具体实施方式

在下文中，将参照附图详细地解释本发明构思的示例性实施例。

图1是示出根据公开的示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示装置的框图，图2是示出根据负载数据的目标迁移率数据的示例的图，图3是用于描述目标迁移率存储块(例如，存储器装置)的示例的图，图4是示出用于描述迁移率感测操作的示例的数据驱动器和显示面板的图，图5是用于描述迁移率感测操作的示例的时序图，图6是示出根据温度的驱动晶体管的迁移率的示例的图。

参照图1，根据公开的示例性实施例的OLED显示装置100包括包含多个像素行(例如，PXR1、PXR2、……、PXRN)的显示面板110和驱动显示面板110的面板驱动器120(例如，驱动器电路)。在示例性实施例中，面板驱动器120包括向多个像素行提供第一扫描信号SS1和第二扫描信号SS2的扫描驱动器130(例如，驱动器电路)、向多个像素行提供数据电压DV的数据驱动器140(例如，驱动器电路)、感测多个像素行的驱动晶体管的驱动特性的感测电路160以及控制OLED显示装置100的操作的控制器170(例如，控制电路)。

显示面板110包括均包含多个像素PX的多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN。在示例性实施例中，给定像素行的每个像素PX接收相同的第一扫描信号SS1和相同的第二扫描信号SS2。在实施例中，显示面板110还包括用于传输第一扫描信号SS1的多条第一扫描线(或栅极线)、用于传输第二扫描信号SS2的多条第二扫描线、多条数据线DL以及多条感测线SL。在示例性实施例中，每个像素PX包括有机发光二极管(OLED)，显示面板110是OLED面板。

例如，如图4中所示，每个像素PX包括存储电容器CST、第一开关晶体管ST1、第二开关晶体管ST2、驱动晶体管DT和有机发光二极管EL。第一开关晶体管ST1响应于第一扫描信号SS1而将数据线DL结合到存储电容器CST的第一电极，第二开关晶体管ST2响应于第二扫描信号SS2而将感测线SL结合到存储电容器CST的第二电极。存储电容器CST可以存储通过数据线DL传输的数据电压DV。驱动晶体管DT基于存储在存储电容器CST中的数据电压DV产生驱动电流。有机发光二极管EL基于由驱动晶体管DT产生的驱动电流发光。图4示出了根据发明构思的示例性实施例的OLED显示装置100的像素PX。然而，像素PX不限于图4中示出的示例。例如，像素PX可以包括与图4中示出的晶体管不同数量的晶体管。

扫描驱动器130基于从控制器170接收的扫描控制信号SCTRL产生第一扫描信号SS1和第二扫描信号SS2。扫描驱动器130可以按照像素行将第一扫描信号SS1顺序地提供给多个像素PX，并且可以按照像素行将第二扫描信号SS2顺序地提供给多个像素PX。在一些示例性实施例中，扫描控制信号SCTRL包括扫描起始信号和扫描时钟信号，但不限于此。在一些示例性实施例中，扫描驱动器130可以集成或形成在显示面板110的外围区域中。在其他示例性实施例中，扫描驱动器130可以用一个或更多个集成电路来实现。

数据驱动器140基于从控制器170接收的输出图像数据ODAT和数据控制信号DCTRL产生数据电压DV，并且将数据电压DV提供给多个像素PX。在一些示例性实施例中，数据控制信号DCTRL包括水平起始信号和负载信号，但不限于此。在示例性实施例中，数据驱动器140包括将数据电压DV输出到数据线DL的输出缓冲器电路150。在一些示例性实施例中，输出缓冲器电路150在帧时段的有效时段中通过数据线DL将数据电压DV顺序地提供给多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN，并且在帧时段的垂直空白时段或感测时段中通过数据线DL和感测线SL将用于迁移率感测操作的参考电压VREF提供给多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN中的选择的像素行。在一些示例性实施例中，数据驱动器140可以用一个或更多个集成电路来实现。在其他示例性实施例中，数据驱动器140和控制器170可以用单个集成电路来实现，该单个集成电路可以被称为时序控制器嵌入式数据驱动器(TED)。

感测电路160通过多条感测线SL从多个像素PX接收感测电压SV，并且产生与感测电压SV对应的感测数据。在一些示例性实施例中，感测数据包括与多个像素PX的驱动晶体管DT的迁移率值对应的迁移率感测数据MSD。此外，在一些示例性实施例中，感测数据还包括代表多个像素PX的驱动晶体管DT的阈值电压值的阈值电压感测数据。例如，如图4中所示，对于每个通道CH，感测电路160包括结合到通道CH的感测电容器SC以及用于将感测电压SV转换为感测数据的模数转换器ADC。然而，感测电路160不限于图4中描绘的方式。在一些示例性实施例中，如图1中所示，感测电路160被包括在数据驱动器140中。然而，感测电路160的位置不限于图1的示例。例如，感测电路160可以用单独的集成电路来实现，或者可以被包括在控制器170中。

控制器170(例如，时序控制器(TCON))接收输入图像数据IDAT和控制信号CTRL。可以从外部主机(例如，图形处理单元(GPU)、图形卡等)接收输入图像数据IDAT和控制信号CTRL。在一些示例性实施例中，控制信号CTRL包括垂直同步信号、水平同步信号、输入数据使能信号和主时钟信号，但不限于此。控制器170基于输入图像数据IDAT和控制信号CTRL产生输出图像数据ODAT、数据控制信号DCTRL和扫描控制信号SCTRL。控制器170可以通过将输出图像数据ODAT和数据控制信号DCTRL提供给数据驱动器140来控制数据驱动器140的操作，并且可以通过将扫描控制信号SCTRL提供给扫描驱动器130来控制扫描驱动器130的操作。

在根据公开的示例性实施例的OLED显示装置100中，面板驱动器120从多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN中选择一个像素行，基于选择的一个像素行的输入图像数据IDAT确定负载数据，确定与负载数据对应的目标迁移率数据TMD，通过对选择的一个像素行执行迁移率感测操作来产生迁移率感测数据MSD，将迁移率感测数据MSD和目标迁移率数据TMD进行比较，并且可以基于比较的结果调整流过显示面板110的面板电流。在示例性实施例中，面板电流是由于接收第一电源电压ELVDD的线和接收第二电源电压ELVSS的线而在对应的像素PX中流动的驱动电流的总和。然而，面板电流不限于总和，并且可以以另一方式进行计算。因此，在根据公开的示例性实施例的OLED显示装置100中，面板驱动器120通过使用迁移率感测数据MSD来控制面板电流，而无需用于感测面板电流的串联电阻器。在公开的示例性实施例中，面板驱动器120还包括目标迁移率确定块180(例如，确定电路)和电流控制块190(例如，电流控制电路)。在一些示例性实施例中，如图1中所示，目标迁移率确定块180和电流控制块190被包括在控制器170中，但目标迁移率确定块180和电流控制块190的位置不限于图1的示例。

在实施例中，目标迁移率确定块180从多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN中选择将要对其执行迁移率感测操作的一个像素行。在一些示例性实施例中，如以下参照图7和图8所述，目标迁移率确定块180基于多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的输入图像数据IDAT计算多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的多个像素行负载数据，并且选择具有多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的多个像素行负载数据之中的最大像素行负载数据的一个像素行。在其他示例性实施例中，如以下参照图9和图10所述，目标迁移率确定块180选择多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN之中的最上面的像素行PXR1或最下面的像素行PXRN。在其他示例性实施例中，如以下参照图11和图12所述，目标迁移率确定块180顺序地选择多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN，使得每帧时段改变对所述一个像素行的选择。例如，第一像素行PXR1可以是在第一帧时段期间被选择的像素行，第二像素行PXR2可以是在第二帧时段期间被选择的像素行等等。

在实施例中，目标迁移率确定块180基于选择的一个像素行的输入图像数据IDAT确定负载数据。在一些示例性实施例中，目标迁移率确定块180通过将选择的一个像素行的输入图像数据IDAT除以选择的一个像素行的最大图像数据来计算负载数据。例如，负载数据可以通过将包括在一个像素行的输入图像数据IDAT中的像素数据的平均值或总和除以包括在最大图像数据中的像素数据的平均值或总和来计算。这里，最大图像数据可以是包括具有最大灰度级(例如，255灰度级)的像素数据的行图像数据(或一个像素行的图像数据)。例如，在选择的一个像素行的输入图像数据IDAT的所有像素数据代表最大灰度级的情况下，目标迁移率确定块180产生代表大约100％或恰好100％的负载数据。在另一示例中，在选择的一个像素行的输入图像数据IDAT的所有像素数据代表中间灰度级(例如，128灰度级)的情况下，目标迁移率确定块180产生代表大约50％或恰好50％的负载数据。在又一示例中，在选择的一个像素行的输入图像数据IDAT的像素数据的一半表示最大灰度级并且选择的一个像素行的输入图像数据IDAT的像素数据的剩余一半代表最小灰度级(例如，0灰度级)的情况下，目标迁移率确定块180产生代表大约50％或恰好50％的负载数据。在示例性实施例中，将给定像素行的每个像素PX的灰度级相加在一起以产生总和，将总和除以给定像素行中的像素PX的数量以产生平均值，并且将平均值除以最大灰度级以产生给定像素行的负载数据。

目标迁移率确定块180确定与负载数据对应的目标迁移率数据TMD。在一些示例性实施例中，如图2中所示，在负载数据小于参考负载数据RLD(例如，代表大约30％)的情况下，目标迁移率确定块180使目标迁移率数据TMD随着负载数据增大而增大。在示例性实施例中，在负载数据大于或等于参考负载数据RLD的情况下，目标迁移率确定块180将目标迁移率数据TMD设定为与参考负载数据RLD对应的最大目标迁移率数据MTMD。在这种情况下，因为目标迁移率数据TMD被限制为最大目标迁移率数据MTMD，所以不过度地增大流过显示面板110的面板电流，并且可以降低OLED显示装置100的功耗。

在一些示例性实施例中，如图1和图3中所示，目标迁移率确定块180包括存储多个目标迁移率值TMD1、TMD2、TMD3、TMD4和TMD5的目标迁移率存储块185(例如，存储器装置)，多个目标迁移率值TMD1、TMD2、TMD3、TMD4和TMD5分别与例如大约1％、大约5％、大约10％、大约20％和大约30％的多个负载值对应。目标迁移率确定块180可以通过使用目标迁移率存储块185来确定与负载数据对应的目标迁移率数据TMD。例如，在负载数据代表大约10％的负载值的情况下，目标迁移率确定块180可以从目标迁移率存储块185获得与大约10％的负载值对应的目标迁移率值TMD3，并且可以产生具有目标迁移率值TMD3的目标迁移率数据TMD。此外，在一些示例性实施例中，目标迁移率确定块180确定多个负载值之中的与由负载数据代表的负载值相邻的两个负载值，从目标迁移率存储块185获得多个目标迁移率值TMD1、TMD2、TMD3、TMD4和TMD5之中的与所述两个负载值对应的两个目标迁移率值，并且从所述两个目标迁移率值插值出目标迁移率数据TMD。例如，在负载数据代表大约15％的负载值的情况下，目标迁移率确定块180从目标迁移率存储块185获得与大约10％和大约20％的两个负载值对应的两个目标迁移率值TMD2和TMD3，从两个目标迁移率值TMD2和TMD3线性地插值出插值的目标迁移率值，并且产生具有线性插值的目标迁移率值的目标迁移率数据TMD。此外，在一些示例性实施例中，可以执行将老化信号(例如，包括扫描信号SS1和SS2以及数据电压DV)提供给显示面板110以使多个像素PX能够发光的老化工艺，从而在OLED显示装置100被出售之前改善OLED显示装置100的稳定性和可靠性，存储在目标迁移率存储块185中的多个目标迁移率值TMD1、TMD2、TMD3、TMD4和TMD5可以是通过在执行显示面板110的老化工艺之前使用感测电路160测量的包括在任何一个像素行中的驱动晶体管DT的迁移率值(例如，迁移率值的平均值或总和)。因此，存储在目标迁移率存储块185中的多个目标迁移率值TMD1、TMD2、TMD3、TMD4和TMD5可以与驱动晶体管DT的初始迁移率特性对应，但不限于此。

在实施例中，感测电路160通过对选择的一个像素行执行迁移率感测操作来产生与包括在选择的一个像素行中的多个像素PX的驱动晶体管DT的迁移率值(例如，迁移率值的平均值或总和)对应的迁移率感测数据MSD。例如，如图4和图5中所示，对于每个通道CH，数据驱动器140还可以包括用于将输出缓冲器电路150和通道CH选择性地结合的第一开关SW1、用于将感测电路160和通道CH选择性地结合的第二开关SW2、用于将通道CH和数据线DL选择性地结合的第三开关SW3、用于将通道CH和感测线SL选择性地结合的第四开关SW4以及用于将感测线SL和第二参考电压VREF2的线选择性地结合第五开关SW5。为了对包括在选择的一个像素行中的每个像素PX执行迁移率感测操作，数据驱动器140可以分别将第一参考电压VREF1和第二参考电压VREF2提供给存储电容器CST的第一电极和第二电极作为参考电压VREF，并且可以通过使用感测电路160在期望或预定的感测时间ST期间检测感测线SL的电压V_SL的变化或感测电压SV的变化。

例如，如图5中所示，可以在每个帧时段的感测时段SP中执行针对选择的一个像素行的迁移率感测操作。在一些示例性实施例中，每个帧时段的感测时段SP与有效时段之间的垂直空白时段VBP对应。在实施例中，感测时段SP包括第一时段P1、第二时段P2和第三时段P3，参考电压VREF在第一时段P1中被施加到包括在选择的一个像素行中的多个像素PX，多个像素PX在第二时段P2中通过多条感测线SL结合到感测电路160，第三时段P3包括感测时间ST，在感测时间ST中感测多个像素PX的驱动晶体管DT的迁移率特性。在实施例中，第三时段P3比第一时段P1或第二时段P2长。在实施例中，第三时段P3比第一时段P1和第二时段P2的总和长。

在第一时段P1中，第一开关SW1接通，第二开关SW2关断，第三开关SW3接通，第四开关SW4关断，第五开关SW5接通。因此，每个通道CH可以结合到输出缓冲器电路150和数据线DL，第二参考电压VREF2可以被施加到感测线SL。此外，可以施加具有导通电平的第一扫描信号SS1，可以施加具有导通电平的第二扫描信号SS2，输出缓冲器电路150可以将第一参考电压VREF1作为数据线DL的电压DL_V进行输出。因此，第一开关晶体管ST1导通，第一参考电压VREF1被施加到存储电容器CST的第一电极。此外，第二开关晶体管ST2导通，第二参考电压VREF2被施加到存储电容器CST的第二电极。因此，存储电容器CST将第一参考电压VREF1与第二参考电压VREF2之间的电压差作为参考电压VREF进行存储。

在第二时段P2中，第一开关SW1关断，第二开关SW2接通，第三开关SW3关断，第四开关SW4接通，第五开关SW5保持在接通状态下。因此，每个通道CH可以结合到感测电路160和感测线SL。

在第三时段P3中，第五开关SW5关断。因此，第二参考电压VREF2不被施加到感测线SL，并且基于存储在存储电容器CST中的第一参考电压VREF1与第二参考电压VREF2之间的电压差，感测线SL的电压V_SL或感测电压SV通过导通的驱动晶体管DT从初始电压V0逐渐增大为第二电压V2。在实施例中，初始电压V0与第二参考电压VREF2对应，第二电压V2是比第一参考电压VREF1低的电压。在示例中，第一参考电压VREF1为大约5V，第二参考电压VREF2为大约2V。然而，第一参考电压VREF1和第二参考电压VREF2不限于这些值。感测电路160可以在感测时间ST期间检测感测线SL的电压V_SL的变化或感测电压SV的变化。例如，感测电路160可以在第一时间点T1测量第一电压V1作为感测线SL的电压V_SL，可以在自第一时间点T1起的感测时间ST之后的第二时间点T2测量第二电压V2作为感测线SL的电压V_SL，并且可以基于感测电压SV的变化或第一电压V1与第二电压V2之间的电压差来产生迁移率感测数据MSD。在一些示例性实施例中，感测电路160通过使用下面的等式1来产生迁移率感测数据MSD，I＝C×(V2-V1)/(T2-T1)(等式1)。

在等式1中，V1是第一电压，V2是第二电压，T1是第一时间点，T2是第二时间点，C是感测电容器SC的电容(以及感测线SL的寄生电容器)，I是感测线SL的电流。感测线SL的电流I可以与驱动晶体管DT的迁移率对应，因此，感测电路160可以产生代表使用以上等式1计算出的感测线SL的电流I的迁移率感测数据MSD。

在示例性实施例中，在每个帧时段的感测时段SP中，面板驱动器120将参考电压VREF施加到包括在选择的一个像素行中的多个像素PX，通过使用感测电路160在感测时段SP内的感测时间ST期间检测结合到多个像素PX的多条感测线SL的感测电压变化，并且基于感测电压变化产生迁移率感测数据MSD。尽管图4示出了显示面板110的每个像素PX和执行迁移率感测操作的数据驱动器140的示例，但根据示例性实施例的数据驱动器140和像素PX的配置不限于图4的示例。此外，尽管图5示出了用于描述迁移率感测操作的开关、信号和电压的时序的示例，但根据示例性实施例的OLED显示装置100的迁移率感测操作不限于图5的示例。

再次参照图1，电流控制块190将迁移率感测数据MSD和目标迁移率数据TMD进行比较，并且可以根据迁移率感测数据MSD和目标迁移率数据TMD的比较的结果来调整流过显示面板110的面板电流。在示例性实施例中，电流控制块190在迁移率感测数据MSD大于目标迁移率数据TMD时减小面板电流，并且在迁移率感测数据MSD小于目标迁移率数据TMD时增大面板电流。在一些示例性实施例中，在迁移率感测数据MSD大于目标迁移率数据TMD的情况下，电流控制块190可以通过减小多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的输入图像数据IDAT来产生向数据驱动器140提供的输出图像数据ODAT，使得施加到多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的数据电压DV减小。例如，电流控制块190可以通过将包括在输入图像数据IDAT中的像素数据乘以小于1的系数来产生输出图像数据ODAT。例如，系数可以为大于0且小于1的值。因此，可以基于通过使输入图像数据IDAT减小而产生的输出图像数据ODAT使施加到多个像素PX的数据电压DV减小，可以基于减小的数据电压DV而使多个像素PX的驱动晶体管DT的驱动电流或者面板电流减小。此外，在迁移率感测数据MSD小于目标迁移率数据TMD的情况下，电流控制块190可以通过增大多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的输入图像数据IDAT来产生向数据驱动器140提供的输出图像数据ODAT，使得施加到多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的数据电压DV增大。例如，电流控制块190可以通过将包括在输入图像数据IDAT中的像素数据乘以大于1的系数来产生输出图像数据ODAT。因此，可以基于通过使输入图像数据IDAT增大而产生的输出图像数据ODAT使施加到多个像素PX的数据电压DV增大，可以基于增大的数据电压DV而使多个像素PX的驱动晶体管DT的驱动电流或者面板电流增大。

如果显示面板110的温度增大，则显示面板110的亮度或面板电流可能增大。此外，如果显示面板110的亮度或面板电流增大，则显示面板110的温度可能增大。因此，显示面板110的亮度或面板电流可以与显示面板110的温度成比例。图6示出了根据显示面板110的(以对数标尺的)温度的每个驱动晶体管DT的(以对数标尺的)迁移率的示例。如图6(例如，图6的左半部分)中所示，在具有相对低的温度的杂质散射区200中，驱动晶体管DT的迁移率随着显示面板110的温度增大而增大。因此，不仅面板电流而且驱动晶体管DT的迁移率可以与显示面板110的温度成比例，因此，驱动晶体管DT的迁移率可以与面板电流和面板温度成比例。因此，在根据公开的示例性实施例的OLED显示装置100中，即使不使用结合到显示面板110的串联电阻器来直接感测当前的面板电流，也可以从代表驱动晶体管DT的迁移率的迁移率感测数据MSD推断当前的面板电流。此外，为了使与当前的面板电流对应的迁移率感测数据MSD能够变成与目标面板电流对应的目标迁移率数据TMD，OLED显示装置100可以通过调整数据电压DV来调整面板电流。因此，OLED显示装置100可以控制面板电流相对于基本相同的负载数据而基本恒定。因此，OLED显示装置100可以执行恒定电流控制操作，而无需串联电阻器。然而，如图6(例如，图6的右半部分)中所示，在具有相对高的温度的晶格散射区域中，驱动晶体管DT的迁移率随着显示面板110的温度增大而减小。在公开的示例性实施例中，在显示面板110的驱动晶体管DT具有晶格散射区域中的迁移率特性的情况下，面板驱动器120在迁移率感测数据MSD大于目标迁移率数据TMD时增大面板电流，并且在迁移率感测数据MSD小于目标迁移率数据TMD时减小面板电流。

可以通过使用结合到显示面板110的串联电阻器感测当前的面板电流来执行恒定电流控制操作。可以通过将当前面板电流和恒定的目标面板电流进行比较来控制面板电流。然而，在这种情况下，需要具有高电阻的串联电阻器来感测面板电流，因此，会增加制造OLED显示装置的成本。此外，OLED显示装置的功耗会因串联电阻器而增加。然而，如上所述，在根据公开的示例性实施例的OLED显示装置100中，通过使用迁移率感测数据MSD来控制面板电流，而无需用于感测面板电流的串联晶体管，因此，可以降低OLED显示装置100的成本和功耗。

在公开的示例性实施例中，面板驱动器120还包括过电流保护电路195，过电流保护电路195用于检测显示面板110的过电流并且用于使OLED显示装置100的操作停止。在实施例中，当迁移率感测数据MSD在与关闭参考时间对应的多个帧时段(例如，60个帧时段)期间大于目标迁移率数据TMD达到多于关闭参考量那么多的情况下，过电流保护电路195确定在显示面板110中出现过电流，并且停止OLED显示装置100的操作。例如，如果过电流保护电路195确定迁移率感测数据MSD在一定数量的帧时段内超过目标量达到多于参考量那么多，则电流控制块190、控制器170或面板驱动器120可以执行操作以减小过电流。例如，操作可以包括：控制器170不再输出输出图像数据ODAT；控制器170提供扫描控制信号SCTRL，扫描控制信号SCTRL通知扫描驱动器130不激活任何扫描信号；或者面板驱动器120阻止到数据驱动器140、扫描驱动器130和/或显示面板110的电力。在一些示例性实施例中，如图1中所示，过电流保护电路195可以被包括在控制器170或电流控制块190中，但过电流保护电路195的位置不限于图1的示例。

当串联电阻器被包括在OLED显示装置中时，在使用串联电阻器感测的当前的面板电流大于恒定而与负载数据无关的参考面板电流时确定出现过电流。然而，当在负载数据代表低负载的情况下使用串联电阻器时，可能无法检测到过电流。然而，在根据公开的示例性实施例的OLED显示装置100中，因为通过使用迁移率感测数据MSD和与负载数据对应的目标迁移率数据TMD来检测过电流，所以即使负载数据代表低负载，也可以准确地检测到过电流。

如上所述，在根据公开的示例性实施例的OLED显示装置100中，面板驱动器120从多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN中选择一个像素行，基于选择的一个像素行的输入图像数据IDAT确定负载数据，确定与负载数据对应的目标迁移率数据TMD，通过对选择的一个像素行执行迁移率感测操作来产生迁移率感测数据MSD，并且通过将迁移率感测数据MSD和目标迁移率数据TMD进行比较来调整面板电流。因此，在根据公开的示例性实施例的OLED显示装置100中，面板驱动器120通过使用迁移率感测数据MSD来控制面板电流，而无需用于感测面板电流的串联电阻器，因此，可以降低OLED显示装置100的成本和功耗。此外，在根据公开的示例性实施例的OLED显示装置100中，面板驱动器120通过使用迁移率感测数据MSD来执行过电流保护操作。因此，在根据公开的示例性实施例的OLED显示装置100中，即使负载数据代表低负载，也可以正常地执行过电流保护操作。

图7是示出根据公开的示例性实施例的操作OLED显示装置的方法的流程图，图8是用于描述在图7的方法中选择对其执行迁移率感测操作的一个像素行的示例的图。

参照图1和图7，在操作包括具有多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的显示面板110的OLED显示装置100的方法中，目标迁移率确定块180从多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN中选择一个像素行(S310)。在示例性实施例中，目标迁移率确定块180基于多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的输入图像数据IDAT计算多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的多个像素行负载数据(S320)，并且选择具有多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的多个像素行负载数据之中的最大像素行负载数据的一个像素行(S330)。例如，目标迁移率确定块180可以从仅第一像素行PXR1的输入图像数据计算第一像素行PXR1的第一负载值，从仅第二像素行PXR2的输入图像数据计算第二像素行PXR2的第二负载值，并且如果第一负载值比第二负载值以及针对剩余像素行计算的其他负载值高，则目标迁移率确定块180可以选择第一像素行PXR1。

例如，如图8中所示，与一个帧时段对应的输入图像数据IDAT可以包括多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的多个行图像数据LIDAT1、LIDAT2、……、LIDATN，目标迁移率确定块180可以分别基于多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的多个行图像数据LIDAT1、LIDAT2、……、LIDATN计算多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的多个像素行负载数据PXRLOAD1、PXRLOAD2、……、PXRLOADN。例如，目标迁移率确定块180可以通过将包括在对应的行图像数据(例如，LIDAT1)中的像素数据的平均值或总和除以一个像素行的最大图像数据或最大行图像数据的平均值或总和来计算每个像素行负载数据(例如，PXRLOAD1)。此外，目标迁移率确定块180可以确定多个像素行负载数据PXRLOAD1、PXRLOAD2、……、PXRLOADN之中的最大像素行负载数据，并且可以选择具有多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN之中的最大像素行负载数据的一个像素行。

目标迁移率确定块180可以基于选择的一个像素行的输入图像数据IDAT确定负载数据(S340)。例如，因为选择了具有最大像素行负载数据的一个像素行，所以目标迁移率确定块180可以将多个像素行负载数据PXRLOAD1、PXRLOAD2、……、PXRLOADN之中的最大像素行负载数据确定为负载数据。

目标迁移率确定块180确定与负载数据对应的目标迁移率数据TMD(S350)。在示例性实施例中，在负载数据小于参考负载数据(例如，图2中的RLD)的情况下，由目标迁移率确定块180确定的目标迁移率数据TMD随着负载数据的增大而增大，并且在负载数据大于或等于参考负载数据的情况下，由目标迁移率确定块180确定的目标迁移率数据TMD被确定为与参考负载数据对应的最大目标迁移率数据(例如，图2中的MTMD)。

感测电路160通过对选择的一个像素行执行迁移率感测操作来产生与包括在选择的一个像素行中的多个像素的驱动晶体管的迁移率值对应的迁移率感测数据MSD(S360)。

电流控制块190将迁移率感测数据MSD和目标迁移率数据TMD进行比较(S370)，并且可以根据迁移率感测数据MSD和目标迁移率数据TMD的比较的结果来调整流过显示面板110的面板电流(S380)。在公开的示例性实施例中，电流控制块190在迁移率感测数据MSD大于目标迁移率数据TMD时减小面板电流，电流控制块190在迁移率感测数据MSD小于目标迁移率数据TMD时增大面板电流。例如，为了减小面板电流，电流控制块190可以通过减小输入图像数据IDAT的幅值来产生输出图像数据ODAT，施加到多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的数据电压DV基于输出图像数据ODAT而减小。此外，为了增大面板电流，电流控制块190可以通过增大输入图像数据IDAT的幅值来产生输出图像数据ODAT，施加到多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的数据电压DV可以基于输出图像数据ODAT而增大。因此，在根据公开的示例性实施例的操作OLED显示装置100的方法中，可以通过使用迁移率感测数据MSD来控制面板电流，而无需用于感测面板电流的串联晶体管，因此，可以降低OLED显示装置100的成本和功耗。

图9是示出根据公开的示例性实施例的操作OLED显示装置的方法的流程图，图10是用于描述在图9的方法中选择对其执行迁移率感测操作的一个像素行的示例的图。

参照图1和图9，在操作包括具有多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的显示面板110的OLED显示装置100的方法中，目标迁移率确定块180从多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN中选择最上面的像素行PXR1(或最下面的像素行PXRN)(S410)。在一些示例性实施例中，如图10中所示，显示面板110包括具有网格结构的电力布线115，以将第一电源电压ELVDD(例如，高电源电压)提供给多个像素PX。电力布线115在上部和/或下部被供应有第一电源电压ELVDD。因此，与电力布线115的上部(或下部)对应定位的最上面的像素行PXR1(或最下面的像素行PXRN)的温度变化和/或面板电流变化会大于其他像素行(例如，PXR2、……、等)的温度变化和/或面板电流变化。因此，目标迁移率确定块180可以将具有最大温度变化和/或最大面板电流变化的最上面的像素行PXR1(或最下面的像素行PXRN)选择为将要对其执行迁移率感测操作的一个像素行。

目标迁移率确定块180基于最上面的像素行PXR1(或最下面的像素行PXRN)的输入图像数据IDAT确定负载数据(S440)，并且确定与负载数据对应的目标迁移率数据TMD(S450)。感测电路160通过对最上面的像素行PXR1(或最下面的像素行PXRN)执行迁移率感测操作来产生迁移率感测数据MSD(S460)。电流控制块190将迁移率感测数据MSD和目标迁移率数据TMD进行比较(S470)，并且可以根据迁移率感测数据MSD和目标迁移率数据TMD的比较的结果来调整流过显示面板110的面板电流(S480)。因此，在根据公开的示例性实施例的操作OLED显示装置100的方法中，可以通过使用迁移率感测数据MSD来控制面板电流，而无需用于感测面板电流的串联电阻器，因此，可以降低OLED显示装置100的成本和功耗。

图11是示出根据公开的示例性实施例的操作OLED显示装置的方法的流程图，图12是用于描述在图11的方法中选择对其执行迁移率感测操作的一个像素行的示例的图。

参照图1和图11，在操作包括具有多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的显示面板110的OLED显示装置100的方法中，目标迁移率确定块180顺序地选择多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN，使得每帧时段改变对将要对其执行迁移率感测操作的一个像素行的选择(S510)。例如，如图12中所示，每个帧时段FP1、FP2、……、FPN可以包括垂直空白时段VBP和有效时段AP，面板驱动器120可以在与垂直空白时段VBP对应的感测时段SP期间对一个像素行执行迁移率感测操作。在实施例中，显示面板110的所有像素行在单个帧时段期间顺序地接收对应的数据电压。例如，在帧时段的部分期间，只有一些像素行接收数据电压。在实施例中，给定像素行在帧时段的有效时段AP期间接收数据电压，并且在帧时段的垂直空白时段VBP期间不接收数据电压。此外，面板驱动器120可以在第一帧时段FP1的感测时段SP中对第一像素行PXR1执行迁移率感测操作，并且可以在第二帧时段FP2的感测时段SP中对第二像素行PXR2执行迁移率感测操作。以这种方式，面板驱动器120可以在第N帧时段FPN的感测时段SP中对第N像素行PXRN执行迁移率感测操作，其中，N为大于1的整数。因此，目标迁移率确定块180可以分别在N个帧时段FP1、FP2、……、FPN中选择N个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN。在第N+1帧时段中，可以再次选择第一像素行PXR1。

目标迁移率确定块180基于选择的一个像素行的输入图像数据IDAT确定负载数据(S540)，并且确定与负载数据对应的目标迁移率数据TMD(S550)。感测电路160通过对选择的一个像素行执行迁移率感测操作来产生迁移率感测数据MSD(S560)。电流控制块190对迁移率感测数据MSD和目标迁移率数据TMD进行比较(S570)，并且可以根据迁移率感测数据MSD和目标迁移率数据TMD的比较的结果来调整流过显示面板110的面板电流(S580)。在示例性实施例中，基于每个帧时段(例如，FP1)中的比较的结果，电流控制块190调整下一帧时段(例如，FP2)中的面板电流。例如，先前帧时段的比较的结果可以用于调整下一帧时段中的面板电流。在示例性实施例中，基于N个帧时段FP1、FP2、……、FPN中的比较的结果的总和，电流控制块190调整下一个帧时段或第N+1帧时段中的面板电流。例如，如果N＝2(即，基于两个帧时段中的比较的结果的总和)，则在第一帧时段FP1期间针对第一像素行PXR1执行第一比较，在第二帧时段FP2期间针对第二像素行PXR2执行第二比较，并且将第一比较和第二比较的结果的总和用于在第三帧时段期间调整面板电流。此外，基于第二帧时段FP2至第N+1帧时段中的比较的结果的总和，电流控制块190可以在第N+2帧时段中调整面板电流。例如，如果N保持为2，则在第三帧时段期间针对第三像素行执行第三比较，并且将第二比较和第三比较的结果的总和用于在第四帧时段期间调整面板电流。因此，在根据示例性实施例的操作OLED显示装置100的方法中，可以通过使用迁移率感测数据MSD来控制面板电流，而无需用于感测面板电流的串联晶体管，因此，可以降低OLED显示装置100的成本和功耗。

图13是示出根据公开的示例性实施例的操作OLED显示装置的方法的流程图。

参照图1和图13，在操作包括具有多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN的显示面板110的OLED显示装置100的方法中，目标迁移率确定块180从多个像素行PXR1、PXR2、……、PXRN中选择将要对其执行迁移率感测操作的一个像素行(S610)，基于选择的一个像素行的输入图像数据IDAT确定负载数据(S640)，并且确定与负载数据对应的目标迁移率数据TMD(S650)。感测电路160通过对选择的一个像素行执行迁移率感测操作来产生迁移率感测数据MSD(S660)。电流控制块190将迁移率感测数据MSD和目标迁移率数据TMD进行比较(S670)。根据迁移率感测数据MSD与目标迁移率数据TMD之间的差是否满足关闭参考时间和关闭参考量，包括在电流控制块190中的过电流保护电路195选择性地停止OLED显示装置100的操作(S680和S685)。例如，如果所述差在特定时间量内处于特定范围内，则停止OLED显示装置100的操作。在迁移率感测数据MSD与目标迁移率数据TMD之间的差不满足关闭参考时间和关闭参考量的情况下(S680：否)，不停止OLED显示装置100的操作。电流控制块190根据迁移率感测数据MSD和目标迁移率数据TMD的比较的结果来调整流过显示面板110的面板电流(S690)。

在迁移率感测数据MSD与目标迁移率数据TMD之间的差满足关闭参考时间和关闭参考量的情况下(S680：是)或者在迁移率感测数据MSD在与关闭参考时间对应的多个帧时段(例如，60个帧时段)期间大于目标迁移率数据TMD达到多于关闭参考量那么多的情况下，过电流保护电路195确定在显示面板110中出现过电流，并且停止OLED显示装置100的操作(S685)。因此，在根据公开的示例性实施例的OLED显示装置100中，因为通过使用迁移率感测数据MSD来检测过电流，所以即使负载数据代表低负载，也可以准确地检测过电流，也可以正常地执行过电流保护电路195的过电流保护操作。

图14是示出根据公开的示例性实施例的包括OLED显示装置的电子装置的框图。

参照图14，电子装置1100包括处理器1110、存储器装置1120、存储装置1130、输入/输出(I/O)装置1140、电源1150和OLED显示装置1160。电子装置1100还可以包括用于与视频卡、声卡、存储器卡、通用串行总线(USB)装置、其他电气装置等通信的多个端口。

处理器1110可以执行各种计算功能或任务。处理器1110可以是应用处理器(AP)、微处理器、中央处理单元(CPU)等。处理器1110可以经由地址总线、控制总线、数据总线等结合到其他组件。此外，在一些示例性实施例中，处理器1110还可以结合到诸如外围组件互连(PCI)总线的扩展总线。

存储器装置1120可以存储用于电子装置1100的操作的数据。例如，存储器装置1120可以包括至少一个非易失性存储器装置(诸如，可擦除可编程只读存储器(EPROM)装置、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)装置、闪存装置、相变随机存取存储器(PRAM)装置、电阻式随机存取存储器(RRAM)装置、纳米浮栅存储器(NFGM)装置、聚合物随机存取存储器(PoRAM)装置、磁性随机存取存储器(MRAM)装置、铁电随机存取存储器(FRAM)装置等)和/或至少一个易失性存储器装置(诸如，动态随机存取存储器(DRAM)装置、静态随机存取存储器(SRAM)装置、移动动态随机存取存储器(移动DRAM)装置等)。

存储装置1130可以是固态驱动器(SSD)装置、硬盘驱动器(HDD)装置、CD-ROM装置等。I/O装置1140可以是输入装置(诸如，键盘、键区、鼠标、触摸屏等)和输出装置(诸如，打印机、扬声器等)。电源1150可以为电子装置1100的操作供电。OLED显示装置1160可以通过总线或其他通信链路结合到其他组件。

在根据公开的示例性实施例的OLED显示装置1160中，从多个像素行中选择一个像素行，基于选择的一个像素行的输入图像数据确定负载数据，确定与负载数据对应的目标迁移率数据，通过对选择的一个像素行执行迁移率感测操作来产生迁移率感测数据，并且可以通过将迁移率感测数据和目标迁移率数据进行比较来调整面板电流。因此，OLED显示装置1160可以通过使用迁移率感测数据来控制面板电流，而无需用于感测面板电流的串联电阻器，因此，可以降低OLED显示装置1160的成本和功耗。此外，在一些示例性实施例中，OLED显示装置1160可以通过使用迁移率感测数据来执行过电流保护操作。

发明构思可以被应用于包括OLED显示装置1160的任何电子装置1100。例如，发明构思可以被应用于电视机(TV)、数字TV、3D TV、智能电话、可穿戴电子装置、平板计算机、移动电话、个人计算机(PC)、家用电器、膝上型计算机、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、数码相机、音乐播放器、便携式游戏控制器、导航装置等。

尽管已经描述一些示例性实施例，但本领技术人员将容易理解的是，在实质上不脱离本发明构思的情况下，许多修改在示例性实施例中是可能的。因此，所有这样的修改意图被包括在本发明构思的范围内。