具体实施方式

在下文中，将参考附图详细描述本发明的示例性实施例。在整个说明书中，相同的附图标记可以用于指代相同的部件，并因此，可以省略对相同部件的重复描述。

图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的框图。

参考图1，显示装置1000可以包括像素单元100、扫描驱动器200、发射驱动器300、数据驱动器400和时序控制器500。

在本发明的示例性实施例中，显示装置1000可以进一步包括将第一电源ELVDD、第二电源ELVSS和第三电源VINT的电压供给到像素单元100的电源单元。然而，这是示例，并且可以从时序控制器500或数据驱动器400提供第一电源ELVDD、第二电源ELVSS和第三电源VINT的电压中的至少一个。例如，可以从时序控制器500供给第一电源ELVDD的电压，并且可以从数据驱动器400供给第二电源ELVSS的电压。

像素单元100可以包括多条第一扫描线SL11至SL1n、多条第二扫描线SL21至SL2n、多条第三扫描线SL31至SL3n、多条发射控制线EL1至ELn和多条数据线DL1至DLm。另外，像素单元100可以包括分别连接到第一扫描线SL11至SL1n、第二扫描线SL21至SL2n、第三扫描线SL31至SL3n、发射控制线EL1至ELn和数据线DL1至DLm的多个像素PX，其中n和m是大于1的整数。例如，像素PX中的第一像素可以连接到第一扫描线SL11、第二扫描线SL21、第三扫描线SL31、数据线DL1和发射控制线EL1。像素PX中的每一个可以包括驱动晶体管和多个开关晶体管。

扫描驱动器200可以基于第一控制信号SCS通过第一扫描线SL11至SL1n、第二扫描线SL21至SL2n和第三扫描线SL31至SL3n顺序地将扫描信号供给到像素PX。扫描驱动器200可以从时序控制器500接收第一控制信号SCS和至少一个时钟信号。

在本发明的示例性实施例中，在一个帧时段期间供给到一条扫描线的扫描信号可以包括至少一个扫描脉冲。例如，扫描信号可以包括顺序地供给到第一扫描线SL11至SL1n的第一扫描信号、顺序地供给到第二扫描线SL21至SL2n的第二扫描信号和顺序地供给到第三扫描线SL31至SL3n的第三扫描信号。

第一扫描信号可以包括至少一个第一扫描脉冲，第二扫描信号可以包括至少一个第二扫描脉冲，并且第三扫描信号可以包括至少一个第三扫描脉冲。

这里，第一扫描脉冲、第二扫描脉冲和第三扫描脉冲可以是用于导通像素PX中包括的晶体管的栅极导通电压。例如，当像素PX中包括的晶体管是P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管时，栅极导通电压可以被设置为逻辑低电平，而栅极截止电压可以被设置为逻辑高电平。当像素PX中包括的晶体管是N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管时，栅极导通电压可以被设置为逻辑高电平，而栅极截止电压可以被设置为逻辑低电平。

在本发明的示例性实施例中，扫描驱动器200可以包括彼此连接以将第一扫描信号(例如，第一扫描脉冲)顺序地输出到第一扫描线SL11至SL1n的第一级、彼此连接以将第二扫描信号(例如，第二扫描脉冲)顺序地输出到第二扫描线SL21至SL2n的第二级和彼此连接以将第三扫描信号(例如，第三扫描脉冲)顺序地输出到第三扫描线SL31至SL3n的第三级。

发射驱动器300可以基于第二控制信号ECS通过发射控制线EL1至ELn将发射控制信号顺序地供给到像素PX。发射驱动器300可以从时序控制器500接收第二控制信号ECS和时钟信号等。发射控制信号可以针对位于同一水平线(例如，同一行)上的像素PX将一帧时段划分为发射时段和非发射时段。例如，响应于发射控制信号，一个帧时段可以作为非发射帧时段开始，并且然后切换到发射帧时段。

数据驱动器400可以从时序控制器500接收第三控制信号DCS和图像数据信号RGB。数据驱动器400可以基于第三控制信号DCS和图像数据信号RGB通过数据线DL1至DLm将数据信号(或数据电压)供给到像素PX。在本发明的示例性实施例中，数据驱动器400可以将与图像的灰度级相对应的数据信号供给到数据线DL1至DLm。例如，可以与第一扫描信号(例如，第一扫描脉冲)中的每一个同步地将对应像素PX的数据信号供给到对应像素PX。

时序控制器500可以基于从外部供给的时序信号来控制扫描驱动器200、发射驱动器300和数据驱动器400的驱动。时序控制器500可以将包括第一控制信号SCS和扫描时钟信号的控制信号供给到扫描驱动器200，并且可以将包括第二控制信号ECS和发射控制时钟信号的控制信号供给到发射驱动器300。用于控制数据驱动器400的第三控制信号DCS可以包括源极开始信号、源极输出使能信号和源极采样时钟等。

图2是示出根据本发明的示例性实施例的、图1中所示的显示装置中包括的像素的电路图。

参考图1和图2，像素PX可以包括发光二极管LD和连接到发光二极管LD的像素电路PC。

图2中所示的像素PX可以是布置在像素单元100的第k行第p列中的像素，其中k和p是自然数。

发光二极管LD的阳极可以连接到像素电路PC，并且发光二极管LD的阴极可以连接到第二电源ELVSS。换句话说，发光二极管LD的第一电极可以连接到像素电路PC，并且发光二极管LD的第二电极可以连接到第二电源ELVSS。发光二极管LD可以产生具有与从像素电路PC供应的电流的量相对应的预定亮度的光。

像素电路PC可以响应于数据信号Vdata而控制从第一电源ELVDD经由发光二极管LD流到第二电源ELVSS的电流的量。为此，可以将第一电源ELVDD设置为高于第二电源ELVSS的电压。

像素电路PC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6以及存储电容器Cst。

第一晶体管T1可以耦接在经由第六晶体管T6电连接到第一电源ELVDD的第一节点N1和经由第五晶体管T5电连接到发光二极管LD的阳极的第二节点N2之间。例如，第一晶体管T1的第一电极可以连接到第一节点N1，并且第一晶体管T1的第二电极可以连接到第二节点N2。第一晶体管T1的栅电极可以耦接到第三节点N3。第一晶体管T1可以将与第三节点N3的电压相对应的驱动电流供给到发光二极管LD。第一晶体管T1可以用作像素PX的驱动晶体管。

第二晶体管T2可以耦接在第p数据线DLp和第一节点N1之间。例如，第二晶体管T2的第一电极可以连接到第p数据线DLp，并且第二晶体管T2的第二电极可以连接到第一节点N1。第二晶体管T2可以包括用于接收第一扫描信号GWP[k]的栅电极。第一扫描信号GWP[k]可以从第k第一扫描线SL1k提供到第二晶体管T2的栅电极。当第二晶体管T2导通时，数据信号Vdata可以被传送到第一节点N1。

第三晶体管T3可以耦接在第二节点N2和第三节点N3之间。例如，第三晶体管T3的第一电极可以连接到第二节点N2，并且第三晶体管T3的第二电极可以连接到第三节点N3。第三晶体管T3可以包括用于接收第二扫描信号GWN[k]的栅电极。第二扫描信号GWN[k]可以从第k第二扫描线SL2k提供到第三晶体管T3的栅电极。第三晶体管T3可以由第二扫描信号GWN[k]导通，以电连接第一晶体管T1的电极(例如，第二节点N2)与第三节点N3。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1可以以二极管形式连接。

存储电容器Cst可以连接在第一电源ELVDD和第三节点N3之间。存储电容器Cst可以存储与数据信号Vdata和第一晶体管T1的阈值电压之间的差相对应的电压。

第四晶体管T4可以耦接在第二节点N2和第三电源VINT之间。例如，第四晶体管T4的第一电极可以连接到第二节点N2，并且第四晶体管T4的第二电极可以连接到第三电源VINT。第四晶体管T4可以包括用于接收第三扫描信号GI[k]的栅电极。第三扫描信号GI[k]可以经由第k第三扫描线SL3k被提供。参考图3，第三扫描信号GI[k]可以与前一像素行的第一扫描信号相对应。当第三扫描信号GI[k]被供给以将第三电源VINT的电压供给到第二节点N2时，第四晶体管T4可以导通。

在第三扫描信号GI[k]被供给的时间中的部分时间内，第二扫描信号GWN[k]可以被设置为逻辑低电平，并且在第三扫描信号GI[k]被供给的时间中的剩余时间内，第二扫描信号GWN[k]可以被设置为逻辑高电平。

在第二扫描信号GWN[k]被设置为逻辑低电平的时段期间，第五晶体管T5可以导通以初始化发光二极管LD的阳极。在第二扫描信号GWN[k]被设置为逻辑高电平的时段期间，第三晶体管T3可以导通以初始化第三节点N3。于是，发光二极管LD的阳极和第三节点N3的电压(换句话说，第一晶体管T1的栅极电压)可以被初始化为第三电源VINT的电压。在本发明的示例性实施例中，第三电源VINT可以被设置为低于数据信号Vdata的最低电压的电压。

第五晶体管T5可以耦接在第二节点N2和发光二极管LD的阳极之间。例如，第五晶体管T5的第一电极可以连接到第二节点N2，并且第五晶体管T5的第二电极可以连接到发光二极管LD的阳极。第五晶体管T5可以包括用于接收第二扫描信号GWN[k]的栅电极。当第二扫描信号GWN[k]被设置为逻辑低电平以电连接第二节点N2和发光二极管LD的阳极时，第五晶体管T5可以导通。

第六晶体管T6可以耦接在第一电源ELVDD和第一节点N1之间。例如，第六晶体管T6的第一电极可以连接到第一电源ELVDD，并且第六晶体管T6的第二电极可以连接到第一节点N1。第六晶体管T6可以包括用于接收发射控制信号EM[k]的栅电极。发射控制信号EM[k]可以经由第k发射控制线ELk被提供。当发射控制信号EM[k]处于逻辑低电平时，第六晶体管T6可以导通，并且当发射控制信号EM[k]处于逻辑高电平时，第六晶体管T6可以截止。

发光二极管LD可以耦接在第五晶体管T5和第二电源ELVSS之间。发光二极管LD的阴极可以被施加以第二电源ELVSS。第一电源ELVDD和第二电源ELVSS可以具有不同的电势。例如，第一电源ELVDD可以是高电势电源，并且第二电源ELVSS可以是低电势电源。在这种情况下，在像素PX的发射时段期间，第一电源ELVDD和第二电源ELVSS之间的电势差可以等于或高于发光二极管LD的阈值电压。在本发明的示例性实施例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6可以是P型低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管，并且第三晶体管T3可以是N型氧化物半导体薄膜晶体管。N型氧化物半导体薄膜晶体管可以具有比P型LTPS薄膜晶体管更好的电流泄漏特性。因此，当连接到第三节点N3的第三晶体管T3由N型氧化物半导体薄膜晶体管形成时，从第三节点N3流到第二节点N2的泄漏电流可以大大减小，从而功耗可以降低。

通常，为了将第一晶体管T1的栅电极(或第三节点N3)初始化为第三电源VINT，直接连接到第三节点N3的初始化晶体管可以被进一步提供。然而，当初始化晶体管被附加提供时，可能由从第三节点N3到第三电源VINT的电流路径附加产生泄漏电流。

另外，初始化晶体管可以由N型氧化物半导体薄膜晶体管形成以最小化泄漏电流。然而，在这种情况下，由于额外的晶体管被采用，因此像素的面积增大。

相比之下，根据本发明的示例性实施例，第三节点N3和发光二极管LD的阳极可以使用连接到第二节点N2的第四晶体管T4被初始化。换句话说，根据图2中所示的本发明的实施例，连接到第三节点N3的初始化晶体管可以被去除，并且于是，像素PX的面积减小，并且像素PX可以应用于高分辨率面板。

此外，第四晶体管T4可以经由第三晶体管T3间接地连接到第一晶体管T1的栅电极(或第三节点N3)。因此，可以不需要第四晶体管T4由N型氧化物半导体薄膜晶体管形成以防止泄漏电流。

通常，N型氧化物半导体薄膜晶体管在像素电路中占据比P型LTPS薄膜晶体管更多的空间。于是，当形成在单位像素电路中的氧化物半导体薄膜晶体管的数量减少时，单位像素电路的尺寸可以减小。因此，高分辨率(或更高度集成的像素电路)显示装置1000可以被实现。

根据本发明的示例性实施例，显示装置1000可以包括连接到第一扫描线、第二扫描线、第三扫描线、数据线和发射控制线的像素PX。像素PX可以包括：发光二极管LD；第一晶体管T1，包括连接到第一节点N1的第一电极、连接到第二节点N2的第二电极和连接到第三节点N3的栅电极，其中，第一节点N1电连接到第一电源ELVDD；第二晶体管T2，连接在数据线和第一节点N1之间并且包括连接到第一扫描线的栅电极；第三晶体管T3，连接在第二节点N2和第三节点N3之间并且包括连接到第二扫描线的栅电极；第四晶体管T4，连接在第二节点N2和第三电源VINT之间并且包括连接到第三扫描线的栅电极；以及第五晶体管T5，连接在第二节点N2和发光二极管LD的阳极之间并且包括连接到第二扫描线的栅电极。

在下文中，将详细描述包括图2中所示的像素PX的显示装置1000的驱动方法。

图3是根据本发明的示例性实施例的、驱动图1中所示的显示装置的时序图。

参考图1至图3，显示装置1000的一帧时段可以包括发射时段EP和非发射时段NEP。

非发射时段NEP可以被划分为用于驱动的第一时段P1、第二时段P2和第三时段P3，并且发射时段EP可以包括第四时段P4。

图3示出了供给到像素单元100的第k行中包括的像素PX的信号的示例。

在图3中，彼此相似地示出了一帧时段中包括的发射时段EP和非发射时段NEP的长度。然而，应当理解，发射时段EP的长度基本上比非发射时段NEP的长度长。

在第一时段P1中，发光二极管LD的阳极可以被初始化为第三电源VINT。在第二时段P2中，第一晶体管T1的栅电极(或第三节点N3)可以被初始化为第三电源VINT。在第三时段P3中，与数据信号Vdata和第一晶体管T1的阈值电压之间的差相对应的电压可以被存储在存储电容器Cst中。在第四时段P4中，预定电流可以响应于第三节点N3的电压而从第一晶体管T1被供给到发光二极管LD。在这种情况下，发光二极管LD可以产生具有与从第一晶体管T1供给的电流的量相对应的预定亮度的光。

图4至图7是根据本发明的示例性实施例的、根据图2中所示的像素和图3中所示的显示装置的时序图的操作过程的图。

参考图1至图7，由于第一晶体管T1、第二晶体管T2、第四晶体管T4和第六晶体管T6是P型LTPS晶体管，因此第一扫描信号GWP[k]和第三扫描信号GI[k]的栅极导通电压可以是逻辑低电平。类似地，发射控制信号EM[k]的栅极导通电压可以是逻辑低电平。

由于第三晶体管T3是N型氧化物半导体薄膜晶体管，因此第二扫描信号GWN[k]的栅极导通电压可以是逻辑高电平。然而，由于第五晶体管T5是P型LTPS晶体管，因此在这种情况下，第二扫描信号GWN[k]的栅极导通电压可以是逻辑低电平。

参考图4，在非发射时段NEP期间，逻辑高电平的发射控制信号EM[k]可以被供给到第k发射控制线ELk。当逻辑高电平的发射控制信号EM[k]被供给到第k发射控制线ELk时，第六晶体管T6可以截止。当第六晶体管T6截止时，电流不从第一电源ELVDD流到第一晶体管T1。于是，发光二极管LD可以保持非发光状态。

在第一时段P1中，逻辑低电平的第三扫描信号GI[k]可以被供给到第k第三扫描线SL3k。并且，在第一时段P1中，逻辑高电平的第一扫描信号GWP[k]可以被供给到第k第一扫描线SL1k，并且逻辑低电平的第二扫描信号GWN[k]可以被供给到第k第二扫描线SL2k。

当逻辑低电平的第三扫描信号GI[k]被供给到第k第三扫描线SL3k时，第四晶体管T4可以导通。当第四晶体管T4导通时，第三电源VINT可以被供给到第二节点N2。第三电源VINT的施加由图4中的箭头示出。

例如，由于第五晶体管T5由逻辑低电平的第二扫描信号GWN[k]设置为导通状态，因此供给到第二节点N2的第三电源VINT可以经由第五晶体管T5被供给到发光二极管LD的阳极。

另外，当逻辑低电平的第二扫描信号GWN[k]被供给到第k第二扫描线SL2k时，第三晶体管T3可以被设置为截止状态。因此，供给到第二节点N2的第三电源VINT和第三节点N3之间的电连接可以被切断。

参考图5，在第二时段P2中，供给到第k第三扫描线SL3k的第三扫描信号GI[k]可以被保持。换句话说，第三扫描信号GI[k]可以被保持为低。另外，在第二时段P2中，逻辑高电平的第二扫描信号GWN[k]可以被供给到第k第二扫描线SL2k。换句话说，在第二时段P2中，第二扫描信号GWN[k]可以从低电平转变为高电平。

当供给到第k第三扫描线SL3k的第三扫描信号GI[k]被保持在低电平时，第四晶体管T4可以保持导通状态。当第四晶体管T4保持导通状态时，第三电源VINT仍可以被供给到第二节点N2。这由图5中的箭头示出。

当逻辑高电平的第二扫描信号GWN[k]被供给到第k第二扫描线SL2k时，第三晶体管T3可以导通并且第五晶体管T5可以截止。当第五晶体管T5截止时，供给到第二节点N2的第三电源VINT和发光二极管LD的阳极之间的电连接可以被切断。然而，由于第三晶体管T3导通，因此供给到第二节点N2的第三电源VINT和第一晶体管T1的栅电极可以电连接。于是，在第二时段P2中，第一晶体管T1的栅电极(或第三节点N3)可以被初始化为第三电源VINT。

在第二时段P2之后，第三扫描信号GI[k]可以改变为逻辑高电平，并且于是，第四晶体管T4可以截止。

在本发明的示例性实施例中，第四晶体管T4导通的时段可以被划分为第一时段P1和第二时段P2，并且发光二极管LD的阳极可以在第一时段P1期间被初始化并且第三节点N3可以在第二时段P2期间被初始化。换句话说，在第一时段P1中，发光二极管LD的阳极被提供以通过第四晶体管T4和第五晶体管T5的第三电源VINT的电压，并且在第二时段P2中，第三节点N3被提供以通过第三晶体管T3和第四晶体管T4的第三电源VINT的电压。在这种情况下，发光二极管LD的阳极和第三节点N3可以由一个第四晶体管T4初始化。因此，单位像素电路中包括的晶体管的数量可以减少。当形成在单位像素电路中的晶体管的数量减少时，单位像素电路的尺寸可以减小。因此，高分辨率(或高度集成的像素电路)显示装置1000可以被实现。

参考图6，在第三时段P3中，第一扫描信号GWP[k]可以被供给到第k第一扫描线SL1k。例如，低电平的第一扫描信号GWP[k]被供给到第k第一扫描线SL1k。此时，第二扫描信号GWN[k]可以保持逻辑高电平。

在这种情况下，当逻辑低电平的第一扫描信号GWP[k]被供给到第k第一扫描线SL1k时，第二晶体管T2可以导通。当供给到第k第二扫描线SL2k的第二扫描信号GWN[k]保持逻辑高电平时，第三晶体管T3可以保持导通状态并且第五晶体管T5可以保持截止状态。当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1可以以二极管的形式连接。于是，在第三时段P3中，与数据信号Vdata和第一晶体管T1的阈值电压之间的差相对应的电压可以被存储在存储电容器Cst中。这由图6中的箭头示出。

在第三时段P3之后，第一扫描信号GWP[k]可以被改变为逻辑高电平，并且于是，第二晶体管T2可以截止。另外，第二扫描信号GWN[k]可以被改变为逻辑低电平，并且于是，第三晶体管T3可以截止并且第五晶体管T5可以导通。

参考图7，在第四时段P4中，逻辑低电平的发射控制信号EM[k]可以被供给到第k发射控制线ELk。当逻辑低电平的发射控制信号EM[k]被供给到第k发射控制线ELk时，第六晶体管T6可以导通。当第六晶体管T6导通时，第一电源ELVDD和第一晶体管T1的第一电极可以电连接。

在这种情况下，当供给到第k第二扫描线SL2k的逻辑低电平的第二扫描信号GWN[k]被保持时，第三晶体管T3可以保持截止状态并且第五晶体管T5可以保持导通状态。于是，在第四时间段P4中，响应于第三节点N3的电压，预定电流可以从第一晶体管T1被供给到发光二极管LD。这由图7中的箭头示出。在这种情况下，发光二极管LD可以产生具有与从第一晶体管T1供给的电流的量相对应的预定亮度的光。

在下文中，将描述本发明的其他示例性实施例。将主要描述以下实施例与上述实施例之间的不同之处。

图8是根据本发明的示例性实施例的、驱动图1中所示的显示装置的时序图。

参考图1、图2和图8，显示装置1000的一帧时段可以包括发射时段EP'和非发射时段NEP'。

非发射时段NEP’可以被划分为用于驱动的第一时段P1、第二时段P2、第2-1时段P2’、第2-2时段P2”、第三时段P3、第3-1时段P3’和第3-2时段P3”，并且发射时段EP'可以包括第四时段P4。

在非发射时段NEP'期间，逻辑高电平的发射控制信号EM[k]可以被供给到第k发射控制线ELk。当逻辑高电平的发射控制信号EM[k]被供给到第k发射控制线ELk时，第六晶体管T6可以截止。当第六晶体管T6截止时，电流不从第一电源ELVDD流到第一晶体管T1。于是，发光二极管LD可以保持非发光状态。

在非发射时段NEP’期间，第一扫描信号GWP[k]的两个或更多个扫描脉冲(在下文中，第一扫描脉冲)可以被供给到第k第一扫描线SL1k，并且第三扫描信号GI[k]的两个或更多个扫描脉冲(在下文中，第三扫描脉冲)可以被供给到第k第三扫描线SL3k。

在图8中，彼此相似地示出了一帧时段中包括的发射时段EP’和非发射时段NEP’的长度。然而，应当理解，发射时段EP’的长度基本上比非发射时段NEP’的长度长。

另外，图8中所示的非发射时段NEP’的长度可以与图3中所示的非发射时段NEP的长度相同。然而，图8中所示的非发射时段NEP’的长度不限于此，并且可以比图3中所示的非发射时段NEP的长度长。另外，图8中所示的发射时段EP’的长度可以比图3中所示的发射时段EP的长度短。

根据本发明的示例性实施例，在非发射时段NEP’期间，第一扫描信号GWP[k]和第三扫描信号GI[k]中的每一个的三个扫描脉冲(换句话说，三个第一扫描脉冲和三个第三扫描脉冲)可以被供给到像素PX。例如，三个第一扫描脉冲和三个第三扫描脉冲可以被交替地供给。

另外，在非发射时段NEP’期间，第二扫描信号GWN[k]的一个扫描脉冲(在下文中，一个第二扫描脉冲)可以被供给到像素PX。在这种情况下，在一个第二扫描脉冲被保持时，三个第一扫描脉冲可以被供给，并且除了三个第三扫描脉冲中的第一脉冲的一部分之外的所有第三扫描脉冲可以被供给。

在第一时段P1中，三个第三扫描脉冲中的第一脉冲可以以逻辑低电平被供给以导通第四晶体管T4，并且逻辑低电平的第二扫描信号GWN[k]可以被供给以导通第五晶体管T5。因此，发光二极管LD的阳极可以被初始化为第三电源VINT。

在第二时段P2中，第二扫描脉冲可以以逻辑高电平被供给。此后，在非发射时段NEP’期间第二扫描脉冲可以被保持。当逻辑高电平的第二扫描脉冲被供给时，第三晶体管T3可以导通以初始化第三节点N3。此后，在第2-1时段P2’和第2-2时段P2”期间，三个第三扫描脉冲中的第二脉冲和第三脉冲可以被供给以导通第四晶体管T4。于是，第三节点N3可以被初始化多次。换句话说，每次第三扫描脉冲被供给以导通第四晶体管T4时，第三节点N3被初始化。

在第三时段P3和第3-1时段P3’期间，三个第一扫描脉冲中的第一脉冲和第二脉冲可以被供给以导通第二晶体管T2。于是，与前一水平线(前一行)相对应的数据信号Vdata可以被供给到第一节点N1。在这种情况下，第一晶体管T1可以被初始化为第一节点N1的电压(换句话说，第一晶体管T1被提供以偏置电压)。

在第3-2时段P3”期间，三个第一扫描脉冲中的第三脉冲可以被供给以导通第二晶体管T2。在这种情况下，与当前像素PX相对应的数据信号Vdata可以被供给到第一节点N1。于是，与当前像素PX相对应的数据信号Vdata中的被第一晶体管T1的阈值电压降低的电压可以被存储在存储电容器Cst中。

通常，像素PX中包括的驱动晶体管(或第一晶体管T1)可能具有阈值电压被偏移并且电流根据驱动晶体管的栅极电压的变化而被改变的迟滞特性。由于驱动晶体管(或第一晶体管T1)的迟滞特性，与像素PX中设置的电流不同的电流可能根据对应像素PX的前一数据信号Vdata而流动。于是，像素PX在当前帧中不产生具有期望亮度的光。

然而，根据本发明的示例性实施例，当第一扫描脉冲和第三扫描脉冲被供给多次时，第一晶体管T1的栅极电压(和栅源电压)可以被重复地改变。因此，根据前一帧的数据信号Vdata的电压与当前帧的数据信号Vdata的电压之间的差而引起的第一晶体管T1的迟滞的变化可以减小。于是，在亮度的变化大时可能发生的瞬时余像可以被去除或减少。

在第四时段P4中，逻辑低电平的发射控制信号EM[k]的控制脉冲(在下文中，发射控制脉冲)可以被供给到第k发射控制线ELk。当逻辑低电平的发射控制脉冲被供给到第k发射控制线ELk时，第六晶体管T6可以导通。当第六晶体管T6导通时，第一电源ELVDD和第一晶体管T1的第一电极可以电连接。于是，发光二极管LD可以产生具有与从第一晶体管T1提供的电流的量相对应的预定亮度的光。

在根据本发明的示例性实施例的显示装置中，位于单位像素电路中的电流的泄漏路径中的晶体管可以由氧化物半导体晶体管形成。因此，泄漏电流可以被最小化，并且具有期望亮度的图像可以被显示。

此外，在根据本发明的示例性实施例的显示装置中，在单位像素电路中使用的氧化物半导体晶体管的数量可以减少。因此，高分辨率(或高度集成的像素电路)显示装置可以被实现。

尽管已经参考本发明的示例性实施例描述了本发明，但是本领域技术人员将理解，可以在不背离如所附权利要求书所阐述的本发明的精神和范围的情况下对其进行形式和细节上的各种改变。