具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

应当理解，虽然术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区域分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可称为第二元件，并且类似地，第二元件可称为第一元件。如本文所使用，术语“和/或”包括相关联的所列项中的一个或多个的任何和所有组合。

应当理解，当一个元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件上”或“延伸到另一个元件上”时，其可以直接在另一个元件上或直接延伸到另一个元件上，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件上”或“直接延伸到另一个元件上”时，不存在介于中间的元件。同样，应当理解，当元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件之上”或“在另一个元件之上延伸”时，其可以直接在另一个元件之上或直接在另一个元件之上延伸，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件之上”或“直接在另一个元件之上延伸”时，不存在介于中间的元件。还应当理解，当一个元件被称为“连接”或“耦接”到另一个元件时，其可以直接连接或耦接到另一个元件，或者可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦接”到另一个元件时，不存在介于中间的元件。

除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)的含义与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。还应当理解，本文所使用的术语应解释为含义与它们在本说明书和相关领域的情况下的含义一致，而不能以理想化或者过度正式的意义进行解释，除非本文中已明确这样定义。

本申请实施例的一方面，提供一种半导体器件，如图5所示，包括：衬底100，在衬底100上设置半导体叠层110，在半导体叠层110上设置钝化层140，在钝化层140上设置第一介质层160。为了形成具有栅控功能的主动器件，半导体器件还包括源极金属、漏极金属和栅极金属170，其中，源极金属和漏极金属依次贯穿第一介质层160和钝化层140以分别与半导体叠层110形成欧姆接触，栅极金属170也同样依次贯穿第一介质层160和钝化层140从而与半导体叠层110形成肖特基接触。在钝化层140和第一介质层160之间还设置有场板金属150，通过钝化层140能够将场板金属150与半导体叠层110隔离，通过第一介质层160与栅极金属170隔离。且场板金属150位于栅极金属170和漏极金属之间，场板金属150不与栅极金属170接触。如此，通过场板金属150能够辅助源极场板190对栅脚处的电场进行调制，便于提高电场调制效果，从而提高器件的耐压和可靠性，并且有利于减小栅极金属170的栅帽体积（栅场板体积），从而降低C_gd和C_gs，使得电场调制与C_gd和C_gs之间具有较好的平衡。由于场板金属150位于栅极金属170和漏极金属之间，还可以进一步的降低C_gd，提升器件的射频性能，且由于场板金属150靠近栅极金属170设置，因此，还可以有效的屏蔽沟道处来自漏极的电势线，防止器件自激振荡。

在一些实施方式中，当栅极金属170与场板金属150间隔设置，且栅极金属170在衬底100的正投影与场板金属150在衬底100的正投影具有交叠区域时，能够使得栅极金属170的栅帽（栅场板）距离沟道更远，有利于进一步的减小栅极寄生电容。

在一些实施方式中，可以通过以下制备方法制作上述器件：

如图1所示，首先提供一种衬底100，该衬底100可以是用于承载半导体集成电路元器件的基材，例如GaN、GaAs、SiC等。然后在该衬底100上沉积半导体叠层110，沉积的方式可以是通过化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)或原子层沉积(ALD)等工艺进行，本申请对其不做限定，具体可以根据实际需求进行合理选择。

半导体叠层110可以是一层、两层或多层，设置时应当结合器件类型进行合理选择，本申请不对其做限制，当半导体器件为HEMT器件时，半导体叠层110可以包括沟道层和势垒层，在一些实施例中，沟道层可以是GaN层，势垒层可以是AlGaN层；在另一些实施例中，沟道层可以是AlGaAs层，势垒层可以是InGaP层等，当然，半导体叠层110还可以包括成核层、缓冲层、插入层等等，以使得半导体器件具有较佳的性能。

如图2所示，在半导体叠层110上继续制作源极欧姆金属120和漏极欧姆金属130，制作的方式可以是通过光刻、蒸发或溅射、金属剥离等工艺形成。源极欧姆金属120和漏极欧姆金属130可以是同步骤制作。在制作源极欧姆金属120和漏极欧姆金属130时，可以在金属剥离后，对晶圆进行高温热处理（一般温度可以是大于500℃）从而使得金属合金化，金属与下方的半导体叠层110形成欧姆接触。

如图3所示，在半导体叠层110上形成源极欧姆金属120和漏极欧姆金属130后，继续沉积整层的钝化层140，即钝化层140覆盖器件的上表面。然后通过光刻、蒸镀、金属剥离等工艺形成场板金属150。

如图5所示，形成场板金属150后，继续沉积整层的第一介质层160，并且通过刻蚀第一介质层160和钝化层140，从而形成栅槽，通过栅槽制作栅极金属170，并且使得栅极金属170与半导体叠层110形成肖特基接触。场板金属150位于栅极金属170和漏极欧姆金属130之间，并且场板金属150靠近栅极金属170设置，场板金属150与栅极金属170不接触，具有一定的间距。

如图6所示，形成栅极金属170后，可以继续沉积整层的第二介质层180。如图7所示，可以在第二介质层180上制作源极场板190。此外，还可以通过依次刻蚀第二介质层180、第一介质层160和钝化层140，从而在源极欧姆金属120上打开源极窗口，在漏极欧姆金属130之上打开漏极窗口，然后通过源极窗口制作源极互连金属200，通过漏极窗口制作漏极互连金属210，并且漏极互连金属210与漏极欧姆金属130接触，源极互连金属200与源极欧姆金属120接触，如此，分别形成源极金属和漏极金属。当然，源极场板190、源极互连金属200和漏极互连金属210可以是同步骤制作。

可选的，如图7、图9和图10所示，源极场板190在衬底100的正投影可以与栅极金属170在衬底100的正投影相交，即二者的正投影具有交叠区域，如此，源极场板190能够对栅极金属170形成全包或半包的结构形式，能够具有较好的屏蔽作用。

可选的，场板金属150可以与源极场板190或源极金属连接，从而使得场板金属150能够与源极金属形成同电位，即场板金属150在此实施方式中，可以作为源极场板190之用，二者共同对电场进行调制以及屏蔽漏极电场。当场板金属150与源极场板190连接时，可以在垂直衬底100方向上通过互连孔实现二者的互连。当场板金属150与源极金属连接时，可以绕过栅极金属170实现与源极金属的连接。当然，本实施例中并不限定场板金属150与源极场板190或源极金属连接的方式，应当理解，无论何种连接方式均属于本申请的范围之内。

可选的，场板金属150为浮空场板，换言之，场板金属150不与任何其它金属或电极连接或接触，其自身属于独立的金属块，根据电容电极原理，在源漏栅电极具有电压后，浮空场板自身的电势能够进行自适应的改变。

可选的，如图8所示，源极场板190在衬底100的正投影位于场板金属150在衬底100的正投影和漏极金属在衬底100的正投影之间，即场板金属150在衬底100的正投影与源极场板190在衬底100的正投影不相交，由于场板金属150能够对栅极金属170附近的电场进行调制，因此，源极场板190的设置位置可以朝向远离栅极金属170的方向设置，如此，能够增加源极场板190和栅极金属170之间的间距，从而进一步的降低C_gs。

可选的，如图1至图10所示，栅极金属170包括相互连接的栅脚和栅帽，栅脚与半导体叠层110接触，栅帽位于第一介质层160上。

可选的，如图9所示，在第一介质层160上设置有空腔，栅帽在衬底100的正投影覆盖空腔在衬底100的正投影，在制作时，可以通过刻蚀第一介质层160形成空腔，然后在空腔中填充牺牲层，并进行刻蚀牺牲层和钝化层140，从而形成栅极槽，制作栅极金属170后，掏空填充于空腔内的牺牲层。在一些实施方式中，场板金属150可以部分位于空腔，即场板金属150的一端可以深入空腔，且场板金属150与栅极金属170之间仍具有一定的间距。在一些实施方式中，场板金属150可以位于空腔之外。通过设置空腔，利用空气能够进一步的降低C_gs。

可选的，如图10所示，半导体器件包括多个场板金属150，多个场板金属150自栅极金属170至漏极金属方向依次间隔设置，如此，能够进一步的提高对电场的调制效果，缓解栅极周围的电场峰值，提高器件的耐压性。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。