一种防击穿离子源放电装置
阅读说明：本技术 一种防击穿离子源放电装置 (Breakdown-preventing ion source discharge device ) 是由 张瑶瑶 胡冬冬 张军 李娜 刘海洋 程实然 郭颂 许开东 于 2020-05-22 设计创作，主要内容包括：本发明提出了一种防击穿离子源放电装置,包括放电室、线圈支撑、上绝缘固定块、放电构件和离子源腔室,放电构件包括一射频线圈、下导电连接件和上导电连接件；射频线圈固定在线圈支座上；线圈支座卡设在离子源腔室的底部内壁上；线圈支撑沿线圈支座的周向设置；射频线圈穿过线圈支撑；上导电连接件自射频线圈的外部,依次绕过射频线圈和线圈支座,并自线圈支座的底部伸入放电室底部；上绝缘固定块套设在上导电连接件上并固定在离子源腔室的底部内壁上。本发明通过增大上导电连接件和放电室底部的距离、下导电连接件和放电室底部的距离,解决了放电室被击穿的现象。(The invention provides a breakdown-preventing ion source discharge device which comprises a discharge chamber, a coil support, an upper insulation fixing block, a discharge component and an ion source chamber, wherein the discharge component comprises a radio frequency coil, a lower conductive connecting piece and an upper conductive connecting piece; the radio frequency coil is fixed on the coil support; the coil support is clamped on the inner wall of the bottom of the ion source chamber; the coil support is arranged along the circumference of the coil support; the radio frequency coil passes through the coil support; the upper conductive connecting piece bypasses the radio frequency coil and the coil support in sequence from the outside of the radio frequency coil and extends into the bottom of the discharge chamber from the bottom of the coil support; the upper insulation fixing block is sleeved on the upper conductive connecting piece and fixed on the inner wall of the bottom of the ion source cavity. The invention solves the problem that the discharge chamber is punctured by increasing the distance between the upper conductive connecting piece and the bottom of the discharge chamber and the distance between the lower conductive connecting piece and the bottom of the discharge chamber.)
技术领域
本发明属于机械加工设备领域，尤其涉及一种防击穿离子源放电装置。
背景技术
离子源装置是使中性原子或分子电离，并从中引出离子束流的装置，离子束流因其轨迹控制准确、电离效率高、束流均匀性好、能量调节范围宽，与反应气体兼容等优点，广泛应用于离子束刻蚀，其性能优劣对离子注入的效果有至关重要的影响。RF离子源装置的工作原理是利用射频电源将气体电离，在放电腔室内形成等离子体；多孔栅极产生加速电场，离子经加速电场引出、加速后，经中和器中和，形成等离子束。KRI所生产的RF离子源装置内，在上射频柱8与射频线圈3之间，分别采用长铜片进行电连接；在下射频柱9与射频线圈3之间，采用短铜片4进行电连接。由于铜片较薄，且无固定，长铜片和短铜片自然垂于放电室1的下方（见图1），使得放电室与铜片之间的距离无法控制，当两者之间距离较近时，在电场的长期作用下，会导致放电腔被击穿，增加了生产成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种防击穿离子源放电装置，以防止放电腔被击穿。为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种防击穿离子源放电装置，包括放电室，所述放电室外套设一离子源腔室；所述放电室和所述离子源腔室之间围成用于放置放电构件的区域；
所述放电构件包括一射频线圈、下导电连接件和上导电连接件；
所述射频线圈套设在所述放电室外；所述射频线圈固定在线圈支座上；
所述下导电连接件的一端通过下连接板与所述射频线圈的尾端连接，所述下导电连接件的另一端与下射频柱连接；所述下射频柱固定在所述离子源腔室的底部内壁上；
所述上导电连接件的一端通过上连接板与所述射频线圈的端头连接；所述上导电连接件的另一端与上射频柱连接；所述上射频柱固定在所述离子源腔室的底部内壁上；其特征在于，还包括：
线圈支撑，用于支撑所述射频线圈，所述线圈支撑沿所述线圈支座的周向设置；所述线圈支座卡设在所述离子源腔室的底部内壁上；所述射频线圈穿过所述线圈支撑；所述上导电连接件自所述射频线圈的外部，依次绕过所述射频线圈和所述线圈支座，并自所述线圈支座的底部伸入所述放电室底部；
上绝缘固定块，用于固定所述上导电连接件，所述上绝缘固定块套设在所述上导电连接件上并固定在所述离子源腔室的底部内壁上。
优选地，进一步包括一下绝缘固定块，所述下绝缘固定块套设在所述下导电连接件上并固定在所述离子源腔室的底部内壁上。
优选地，所述下导电连接件自所述射频线圈的外部，依次绕过所述射频线圈和所述线圈支座，并自所述线圈支座的底部伸入所述放电室底部。
优选地，所述上连接板水平设置；所述上连接板上开设用于安装所述上导电连接件的螺纹孔。
优选地，所述上导电连接件为L形；所述上导电连接件包括竖直段和与所述竖直段连接的水平段；所述竖直段位于所述射频线圈和所述线圈支座的外部。
优选地，所述线圈支座可沿所述离子源腔室的轴向移动；所述竖直段上开设一移动槽；所述移动槽内安装一上导电移动件；所述上导电移动件连接所述上连接板。
优选地，所述上导电移动件与上连接板连接的一端为凸形结构。
优选地，进一步包括：一液压缸，所述液压缸固定在所述离子源腔室的外侧底部；所述液压缸的液压杆穿过所述离子源腔室并固定在所述线圈支座上。
优选地，所述放电室底部圆角半径不小于15mm。
与现有技术相比，本发明的优点为：
（1）通过上绝缘固定块将上导电连接件固定在离子源腔室的底部、下绝缘固定块将下导电连接件固定在离子源腔室的底部，避免了上导电连接件和下导电连接件的下垂现象，增大了其与放电室底部之间的距离。
（2）上导电连接件和下导电连接件均从射频线圈的外侧安装，相比于从射频线圈的内侧安装，增大了上导电连接件和放电室底部之间的距离、下导电连接件和放电室底部之间的距离。
（3）加大放电室底部的圆角半径可有效拉大放电室与上导电连接件之间的距离L、放电室与下导电连接件之间的距离L。
（4）在进行射频性能调试时，在液压缸作用下，射频线圈随液压缸，沿放电室作轴向运动，上导电移动件在上连接板的带动下，沿上导电连接件的竖直段上的槽内滑动，下导电移动件在下连接板的带动下，沿下导电连接件的竖直段上的槽内滑动；因此，可以有效调节射频线圈与Grid组件之间的距离，避免拆装机台手工调整的弊端。
附图说明
图1为现有技术中离子源放电装置的剖视图；
图2为本发明一实施例的防击穿离子源放电装置中离子源腔室和放电构件的立体图；
图3为图2的剖视图；
图4为图2的又一立体图；
图5（a）~（b）为图1中上移动连接件的立体图；
图6（a）位本发明一实施例中上导电移动件与竖直段连接端的横截面图；
图6（b）~（c）为本发明其他实施例中上导电移动件的横截面图；
图7（a）本发明一实施例中竖直段与导电移动件连接端的横截面图；
图7（b）为本发明其他实施例中竖直段的横截面图。
其中，1-放电室，2-离子源腔室，3-射频线圈，4-上导电连接件，41-水平段，42-竖直段，5-下导电连接件，6-上连接板，7-下连接板，8-上射频柱，9-下射频柱，10-线圈支撑，11-线圈支座，12-上绝缘固定块，13-下绝缘固定块，14-上导电移动件，141-连接凸起， 15-液压缸，16-Grid组件。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
本实施例中，在现有技术（如图1）的基础上，采取如下措施以增大上导电连接件4和放电室1底部的距离、下导电连接件5和放电室1底部的距离，具体为：1）优化线圈支座11的结构；2）增设上绝缘固定块12、下绝缘固定块13；3）同时改变上导电连接件4、下导电连接件5的安装方式；4）增大放电室1底部圆角半径。
如图2~4所示，一种防击穿离子源放电装置，包括放电室1、离子源腔室2、放电构件、线圈支撑10、上绝缘固定块12和下绝缘固定块13。
放电室1外套设一离子源腔室2；放电室1和离子源腔室2之间围成用于放置放电构件的区域。放电室1底部圆角半径不小于15mm。
放电构件包括一射频线圈3、下导电连接件5和上导电连接件4；射频线圈3套设在放电室1外；射频线圈3固定在线圈支座11上。
线圈支撑10，用于支撑射频线圈3，线圈支撑10沿线圈支座11的周向设置；线圈支座11卡设在离子源腔室2的底部内壁上；射频线圈3穿过线圈支撑10。在本实施例中，线圈支座11与离子源腔室2活动连接，即线圈支座11可沿离子源腔室2作轴向运动，以实现射频线圈3和Grid组件16之间的距离调节。在本实施例以外的其他实施例中，如无需射频线圈3和Grid组件16之间的距离，线圈支座11也可以卡设或者固定在离子源腔室2的底部内壁上。为避免射频线圈3其他部位导电，所述线圈支座11和线圈支撑10的材质应选择陶瓷、石英等绝缘材质。
下导电连接件5的一端通过下连接板7与射频线圈3的尾端连接，下导电连接件5的另一端与下射频柱9连接；下射频柱9固定在离子源腔室2的底部内壁上。下导电连接件5自射频线圈3的外部，依次绕过射频线圈3和线圈支座11，并自线圈支座11的底部伸入放电室1底部。在本实施例中，下导电连接件5和下连接板7之间采用螺纹方式进行连接；下连接板7与射频线圈3的尾端之间采用焊接的方式。
上导电连接件4的一端通过上连接板6与射频线圈3的端头连接；上导电连接件4的另一端与上射频柱8连接；上射频柱8固定在离子源腔室2的底部内壁上。上导电连接件4自射频线圈3的外部，依次绕过射频线圈3和线圈支座11，并自线圈支座11的底部伸入放电室1底部。在本实施例中，上导电连接件4和上连接板6之间采用螺纹方式进行连接；上连接板6与射频线圈3的端头之间采用焊接的方式。
上绝缘固定块12，用于固定上导电连接件4，上绝缘固定块12套设在上导电连接件4上并固定在离子源腔室2的底部内壁上。
下绝缘固定块13，用于固定下导电连接件5，下绝缘固定块13套设在下导电连接件5上并固定在离子源腔室2的底部内壁上。
优选地，上连接板6水平设置；上连接板6上开设用于安装上导电连接件4的螺纹孔。下连接板7水平设置；下连接板7上开设用于安装下导电连接件5的螺纹孔。上连接板6和下连接板7均不导电。
现有技术中，在进行射频性能调试时，需要对射频线圈3进行移动，上射频柱8和下射频柱9的坐标不变，射频线圈3的位置坐标需要改变，因此，而用于连接射频线圈3和上射频柱8的长铜片（类比上导电连接件4）、用于连接射频线圈3和下射频柱9的短铜片（类比下导电连接件5）长度需要改变，而长铜片和短铜片有限，因此，在射频线圈3与上射频柱8、下射频柱9进行连接时，需要更换人工铜片长度，操作麻烦。
在本实施例中，通过增设液压缸15、设置上导电连接件4和下导电连接件5的长度可调节，实现了射频线圈3和Grid组件16之间距离的自动调节。具体方案如下：
如图5（a）~（b）所示，上导电连接件4为L形；上导电连接件4包括竖直段42和与竖直段42连接的水平段41；竖直段42位于射频线圈3和线圈支座11的外部。在本实施例中，线圈支座11与离子源腔室2活动连接，即线圈支座11可沿离子源腔室2作轴向运动，以实现射频线圈3和Grid组件16之间的距离调节。即线圈支座11可沿离子源腔室2的轴向移动；竖直段42上开设一移动槽；移动槽内安装一上导电移动件14；上导电移动件14连接上连接板6。如图6所示，即在离子源腔室2的底部增设一液压缸15，液压缸15固定在离子源腔室2的外侧底部；液压缸15的液压杆穿过离子源腔室2并固定在线圈支座11上。
在进行射频性能调试时，在液压缸15作用下，射频线圈3随液压缸15，沿放电室1作轴向运动，上导电移动件14在上连接板6的带动下，沿上导电连接件4的竖直段42上的槽内滑动，下导电移动件在下连接板7的带动下，沿下导电连接件5的竖直段42上的槽内滑动；因此，可以有效调节射频线圈3与Grid组件16之间的距离，避免拆装机台手工调整的弊端。
在本实施例中，液压缸15的的数量设置为2，且对称设置。
如图6（a）所示，在本实施例中，上导电移动件14与上连接板6连接的一端为凸形结构，即为连接凸起141，上导电连接件4呈凸形槽结构，如图7（a）所示，可有效增大上导电移动件14和上导电连接件4之间的接触面积，避免存在接触不良的问题；如图6（b）所示，在本实施例以外的其他实施例中，上导电移动件14的横截面为一圆形凸出键槽，上导电连接件4的横截面为圆形槽时，如图7（b）所示，也可以满足相对滑动，接触性良好。在本实施例以外的其他实施例中，上导电移动件14的横截面图如图6（c）所示。
上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。
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