一种用于晶元的贴合方法
阅读说明：本技术 一种用于晶元的贴合方法 (Wafer attaching method ) 是由 胡小辉 于 2021-08-30 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种用于晶元的贴合方法,该晶元包括边缘部和本体部,该方法包括以下步骤；采用真空吸附方式将多个晶元依次转移至承载治具上；每个晶元在被转移至承载治具上均包括定位步骤和压紧步骤：所述定位步骤包括：对晶元的边缘部施加朝向所述承载治具方向的抵接力；所述压紧步骤包括：对晶元的本体部施加朝向所述承载治具方向的弹性压紧力,所述弹性压紧力在作用于晶元的本体部的中心后均匀朝向外围扩散至边缘部处；在其中一个晶元完成压紧步骤后将所述承载治具旋转预设角度,以承接另一个晶元。本发明至少包括以下优点：在保证晶元位置不改变的情况下,采用弹性施压的方式有效去除气泡,进而提高晶元的合格率。(The invention discloses a fitting method for a wafer, wherein the wafer comprises an edge part and a body part, and the method comprises the following steps; transferring the wafers onto a bearing jig in sequence by adopting a vacuum adsorption mode; each wafer is transferred to a bearing jig and comprises a positioning step and a pressing step: the positioning step comprises: exerting a resisting force towards the direction of the bearing jig on the edge part of the wafer; the compacting step comprises: applying elastic pressing force towards the direction of the bearing jig to the body part of the wafer, wherein the elastic pressing force is uniformly diffused to the edge part towards the periphery after acting on the center of the body part of the wafer; and after one wafer finishes the pressing step, rotating the bearing jig by a preset angle to bear another wafer. The invention at least comprises the following advantages: under the condition of ensuring that the position of the wafer is not changed, the elastic pressing mode is adopted to effectively remove bubbles, and then the qualification rate of the wafer is improved.)
技术领域
本发明涉及贴合技术领域，具体的是一种用于晶元的贴合方法。
背景技术
本部分的描述仅提供与本发明公开相关的背景信息，而不构成现有技术。
晶元在生产过程中，其表面会进行涂蜡工艺，进而晶元可以利用蜡体贴附在承载治具上。现有技术中，晶元由于是薄片状，通常采用的是吸附方式进行转移。晶元被转移至承载治具上时，蜡体在半凝固状态下被加压贴附到承载治具上。
由于晶元所能承受的力较小，且在加压过程中由于蜡体厚度不均、受力不均等因素的影响，会造成晶元在贴附后与承载治具之间产生气泡，进而无法满足后续的生产要求，造成晶元的报废。
应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本发明的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本发明的
背景技术
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
发明内容
为了克服现有技术中的缺陷，本发明实施例提供了一种用于晶元的贴合方法，其在保证晶元位置不改变的情况下，采用弹性施压的方式有效去除气泡，进而提高晶元的合格率。
本申请实施例公开了：一种用于晶元的贴合方法，该晶元包括边缘部和本体部，包括以下步骤；
采用真空吸附方式将多个晶元依次转移至承载治具上；
每个晶元在被转移至承载治具上均包括定位步骤和压紧步骤：
所述定位步骤包括：对晶元的边缘部施加朝向所述承载治具方向的抵接力；
所述压紧步骤包括：对晶元的本体部施加朝向所述承载治具方向的弹性压紧力，所述弹性压紧力在作用于晶元的本体部的中心后均匀朝向外围扩散至边缘部处；
在其中一个晶元完成压紧步骤后将所述承载治具旋转预设角度，以承接另一个晶元。
进一步地，在步骤“采用真空吸附方式将多个晶元依次转移至承载治具上”中，对所述晶元的边缘部进行真空吸附。
进一步地，在步骤“采用真空吸附方式将多个晶元依次转移至承载治具上”中，所述真空吸附方式采用负压吸附和/或伯努利原理吸附。
进一步地，所述晶元的边缘部受到所述抵接力的部分直径与晶元直径之比在0.6-0.8之间，所述晶元的边缘部受到抵接力的部分呈环形状。
进一步地，在步骤“对晶元的边缘部施加朝向所述承载治具方向的抵接力”中，采用机械限位的方式对晶元的边缘部进行抵接。
进一步地，在步骤“对晶元的本体部施加朝向所述承载治具方向的弹性压紧力”中，还包括对弹性体进行充气，使得弹性体膨胀后能够贴合所述晶元的本体部。
进一步地，在压紧步骤后，还包括对充气后的弹性体保持预设压紧时间，达到预设压紧时候后进行放气，直至所述弹性体完全与所述晶元的本体部分离，该步骤可以重复多次。
进一步地，在步骤“对晶元的本体部施加朝向所述承载治具方向的弹性压紧力”中，所述弹性压紧力的数值在90-110N之间。
进一步地，在步骤“采用真空吸附方式将多个晶元依次转移至承载治具上”之前，在所述晶元朝向所述承载治具的一面涂覆蜡体，所述蜡体的厚度在1.8-2.2μm之间。
借由以上的技术方案，本发明的有益效果如下：首先保证多个晶元能够有效完成转移工序；在其中一个晶元被转移至承载治具上后，利用吸附件的机械下压方式将晶元压合在承载治具上，进而保证所述晶元的边缘部在允许的外力下也能够相对承载治具固定；再利用弹性件充气方式挤压晶元的本体部，进而在晶元位置固定的情况下，高效率地将承载治具与晶元之间产生的气泡排除，进而保证两者贴合的高合格率；另外，采用一个晶元转移后立即实施去除气泡的工序，在蜡体没有完全凝固之前去除气泡更为简便且有效，完全替换了现有技术中待多个晶元全部转移至承载治具后，移动到下一工位再进行去除气泡的工序，利用蜡体对于温度的特性，有效改善存在气泡的现象。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例中的受抵接力的结构示意图；
图2是本发明实施例中的受弹性压紧力的结构示意图。
以上附图的附图标记：1、本体部；2、边缘部；3、承载治具；4、蜡体；5、抵接力；6、弹性件。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的和区别类似的对象，两者之间并不存在先后顺序，也不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
结合图1和涂2所示，本实施例中公开了一种用于晶元的贴合方法，该晶元包括边缘部2和本体部1，包括以下步骤；
采用真空吸附方式将多个晶元依次转移至承载治具3上；
每个晶元在被转移至承载治具3上均包括定位步骤和压紧步骤：
所述定位步骤包括：对晶元的边缘部2施加朝向所述承载治具3方向的抵接力5；
所述压紧步骤包括：对晶元的本体部1施加朝向所述承载治具3方向的弹性压紧力，所述弹性压紧力在作用于晶元的本体部1的中心后均匀朝向外围扩散至边缘部2处；
在其中一个晶元完成压紧步骤后将所述承载治具3旋转预设角度，以承接另一个晶元。
上述的方法中：首先保证多个晶元能够有效完成转移工序；在其中一个晶元被转移至承载治具3上后，利用吸附件的机械下压方式将晶元压合在承载治具3上，进而保证所述晶元的边缘部2在允许的外力下也能够相对承载治具3固定；再利用弹性件6充气方式挤压晶元的本体部1，进而在晶元位置固定的情况下，高效率地将承载治具3与晶元之间产生的气泡排除，进而保证两者贴合的高合格率；另外，采用一个晶元转移后立即实施去除气泡的工序，在蜡体4没有完全凝固之前去除气泡更为简便且有效，完全替换了现有技术中待多个晶元全部转移至承载治具3后，移动到下一工位再进行去除气泡的工序，利用蜡体4对于温度的特性，有效改善存在气泡的现象。
实施例1
承载治具3的工作面位于水平面内，其中值得注意的是，本申请的工作环境为无尘环境；其中一种方式是采用向外抽风的方式保持工作环境的洁净度。
该贴合方法包括以下步骤：
在所述晶元的下表面均匀涂覆蜡体4，所述蜡体4的厚度在1.8-2.2μm之间，优选地蜡体4的厚度为2μm。
采用真空负压的方式吸附涂覆好蜡体4的晶元，此处可以利用吸嘴配合多轴坐标系或者多轴机械手，进而把蜡体4转移至承载治具3上。值得注意的是，在吸附过程中，是对晶元的边缘部2进行吸附，其中所述晶元的边缘部2受到所述抵接力5的部分直径与晶元直径之比在0.6-0.8之间，所述晶元的边缘部2受到抵接力5的部分呈环形状。
对晶元的边缘部2施加朝向所述承载治具3方向的抵接力5。具体地，吸嘴在将晶元转移至承载治具3上时，会持续对晶元进行吸附，并向下移动，以将对应的晶元抵接在承载治具3上，一方面使得晶元上的蜡体4能够粘合所述承载治具3，另一方面利用机械限位的方式实现晶元相对承载治具3的位置固定。上述的设置方式，晶元在受到设备运行过程中的振动、气流等因素的影响下，始终能够保持相对位置的稳定性，也为后续排除气泡工序的有效进行提供支持。
在压紧步骤中，该吸嘴仍旧对晶元的边缘部2具有抵压动作。该压紧步骤包括：对晶元的本体部1施加朝向所述承载治具3方向的弹性压紧力，所述弹性压紧力在作用于晶元的本体部1的中心后均匀朝向外围扩散至边缘部2处。优选地，该弹性压紧力的数值在90-110N之间。
具体地，该压紧步骤中引入弹性件6，可以采用硅胶材料制成的气囊。在压紧步骤中，对气囊进行充气，其中所述气囊的中间部与晶元的中间部对应设置，在充气的过程中也最先与晶元抵接，进而对施加弹性压紧力。持续对气囊进行充气，会向下膨胀，由于下方的晶元被承载治具3限位，因此气囊在膨胀的过程中会发生形变，进而与晶元的本体部1全面贴合，实现弹性压紧的工序。上述压紧步骤，一方面利用晶元与承载治具3的位置相对固定，使得在施压弹性压紧力的过程中，能够有效去除气泡；另一方面，利用气囊的形变特性，采用由中间向外部逐步施加弹性压紧力方式，使得气泡在排除的过程中可以规则向外移动，进而被排除，避免由于各处同时受力导致的气乱动的现象发生。
在压紧步骤后，还包括对充气后的弹性体保持预设压紧时间，达到预设压紧时候后进行放气，直至所述弹性体完全与所述晶元的本体部1分离。上述的过程中，一方面能够有效地避免气泡回弹的现象产生，另一方面通过对蜡体4的施压保压，使得晶元能够充分粘合在承载治具3上。
实施例2
本实施例与实施例1基本相同，不同之处在于：
在步骤“采用真空吸附方式将多个晶元依次转移至承载治具3上”中，采用伯努利原理吸附的方式吸附涂覆好蜡体4的晶元。仍可以利用吸嘴配合多轴坐标系或者多轴机械手，进而把蜡体4转移至承载治具3上。
在压紧步骤后，还包括对充气后的弹性体保持预设压紧时间，达到预设压紧时候后进行放气，直至所述弹性体完全与所述晶元的本体部1分离。上述步骤重复多次，本实施例中重复步骤为三次。
本发明中应用了具体实施例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
- 上一篇：一种医用注射器针头装配设备
- 下一篇：一种降低切筋应力影响的封装筛选方法