具体实施方式

以下所示的实施方式及其变形例为了解决上述的课题，在具备光调制元件和中继基板的光调制器中，沿着中继基板的边中的除了将形成于该中继基板上的信号导体图案与光调制元件的信号电极连接的边之外的至少一条边，具备由吸收电磁波的原材料构成的电磁波传播抑制部，该电磁波传播抑制部具有相比中继基板的表面突出的高度。

以下，参照附图，说明本发明的实施方式。

[第一实施方式]

首先，说明本发明的第一实施方式。在本实施方式的光调制器中，中继基板搭载在与光调制器的壳体分开地构成的基板载体上而收容于该壳体内，上述电磁波传播抑制部形成于上述基板载体。

图1及图2是表示本发明的第一实施方式的光调制器100的结构的图。在此，图1、图2分别是光调制器100的俯视图及侧视图。

光调制器100具备：光调制元件102；壳体104，收容光调制元件102；输入光纤108，用于使光向光调制元件102入射；及输出光纤110，将从光调制元件102输出的光向壳体104的外部引导。

光调制元件102是进行例如400Gb/s的光调制的DP-QPSK调制器，具备例如设置于LN基板上的四个马赫-曾德型光波导。在四个马赫-曾德型光波导设置对于在该马赫-曾德型光波导中传播的光波分别进行调制的四个信号电极112a、112b、112c、112d(以下，也总称为信号电极112)。而且，如作为现有技术已知那样，在光调制元件102的LN基板的表面，例如以上述四个信号电极112a、112b、112c、112d分别构成共面线路(CPW，Coplanar Waveguide)的方式，设置接地电极122a、122b、122c、122d、122e(参照图3。在图1中未图示。)。

具体而言，上述接地电极122a、122b、122c、122d、122e(以下，也总称为接地电极122)在LN基板表面的面内分别夹着信号电极112a、112b、112c、112d地配置，与四个信号电极112a、112b、112c、112d一起构成在规定的动作频率下具有规定的特性阻抗的共面线路。

向四个信号电极112分别输入四个高频的电信号(调制信号)。这些高频电信号协作地控制上述四个马赫-曾德型光波导中的光波的传播，在整体上进行400Gb/s的DP-QPSK调制的动作。

从光调制元件102输出的两个光由例如透镜光学系(未图示)进行偏振合成，经由输出光纤110向壳体104的外部引导。

壳体104由将光调制元件102固定的外壳114a和罩114b构成。需要说明的是，为了便于理解壳体104内部的结构，在图1中，仅将罩114b的一部分在图示左方示出，但是实际上，罩114b以覆盖箱状的外壳114a的整体的方式配置而对壳体104的内部进行气密密封。外壳114a由金属或者例如被镀金的陶瓷等构成，电气性地作为导电体发挥功能。而且，在壳体104通常设置DC控制用等的多个引脚，但是在本附图中省略。

外壳114a设有具备信号输入端子124a、124b、124c、124d(以下，也总称为信号输入端子124)的作为同轴连接器的电连接器116a、116b、116c、116d(以下，也总称为电连接器116)，信号输入端子124a、124b、124c、124d输入向光调制元件102的各信号电极112a、112b、112c、112d施加的高频的电信号。信号输入端子124分别经由中继基板118而电连接于光调制元件102的信号电极112的各自的一端。

光调制元件102的信号电极112的另一端通过具有规定的阻抗的终端器120形成终端。由此，向信号电极112的各自的一端输入的电信号作为行波在信号电极112内分别传播。

电连接器116分别是例如插入式的同轴连接器的插口。这些电连接器116的圆柱状的接地导体电连接并固定于外壳114a。因此，外壳114a对应于与接地电位连接的结构物。需要说明的是，信号输入端子124例如由在作为电连接器116的连接器插口分别沿着上述接地导体的圆柱形状的中心线延伸的中心导体(芯线)构成。

图3是图1中的A部的局部详情图，是表示中继基板118及其周围的结构的图。在中继基板118形成有信号导体图案330a、330b、330c、330d(以下，也总称为信号导体图案330)和接地导体图案340a、340b、340c、340d、340e(以下，也总称为接地导体图案340)。

接地导体图案340a、340b、340c、340d、340e以在中继基板118的表面(图3所示的面)的面内分别夹持信号导体图案330a、330b、330c、330d的方式设置。由此，信号导体图案330分别与接地导体图案340一起构成共面线路。

光调制元件102的信号电极112分别通过例如使用导体引线126的引线键合而与中继基板118的信号导体图案330的一端电连接。在此，导体引线126可以设为例如金引线。

另外，在光调制元件102中与信号电极112一起构成共面线路的接地电极122分别与上述同样的通过例如使用导体引线126的引线键合，与中继基板118的接地导体图案340的各自的一端电连接。需要说明的是，上述的使用导体引线126的引线键合为一例，并不局限于此。也可以取代导体引线126的引线键合而使用例如利用了金带等的导体带的带键合。

在此，中继基板118搭载于与壳体104分开地构成的基板载体150而收容于该壳体104。基板载体150例如由Kovar(可伐)等金属构成，在其表面可以形成金(Au)等的层。

图4是提取图1及图3所示的中继基板118及基板载体150的部分而表示的局部详情图，是从信号输入端子124的配置侧观察该提取的部分的立体图。

在本实施方式中，特别是基板载体150将截面形成为U字状，在U字形状的底部搭载中继基板118，并且该U字形状的两个臂部分构成具有相比中继基板118的表面突出的高度的两个电磁波传播抑制部152a、152b(图示阴影部分)。即，在本实施方式中，电磁波传播抑制部152a、152b由例如与基板载体150相同的原材料(例如金属)构成。

另外，中继基板118的边中的信号输入边318a与信号输出边318b在俯视下彼此相对，信号输入边318a是信号导体图案330与信号输入端子124连接一侧的边，信号输出边318b是信号导体图案330与光调制元件102的信号电极112连接一侧的边。并且，电磁波传播抑制部152a、152b沿着中继基板118的边中的在俯视下将信号输入边318a的端部与信号输出边318b的端部连接的两条边即图示左右的侧缘(侧边)318c、318d而形成。

在此，中继基板118例如在与表面相对的背面形成有导体，该导体与基板载体150的底面之间通过软钎料、钎料或导电性粘接剂等固定。同样，基板载体150通过软钎料、钎料或导电性粘接剂等而固定于壳体104。壳体104经由电连接器116及/或经由将壳体104固定的外部结构物(例如，使用光调制器100的装置的装置壳体)而接地于接地电位，因此通过上述结构，电磁波传播抑制部152a、152b也被接地于接地电位。

具有上述的结构的光调制器100如上所述的沿着中继基板118的侧缘318c、318d形成具有从中继基板118的表面突出的高度的电磁波传播抑制部152a、152b。因此，在光调制器100中，即使在信号输入边318a分散的信号输入端子124与信号导体图案330之间的信号连接点作为泄漏微波的点波源发挥了作用的情况下，沿着中继基板118的表面从这些点波源朝向侧缘318c、318d的泄漏微波的衍射波，即侧方泄漏微波也会被电磁波传播抑制部152a、152b抑制或阻止其传播。其结果是，在光调制器100中，即使在光调制元件102以例如超过400Gb/s的传送率进行动作的情况下，也能够防止以上述侧方泄漏微波为起因的中继基板118上的传送线路间(即，信号导体图案330间)的串扰恶化等，确保良好的光调制特性。

另外，在本实施方式中，中继基板118经由基板载体150而收容固定于壳体104，因此即使在中继基板118与壳体104之间线膨胀系数之差大的情况下，通过使用基板载体150作为中继基板118与壳体104之间的热应力缓和结构，也能够防止与环境温度变动等相伴的向中继基板118的过度的应力产生。例如，在使用氧化铝陶瓷作为中继基板118，使用SUS作为壳体104的情况下，基板载体150可以使用具有它们中间的线膨胀系数的原材料即50合金(Ni50、Fe Bal.)或476合金(Ni47、Cr6、Fe Bal.)。

需要说明的是，根据本发明的发明人的见解，从侧方泄漏微波的传播抑制效果的观点出发，在从信号输入端子124输入的电信号具有微波带的频率的情况下，从中继基板118的表面起测量的电磁波传播抑制部152a、152b的高度h(图4)优选为形成于中继基板118的信号导体图案330和与该信号导体图案330相邻的接地导体图案340的间隔d1以上(即，h≥d1)。在此，在形成于中继基板118上的全部相邻的信号导体图案330与接地导体图案340的间隔不相同的情况下，间隔d1可以设为这些相邻的信号导体图案330与接地导体图案340的间隔中的最小值。

这可认为是由于在中继基板118中在信号导体图案330中传播的微波带的高频电信号作为具有与相邻的接地导体图案340的间隔d1大致相同的扩展的电磁场分布的波而动作，因此对于从此处泄漏的电信号的波，至少具有上述间隔d1的大小的结构物会对其电磁场分布带来有意的变动。

电磁波传播抑制部152a、152b的厚度t只要为能吸收侧方泄漏微波的程度的厚度即可，例如即使是10μm左右的厚度，也能得到对于侧方泄漏微波的充分的传播抑制效果。

需要说明的是，在本实施方式中，电磁波传播抑制部152a、152b沿着中继基板118的侧缘318c及318d分别设置，但是并不局限于此。电磁波传播抑制部只要根据上述侧方泄漏微波的传播方向、产生强度、对光调制元件102的动作造成的影响的程度等，沿着中继基板118的边中的将俯视下相对的信号输入边318a及信号输出边318b的各自的端部连接的至少一条边(例如，本实施方式中的侧缘318c、318d的至少一方)，以相比中继基板118的表面突出的高度构成即可。

接下来，说明第一实施方式的光调制器100的变形例。

<第一实施方式的第一变形例>

图5是表示第一实施方式的第一变形例的电磁波传播抑制部552a、552b的结构的图，是相当于图4所示的第一实施方式的局部详情图的图。具备该电磁波传播抑制部552a、552b的基板载体550在图1所示的光调制器100中可以取代基板载体150使用。在图5中，对于与图4所示的构成要素相同的构成要素，使用与图4中的标号相同的标号，并援引上述的对于图4的说明。

图5所示的基板载体550与图4所示的基板载体150同样地截面构成为U字状，但是构成U字形状的臂部分的电磁波传播抑制部552a、552b分别从配置于该U字形状的底部的中继基板118的侧缘318c、318d在俯视下分离设置，这一点不同。

这样，即使在中继基板118的侧缘318c、318d与电磁波传播抑制部552a、552b之间以分离距离d3的宽度形成空间的情况下，也能够抑制侧方泄漏微波的传播。该分离距离d3如果过宽，则侧方泄漏微波的传播抑制效果下降，因此优选至少比形成在中继基板118上的相邻的信号导体图案330间的距离d2窄(即，d3<d2)。在此，在相邻的信号导体图案330间的距离各不相同的情况下，距离d2可以设为相邻的信号导体图案330间的距离中的最大。

需要说明的是，如本变形例那样，电磁波传播抑制部552a、552b的形成位置在中继基板118的俯视下从侧缘318c、318d分离的情况下，如图6所示，通过导体引线554将电磁波传播抑制部552a、552b与中继基板118的接地导体图案340连接，由此对电磁波传播抑制部552a、552b与接地线的连接进行强化，能够提高侧方泄漏微波的传播抑制效果。该结构可以在例如由于中继基板118上的信号导体图案330与光调制元件102的信号电极112的连接使用的引线键合机的工具尺寸的限制等而在设计阶段无法将分离距离d3设定为上述的优选的距离范围(d3<d2)的情况下，为了提高电磁波传播抑制部552a、552b的侧方泄漏微波的传播抑制效果而使用。即，图6所示的结构在光调制器100的制造工序中能够灵活地提高电磁波传播抑制部552a、552b的侧方泄漏微波的传播抑制效果。

<第一实施方式的第二变形例>

图7是表示第一实施方式的第二变形例的电磁波传播抑制部752a、752b的结构的图，是相当于图4所示的第一实施方式的局部详情图的图。具备该电磁波传播抑制部752a、752b的基板载体750在图1所示的光调制器100中可以取代基板载体150使用。在图7中，对于与图4所示的构成要素相同的构成要素，使用与图4中的标号相同的标号，援引上述的对于图4的说明。

图7所示的基板载体750与图4所示的基板载体150同样地截面构成为U字状，但是构成U字形状的臂部分的电磁波传播抑制部752a、752b(图示阴影部分)分别从基板载体750中的配置光调制元件102一侧的端部延伸，形成得比中继基板118的侧缘318c、318d的长度短，这一点不同。

这样，即使是比中继基板118的侧缘318c、318d的长度L1短的长度L2的电磁波传播抑制部752a、752b，也能够取决于侧方泄漏微波的强度、方向地抑制该侧方泄漏微波的传播。需要说明的是，在图7中，比侧缘318c、318d的长度L1短的长度L2的电磁波传播抑制部752a、752b从光调制元件102的某侧的基板载体750的端部延伸设置，但是并不局限于此。比侧缘318c、318d的长度L1短的长度L2的电磁波传播抑制部752a、752b可以配置于侧缘318c、318d的两端部间的任意的位置。即使这样配置，也能够在一定程度上抑制侧方泄漏微波对光调制元件102的动作的影响。但是，在设置这样的比侧缘318c、318d的长度L1短的长度L2的电磁波传播抑制部的情况下，从有效地防止侧方泄漏微波对光调制元件102的动作的影响的观点出发，优选如图7所示的电磁波传播抑制部752a、752b那样从光调制元件102的某侧的基板载体750的端部延伸设置。

在中继基板118产生的侧方泄漏微波在图23中如作为衍射波2292所示那样朝向光调制元件102并朝向中继基板118的侧缘318c、318d沿倾斜方向传播。因此，从设计上、制造上的制约条件等出发，在难以将从中继基板118的表面突出的高度的电磁波传播抑制部沿着侧缘318c、318d的整体形成的情况下，通过设置沿着中继基板118的侧缘318c、318d从光调制元件102侧(即，信号输出边318b侧)延伸至长度L2(<L1)的电磁波传播抑制部752a、752b，对于侧方泄漏微波传播能够得到大的抑制效果。

在此，电磁波传播抑制部652a，652b的长度L2优选比中继基板118的长度L1(图3)的1/5，即从信号输入边318a至信号输出边318b的距离的1/5长，如果为1/2以上，则发挥更大的效果。

<第一实施方式的第三变形例>

图8是表示第一实施方式的第三变形例的电磁波传播抑制部852a、852b的结构的图，是相当于图4所示的第一实施方式的局部详情图的图。具备该电磁波传播抑制部852a、852b的基板载体850在图1所示的光调制器100中可以取代基板载体150使用。在图8中，对于与图4所示的构成要素相同的构成要素，使用与图4中的标号相同的标号，援引上述的对于图4的说明。

图8所示的基板载体850与图4所示的构成为U字状的基板载体150不同，构成为平板，在该平板上搭载中继基板118。而且，在构成基板载体850的平板上的一组的相对的边的各自的附近固定有沿着中继基板118的侧缘318c、318d设置的两个支撑件856a、856b。并且，支撑件856a、856b中的从中继基板118的表面突出的部分(图示阴影部分)构成沿着侧缘318c、318d配置的电磁波传播抑制部852a、852b。

在此，支撑件856a、856b可以其整体由一个原材料构成，也可以将多个原材料组合构成。例如，支撑件856a、856b可以设为构成电磁波传播抑制部852a、852b的部分与其他的部分由不同的原材料构成的结构。这些原材料除了金属之外，可以设为例如铁氧体等电波吸收性原材料。

图8所示的电磁波传播抑制部852a、852b也与图4所示的电磁波传播抑制部152a、152b同样地能够有效地抑制从信号输入边318a中的信号导体图案330与信号输入端子124的连接点产生的侧方泄漏微波的传播。

<第一实施方式的第四变形例>

图9是表示第一实施方式的第四变形例的电磁波传播抑制部952a、952b的结构的图，是相当于图4所示的第一实施方式的局部详情图的图。具备该电磁波传播抑制部952a、952b的基板载体950在图1所示的光调制器100中可以取代基板载体150使用。在图9中，对于与图4所示的构成要素相同的构成要素，使用与图4中的标号相同的标号，援引上述的对于图4的说明。

图9所示的基板载体950与图4所示的构成为U字状的基板载体150不同，构成为平板，在该平板上搭载中继基板118。而且，在构成基板载体950的平板上的一组的相对的边的各自的附近沿着中继基板118的侧缘318c及318d分别固定3根圆柱状的引脚956a及956b。并且，各3根引脚956a及956b中的从中继基板118的表面突出的各3个突出部分956a-1及956b-1(图示阴影部分)构成沿着侧缘318c、318d配置的电磁波传播抑制部952a、952b。

图9所示的电磁波传播抑制部952a、952b将相邻的引脚956a间的间隔及相邻的引脚956b间的间隔设为从信号输入端子124输入的高频信号的波长的同等程度以下，由此作为对于具有该波长的电磁波的屏蔽件发挥功能，与图4所示的电磁波传播抑制部152a、152b同样地能够有效抑制侧方泄漏微波的传播。

在此，引脚956a、956b可以是其整体由一个原材料构成，也可以是将多个原材料组合构成。例如，引脚956a、956b可以设为构成电磁波传播抑制部952a、952b的部分(即，突出部分956a-1及956b-1)与其他的部分由不同的原材料构成的结构。这些原材料除了金属之外，可以设为例如铁氧体等电波吸收性原材料。

另外，在图9所示的例子中，引脚956a、956b由单纯的圆柱状构成，但是并不局限于此。引脚956a、956b分别只要具有轴对称的形状而具有大致圆柱状的形状即可，例如，可以设为直径细的部分与粗的部分混杂而构成一个引脚的形状。

[第二实施方式]

接下来，说明本发明的第二实施方式的光调制器1000。图10是表示光调制器1000的结构的图。在图10中，对于与图1所示的光调制器100的构成要素相同的构成要素，使用与图1中的标号相同的标号，援引上述的对于图1的说明。图10所示的光调制器1000具有与光调制器100同样的结构，但是中继基板118不经由与壳体104分开地构成的基板载体而直接固定于壳体104，这一点不同。并且，光调制器1000将电磁波传播抑制部不是设置于基板载体而是设置于中继基板118上，这一点与光调制器100不同。

图11是表示中继基板118的结构的图，是相当于第一实施方式中的图4的图。需要说明的是，在图11中，对于与图4所示的构成要素相同的构成要素，使用与图4中的标号相同的标号，援引上述的对于图4的说明。

在光调制器1000中，如图11所示，在中继基板118中，在沿着侧缘318c、318d分别形成的接地导体图案340a、340b上分别沿着该侧缘318c、318d配置电磁波传播抑制部11152a、1152b。在此，电磁波传播抑制部1152a、1152b可以由例如金属或铁氧体等电波吸收性原材料构成。

本实施方式的电磁波传播抑制部1152a、1152b设置在中继基板118上，因此与第一实施方式那样的设置在中继基板118外的电磁波传播抑制部152a、152b相比，在侧方泄漏微波的产生源(中继基板118的信号导体图案330与信号输入端子124的连接点)的附近能够更有效地抑制该侧方泄漏微波的传播。而且，在本实施方式中，由于未在中继基板118外设置电磁波传播抑制部152a、152b，因此与第一实施方式的光调制器100相比，壳体104的小型化变得容易。

接下来，说明第二实施方式的光调制器1000的变形例。

<第二实施方式的第一变形例>

图12是表示第二实施方式的第一变形例的电磁波传播抑制部1252a、1252b的结构的图，是相当于图11所示的局部详情图的图。具备该电磁波传播抑制部1252a、1252b的中继基板118在图12所示的光调制器1000中可以取代具备电磁波传播抑制部1152a、1152b的中继基板118使用。在图12中，对于与图11所示的构成要素相同的构成要素，使用与图11中的标号相同的标号，援引上述的对于图11的说明。

本变形例中的电磁波传播抑制部1252a、1252b为片状的例如金属网，在中继基板118的与侧缘318c、318d分别连接的两个侧面沿着该侧缘318c、318d配置。

由于通常形成于金属纤维间的间隙远小于从信号输入端子124输入的高频信号的波长，因此构成电磁波传播抑制部1252a、1252b的金属网作为对于侧方泄漏微波的屏蔽件发挥功能，能够有效地抑制其传播。为了吸收侧方泄漏微波所需的电磁波传播抑制部的厚度只要如上所述为10μm左右即可，因此，电磁波传播抑制部1252a、1252b可以由厚度10μm左右的片状金属网构成。

<第二实施方式的第二变形例>

图13是表示第二实施方式的第二变形例的电磁波传播抑制部1352a、1352b的结构的图，是相当于图11所示的局部详情图的图。具备该电磁波传播抑制部1352a、1352b的中继基板118在图10所示的光调制器1000中可以取代具备电磁波传播抑制部1152a、1152b的中继基板118使用。在图13中，对于与图11所示的构成要素相同的构成要素，使用与图11中的标号相同的标号，援引上述的对于图11的说明。

本变形例中的电磁波传播抑制部1352a、1352b由沿着侧缘318c、318d在中继基板118的接地导体图案340a、340b上呈环状或桥状地竖立设置的各3根导体引线1354构成。

这样的竖立设置的导体引线1354与图9所示的构成电磁波传播抑制部952a、952b的引脚956a、引脚956b同样地将这些导体引线1354的相互相邻的竖立设置部分间的间隔(以下，称为竖立设置间隔)设为从信号输入端子124输入的高频信号的波长的同等程度以下(因此，设为侧方泄漏微波的波长的同等程度以下)，由此作为对于侧方泄漏微波的屏蔽件发挥功能，能够有效地抑制其传播。

需要说明的是，在本变形例中示出的分别构成电磁波传播抑制部1352a、1352b的导体引线1354的个数“3”为一例，并不局限于此。分别构成电磁波传播抑制部1352a、1352b的导体引线1354的个数可以设为如上所述为了使竖立设置间隔为侧方泄漏微波的波长的同等程度以下所需的任意的个数。

在此，在图13中，分别构成电磁波传播抑制部1352a、1352b的导体引线1354如图所示呈沿着侧缘318c、318d的环状或桥状地竖立设置成一列，但是并不局限于此。例如，可以如图14所示，将呈沿着侧缘318c、318d的环状或桥状地竖立设置的导体引线1354沿着侧缘318c、318d分别设置成两列而形成电磁波传播抑制部1452a、1452b。但是，从对于侧方泄漏微波的屏蔽效果的观点出发，如图14那样，设置成2列的各个导体引线1354从侧缘318c侧观察下相互错开配置的情况有利。

或者，如图15所示，将各个导体引线1354竖立设置成沿着与侧缘318c、318d正交的方向的环状或桥状，沿着侧缘318c、318d配置，由此能够分别将电磁波传播抑制部1552a、1552b沿着侧缘318c、318d设置。

在图13、图14、图15所示的结构中，导体引线1354可以设为金属引线或金属带。而且，在图13、图14中，导体引线1354分别作为单独的引线而竖立设置，但是并不局限于此。可以通过将一根导体引线的两端部及一个或多个中间部分连接于接地导体图案340a等而利用该一根导体引线设置多个环状或桥状的竖立设置部。或者，可以仅将单独的导体引线1354的一端连接于接地导体图案340a等，将导体引线1354(呈例如大致直线状地)竖立设置。

[第三实施方式]

接下来，说明本发明的第三实施方式的光调制器1600。在光调制器1600中，电磁波传播抑制部设置于收容光调制元件102的壳体。图16是表示光调制器1600的结构的俯视图。在图16中，对于与图1所示的光调制器100的构成要素相同的构成要素，使用与图1中的标号相同的标号，援引上述的对于图1的说明。图16所示的光调制器1600具有与光调制器100同样的结构，但是取代壳体104而具备壳体1604的点不同。壳体1604具有与壳体104同样的结构，但是取代外壳114a而具备外壳1614a的点不同。

外壳1614a具有与外壳114a同样的结构，但是在夹着中继基板118的位置沿着侧缘318c、318d设置突起部1654a、1654b，它们的一部分构成电磁波传播抑制部1652a、1652b的点不同。

图17是提取图16所示的包含中继基板118和电磁波传播抑制部1652a、1652b的部分而表示的局部详情图。而且，图18是图17所示的部分从配置电连接器116一侧的上方观察的立体图。在图18中，突起部1654a、1654b中的具有从中继基板118的表面突出的高度的部分(图示阴影部分)构成电磁波传播抑制部1652a、1652b。

特别是在本实施方式中，在电磁波传播抑制部1652a、1652b的与侧缘318c、318d相对的面分别形成凹部1656a、1656b。该凹部1656a、1656b在本实施方式中俯视观察由半圆形构成。

由此，在光调制器1600中，朝向凹部1656a、1656b入射的侧方泄漏微波在图17中如粗线箭头所示，其传播方向先向配置光调制元件102的方向(图示上方向)的相反的方向反射。因此，在光调制器1600中，与光调制器100、1000相比，能够进一步减少侧方泄漏微波对光调制元件102造成的影响。

另外，侧方泄漏微波的一部分在凹部1656a，1656b的内部每次反射时，其功率的一部分在电磁波传播抑制部1652a、1652b的内部被吸收，因此侧方泄漏微波对光调制元件102造成的影响进一步降低。

需要说明的是，在本实施方式中，在电磁波传播抑制部1652a，1652b分别设置各一个俯视观察为半圆形的凹部1656a、1656b，但是并不局限于此。在电磁波传播抑制部1652a、1652b分别设置的凹部的个数可以为多个，而且，这样的凹部的俯视观察的形状只要能将侧方泄漏微波先向与配置光调制元件102的方向(图示上方向)不同的方向反射即可，可以设为任意的形状。

<第三实施方式的变形例>

图19及图20是表示第三实施方式的变形例的电磁波传播抑制部1952a、1952b的结构的图，分别是相当于上述的关于第三实施方式的图17所示的局部详情图及图18所示的立体图的图。该电磁波传播抑制部1952a、1952b在图16所示的光调制器1600中，可以取代电磁波传播抑制部1652a、1652b而形成于壳体1604的外壳1614a。在图19及图20中，分别对于与图17及图18所示的构成要素相同的构成要素，使用与图17及图18中的标号相同的标号，援引上述的对于图17及图18的说明。

电磁波传播抑制部1952a、1952b(图20中的图示阴影部分)与电磁波传播抑制部1652a、1652b同样地构成作为在壳体1604的外壳1614a设置的突起部1654a、1654b中的从中继基板118的表面突出的部分。但是，电磁波传播抑制部1952a、1952b与电磁波传播抑制部1652a、1652b不同，在与侧缘318c、318d相对的面分别设置两个凹部1956a-1及1956a-2和凹部1956b-1及1956b-2。

另外，凹部1956a-1、1956a-2、1956b-1、1956b-2分别与凹部1656a、1656b不同，由俯视观察为矩形的部分和半圆形的部分构成，从侧缘318c、318d朝向突起部1654a、1654b的内部延伸的长度比上述半圆形的半径长。

由此，在本变形例的电磁波传播抑制部1952a、1952b中，与电磁波传播抑制部1652a、1652b同样，例如朝向凹部1956a-1、1956b-1入射的侧方泄漏微波在图19中如粗线箭头所示，其传播方向先向配置光调制元件102的方向(图示上方向)的相反的方向反射。因此，在光调制器1660中，与光调制器100、1000相比，能够进一步减少侧方泄漏微波对光调制元件102造成的影响。

并且，入射到凹部1956a-1、1956b-1的侧方泄漏微波之后在凹部1956a-1、1956b-1的内部进行比凹部1656a、1656b中多的次数的多重反射，每当这些反射时，其功率的一部分被电磁波传播抑制部1952a、1952b的内部吸收。因此，在本变形例的电磁波传播抑制部1952a、1952b中，能够比电磁波传播抑制部1652a、1652b更加降低侧方泄漏微波对光调制元件102的动作造成的影响。

需要说明的是，对于第一实施方式的光调制器100及其第一变形例所示的关于电磁波传播抑制部152a、152b的高度h的优选的条件、及关于电磁波传播抑制部552a、552b与中继基板118之间的分离距离d3的优选的条件在第一、第二、第三实施方式的光调制器100，1000，1600及它们的变形例的电磁波传播抑制部中可共通地适用。

[第四实施方式]

接下来，说明本发明的第四实施方式。本实施方式是搭载有第一至第三实施方式的光调制器100、1000、1600及它们的变形例的光调制器中的任一光调制器的光发送装置。

图21是表示本实施方式的光发送装置的结构的图。该光发送装置2100具有光调制器2102、使光向光调制器2102入射的光源2104、调制信号生成部2106、调制数据生成部2108。

光调制器2102可以设为上述的第一至第三实施方式的光调制器100、1000、1600及它们的变形例的光调制器中的任一光调制器。在此，为了避免冗长的记载而便于理解，以下，光调制器2102设为第一实施方式的光调制器100。

调制数据生成部2108接收从外部提供的发送数据，生成用于发送该发送数据的调制数据(例如，将发送数据转换或加工成规定的数据制式的数据)，并将该生成的调制数据向调制信号生成部2106输出。

调制信号生成部2106是输出用于使光调制器2102进行调制动作的电信号的电子电路(驱动电路)，基于调制数据生成部2108输出的调制数据，生成用于使光调制器2102进行遵照该调制数据的光调制动作的高频信号即调制信号，向光调制器2102输入。该调制信号由与光调制器2102具备的光调制元件102的四个信号电极112a、112b、112c、112d对应的四个高频电信号组成。

该四个高频电信号从光调制器2102的电连接器116a、116b、116c、116d的各自的信号输入端子124a、124b、124c、124d向中继基板118的信号导体图案330a、330b、330c、330d输入，经由这些信号导体图案330a等，向光调制元件102的信号电极112a、112b、112c、112d输入。

由此，从光源2104输出的光由光调制器2102进行例如DP-QPSK调制，成为调制光从光发送装置2100输出。

特别是在光发送装置2100中，作为光调制器2102，使用第一至第三实施方式的光调制器100、1000、1600及它们的变形例的光调制器中的任一光调制器。因此，在光发送装置2100中，能够有效地减少以伴随着传送率的高速化等产生的上述的侧方泄漏微波为起因的对光调制元件102进行驱动的高频电信号间的串扰增加等，确保稳定且良好的光调制特性，实现稳定且良好的传送特性。

需要说明的是，本发明并不局限于上述实施方式及其变形例的结构，在不脱离其主旨的范围内能够以各种形态实施。

例如，第二实施方式及其变形例中所示的形成于中继基板118的电磁波传播抑制部152a等可以与第一实施方式及第三实施方式以及它们的变形例中所示的基板载体150等构成构的电磁波传播抑制部152a等及/或构成作为壳体1604的突起部1654a等的一部分的电磁波传播抑制部1652a等一起使用。

另外，第一至第三实施方式及它们的变形例所示的电磁波电波抑制部152等的原材料并不局限于金属、铁氧体，可以由具有吸收电波的特性的任意的原材料构成。

另外，第三实施方式及其变形例所示的具有凹部1656a等的电磁波传播抑制部1652a等的形状并不局限于凹部1656a等凹部，可以由将同样的形状形成于电磁波传播抑制部1652a等的凸部构成。

如以上说明所述，上述的实施方式的光调制器100、1000、1600具备：光调制元件102，具备多个信号电极112；多个信号输入端子124，输入向各信号电极112施加的电信号；中继基板118，形成有多个信号导体图案330及多个接地导体图案340，多个信号导体图案330将信号输入端子124与信号电极112电连接；及壳体104，收容光调制元件102及中继基板118。并且，中继基板118的边中的信号输入边318a与信号输出边318b在俯视下彼此相对，在信号输入边318a，信号输入端子124与信号导体图案330连接，在信号输出边318b，信号导体图案330与信号电极112连接。而且，沿着中继基板118的边中的在俯视下将所述信号输入边的端部与所述信号输出边的端部连接的至少一条边，例如侧缘318c及/或318d，具备相比中继基板118的表面突出的高度的由吸收电磁波的原材料构成的电磁波传播抑制部152a、152b等。

根据该结构，能够有效地抑制从中继基板118与信号输入端子124之间的信号连接点产生的多个泄漏微波干涉而产生的侧方泄漏微波在中继基板118的表面上的空间中传播而对光调制元件102的动作造成的影响(例如，信号线路间的串扰等)，实现良好的光调制特性。

另外，在光调制器100中，中继基板118搭载于与壳体104分开地构成的基板载体150。并且，电磁波传播抑制部152a、152b设置于基板载体150。根据该结构，能够有效地抑制侧方泄漏微波的传播，并且也抑制以中继基板118与壳体104之间的线膨胀系数差为起因的向中继基板118的热应力的产生。

另外，电磁波传播抑制部152a、152b等可以由金属构成。并且，在上述的第一实施方式的光调制器100的第一变形例的优选的结构中，电磁波传播抑制部552a、552b与中继基板118的接地导体图案340a、340b分别由导体引线554连接。在此，导体引线554可以设为金属引线或金属带。

根据该结构，能够进一步提高电磁波传播抑制部552a、552b产生的侧方泄漏微波的传播特性效果。

另外，在上述的第二实施方式的光调制器1000中，电磁波传播抑制部1152a、1152b等设置在中继基板118上。根据该结构，与光调制器100相比，相对于作为泄漏微波的产生源的信号导体图案330与信号输入端子124的连接点在更近的位置配置电磁波传播抑制部1152a、1152b等，因此能够更有效地抑制侧方泄漏微波的传播。

另外，在第一实施方式的光调制器100的第二变形例中，电磁波传播抑制部752a、752b沿着形成于上述的电磁波传播抑制部752a，752b的中继基板的边即侧缘318c、318d的长度为该边的长度的1/5以上。根据该结构，即使由于设计上、制造上的制约条件等而沿着侧缘318c、318d的整体难以形成从中继基板118的表面突出的高度的电磁波传播抑制部的情况下，也能够在侧缘318c、318d的长度方向的一部分设置电磁波传播抑制部而抑制侧方泄漏微波的传播。

另外，在第三实施方式的光调制器1600中，在电磁波传播抑制部1652a、1652b的表面形成凹部1656a、1656b。上述的凹部1656a，1656b可以由构成同样的形状的凸部构成。

根据该结构，通过凹部1656a、1656b，能够使向电磁波传播抑制部1652a、1652b入射的侧方泄漏微波先向配置光调制元件102的方向的反方向反射，因此能够进一步减少侧方泄漏微波对光调制元件102的动作造成的影响。

另外，在第二实施方式的光调制器1000中，可以将电磁波传播抑制部1352a、1532b等设为由连接于中继基板118的接地导体图案340而竖立设置的多个导体引线1354构成的结构。在此，导体引线可以设为例如金属引线或金属带。根据该结构，能够将电磁波传播抑制部以简易的结构构成在中继基板118上。

另外，电磁波传播抑制部152a、152b等的从中继基板118的表面起测量的高度h比形成于中继基板118的信号导体图案330和与该信号导体图案330相邻的接地导体图案340之间的分离距离大。

根据该结构，关于沿着中继基板118的表面在空间中传播的侧方泄漏微波的主要部分(该微波的功率集中部分)，能够抑制其传播。

另外，上述的第四实施方式的光发送装置2100具备上述的第一至第三实施方式的光调制器100等及其变形例的任一个、输出用于使该光调制器100等及变形例的任一个进行调制动作的电信号的电子电路即调制信号生成部2106等。根据该结构，能够抑制例如伴随着传送率的高速化而变得显著的侧方泄漏微波的传播，有效地减少对光调制元件102进行驱动的多个高频电信号间的串扰等，实现稳定且良好的传送特性。

标号说明

100、1000、1600、2102、2200…光调制器，102、2202…光调制元件，104、1604、2204…壳体，108、2208…输入光纤，110、2210…输出光纤，112、112a、112b、112c、112d、2212、2212a、2212b、2212c、2212d…信号电极，114a、1614a、2214a…外壳，114b、2214b…罩，116、116a、116b、116c、116d、2216、2216a、2216b、2216c、2216d…电连接器，118、2218…中继基板，120、2220…终端器，122、122a、122b、122c、122d、122e、2222a、2222b、2222c、2222d、2222e…接地电极，124、124a、124b、124c、124d、2224、2224a、2224b、2224c、2224d…信号输入端子，126、554、1354…导体引线，318a…信号输入边，318b…信号输出边，318c、318d…侧缘，330、330a、330b、330c、330d、2230、2230a、2230b、2230c、2230d…信号导体图案，340、340a、340b、340c、340d、340e、2240a、2240b、2240c、2240d、2240e…接地导体图案，150、550、750、850、950…基板载体，152a、152b、522a、552b、752a、752b、852a、852b、952a、952b、1152a、1152b、1252a、1252b、1352a、1352b、1452a、1452b、1552a、1552b、1652a、1652b、1952a、1952b…电磁波传播抑制部，856a、856b…支撑件，956a、956b…引脚，956a-1、956b-1…突出部分，1654a、1654b…突起部，1656a、1656b、1956a-1、1956a-2、1956b-1、1956b-2…凹部，2100…光发送装置，2104…光源，2106…调制信号生成部，2108…调制数据生成部，2290…球面波，2292…衍射波。