止镜面与下极板之间吸合.当振镜和下极板加异种电荷时，镜面将向下极板方向移动，因为有防吸合支撑构件的存在，使镜面最多与防吸合支撑构件接触，而不能和下极板接触，从而有效防止了吸合现象的发生。而当取消振镜和下极板上的异种电荷后，镜面会因为悬臂的弹性回复力恢复平衡状态，或者配合振镜和下极板加同种电荷产生静电斥力恢复平衡状态。

在本实施例中，阳极键合用微晶玻璃5还可以是本征绝缘硅。本征绝缘硅优选先进行表面氧化，使其表面形成一层致密的SiO2层，之后再进行键合。当然，不对本征绝缘硅进行表面氧化亦可。

参见图2，在一优选实施方式中，防吸合支撑构件6为立柱，防吸合支撑构件6设置在所述下极板2的上表面。防吸合支撑构件6为SiO2、SiN、HfO2、YO2中的一种材料加工而成。具体的，在下极板2上先制作出SiO2、SiN、HfO2、YO2等材料的防吸合支撑构件，实现防止吸合的作用。

参见图3，上极板1与悬臂4之间设有波形连接筋8。波形连接筋8可以降低悬臂4的强度，使相同电压条件下的振镜扫描角度更大。实际中可以根据悬臂的长度、振镜的尺寸，对波形连接筋的形状进行优化，在保证悬臂能有效支撑振镜的同时使振镜的扫描角度最大。仿真结果显示，在一定的电压条件和振镜尺寸下，悬臂上增加波形连接筋可有效提高振镜的扫描角度(位移)，波形连接筋越长，扫描角度提高的越明显。如图4至图6所示。

参见图3、图5、图6，波形连接筋包含一个loop结构，即一个波峰一个波谷，仿真结果显示，当悬臂上增加至两个loop时，振镜的位移量可提高至494um，对应的角度大约为9.5度，根据静电驱动原理是极性相反电荷的相互吸引排斥，可知，当下电极和镜面连接相同的电压时，则振镜也可以向上移动约494um，因此，该结构振镜的机械扫描角度可达到约20度。参见图7，对于镜面重力的影响，仿真结果显示，两个loop时的镜面因重力导致的位移量为19.8um，和振镜工作时的位移量494um相比，可以忽略不计。而且，因振镜工作在扫描状态时，其上下极板施加的电压分别为V0+Vt，V0－Vt。其中V0是基准电压，为恒定值，Vt为随时间变化的电压，为瞬时值，V0决定了振镜上下极板的初始位置，Vt决定了振镜的扫描范围，因此，可以通过调节V0的值使上极板处于包括与下极板完全平行位置的任意位置。

本发明中上极板两侧可以各连接一个悬臂，下面制作两个电极分别施加异种电荷实现镜面的扭转。当然，也可以做成四悬臂、四电极结构，从而实现振镜的二维扭转，镜面可制作成矩形、圆形、椭圆形、多边形等。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。