一种金凸块表面粗糙度改善方法
阅读说明：本技术 一种金凸块表面粗糙度改善方法 (Method for improving surface roughness of gold bump ) 是由 武立志 朱翔宇 于 2021-09-10 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种金凸块表面粗糙度改善方法。所述金凸块表面粗糙度改善方法,包括以下操作步骤：S1、溅镀金属膜：将集成电路芯片放入电镀机中,先将真空抽至1×10～(-2)Pa,再通入氩气离子轰击靶材。本发明提供一种金凸块表面粗糙度改善方法,主要通过调整吸泵的功率,分别实现对上层管路、中层管路以及下层管路中电镀液流量的调节,将上层管路、中层管路流量控制在30-36LPM范围内,而下层管路流量控制在0-5LPM范围内,在电镀槽中形成向上平稳流动状态,通过改善镀液流场的分布达到改善晶圆表面镀液浓度,从而改善二次电流分布,即依靠改善流场使得板面的电流密度更加接近,进而能够使得镀层自然均匀分布在金凸块的表面,形成光滑的镀层。(The invention provides a method for improving the surface roughness of a gold bump. The method for improving the surface roughness of the gold bump comprises the following operation steps: s1, sputtering a metal film: putting the IC chip into electroplating machine, vacuumizing to 1 × 10 ‑2 Pa, introducing argon ions to bombard the target material. The invention provides a method for improving the surface roughness of a gold bump, which mainly adjusts the flow of electroplating liquid in an upper pipeline, a middle pipeline and a lower pipeline by adjusting the power of a suction pump, controls the flow of the upper pipeline and the middle pipeline within the range of 30-36LPM, controls the flow of the lower pipeline within the range of 0-5LPM, forms an upward stable flowing state in an electroplating bath, and improves the concentration of the electroplating liquid on the surface of a wafer by improving the distribution of an electroplating liquid flow field, thereby improving the distribution of secondary current, namely, the current density of a plate surface is closer by improving the flow field, so that the electroplating layer can be naturally and uniformly distributed on the surface of the gold bump to form a smooth electroplating layer.)
技术领域
本发明涉及驱动芯片金凸块封装领域，尤其涉及一种金凸块表面粗糙度改善方法。
背景技术
芯片属于半导体元件产品的统称，在电子学中是一种将电路小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上，电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜集成电路，另有一种厚膜集成电路是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。
在半导体封装制造业中，金凸块制造工艺广泛用于液晶面板驱动芯片的封装，常规工艺下，金凸块表面最终呈现接近黄金的色泽。
相关技术中，金凸块的制备工艺一般包括溅镀、光阻涂布、曝光、显影、电镀金、光阻去除、金层去除等步骤，而通过该类方法制备出来的金凸块其表面粗糙度表现不够稳定，存在较多的不够光滑的金凸块，而金凸块表面过于粗糙，则会影响后期封装压合的有效性，导致生产出来的产品质量较差。
因此，有必要提供一种金凸块表面粗糙度改善方法解决上述技术问题。
发明内容
本发明提供一种金凸块表面粗糙度改善方法，解决了现有金凸块制造工艺制备出来的金凸块表面粗糙度表现不够稳定的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供的金凸块表面粗糙度改善方法，包括以下操作步骤：
S1、溅镀金属膜：将集成电路芯片放入电镀机中，先将真空抽至1×10-2Pa，再通入氩气离子轰击靶材，在0.5-1.0Pa的压力下进行溅镀，最终在集成电路芯片表面溅镀形成金属膜，得到一次加工芯片；
S2、光阻喷涂：将一次加工芯片放入光阻涂布机中，通过光阻涂布机在集成电路芯片表面均匀喷涂光阻，且光阻的厚度为10-30μm，喷涂完成之后取出晾干备用，得到二次加工芯片；
S3、芯片曝光处理：将二次加工芯片放入曝光机中，通过曝光机照射的紫外线对二次加工芯片上无需生长金凸块位置的光阻进行曝光处理，使得芯片上形成曝光区，得到三次加工芯片；
S4、显影处理：将三次加工芯片放入显影机中，利用显影机对三次加工芯片喷涂显影液，将其上未曝光区的光阻去除掉，并将需要生长金凸块的位置打开开窗，得到四次加工芯片；
S5、电镀金处理：将四次加工芯片中放入电镀金系统中，其中，通过调整吸泵的功率，将电镀液流量调整为上层管路流量30-36LPM，中层管路流量30-36LPM，下层流量调整为0-5LPM，使得镀液从上/中两支管路喷流，上管路向上镀液充满至外槽，上管路向下与中管路向上镀液相遇后流速几乎抵消形成相对静态区，中管路向下镀液会与槽体底部碰撞并形成向上平稳流动状态，最终在四次加工芯片上光阻开窗区镀10-15μm高度的金凸块，得到五次加工芯片；
S6、光阻和金层去除：将五次加工芯片放入光阻去除设备中，通过光阻去除液将五次加工芯片上金凸块两侧的光阻去除，之后再对其分别进行电浆处理和金蚀刻处理，将五次加工芯片上溅镀金属膜中的金层去除，然后再次对金凸块表面单独进行电浆处理和金蚀刻处理，得到六次加工芯片；
S7、钛钨膜蚀刻：将六次加工芯片放入蚀刻设备中，将六次加工芯片上的溅镀金属膜中的钛钨膜去除，最终得到表面均匀的集成电路芯片金凸块。
优选的，所述S1中在溅镀时，须注意电流、电压及压力，开始时溅镀若有打火，可缓慢调升电压，待稳定放电后再关上开关。
优选的，所述S2中光阻喷涂完成之后，需要在22-25℃室温条件下晾干1-2小时，并在晾干之后对芯片外部进行检查，是否存在光阻喷涂不均匀问题。
优选的，所述S3中曝光机照射的紫外线射光强范围为10mW/cm2-15mW/cm2，且曝光时常控制在20-30分钟。
优选的，所述S4中显影液采用的质量含量为3.3-3.6％的四甲基氢氧化铵水溶液，且在喷涂显影液之后其在芯片上的滞留时间为10-15分钟，在去除完成之后，还需对芯片进行检查，保证光阻去除干净。
优选的，所述S5中电镀金系统包括电镀槽、上层管路、中层管路、下层管路、活性炭滤芯、pp滤芯、加热石英舟和吸泵，所述吸泵分别与所述上层管路、所述中层管路、所述下层管路连接。
优选的，所述S5中活性炭滤芯、pp滤芯、加热石英舟依次通过管道连接，所述活性炭滤芯用于吸附电镀液中的有机杂质，所述pp滤芯用于过滤电镀液中的颗粒物杂质，所述加热石英舟用于对电镀液进行加热处理。
优选的，所述S6中电浆处理主要是通过在电浆机中用高频电场将氧气激发成氧等离子体，使氧等离子体轰击集成电路芯片表面，进而能够去除芯片表面的有机杂质。
优选的，所述S6中金蚀刻处理中，为了将芯片即金凸块表面的溅镀金层去除，一般需要重复蚀刻2-3次，且每次蚀刻时间为30-40秒。
与相关技术相比较，本发明提供的金凸块表面粗糙度改善方法具有如下有益效果：
本发明提供一种金凸块表面粗糙度改善方法，主要通过调整吸泵的功率，分别实现对上层管路、中层管路以及下层管路中电镀液流量的调节，将上层管路、中层管路流量控制在30-36LPM范围内，而下层管路流量控制在0-5LPM范围内，在电镀槽中形成向上平稳流动状态，通过改善镀液流场的分布达到改善晶圆表面镀液浓度，从而改善二次电流分布，即依靠改善流场使得板面的电流密度更加接近，进而能够使得镀层自然均匀分布在金凸块的表面，形成光滑的镀层，同时在光阻喷涂、芯片曝光、显影处理等步骤上进一步进行优化和调整，在实际操作过程中更加清晰，大大降低了操作难度、提高成功率，而在使用该方法制备出来的金凸块，表面粗糙度得到明显的改善，产品表现更加稳定，且合格率大大提升，更好的满足对金凸块的生产需求。
附图说明
图1为本发明提供的金凸块表面粗糙度改善方法的流程图；
图2为本发明提供的金凸块表面粗糙度改善方法中不同流场下的金凸块表面粗糙度统计图；
图3为本发明提供的金凸块表面粗糙度改善方法中电镀槽的结构示意图；
图4为本发明提供的金凸块表面粗糙度改善方法中Bump成长机制示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。
第一实施例
请结合参阅图1、图2、图3和图4，其中，图1为本发明提供的金凸块表面粗糙度改善方法的流程图；图2为本发明提供的金凸块表面粗糙度改善方法中不同流场下的金凸块表面粗糙度统计图；图3为本发明提供的金凸块表面粗糙度改善方法中电镀槽的结构示意图；图4为本发明提供的金凸块表面粗糙度改善方法中Bump成长机制示意图。金凸块表面粗糙度改善方法，包括以下操作步骤：
S1、溅镀金属膜：将集成电路芯片放入电镀机中，先将真空抽至1×10-2Pa，再通入氩气离子轰击靶材，在0.5Pa的压力下进行溅镀，最终在集成电路芯片表面溅镀形成金属膜，得到一次加工芯片，在溅镀时，须注意电流、电压及压力，开始时溅镀若有打火，可缓慢调升电压，待稳定放电后再关上开关；
S2、光阻喷涂：将一次加工芯片放入光阻涂布机中，通过光阻涂布机在集成电路芯片表面均匀喷涂光阻，且光阻的厚度为10μm，喷涂完成之后取出晾干备用，所述S2中光阻喷涂完成之后，需要在22℃室温条件下晾干1小时，并在晾干之后对芯片外部进行检查，是否存在光阻喷涂不均匀问题，得到二次加工芯片；
S3、芯片曝光处理：将二次加工芯片放入曝光机中，通过曝光机照射的紫外线对二次加工芯片上无需生长金凸块位置的光阻进行曝光处理，曝光机照射的紫外线射光强范围为10mW/cm2，且曝光时常控制在20分钟，使得芯片上形成曝光区，得到三次加工芯片；
S4、显影处理：将三次加工芯片放入显影机中，利用显影机对三次加工芯片喷涂显影液，显影液采用的质量含量为3.3％的四甲基氢氧化铵水溶液，且在喷涂显影液之后其在芯片上的滞留时间为10-15分钟，将其上未曝光区的光阻去除掉，并将需要生长金凸块的位置打开开窗，在去除完成之后，还需对芯片进行检查，保证光阻去除干净，得到四次加工芯片；
S5、电镀金处理：将四次加工芯片中放入电镀金系统中，其中，通过调整吸泵的功率，将电镀液流量调整为上层管路流量30LPM，中层管路流量30LPM，下层流量调整为0LPM，使得镀液从上/中两支管路喷流，上管路向上镀液充满至外槽，上管路向下与中管路向上镀液相遇后流速几乎抵消形成相对静态区，中管路向下镀液会与槽体底部碰撞并形成向上平稳流动状态，最终在四次加工芯片上光阻开窗区镀10μm高度的金凸块，得到五次加工芯片，电镀金系统包括电镀槽、上层管路、中层管路、下层管路、活性炭滤芯、pp滤芯、加热石英舟和吸泵，所述吸泵分别与所述上层管路、所述中层管路、所述下层管路连接，而上层管路、中层管路、下层管路与电镀槽的一侧连通，通过吸泵运转，实现电镀液循环流动，而活性炭滤芯、pp滤芯、加热石英舟依次通过管道连接，所述活性炭滤芯用于吸附电镀液中的有机杂质，所述pp滤芯用于过滤电镀液中的颗粒物杂质，所述加热石英舟用于对电镀液进行加热处理；
S6、光阻和金层去除：将五次加工芯片放入光阻去除设备中，通过光阻去除液将五次加工芯片上金凸块两侧的光阻去除，之后再对其分别进行电浆处理和金蚀刻处理，电浆处理主要是通过在电浆机中用高频电场将氧气激发成氧等离子体，使氧等离子体轰击集成电路芯片表面，进而能够去除芯片表面的有机杂质，金蚀刻处理中，为了将芯片即金凸块表面的溅镀金层去除，一般需要重复蚀刻2次，且每次蚀刻时间为30秒，将五次加工芯片上溅镀金属膜中的金层去除，然后再次对金凸块表面单独进行电浆处理和金蚀刻处理，得到六次加工芯片；
S7、钛钨膜蚀刻：将六次加工芯片放入蚀刻设备中，将六次加工芯片上的溅镀金属膜中的钛钨膜去除，最终得到表面均匀的集成电路芯片金凸块。
第二实施例
基于本发明的第一实施例一种金凸块表面粗糙度改善方法，本发明的第二实施例提供另一种金凸块表面粗糙度改善方法，其中，第二实施例并不会妨碍第一实施例的技术方案的独立实施。
具体的，本发明的提供另一种金凸块表面粗糙度改善方法不同之处在于：
包括以下操作步骤：
S1、溅镀金属膜：将集成电路芯片放入电镀机中，先将真空抽至1×10-2Pa，再通入氩气离子轰击靶材，在1.0Pa的压力下进行溅镀，最终在集成电路芯片表面溅镀形成金属膜，得到一次加工芯片，在溅镀时，须注意电流、电压及压力，开始时溅镀若有打火，可缓慢调升电压，待稳定放电后再关上开关；
S2、光阻喷涂：将一次加工芯片放入光阻涂布机中，通过光阻涂布机在集成电路芯片表面均匀喷涂光阻，且光阻的厚度为30μm，喷涂完成之后取出晾干备用，所述S2中光阻喷涂完成之后，需要在25℃室温条件下晾干2小时，并在晾干之后对芯片外部进行检查，是否存在光阻喷涂不均匀问题，得到二次加工芯片；
S3、芯片曝光处理：将二次加工芯片放入曝光机中，通过曝光机照射的紫外线对二次加工芯片上无需生长金凸块位置的光阻进行曝光处理，曝光机照射的紫外线射光强范围为15mW/cm2，且曝光时常控制在30分钟，使得芯片上形成曝光区，得到三次加工芯片；
S4、显影处理：将三次加工芯片放入显影机中，利用显影机对三次加工芯片喷涂显影液，显影液采用的质量含量为3.6％的四甲基氢氧化铵水溶液，且在喷涂显影液之后其在芯片上的滞留时间为15分钟，将其上未曝光区的光阻去除掉，并将需要生长金凸块的位置打开开窗，在去除完成之后，还需对芯片进行检查，保证光阻去除干净，得到四次加工芯片；
S5、电镀金处理：将四次加工芯片中放入电镀金系统中，其中，通过调整吸泵的功率，将电镀液流量调整为上层管路流量36LPM，中层管路流量36LPM，下层流量调整为5LPM，使得镀液从上/中两支管路喷流，上管路向上镀液充满至外槽，上管路向下与中管路向上镀液相遇后流速几乎抵消形成相对静态区，中管路向下镀液会与槽体底部碰撞并形成向上平稳流动状态，最终在四次加工芯片上光阻开窗区镀15μm高度的金凸块，得到五次加工芯片，电镀金系统包括电镀槽、上层管路、中层管路、下层管路、活性炭滤芯、pp滤芯、加热石英舟和吸泵，所述吸泵分别与所述上层管路、所述中层管路、所述下层管路连接，而上层管路、中层管路、下层管路与电镀槽的一侧连通，通过吸泵运转，实现电镀液循环流动，而活性炭滤芯、pp滤芯、加热石英舟依次通过管道连接，所述活性炭滤芯用于吸附电镀液中的有机杂质，所述pp滤芯用于过滤电镀液中的颗粒物杂质，所述加热石英舟用于对电镀液进行加热处理；
S6、光阻和金层去除：将五次加工芯片放入光阻去除设备中，通过光阻去除液将五次加工芯片上金凸块两侧的光阻去除，之后再对其分别进行电浆处理和金蚀刻处理，电浆处理主要是通过在电浆机中用高频电场将氧气激发成氧等离子体，使氧等离子体轰击集成电路芯片表面，进而能够去除芯片表面的有机杂质，金蚀刻处理中，为了将芯片即金凸块表面的溅镀金层去除，一般需要重复蚀刻3次，且每次蚀刻时间为40秒，将五次加工芯片上溅镀金属膜中的金层去除，然后再次对金凸块表面单独进行电浆处理和金蚀刻处理，得到六次加工芯片；
S7、钛钨膜蚀刻：将六次加工芯片放入蚀刻设备中，将六次加工芯片上的溅镀金属膜中的钛钨膜去除，最终得到表面均匀的集成电路芯片金凸块。
第三实施例
基于本发明的第一实施例一种金凸块表面粗糙度改善方法，本发明的第二实施例提供另一种金凸块表面粗糙度改善方法，其中，第二实施例并不会妨碍第一实施例的技术方案的独立实施。
具体的，本发明的提供另一种金凸块表面粗糙度改善方法不同之处在于：
包括以下操作步骤：
S1、溅镀金属膜：将集成电路芯片放入电镀机中，先将真空抽至1×10-2Pa，再通入氩气离子轰击靶材，在0.8Pa的压力下进行溅镀，最终在集成电路芯片表面溅镀形成金属膜，得到一次加工芯片，在溅镀时，须注意电流、电压及压力，开始时溅镀若有打火，可缓慢调升电压，待稳定放电后再关上开关；
S2、光阻喷涂：将一次加工芯片放入光阻涂布机中，通过光阻涂布机在集成电路芯片表面均匀喷涂光阻，且光阻的厚度为20μm，喷涂完成之后取出晾干备用，所述S2中光阻喷涂完成之后，需要在235℃室温条件下晾干1小时，并在晾干之后对芯片外部进行检查，是否存在光阻喷涂不均匀问题，得到二次加工芯片；
S3、芯片曝光处理：将二次加工芯片放入曝光机中，通过曝光机照射的紫外线对二次加工芯片上无需生长金凸块位置的光阻进行曝光处理，曝光机照射的紫外线射光强范围为12W/cm2，且曝光时常控制在25分钟，使得芯片上形成曝光区，得到三次加工芯片；
S4、显影处理：将三次加工芯片放入显影机中，利用显影机对三次加工芯片喷涂显影液，显影液采用的质量含量为3.5％的四甲基氢氧化铵水溶液，且在喷涂显影液之后其在芯片上的滞留时间为12分钟，将其上未曝光区的光阻去除掉，并将需要生长金凸块的位置打开开窗，在去除完成之后，还需对芯片进行检查，保证光阻去除干净，得到四次加工芯片；
S5、电镀金处理：将四次加工芯片中放入电镀金系统中，其中，通过调整吸泵的功率，将电镀液流量调整为上层管路流量33LPM，中层管路流量33LPM，下层流量调整为2LPM，使得镀液从上/中两支管路喷流，上管路向上镀液充满至外槽，上管路向下与中管路向上镀液相遇后流速几乎抵消形成相对静态区，中管路向下镀液会与槽体底部碰撞并形成向上平稳流动状态，最终在四次加工芯片上光阻开窗区镀12μm高度的金凸块，得到五次加工芯片，电镀金系统包括电镀槽、上层管路、中层管路、下层管路、活性炭滤芯、pp滤芯、加热石英舟和吸泵，所述吸泵分别与所述上层管路、所述中层管路、所述下层管路连接，而上层管路、中层管路、下层管路与电镀槽的一侧连通，通过吸泵运转，实现电镀液循环流动，而活性炭滤芯、pp滤芯、加热石英舟依次通过管道连接，所述活性炭滤芯用于吸附电镀液中的有机杂质，所述pp滤芯用于过滤电镀液中的颗粒物杂质，所述加热石英舟用于对电镀液进行加热处理；
S6、光阻和金层去除：将五次加工芯片放入光阻去除设备中，通过光阻去除液将五次加工芯片上金凸块两侧的光阻去除，之后再对其分别进行电浆处理和金蚀刻处理，电浆处理主要是通过在电浆机中用高频电场将氧气激发成氧等离子体，使氧等离子体轰击集成电路芯片表面，进而能够去除芯片表面的有机杂质，金蚀刻处理中，为了将芯片即金凸块表面的溅镀金层去除，一般需要重复蚀刻2次，且每次蚀刻时间为35秒，将五次加工芯片上溅镀金属膜中的金层去除，然后再次对金凸块表面单独进行电浆处理和金蚀刻处理，得到六次加工芯片；
S7、钛钨膜蚀刻：将六次加工芯片放入蚀刻设备中，将六次加工芯片上的溅镀金属膜中的钛钨膜去除，最终得到表面均匀的集成电路芯片金凸块。
第四实施例
基于本发明的第一实施例一种金凸块表面粗糙度改善方法，本发明的第二实施例提供另一种金凸块表面粗糙度改善方法，其中，第二实施例并不会妨碍第一实施例的技术方案的独立实施。
具体的，本发明的提供另一种金凸块表面粗糙度改善方法不同之处在于：
包括以下操作步骤：
S1、溅镀金属膜：将集成电路芯片放入电镀机中，先将真空抽至1×10-2Pa，再通入氩气离子轰击靶材，在0.5Pa的压力下进行溅镀，最终在集成电路芯片表面溅镀形成金属膜，得到一次加工芯片，在溅镀时，须注意电流、电压及压力，开始时溅镀若有打火，可缓慢调升电压，待稳定放电后再关上开关；
S2、光阻喷涂：将一次加工芯片放入光阻涂布机中，通过光阻涂布机在集成电路芯片表面均匀喷涂光阻，且光阻的厚度为30μm，喷涂完成之后取出晾干备用，所述S2中光阻喷涂完成之后，需要在23℃室温条件下晾干-2小时，并在晾干之后对芯片外部进行检查，是否存在光阻喷涂不均匀问题，得到二次加工芯片；
S3、芯片曝光处理：将二次加工芯片放入曝光机中，通过曝光机照射的紫外线对二次加工芯片上无需生长金凸块位置的光阻进行曝光处理，曝光机照射的紫外线射光强范围为12W/cm2，且曝光时常控制在20-30分钟，使得芯片上形成曝光区，得到三次加工芯片；
S4、显影处理：将三次加工芯片放入显影机中，利用显影机对三次加工芯片喷涂显影液，显影液采用的质量含量为3.5％的四甲基氢氧化铵水溶液，且在喷涂显影液之后其在芯片上的滞留时间为15分钟，将其上未曝光区的光阻去除掉，并将需要生长金凸块的位置打开开窗，在去除完成之后，还需对芯片进行检查，保证光阻去除干净，得到四次加工芯片；
S5、电镀金处理：将四次加工芯片中放入电镀金系统中，其中，通过调整吸泵的功率，将电镀液流量调整为上层管路流量32LPM，中层管路流量32LPM，下层流量调整为3LPM，使得镀液从上/中两支管路喷流，上管路向上镀液充满至外槽，上管路向下与中管路向上镀液相遇后流速几乎抵消形成相对静态区，中管路向下镀液会与槽体底部碰撞并形成向上平稳流动状态，最终在四次加工芯片上光阻开窗区镀12μm高度的金凸块，得到五次加工芯片，电镀金系统包括电镀槽、上层管路、中层管路、下层管路、活性炭滤芯、pp滤芯、加热石英舟和吸泵，所述吸泵分别与所述上层管路、所述中层管路、所述下层管路连接，而上层管路、中层管路、下层管路与电镀槽的一侧连通，通过吸泵运转，实现电镀液循环流动，而活性炭滤芯、pp滤芯、加热石英舟依次通过管道连接，所述活性炭滤芯用于吸附电镀液中的有机杂质，所述pp滤芯用于过滤电镀液中的颗粒物杂质，所述加热石英舟用于对电镀液进行加热处理；
S6、光阻和金层去除：将五次加工芯片放入光阻去除设备中，通过光阻去除液将五次加工芯片上金凸块两侧的光阻去除，之后再对其分别进行电浆处理和金蚀刻处理，电浆处理主要是通过在电浆机中用高频电场将氧气激发成氧等离子体，使氧等离子体轰击集成电路芯片表面，进而能够去除芯片表面的有机杂质，金蚀刻处理中，为了将芯片即金凸块表面的溅镀金层去除，一般需要重复蚀刻3次，且每次蚀刻时间为30秒，将五次加工芯片上溅镀金属膜中的金层去除，然后再次对金凸块表面单独进行电浆处理和金蚀刻处理，得到六次加工芯片；
S7、钛钨膜蚀刻：将六次加工芯片放入蚀刻设备中，将六次加工芯片上的溅镀金属膜中的钛钨膜去除，最终得到表面均匀的集成电路芯片金凸块。
对实施例1-4中所制备的金凸块表面粗糙度平均值、平均值最大离散值、最大值、最小值、平均值最小离散值以及离散程度值分别进行实现对比，为了便于比较，所有实施例的数据基于实施例1的数据进行归一化。
表1
由上表可知，由于实施例1中制备的金凸块表面粗糙度的平均值、平均值最大离散值、最大值、最小值、平均值最小离散值均最小，且离散程度值最大，故实施例1中给出的金凸块表面粗糙度改善方法是最优选择。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。