晶片的加工方法

文档序号:1955586 发布日期:2021-12-10 浏览:15次 >En<

阅读说明:本技术 晶片的加工方法 (Method for processing wafer ) 是由 冈村卓 原田成规 泷田友春 于 2021-06-07 设计创作,主要内容包括:本发明提供晶片的加工方法,简单地将残留于晶片的外周部的加强部去除。晶片的加工方法对晶片进行加工,该晶片在正面侧具有器件区域,在背面侧具有形成于与该器件区域对应的区域的凹部,在外周部具有将该器件区域和该凹部包围的环状的加强部,其中,该器件区域在由以相互交叉的方式呈格子状排列的多条分割预定线划分的多个区域中分别形成有器件,该晶片的加工方法包含如下步骤:保持步骤,利用卡盘工作台对凹部的底面进行保持;切削步骤,利用切削刀具沿着分割预定线对晶片进行切削,由此将器件区域分割成多个器件芯片,并且在加强部的正面侧形成槽;以及分割步骤,通过对加强部施加外力,以槽为起点沿着分割预定线对加强部进行分割。(The invention provides a method for processing a wafer, which can simply remove a reinforcing part remained on the periphery of the wafer. A method for processing a wafer having a device region on a front surface side, a recess formed in a region corresponding to the device region on a back surface side, and a ring-shaped reinforcement portion surrounding the device region and the recess on an outer peripheral portion, wherein the device region has devices formed in each of a plurality of regions defined by a plurality of planned dividing lines arranged in a lattice shape so as to intersect each other, the method comprising the steps of: a holding step of holding the bottom surface of the recess by a chuck table; a cutting step of cutting the wafer along a dividing scheduled line by using a cutting tool, thereby dividing the device region into a plurality of device chips and forming a groove on the front side of the reinforcing part; and a dividing step of dividing the reinforcing portion along the planned dividing line with the groove as a starting point by applying an external force to the reinforcing portion.)

晶片的加工方法

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法。

背景技术

在器件芯片的制造工序中,使用在正面侧具有器件区域的晶片,该器件区域在由呈格子状排列的分割预定线(间隔道)划分的多个区域中分别形成有器件。通过沿着分割预定线对该晶片进行分割,能够得到分别具有器件的多个器件芯片。器件芯片搭载于移动电话、个人计算机等各种电子设备。

近年来,伴随着电子设备的小型化,要求器件芯片的薄型化。因此,有时在晶片的分割前实施使晶片薄化的加工。在晶片的薄化中使用具有卡盘工作台和磨削单元的磨削装置,该卡盘工作台对晶片进行保持,该磨削单元安装有具有多个磨削磨具的磨削磨轮。通过使磨削磨具与卡盘工作台所保持的晶片的背面侧接触,对晶片进行磨削而薄化。

但是,当对晶片进行磨削而薄化时,晶片的刚性降低,在之后的搬送工序中晶片容易破损等,晶片的处理变得困难。因此,提出了仅对晶片的背面侧中的与器件区域重叠的区域进行磨削而薄化的方法。如果使用该方法,则在晶片的背面侧的中央部形成凹部,另一方面,晶片的外周部不被薄化而维持较厚的状态,作为环状的加强部残留。由此,能够抑制磨削后的晶片的刚性降低。

使用利用环状的切削刀具对被加工物进行切削的切削装置等,将被薄化的晶片最终分割成多个器件芯片。此时,在将残留于外周部的环状的加强部去除之后,晶片沿着分割预定线被切断。例如,在专利文献1中公开了如下的方法:在利用切削刀具呈环状对晶片的外周部进行切削而将器件区域和加强部(环状凸部)分离之后,利用具有多个爪的爪组件将加强部拾起而去除。

专利文献1:日本特开2011-61137号公报

如上所述,残留于晶片的外周部的环状的加强部在晶片的加工工艺中从晶片分离而被去除。但是,在加强部刚刚从晶片分离之后,加强部以包围被薄化而刚性降低的状态的晶片的中央部(器件区域)的方式接近器件区域地配置。因此,在将加强部去除时,有可能加强部错误地与器件区域接触而损伤器件区域。

因此,为了适当地去除加强部,需要慎重地保持加强部以使加强部不与器件区域干涉,并且需要以使加强部不产生摆动或位置偏移的方式拾起加强部的作业。其结果为,用于加强部的去除的机构(爪组件等)的构造复杂化,成本增大。另外,加强部的去除所需的作业时间变长,加工装置的工作效率降低。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于,提供能够简单地将残留于晶片的外周部的加强部去除的晶片的加工方法。

根据本发明的一个方式,提供一种晶片的加工方法,对晶片进行加工,该晶片在正面侧具有器件区域,在背面侧具有形成于与该器件区域对应的区域的凹部,在外周部具有将该器件区域和该凹部包围的环状的加强部,其中,该器件区域在由以相互交叉的方式呈格子状排列的多条分割预定线划分的多个区域中分别形成有器件,其中,该晶片的加工方法包含如下的步骤:带粘贴步骤,将粘接带沿着该凹部和该加强部粘贴在该晶片的背面侧;保持步骤,利用第1卡盘工作台隔着该粘接带对该凹部的底面进行保持;切削步骤,利用切削刀具沿着该分割预定线对该晶片进行切削,由此将该器件区域分割成多个器件芯片,并且在该加强部的正面侧形成槽;以及分割步骤,对该加强部施加外力,从而以该槽为起点沿着该分割预定线对该加强部进行分割。

另外,优选在该分割步骤中,在利用与该晶片的该加强部对应的位置具有凹凸的第2卡盘工作台对该晶片进行支承的状态下,利用该第2卡盘工作台对该粘接带进行吸引,由此将该粘接带沿着该凹凸配置而对该加强部进行分割。另外,优选该晶片的加工方法还包含如下的分离步骤:在实施了该保持步骤之后且在实施该分割步骤之前,利用该切削刀具呈环状对该器件区域的外周部进行切削,由此将该器件区域与该加强部分离。

另外,优选该晶片的加工方法还包含如下的加强部去除步骤:在实施了该分割步骤之后,向该加强部喷射流体从而将该加强部去除。另外,优选该流体从该晶片的中心侧朝向外周侧喷射。另外,该流体可以是包含气体和液体的混合流体。另外,该流体也可以是液体。

另外,优选该晶片的加工方法还包含如下的划刻线形成步骤:在实施了该切削步骤之后且在实施该分割步骤之前,在该加强部上沿着该加强部的径向形成多条划刻线。

在本发明的一个方式的晶片的加工方法中,在切削步骤中将器件区域分割成多个器件芯片,并且在加强部的正面侧形成槽。然后,在分割步骤中,对加强部施加外力,以槽为起点对加强部进行分割。其结果为,例如通过向被分割的加强部喷射流体等简单的方法,能够容易地从晶片去除加强部。

附图说明

图1的(A)是示出晶片的正面侧的立体图,图1的(B)是示出晶片的背面侧的立体图。

图2的(A)是示出粘贴有粘接带的晶片的立体图,图2的(B)是示出粘贴有粘接带的晶片的剖视图。

图3是示出切削装置的立体图。

图4是示出被卡盘工作台保持的晶片的剖视图。

图5的(A)是示出沿着第1方向被切削的晶片的剖视图,图5的(B)是示出沿着第2方向被切削的晶片的剖视图。

图6是示出清洗单元的立体图。

图7的(A)是示出配置在卡盘工作台上的晶片的剖视图,图7的(B)是示出被卡盘工作台吸引的晶片的剖视图。

图8的(A)是示出加强部被喷射流体的晶片的剖视图,图8的(B)是示出加强部被去除的晶片的剖视图。

图9的(A)是示出具有槽形成单元的切削装置的俯视图,图9的(B)是示出具有槽形成单元的切削装置的剖视图。

标号说明

11:晶片;11a:正面;11b:背面;11c:槽;13:分割预定线(间隔道);15:器件;17a:器件区域;17b:外周剩余区域;19:凹部(槽);19a:底面;19b:侧面(内壁);21:加强部(凸部);23:粘接带;25:框架;25a:开口;27:器件芯片;2:切削装置;4:卡盘工作台(保持工作台);4a:保持面;6:框体(主体部);6a:上表面;6b:凹部(槽);8:保持部件;8a:吸引面;10:夹具;12:切削单元;14:壳体;16:切削刀具;18:刀具罩;20:连接部;22:喷嘴;30:清洗单元;32:卡盘工作台(保持工作台);34:框体(主体部);34a:上表面;34b:凹部(槽);36:保持部件;36a:吸引面;38:凸部(突起);40a、40b、40c:槽;42a、42b:阀;44:吸引源;46:流体提供单元;48:喷嘴;50:臂;52:流体;60:槽形成单元(划刻线形成单元);62:固定部件;64:切割器;64a:切刃;66:按压部件;66a:按压面。

具体实施方式

以下,参照附图对本发明的一个方式的实施方式进行说明。首先,对能够通过本实施方式的晶片的加工方法进行加工的晶片的结构例进行说明。图1的(A)是示出晶片11的正面侧的立体图,图1的(B)是示出晶片11的背面侧的立体图。

晶片11例如是由硅等半导体形成的圆盘状的基板,具有大致相互平行的正面11a和背面11b。晶片11被以相互交叉的方式呈格子状排列的多条分割预定线(间隔道)13划分为多个矩形状的区域。另外,在由分割预定线13划分的区域的正面11a侧分别形成有IC(Integrated Circuit:集成电路)、LSI(Large Scale Integration:大规模集成电路)、LED(Light Emitting Diode:发光二极管)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems:微机电系统)等器件15。

晶片11在正面11a侧具有形成有多个器件15的大致圆形的器件区域17a和包围器件区域17a的环状的外周剩余区域17b。外周剩余区域17b相当于包含正面11a的外周缘在内的规定的宽度(例如2mm左右)的环状的区域。在图1的(A)中,用双点划线表示器件区域17a与外周剩余区域17b的边界。

另外,晶片11的材质、形状、构造、大小等没有限制。例如,晶片11也可以是由硅以外的半导体(GaAs、InP、GaN、SiC等)、玻璃、陶瓷、树脂、金属等形成的基板。另外,器件15的种类、数量、形状、构造、大小、配置等也没有限制。

通过将晶片11沿着分割预定线13呈格子状分割,制造分别具有器件15的多个器件芯片。另外,通过对分割前的晶片11实施薄化处理,能够得到薄型化的器件芯片。

在晶片11的薄化中例如使用磨削装置。磨削装置具有:卡盘工作台(保持工作台),其对晶片11进行保持;以及磨削单元,其对晶片11进行磨削,在磨削单元上安装有具有多个磨削磨具的环状的磨削磨轮。一边使卡盘工作台和磨削磨轮分别进行旋转,一边使磨削磨具与晶片11的背面11b侧接触,由此对晶片11的背面11b侧进行磨削,使晶片11薄化。

但是,当对晶片11的整个背面11b侧进行磨削时,晶片11的整体被薄化而晶片11的刚性降低,在之后的搬送工序中晶片11容易破损等,晶片11的处理变得困难。因此,薄化处理(磨削加工)有时仅对晶片11的背面11b侧的中央部实施。

例如如图1的(B)所示,晶片11仅中央部被薄化,在晶片11的背面11b上形成有圆形的凹部(槽)19。该凹部19设置于与器件区域17a对应的位置。例如,凹部19的大小(直径)被设定为与器件区域17a的大小(直径)大致相同,凹部19形成于与器件区域17a重叠的位置。

凹部19包含底面19a和环状的侧面(内壁)19b,该底面19a与晶片11的正面11a和背面11b大致平行,该环状的侧面19b与底面19a大致垂直,并且与底面19a和晶片11的背面11b连接。而且,在晶片11的外周部残留有相当于未实施薄化处理(磨削加工)的区域的加强部(凸部)21。加强部21包含外周剩余区域17b,包围器件区域17a和凹部19。

如果仅对晶片11的中央部进行薄化,则晶片11的外周部(加强部21)维持在较厚的状态。由此,抑制了晶片11的刚性的降低,不容易产生晶片11的破损等。即,加强部21作为加强晶片11的加强区域而发挥功能。

接着,对用于将晶片11分割成多个器件芯片的晶片的加工方法的具体例进行说明。在本实施方式中,首先,在晶片11的背面11b侧粘贴粘接带(带粘贴步骤)。图2的(A)是示出粘贴有粘接带23的晶片11的立体图,图2的(B)是示出粘贴有粘接带23的晶片11的剖视图。

在晶片11的背面11b侧粘贴有能够覆盖晶片11的整个背面11b侧的大小的粘接带23。例如,直径比晶片11大的圆形的粘接带23以覆盖晶片11的背面11b侧的方式粘贴。

作为粘接带23,能够使用包含圆形的基材和设置在基材上的粘接层(糊层)的柔软的膜。例如,基材由聚烯烃、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等树脂形成,粘接层由环氧系、丙烯酸系或者橡胶系的粘接剂等形成。另外,粘接层也可以使用通过紫外线的照射而固化的紫外线固化型的树脂。

粘接带23沿着晶片11的背面11b侧的轮廓粘贴。即,如图2的(B)所示,粘接带23沿着(仿照)凹部19的底面19a和侧面19b以及加强部21的背面(下表面)粘贴。另外,在图2的(B)中,示出了粘接带23以与底面19a和侧面19b紧贴的方式粘贴的例子,但也可以在粘接带23与底面19a的外周部之间或者粘接带23与侧面19b之间存在微小的间隙。

在粘接带23的外周部粘贴有由SUS(不锈钢)等金属形成的环状的框架25。在框架25的中央部设置有能够收纳晶片11的圆形的开口25a。晶片11在配置于开口25a的内侧的状态下借助粘接带23而被框架25支承。由此,构成晶片11、粘接带23以及框架25一体化的框架单元(工件组)。

粘贴有粘接带23的晶片11被切削装置切削。图3是示出切削装置2的立体图。切削装置2具有:卡盘工作台(保持工作台)4,其对晶片11进行保持;以及切削单元12,其对卡盘工作台4所保持的晶片11进行切削。

卡盘工作台4的上表面是与X轴方向(加工进给方向、第1水平方向)和Y轴方向(分度进给方向、第2水平方向)大致平行地形成的平坦面,构成对晶片11进行保持的圆形的保持面4a(参照图4)。另外,在卡盘工作台4上连结有使卡盘工作台4沿着X轴方向移动的滚珠丝杠式的移动机构(未图示)和使卡盘工作台4绕与Z轴方向(铅垂方向、上下方向)大致平行的旋转轴进行旋转的电动机等旋转驱动源(未图示)。

在卡盘工作台4的上方配置有对晶片11进行切削的切削单元12。切削单元12具有圆筒状的壳体14,在壳体14的内部收纳有沿着Y轴方向配置的圆筒状的主轴(未图示)。主轴的前端部(一端部)向壳体14的外部露出。

在主轴的前端部安装有环状的切削刀具16。另外,在主轴的基端部(另一端部)连结有电动机等旋转驱动源。切削刀具16通过从旋转驱动源经由主轴传递的动力,绕与Y轴方向大致平行的旋转轴进行旋转。

作为切削刀具16,例如使用毂型的切削刀具(轮毂刀具)。轮毂刀具构成为由金属等形成的环状的基台和沿着基台的外周缘形成的环状的切刃成为一体。轮毂刀具的切刃由电铸磨具构成,该电铸磨具是通过镀镍层等结合材料将由金刚石等形成的磨粒固定而得的。另外,作为切削刀具16,也可以使用垫圈型的切削刀具(垫圈刀具)。垫圈刀具由环状的切刃构成,该切刃是通过由金属、陶瓷、树脂等形成的结合材料将磨粒固定而得的。

安装于主轴的前端部的切削刀具16被固定于壳体14的刀具罩18覆盖。刀具罩18具有:连接部20,其与提供纯水等液体(切削液)的管(未图示)连接;以及一对喷嘴22,它们与连接部20连接,并分别配置于切削刀具16的两个面侧(正反面侧)。在一对喷嘴22上分别形成有朝向切削刀具16开口的喷射口(未图示)。

当向连接部20提供切削液时,从一对喷嘴22的喷射口朝向切削刀具16的两个面(正反面)喷射切削液。通过该切削液,晶片11和切削刀具16被冷却,并且通过切削加工而产生的碎屑(切削屑)被冲洗掉。

在切削单元12上连结有使切削单元12移动的滚珠丝杠式的移动机构(未图示)。该移动机构使切削单元12沿着Y轴方向移动,并且使切削单元12沿着Z轴方向升降。

在使用切削装置2对晶片11进行加工时,首先,利用卡盘工作台4对晶片11进行保持(保持步骤)。图4是示出被卡盘工作台4保持的晶片11的剖视图。

卡盘工作台4具有由金属、玻璃、陶瓷、树脂等形成的圆柱状的框体(主体部)6。在框体6的上表面6a侧形成有俯视呈圆形的凹部(槽)6b,在凹部6b中嵌入有圆盘状的保持部件8。保持部件8是由多孔陶瓷等多孔质材料形成的部件,在其内部包含从保持部件8的上表面连通至下表面的空孔(吸引路)。

保持部件8经由形成于框体6的内部的流路(未图示)、阀(未图示)等而与喷射器等吸引源(未图示)连接。而且,保持部件8的上表面构成对晶片11进行吸引的圆形的吸引面8a。框体6的上表面6a和保持部件8的吸引面8a大致配置在同一平面上,构成卡盘工作台4的保持面4a。

晶片11以正面11a侧向上方露出的方式配置在卡盘工作台4上。另外,卡盘工作台4构成为能够利用保持面4a对晶片11的凹部19的底面19a进行保持。具体而言,保持面4a的直径比凹部19的直径小,卡盘工作台4的保持面4a侧嵌入于凹部19中。由此,凹部19的底面19a隔着粘接带23而被保持面4a支承。

另外,在卡盘工作台4的周围设置有把持并固定框架25的多个夹具10。当晶片11配置在卡盘工作台4上时,框架25被多个夹具10固定。

在晶片11配置在卡盘工作台4上的状态下,当使吸引源的负压(吸引力)作用于保持部件8时,粘接带23中的粘贴于凹部19的底面19a的区域被吸引面8a吸引。由此,凹部19的底面19a隔着粘接带23而被卡盘工作台4吸引保持。

接着,利用切削刀具16沿着分割预定线13(参照图3等)对晶片11进行切削(切削步骤)。在切削步骤中,沿着与第1方向平行的分割预定线13和与第2方向平行的分割预定线13对晶片11进行切削,该第2方向与第1方向交叉。

图5的(A)是示出沿着第1方向被切削的晶片11的剖视图。首先,使卡盘工作台4进行旋转,使与第1方向平行的一条分割预定线13的长度方向与X轴方向一致。另外,调整切削单元12在Y轴方向上的位置,以便将切削刀具16配置在一条分割预定线13的延长线上。

此外,调整切削单元12的高度,以便使切削刀具16的下端配置于比凹部19的底面19a靠下方的位置。例如,切削刀具16的下端被定位于比粘贴于凹部19的底面19a的粘接带23的上表面靠下方且比保持面4a(粘接带23的下表面)靠上方的位置。此时的晶片11的正面11a与切削刀具16的下端的高度之差相当于切削刀具16向晶片11的切入深度。

然后,使切削刀具16进行旋转,并且使卡盘工作台4沿着X轴方向移动。由此,卡盘工作台4和切削刀具16沿着X轴方向相对地移动(加工进给),切削刀具16沿着一条分割预定线13切入晶片11的正面11a侧。

此时的切削刀具16的切入深度比晶片11的中央部(器件区域17a,参照图3等)的厚度大,并且比晶片11的外周部(加强部21)的厚度小。因此,在晶片11的器件区域17a中沿着一条分割预定线13形成有从正面11a到达底面19a的切口(断痕)。另一方面,在晶片11的加强部21上沿着一条分割预定线13形成有与切削刀具16的切入深度对应的深度的槽11c。

然后,使切削刀具16沿Y轴方向按照分割预定线13的间隔的量移动(分度进给),沿着其他分割预定线13对晶片11进行切削。通过重复该步骤,沿着与第1方向平行的所有分割预定线13对晶片11进行切削。

接着,使卡盘工作台4旋转90°,使与第2方向平行的分割预定线13的长度方向与X轴方向一致。然后,通过同样的步骤,沿着分割预定线13对晶片11进行切削。图5的(B)是示出沿着第2方向被切削的晶片11的剖视图。

当沿着所有分割预定线13对晶片11进行切削时,晶片11的器件区域17a沿着分割预定线13被分割,能够得到分别具有器件15的多个器件芯片27(参照图6)。另外,在加强部21的上表面(正面)侧沿着分割预定线13形成有槽11c。

接着,通过对加强部21施加外力,以槽11c为起点沿着分割预定线13对加强部21进行分割(分割步骤)。在本实施方式中,利用卡盘工作台对粘接带23进行吸引,从而对加强部21施加外力。

图6是示出清洗单元30的立体图。清洗单元30是对切削加工后的晶片11进行清洗的机构,内置于切削装置2(参照图3)。而且,清洗单元30具有:卡盘工作台(保持工作台)32,其对晶片11进行保持;以及流体提供单元46,其向卡盘工作台32所保持的晶片11提供流体。

卡盘工作台32的上表面构成对晶片11进行保持的圆形的保持面。另外,在卡盘工作台32上连结有使卡盘工作台32绕与铅垂方向大致平行的旋转轴进行旋转的电动机等旋转驱动源(未图示)。

卡盘工作台32具有由金属、玻璃、陶瓷、树脂等形成的圆柱状的框体(主体部)34。在框体34的上表面34a侧形成有俯视呈圆形的凹部(槽)34b,在凹部34b中嵌入有圆盘状的保持部件36。保持部件36是由多孔陶瓷等多孔质材料形成的部件,在其内部包含从保持部件36的上表面连通至下表面的空孔(吸引路)。

保持部件36的上表面构成对晶片11进行吸引保持的圆形的吸引面36a。另外,框体34的上表面34a和保持部件36的吸引面36a大致配置在同一平面上。

在卡盘工作台32中的与晶片11的加强部21对应的位置设置有凹凸。例如,框体34按照当晶片11配置在卡盘工作台32上时上表面34a与加强部21重叠的方式形成。另外,在框体34的上表面34a侧设置有从上表面34a向上方突出的多个凸部(突起)38。另外,在图6中示出了形成为长方体状的凸部38,但凸部38的形状没有限制。

多个凸部38沿着框体34的周向大致等间隔地排列。而且,由框体34的上表面34a和凸部38构成具有周期性的凹凸的环状的区域。

此外,在框体34的上表面34a侧设置有在上表面34a开口的环状的槽40a、40b。例如,槽40a、40b在多个凸部38的两侧(框体34的半径方向的外侧和内侧)形成为同心圆状。另外,槽40a和槽40b经由沿着框体34的半径方向形成的多个槽40c而相互连结。

保持部件36经由设置于框体34的内部的流路(未图示)和阀42a而与吸引源44连接。另外,槽40a、40b、40c经由设置于框体34的内部的流路(未图示)和阀42b而与吸引源44连接。吸引源44由喷射器等构成。

晶片11以加强部21与框体34的上表面34a重叠的方式配置在卡盘工作台32上。由此,晶片11的加强部21隔着粘接带23而被多个凸部38支承。

图7的(A)是示出配置在卡盘工作台32上的晶片11的剖视图。另外,在图7的(A)中,为了便于说明,仅图示了晶片11、粘接带23、框架25、卡盘工作台32的截面中的形状。当在晶片11配置在卡盘工作台32上的状态下打开阀42a、42b时,吸引源44的负压作用于保持部件36和槽40a、40b,晶片11隔着粘接带23而被卡盘工作台32吸引保持。

图7的(B)是示出被卡盘工作台32吸引的晶片11的剖视图。粘接带23中的粘贴于晶片11的凹部19的内侧的区域被保持部件36吸引而从凹部19剥离,与吸引面36a接触。另外,粘接带23中的粘贴于加强部21的区域被槽40a、40b吸引而从加强部21剥离,与框体34的上表面34a接触。

这里,如图6所示,在框体34的上表面34a侧,通过多个凸部38呈环状形成有周期性的凹凸。因此,当使负压作用于槽40a、40b时,粘接带23中的粘贴于加强部21的区域沿着框体34的上表面34a和凸部38变形,成为起伏的状态。而且,加强部21中的未被凸部38支承的区域被粘接带23向框体34的上表面34a侧拉拽,按照进入相邻的凸部38之间的方式移动。其结果为,剪切应力作用于加强部21。即,利用卡盘工作台32对粘接带23进行吸引,从而对加强部21施加外力。

当对加强部21施加外力时,从形成于加强部21的槽11c产生龟裂,并在加强部21的厚度方向上发展。由此,加强部21沿着分割预定线13断裂。即,槽11c作为加强部21的分割的起点而发挥功能,环状的加强部21沿着分割预定线13被分割成多个片。

另外,在分割步骤中,不需要一定沿着所有的槽11c对加强部21进行分割。即,只要按照在后述的加强部去除步骤中能够适当地去除加强部21的方式将加强部21分割成规定的尺寸以下的多个片即可。

另外,在图6中,对由框体34的上表面34a和凸部38构成卡盘工作台32的凹凸的例子进行了说明,但凹凸的形成方法没有限制。例如,也可以通过在框体34的上表面34a侧设置多个凹部(槽)而形成凹凸。

此外,对加强部21施加外力的方法不限于卡盘工作台32对粘接带23的吸引。例如,也可以在利用规定的卡盘工作台保持着晶片11的状态下将按压部件按压于加强部21,从而对加强部21施加外力。另外,也可以使用扩展带(能够通过施加外力而扩展的带)作为粘接带23,拉拽扩展带而使扩展带扩展,从而对加强部21施加外力。

接着,将被分割成多个片的加强部21去除(加强部去除步骤)。在加强部去除步骤中,将通过加强部21的分割而形成的各片从粘接带23剥离而去除。由此,成为在粘接带23上仅粘贴有多个器件芯片27的状态。

为了去除加强部21,例如使用流体提供单元46(参照图6)。流体提供单元46具有喷射流体的喷嘴48和使喷嘴48旋转的臂50。

图8的(A)是示出加强部21被喷射流体52的晶片11的剖视图。在加强部去除步骤中,首先,使喷嘴48进行旋转而配置于与加强部21的内侧的区域重叠的位置。然后,从喷嘴48朝向加强部21喷射流体52。由此,加强部21的片被流体52吹飞而从粘接带23剥离,从而被去除。

图8的(B)是示出加强部21被去除的晶片11的剖视图。在通过流体52的喷射将加强部21去除的情况下,优选从晶片11的中心侧(加强部21的内侧)朝向晶片11的外周侧(加强部21的外侧)喷射流体52。在该情况下,加强部21的片向加强部21的半径方向外侧飞散。由此,能够防止加强部21的片飞散到器件芯片27侧而损伤器件芯片27。例如,通过使喷嘴48相对于铅垂方向倾斜(参照图8的(A)和图8的(B)),调整流体52的喷射方向。

然后,从喷嘴48喷射流体52,并且使卡盘工作台32进行旋转。由此,流体52喷射到加强部21的整体,加强部21的片从粘接带23依次剥离而被去除。

这里,假设在加强部21未被分割而保持连续的环状的状态的情况下,为了适当地去除加强部21,需要慎重地保持加强部21,并且需要以使加强部21不产生摆动或位置偏移的方式拾起加强部21的作业。因此,需要用于进行加强部21的去除的精密的搬送机构等,加强部21的去除所需的作业时间也变长。另一方面,在本实施方式中,在分割步骤中,将环状的加强部21分割成多个片,因此仅通过在加强部去除步骤中对各片施加适度的外力,能够极其简单地去除加强部21。

另外,向加强部21喷射的流体52没有限制。例如,喷射被加压的纯水等液体(高压液体)作为流体52。另外,作为流体52,也可以使用包含液体(纯水等)和气体(空气等)的混合流体。

另外,在向加强部21喷射流体时,也可以利用保护膜覆盖多个器件芯片27。例如,也可以从卡盘工作台32的上方朝向晶片11提供纯水,利用水膜覆盖多个器件芯片27。由此,即使在万一加强部21的片飞散到器件芯片27侧的情况下,器件芯片27也不容易损伤。在该情况下,也可以将向卡盘工作台32所保持的晶片11提供保护膜形成用的液体(纯水等)的喷嘴搭载于清洗单元30。

另外,以上对使用设置于清洗单元30的卡盘工作台32来实施分割步骤和加强部去除步骤的情况进行了说明,但也可以使用与清洗单元30分开准备的其他卡盘工作台。另外,也可以在分割步骤和加强部去除步骤中使用单独的卡盘工作台。

如上所述,在本实施方式的晶片的加工方法中,在切削步骤中,将器件区域17a分割成多个器件芯片27,并且在加强部21的正面侧形成有槽11c。而且,在分割步骤中,对加强部21施加外力,加强部21以槽11c为起点被分割。其结果为,例如通过向被分割的加强部21喷射流体52等简单的方法,能够容易地将加强部21从晶片11去除。

另外,在上述的晶片的加工方法中,也可以在实施了保持步骤(参照图4)之后且实施分割步骤(参照图7的(A)和图7的(B))之前,将器件区域17a与加强部21分离(分离步骤)。例如在实施切削步骤(参照图5的(A)和图5的(B))之前或之后,使用图3所示的切削装置2来实施分离步骤。

具体而言,首先,在利用卡盘工作台4保持着晶片11的状态下(参照图4),调整卡盘工作台4和切削单元12的位置,以便使切削刀具16配置于晶片11的器件区域17a(薄化后的区域)的外周部的正上方。然后,一边使切削刀具16进行旋转一边使切削单元12下降,使切削刀具16切入器件区域17a的外周部的一部分。此时的切削单元12的下降量按照使切削刀具16的下端到达粘贴于凹部19的底面19a的粘接带23的方式设定。

接着,在切削刀具16切入晶片11的状态下,在使切削刀具16进行旋转的状态下使卡盘工作台4旋转一周。由此,晶片11沿着器件区域17a的外周部被呈环状切削而被切断。其结果为,将加强部21从晶片11切掉,使器件区域17a与加强部21分离。

如果实施上述的分离步骤,则在实施之后的分割步骤时,不会残留从加强部21的上部向器件芯片27侧突出的突起部(参照图7的(A)和图7的(B)),或者突起部变短。由此,当在分割步骤中对粘接带23进行吸引时,能够防止被粘接带23拉拽的突起部折断而向器件芯片27侧飞散。

另外,在上述的晶片的加工方法中,也可以在实施了切削步骤(参照图5的(A)和图5的(B))之后且实施分割步骤(参照图7的(A)和图7的(B))之前,在加强部21上形成多条划刻线(槽)(划刻线形成步骤)。

例如使用搭载有槽形成单元(划刻线形成单元)60的切削装置2来实施划刻线形成步骤。图9的(A)是示出具有槽形成单元60的切削装置2的俯视图,图9的(B)是示出具有槽形成单元60的切削装置2的剖视图。另外,在图9的(B)中还图示了实施切削步骤之后的晶片11。

例如,槽形成单元60安装于切削单元12的壳体14的侧面上。具体而言,槽形成单元60具有固定于壳体14的侧面上的固定部件62。固定部件62形成为俯视L字状,按照在X轴方向上与壳体14相邻的方式配置。

在固定部件62的下表面侧固定有在晶片11上形成划刻线(槽)的切割器64和按压晶片11的按压部件66。切割器64和按压部件66按照在Y轴方向上相邻的方式配置。

切割器64在下端部具有切刃64a。作为切刃64a,例如使用金刚石切割器。另外,按压部件66是由金属、树脂等形成的圆筒状的部件。按压部件66的下表面形成为曲面状,构成按压晶片11的按压面66a。

在划刻线形成步骤中,首先,使槽形成单元60移动,使切割器64的切刃64a与加强部21的正面侧接触。另外,槽形成单元60的移动由与切削单元12连结的移动机构(未图示)控制。然后,在切刃64a与加强部21接触的状态下,使槽形成单元60沿着Y轴方向移动。由此,在加强部21的正面侧沿着加强部21的径向形成线状的划刻线。

接着,使卡盘工作台4旋转规定的角度,同样地在加强部21上形成划刻线。通过重复进行该步骤,沿着加强部21的径向形成多条划刻线。

划刻线与形成于加强部21的槽11c(参照图6)一起作为晶片11的分割起点而发挥功能。即,如果形成划刻线,则在分割步骤(参照图7的(A)和图7的(B))中加强部21容易产生龟裂,辅助加强部21的分割。由此,能够将加强部21可靠地分割成多个片。

另外,也可以在加强部21上形成划刻线之后,通过将按压部件66按压于加强部21来将加强部21分割。具体而言,在通过切割器64在加强部21上形成划刻线之后,使按压部件66沿着Y轴方向移动而定位于加强部21的正上方,并朝向加强部21下降。由此,按压面66a与加强部21接触而将加强部21向下方按压。其结果为,对加强部21施加外力,加强部21以划刻线和槽11c(参照图6)为起点而被分割。

然后,使卡盘工作台4每次旋转规定的角度,重复进行划刻线的形成和按压部件66对加强部21的按压。即,交替地多次实施划刻线形成步骤和分割步骤。由此,加强部21沿着周向依次断裂,最终加强部21被分割成多个片。

此外,上述实施方式的构造、方法等能够在不脱离本发明的目的的范围内进行适当变更来实施。

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